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名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

第1章

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フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

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光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

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暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

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絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例 プリント基板設計における推奨パターン及び注意点 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M12343 Rev.1.0 Dec

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NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

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MOSFET dv/dt 影響について Application Note MOSFET dv/dt 影響について 概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します Tosh

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三端子レギュレータについて 1. 保護回路 (1) 正電圧三端子レギュレータ ( 図 1) (1-1) サーマルシャットダウン回路サーマルシャットダウン回路は チップの接合温度が異常に上昇 (T j =150~200 ) した時 出力電圧を遮断し温度を安全なレベルまで下げる回路です Q 4 は常温で

RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって

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NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄

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特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

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等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o

Transcription:

6mmC-Series モジュール 高周波スイッチング向け高速 IGBT"and SiC ダイオード内蔵 6mmC-SeriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching VCES = V IC nom = / ICRM = 一般応用 Typicalpplications 高周波スイッチングアプリケーション HighFrequencySwitchingpplication 医療機器アプリケーション Medicalpplications モーター駆動 MotorDrives 共振型インバータアプリケーション ResonantInverterppliccations サーボ駆動 ServoDrives UPSシステム UPSSystems 電気的特性 ElectricalFeatures 高い短絡電流耐量 自己抑制型短絡電流 High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent 低スイッチング損失 LowSwitchingLosses 優れたロバスト性 UnbeatableRobustness 正温度特性を持ったVCEsat 飽和電圧 VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient 機械的特性 MechanicalFeatures CTI( 比較トラッキング指数 )>のモジュールパッケージ PackagewithCTI> 長い縁面 / 空間距離 HighCreepageandClearanceDistances 絶縁されたベースプレート IsolatedBasePlate 銅ベースプレート CopperBasePlate 標準ハウジング StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit -5 6- -9 - -3 ULapproved(E83335)

IGBT- インバータ /IGBT,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues コレクタ エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage 連続 DC コレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent トータル損失 Totalpowerdissipation ゲート エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VCES V TC = 8 C, Tvj max = 5 C TC = 5 C, Tvj max = 5 C IC nom IC 5 tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 5 Ptot 78 W VGES +/- V 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. コレクタ エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage ゲート エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage ゲート電荷量 Gatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance コレクタ エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent ゲート エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent ターンオン遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-ondelaytime,inductiveload IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V VCE sat 3, 3,85 3,7 V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth,5 5,5 6,5 V VGE = -5 V... +5 V QG, µc RGint,5 Ω f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cies 6,5 nf f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cres, nf VCE = V, VGE = V, ICES 5, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = 6 V VGE = ±5 V RGon = 9, Ω td on,, ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload IC =, VCE = 6 V VGE = ±5 V RGon = 9, Ω tr,6,7 ターンオフ遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-offdelaytime,inductiveload IC =, VCE = 6 V VGE = ±5 V RGoff = 9, Ω td off,53,55 ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload IC =, VCE = 6 V VGE = ±5 V RGoff = 9, Ω tf,3, ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC =, VCE = 6 V, LS = 6 nh VGE = ±5 V, di/dt = / RGon = 9, Ω Eon 9,5 ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC =, VCE = 6 V, LS = 6 nh VGE = ±5 V RGoff = 9, Ω Eoff 7,7 短絡電流 SCdata ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions VGE 5 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt RthJC,6 K/W IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) ISC 65 RthCH,3 K/W Tvj op - 5 C

Diode インバータ /Diode,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 連続 DC 電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value Tvj = 8 C VRRM V IF tp = ms IFRM VR = V, tp = ms, I²t ²s 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = 6 V VGE = -5 V VF IRM,,7 7, 5, V V 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF =, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = 6 V VGE = -5 V Qr 6, 6, µc µc 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF =, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = 6 V VGE = -5 V Erec, 5,5 ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC,3 K/W /Diode( 素子当り )/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,6 K/W Tvj op - 5 C 3

モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 保存温度 Storagetemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 質量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL,5 kv Cu 基礎絶縁 ( クラス,IEC6) basicinsulation(class,iec6) 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal lo3 9, 3, 3,, CTI > / モジュール /permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) min. typ. max. mm mm RthCH, K/W LsCE nh TC=5 C,/ スイッチ /perswitch RCC'+EE',7 mω Tstg - 5 C 取り付けネジ M6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジ M6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm M,5-5, Nm G 3 g

出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C 75 5 75 5 VGE =8V VGE =9V VGE =V VGE =V VGE =5V VGE =V 5 5 IC [] IC [] 75 75 5 5 5 5,,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, 5,5 6, VCE [V],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, 5,5 6, VCE [V] 伝達特性 IGBT- インバータ (Typical) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=9.Ω,RGoff=9.Ω,VCE=6V 8 3 Eon, Eoff, 6 5 IC [] E [] 5 8 6 5 5 6 7 8 9 VGE [V] 6 8 6 8 IC [] 5

スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=,VCE=6V 過渡熱インピーダンス IGBT- インバータ transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 3 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 5, E [] 5 ZthJC [K/W], 5 5 5 5 3 RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,96,,58, 3,5,5,6,,,,, t [s] 逆バイアス安全動作領域 IGBT- インバータ (RBSO)) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=9.Ω,Tvj=5 C 順電圧特性 Diode インバータ (typical) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) 5 5 IC, Modul IC, Chip 75 75 5 5 5 IC [] 5 IF [] 75 75 5 5 5 5 6 8 VCE [V],,5,,5,,5 3, VF [V] 6

スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=9.Ω,VCE=6V スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=6V Erec, Erec, 8 8 6 6 E [] E [] 6 8 6 8 IF [] 3 5 RG [Ω] 過渡熱インピーダンス Diode インバータ transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) ZthJC : Diode, ZthJC [K/W], i: ri[k/w]: τi[s]:,8,,99, 3,96,5,87,,,,, t [s] 7

回路図 /circuit_diagram_headline パッケージ概要 /packageoutlines In fin e o n 8

この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります 利用規約このデータシートに記載されているデータ類は 技術者向けの物です このデバイスを使用される際は 製品が使用されるアプリケーションにて ご評価頂いた上で アプリケーションに適切かご判断願います このデータシートには 保証されている特性が記述されております その他 保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます 保証は アプリケーションやその特性に対しては行いません 実際のアプリケーションでの利用に関しては 必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください 追加の技術的情報 アプリケーションでの使用方法について ご質問がある際には 最寄のセールスオフィスにお問い合わせ願います (www.infineon.com 参照 ) 製品にご興味頂き必要があれば アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります 技術的な要求によっては 当該製品が危険な物になり得る可能性があります この様なことが起こる可能性がある場合は 製品を使用される方の責任にて 弊社セールスオフィスに連絡願います 航空関連 もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は インフィニオンと下記の項目を合意しているか ご確認願います ーリスク及び品質の評価ー品質契約ーアプリケーションの共同評価上記の内容の状況に応じて 製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます 必要に応じて この規約を関係される方々に送付してください インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. 9