11 月 6 日 ( 水 ) 8:00 ~ 12:30 司 会 喜 多 隆 面 内 超 高 密 度 InAs 量 子 ドットの 自 己 形 成 とその 特 性 評 価 電 気 通 信 大 学 山 口 浩 一 (40 分 ) GaAs 中 窒 素 δ ドープ 超 格 子 の 光 学 特 性 と 中 間

1 1 月 5 日 ( 火 ) 第 9 回 量 子 ナノ 材 料 セミナー プログラム 講 演 予 稿 集 於 : 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 11 月 5 日 ( 火 ) 14:00 ~ 18:30 司 会 塚 本 史 郎 挨 拶 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 吉 田 靖 (5 分 ) はじめに 神 戸 大 学 喜 多 隆 (5 分 ) 量 子 ドットレーザの 開 発 と 商 用 化 ( 株 )QD レーザ 菅 原 充 (40 分 ) 量 子 ドット 太 陽 電 池 の 現 状 紹 介 東 京 大 学 岡 田 至 崇 (40 分 ) 半 導 体 多 層 膜 結 合 共 振 器 構 造 の 非 線 形 光 学 応 答 とそのデバイス 応 用 徳 島 大 学 井 須 俊 郎 (40 分 ) 休 憩 (10 分 ) NIMS における 量 子 ナノ 構 造 研 究 の 進 展 - 液 滴 量 子 ドットと 等 電 子 トラップを 中 心 に- 物 質 材 料 研 究 機 構 佐 久 間 芳 樹 (40 分 ) InAs ナノ 構 造 形 成 のその 場 観 察 及 び 位 置 制 御 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 東 條 孝 志 (30 分 ) GaAs 表 面 上 の Mn ナノ 構 造 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 平 山 基 (30 分 ) 19:00 ~ 懇 談 会 ( 於 :MERCI COFFEE)

11 月 6 日 ( 水 ) 8:00 ~ 12:30 司 会 喜 多 隆 面 内 超 高 密 度 InAs 量 子 ドットの 自 己 形 成 とその 特 性 評 価 電 気 通 信 大 学 山 口 浩 一 (40 分 ) GaAs 中 窒 素 δ ドープ 超 格 子 の 光 学 特 性 と 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 への 応 用 埼 玉 大 学 八 木 修 平 (40 分 ) 歪 補 償 多 重 積 層 InAs 量 子 ドットを 用 いた 光 デバイス 応 用 情 報 通 信 研 究 機 構 赤 羽 浩 一 (40 分 ) 休 憩 (15 分 ) 量 子 井 戸 太 陽 電 池 におけるヘテロ 界 面 の 制 御 と 変 換 効 率 の 向 上 東 京 大 学 杉 山 正 和 (40 分 ) セラミックスによるナノフォトニクス 材 料 の 作 製 と 応 用 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 小 西 智 也 (30 分 ) 単 一 粒 子 ナノ 加 工 法 を 利 用 した 機 能 性 ナノ 材 料 の 開 発 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 大 道 正 明 (30 分 ) まとめ 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 塚 本 史 郎 (5 分 )

量 子 ドットレーザの 開 発 と 商 用 化 株 式 会 社 QDレーザ 代 表 取 締 役 社 長 菅 原 充 QD レーザ 社 は 半 導 体 レーザによるイノベーションを 志 向 するベンチャー 企 業 である 本 講 演 では 当 社 のビジネスモデルと 通 信 用 量 子 ドットレーザの 開 発 と 商 用 化 につ いて 紹 介 する 目 次 : 1. 株 式 会 社 QD レーザの 事 業 2. 量 子 ドットレーザの 歴 史 3. MBEによる 自 己 形 成 量 子 ドット 結 晶 成 長 高 密 度 高 均 一 化 大 面 積 多 数 枚 成 長 4. 通 信 用 量 子 ドットレーザの 開 発 と 量 産 5. 温 度 安 定 超 高 温 度 動 作 とアプリケーション 6. まとめ

量 子 ドット 太 陽 電 池 の 現 状 紹 介 東 京 大 学 先 端 科 学 技 術 研 究 センター 岡 田 至 崇 現 在 の 単 接 合 太 陽 電 池 のエネルギー 変 換 効 率 は 最 大 約 31%である 単 接 合 太 陽 電 池 の 変 換 効 率 を 上 回 り かつ 低 コスト 化 を 展 望 できるような 次 世 代 型 太 陽 電 池 は ひとくくりにして 第 三 世 代 太 陽 電 池 と 呼 ばれ その 一 つの 量 子 ドット 型 太 陽 電 池 の 高 効 率 化 技 術 の 現 状 と 課 題 を 紹 介 する SQ 効 率 の 壁 を 打 ち 破 ることができれば 原 理 的 には 変 換 効 率 は 熱 力 学 的 上 限 まで 高 めることができ そのためには 集 光 型 セルの 開 発 が 不 可 欠 である 集 光 型 太 陽 光 発 電 システムは 太 陽 光 をレンズや 反 射 ミラーを 使 って 集 めて 発 電 する 方 式 であるため 一 つ 一 つの 太 陽 電 池 セルの 面 積 が 小 さく 半 導 体 の 使 用 量 を 少 なくできるメリットがあることから 現 在 のところ 低 コスト 化 など 経 済 的 効 果 の 方 が 注 目 されているが 実 は 熱 力 学 的 にも 量 子 ドット 太 陽 電 池 の 効 率 を 50% 以 上 まで 高 めるための 技 術 として 大 変 効 果 的 である したがって 第 三 世 代 太 陽 電 池 は 集 光 型 太 陽 光 発 電 システムに 組 み 込 むことで 低 コスト 化 とセルの 高 効 率 化 の 両 方 が 達 成 できる 非 常 に 魅 力 ある 発 電 方 式 といえる 現 在 使 用 する Ⅲ-Ⅴ 族 系 化 合 物 半 導 体 の 面 積 あたりのコストは 結 晶 シリコンよりも 2 桁 程 度 高 いものの セルの 変 換 効 率 が 40% 以 上 になると 500~1000 倍 の 集 光 システムでは 1W あたりの 生 産 コ ストはかえって 安 くなると 試 算 されている 将 来 のメガソーラー 発 電 のみならず ソー ラータウン スマートシティーなど 地 域 分 散 型 電 源 また 電 気 自 動 車 の 充 電 ステーショ ンへなど 幅 広 い 用 途 が 考 えられる

半 導 体 多 層 膜 結 合 共 振 器 構 造 の 非 線 形 光 学 応 答 とそのデバイス 応 用 徳 島 大 学 大 学 院 ソシオテクノサイエンス 研 究 部 フロンティア 研 究 センター 日 亜 寄 附 講 座 井 須 俊 郎 北 田 貴 弘 A 森 田 健 盧 翔 孟 B 中 河 義 典 量 子 ドットと 半 導 体 多 層 膜 微 小 共 振 器 構 造 の 非 線 形 光 学 効 果 を 利 用 した 新 規 な 光 素 子 の 開 発 を 進 めている 本 講 演 では その 中 でテラヘルツ 光 発 生 素 子 と 波 長 変 換 素 子 について 紹 介 する テラヘルツ 光 発 生 素 子 テラヘルツ 光 は 未 開 拓 周 波 数 領 域 の 電 磁 波 としてその 応 用 が 幅 広 く 注 目 されており 簡 便 な 発 生 検 出 素 子 が 強 く 要 望 されている 我 々は 電 流 注 入 によりテラヘルツ 光 を 発 生 する 室 温 動 作 の 半 導 体 素 子 の 実 現 を 目 指 している 二 つの 半 導 体 多 層 膜 共 振 器 構 造 を 組 み 合 わせた 結 合 共 振 器 構 造 は 周 波 数 差 がテラヘルツ 領 域 となる 二 つの 共 振 器 モードを 有 し それらが 共 振 器 層 内 で 増 強 され かつ 空 間 的 に 重 なっているため 強 いテラヘルツ 帯 差 周 波 発 生 が 期 待 される これまでに フェムト 秒 パルスレーザ 照 射 によって 基 本 光 となる 二 つの 共 振 器 モード 光 を 同 時 励 起 し テラヘルツ 光 の 発 生 を 確 認 した また この 半 導 体 多 層 膜 結 合 共 振 器 構 造 内 部 での 二 つの 基 本 光 の 発 生 のため に InAs 量 子 ドットを 活 性 媒 質 として 共 振 器 層 中 に 置 いた 構 造 を 作 製 し 光 励 起 によ る 二 波 長 面 発 光 を 実 現 している 今 後 電 流 注 入 による 二 波 長 発 光 二 次 非 線 形 分 極 の 空 間 構 造 の 制 御 精 密 な 共 振 器 DBR 層 の 作 製 などの 課 題 を 推 進 し テラヘルツ 光 発 生 の 検 証 を 進 めていく 通 信 波 長 帯 超 高 速 波 長 変 換 素 子 通 信 波 長 帯 で 動 作 する 新 しい 面 型 超 高 速 全 光 スイッチとして 微 小 共 振 器 構 造 にお ける 光 電 場 増 強 効 果 と 大 きな 非 線 形 光 学 効 果 の 量 子 ドットを 利 用 した 素 子 を 考 案 し それらの 動 作 検 証 を 進 めている 歪 緩 和 層 に 埋 め 込 んだ InAs 量 子 ドットと GaAs/AlAs 多 層 膜 光 共 振 器 構 造 を 用 いた 素 子 構 造 に 於 いて これまでに 低 パワー 動 作 可 能 な 超 高 速 応 答 の 光 カースイッチ 信 号 や Er 添 加 InAs 量 子 ドットによって1 ps と いう 超 高 速 透 過 率 変 化 信 号 を 得 ている 微 小 共 振 器 構 造 を 組 み 合 わせた 三 結 合 共 振 器 構 造 を 用 いると 三 つの 共 振 器 モードが 生 成 できるので 四 光 波 混 合 過 程 を 利 用 した 超 高 速 波 長 変 換 素 子 の 実 現 が 期 待 される GaAs/AlAs 多 層 膜 からなる 三 結 合 共 振 器 構 造 を 作 製 し 三 つの 共 振 器 モードの 生 成 を 確 認 し 二 つの 共 振 器 モードを 含 むパルス 光 を 入 射 光 とした 非 線 形 光 学 応 答 信 号 測 定 において 四 光 波 混 合 による 波 長 変 換 信 号 を 観 測 した 今 後 三 結 合 共 振 器 構 造 の 適 正 化 を 進 め 波 長 変 換 信 号 の 特 性 評 価 を 進 め ていく A 現 在 千 葉 大 学 工 学 部 B 日 亜 化 学 工 業

NIMS における 量 子 ナノ 構 造 研 究 の 進 展 - 液 滴 量 子 ドットと 等 電 子 トラップを 中 心 に- 独 立 行 政 法 人 物 質 材 料 研 究 機 構 佐 久 間 芳 樹 ダイヤモンド 中 の N-V センターや 量 子 ドットによる 単 一 光 子 発 生 が 実 証 されて 10 年 あまりが 経 過 した この 間 主 に 量 子 ドット 材 料 系 の 拡 張 により 様 々な 波 長 域 での 単 一 光 子 発 生 が 報 告 されるとともに フォトニック 結 晶 や DBR ナノワイヤーの 利 用 など 光 子 取 り 出 しや 発 光 寿 命 の 制 御 に 関 する 取 り 組 みも 進 められてきた しかし 高 性 能 か つ 実 用 的 な 量 子 光 源 の 実 現 に 向 けて エネルギーの 揃 った 光 子 やもつれ 合 った 光 子 対 の 発 生 などの 技 術 も 今 後 重 要 になる これらに 関 連 した 材 料 技 術 として NIMS で は III-V 族 半 導 体 中 の 等 電 子 トラップ および 対 称 性 の 高 い(111) 面 上 の 液 滴 量 子 ドットの 研 究 を 行 っている 今 回 のセミナーでは 最 近 の 成 果 を 交 えながらこれらの 研 究 の 進 展 を 紹 介 する

InAs ナノ 構 造 形 成 のその 場 観 察 及 び 位 置 制 御 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 東 條 孝 志 次 世 代 デバイスへの 応 用 が 期 待 されている 量 子 ドットについては 自 己 形 成 量 子 ドットの 成 長 メカニズムや 選 択 形 成 方 法 など 現 在 までに 多 くの 研 究 がなされている 本 発 表 では MBE 成 長 中 その 場 STM 観 察 が 可 能 である STMBE 装 置 [1]をもちい て InAs 供 給 中 の 二 次 元 島 成 長 のその 場 観 察 量 子 ドット 成 長 後 の 形 状 観 察 [2]など GaAs(001) 上 の 自 己 形 成 InAs 量 子 ドット 成 長 に 関 する 研 究 結 果 について 報 告 する また STM 装 置 の 探 針 からの 電 圧 印 加 によるホール 構 造 の 形 成 [3,4]と InAs の 成 長 速 度 差 を 利 用 したホール 構 造 内 への 量 子 ドットの 選 択 形 成 法 [5]についても 紹 介 する [1] S. Tsukamoto and N. Koguchi, J. Cryst. Growth 201/202, 118 (1999). [2] T. Toujyou, T. Otsu, D. Wakamatsu, M. Kurisaka, T. Konishi, and S. Tsukamoto, J. Cryst. Growth 378, 44 (2013). [3] T. Toujyou and S. Tsukamoto, Nano. Res. Lett. 5, 1930 (2010). [4] T. Toujyou and S. Tsukamoto, Phys. Stat. Sol. (c) 8, 402 (2011). [5] T. Toujyou and S. Tsukamoto, Surf. Sci. 605, 1320 (2011).

GaAs 表 面 上 の Mn ナノ 構 造 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 平 山 基 良 質 な 半 導 体 磁 性 体 界 面 を 実 現 するため GaAs/MnAs 界 面 の 研 究 が 盛 んに 行 われている しかし 結 晶 成 長 初 期 の 振 る 舞 いは 未 だ 明 らかとなっていない 我 々は GaAs(110) 表 面 に 着 目 し Mn 照 射 後 の 表 面 構 造 を 原 子 レベルで 明 らかにすることを 目 的 としている GaAs(110) 基 板 は 超 高 真 空 MBE チャンバー 内 で 酸 化 膜 を 除 去 し 550 でバッ ファ 成 長 させた 表 面 が 平 坦 であることを 走 査 トンネル 顕 微 鏡 (STM)で 確 認 した 後 基 板 温 度 200 で Mn 原 子 を 照 射 した 基 板 温 度 を 変 化 させることなく 超 高 真 空 下 で 表 面 の STM 観 察 を 行 った Mn 照 射 後 の 表 面 STM 像 では 最 表 面 の Ga 列 が 縞 状 に 見 えており いくつかの 明 るい 部 分 が 確 認 できた この 明 部 は Mn 原 子 が 表 面 に 存 在 していることを 示 唆 してお り 数 か 所 の 明 部 について 調 べたところ 単 一 あるいは 複 数 の 輝 点 から 構 成 された 構 造 が 確 認 された スピン 密 度 汎 関 数 理 論 に 基 づく 第 一 原 理 計 算 の 結 果 Ga 列 内 の 高 低 差 から Mn 原 子 は 表 面 に 物 理 吸 着 ではなく Ga 列 内 に 取 り 込 まれていることが わかった Ga 列 に 埋 め 込 まれた Mn 原 子 は 表 面 <110> 方 向 に 並 び 易 く これらの 結 果 は Mn 原 子 の 1 次 元 ナノ 構 造 の 実 現 可 能 性 を 示 唆 している

面 内 超 高 密 度 InAs 量 子 ドットの 自 己 形 成 とその 特 性 評 価 電 気 通 信 大 学 先 進 理 工 学 専 攻 山 口 浩 一 量 子 ドットの 面 内 高 密 度 化 は 次 世 代 光 電 子 デバイスへの 応 用 開 発 における 重 要 な 課 題 の 一 つである 本 研 究 では InAs 量 子 ドットの 自 己 形 成 法 において 0.5~ 1 10 12 cm -2 の 面 内 超 高 密 度 化 を 実 現 し その 量 子 ドット 層 の 特 性 評 価 および 量 子 ドット 太 陽 電 池 への 応 用 について 検 討 を 進 めている 本 講 演 では 最 近 開 発 した Sb 導 入 法 による 面 内 超 高 密 度 InAs 量 子 ドットの 自 己 形 成 について 解 説 し その 光 学 的 電 気 的 特 性 評 価 について 紹 介 する

GaAs 中 窒 素 δ ドープ 超 格 子 の 光 学 特 性 と 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 への 応 用 目 次 へ 戻 る 埼 玉 大 学 大 学 院 理 工 学 研 究 科 八 木 修 平 矢 口 裕 之 太 陽 光 発 電 の 本 格 的 な 普 及 に 向 けて 太 陽 電 池 の 更 なる 高 効 率 化 が 求 められてい る 禁 制 帯 中 の 中 間 バンドを 介 した 2 段 階 の 光 吸 収 により 波 長 感 度 帯 を 広 げる 中 間 バ ンド 型 太 陽 電 池 は 高 効 率 化 を 図 る 上 で 大 変 有 望 であるため 優 れた 中 間 バンド 材 料 の 研 究 開 発 が 活 発 に 進 められている GaAs 中 に 数 % 以 下 の 窒 素 (N)を 混 入 した 希 釈 窒 化 物 半 導 体 GaAsN は 通 常 の 伝 導 帯 (E バンド) 上 部 に 新 たなエネルギーバンド (E+バンド)が 形 成 される 特 異 なエネルギーバンド 構 造 を 有 することから 高 効 率 な 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 の 光 吸 収 層 材 料 として 期 待 されている これまで 我 々は GaAs 中 へ δ ドープ 状 に N 添 加 した 層 をナノメートルオーダーの 間 隔 で 周 期 的 に 多 数 積 層 した GaAs:N δ ドープ 超 格 子 を 用 いることで 一 様 に N ドープした GaAsN 混 晶 に 比 べ E+バンドに 起 因 する 光 学 遷 移 が 明 確 に 観 測 されることを 見 出 し GaAs:N δ ドー プ 超 格 子 がより 優 れた 中 間 バンド 材 料 と 成 り 得 ることを 示 した 本 講 演 では GaAs:N δ ドープ 超 格 子 のエネルギー 構 造 と 光 学 特 性 および 試 作 した 太 陽 電 池 セルの 特 性 について 紹 介 し 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 材 料 としての 可 能 性 を 議 論 する

歪 補 償 多 重 積 層 InAs 量 子 ドットを 用 いた 光 デバイス 応 用 ( 独 ) 情 報 通 信 研 究 機 構 赤 羽 浩 一 格 子 不 整 合 材 料 系 における S-K モードを 用 いた 自 己 組 織 化 半 導 体 量 子 ドットは 高 品 質 なナノ 構 造 を 得 られることから 研 究 が 活 発 に 行 われ 光 デバイスへの 応 用 が 進 め られている 半 導 体 レーザ 半 導 体 光 アンプ 広 帯 域 光 源 太 陽 電 池 などへの 応 用 の 際 は 形 成 される 量 子 ドットは 光 の 利 得 材 料 もしくは 吸 収 材 料 として 働 くため 量 子 ドット 構 造 を 高 密 度 に 形 成 する 技 術 はこれらのデバイスの 高 性 能 化 のために 重 要 な 技 術 と なる しかしながら 基 板 表 面 上 に 量 子 ドットを 形 成 する 場 合 には 量 子 ドットが 有 限 の 専 有 面 積 を 有 するため 空 間 的 な 限 界 が 存 在 する その 面 密 度 は 5 10 11 /cm 2 程 度 が 限 界 と 考 えられ それ 以 上 の 高 密 度 化 は 積 層 による 方 法 がとられている しかしながら 自 己 組 織 化 量 子 ドットの 場 合 積 層 においても 歪 の 蓄 積 による 量 子 ドットのサイズ 揺 らぎ の 増 大 欠 陥 や 転 位 の 発 生 などの 問 題 が 残 されている 本 研 究 グループではこれま でに InP 基 板 上 において 自 己 組 織 化 InAs 量 子 ドットを 積 層 する 際 埋 め 込 み 層 の 格 子 定 数 を 基 板 よりわずかに 小 さくすることにより InAs で 発 生 した 歪 を 補 償 する 構 造 を 考 案 した これにより 量 子 ドットの 積 層 による 歪 の 蓄 積 という 問 題 が 解 消 され 量 子 ドットの 多 重 積 層 が 可 能 になった 現 状 の 最 高 積 層 数 は 300 層 であり その 際 の 面 密 度 は 2 10 13 /cm 2 と 通 常 の 方 法 では 達 成 不 可 能 な 高 密 度 化 を 実 現 している 本 講 演 では 歪 補 償 法 による InAs 量 子 ドットの 多 重 積 層 技 術 の 詳 細 に 触 れ これを 光 デバイスに 応 用 した 例 として 高 い 特 性 温 度 を 有 する 量 子 ドットレーザ 広 帯 域 波 長 制 御 広 帯 域 発 光 素 子 高 利 得 半 導 体 光 増 幅 器 2 波 長 同 時 発 振 レーザなどについ て 紹 介 し 今 後 の 展 望 を 議 論 する

量 子 井 戸 太 陽 電 池 におけるヘテロ 界 面 の 制 御 と 変 換 効 率 の 向 上 東 京 大 学 杉 山 正 和 歪 み 補 償 量 子 井 戸 を 多 接 合 セルのミドルセルである GaAs のpn 接 合 に 挿 入 するこ とで,GaAs セルの 吸 収 端 を 長 波 長 領 域 に 拡 張 して 電 流 整 合 関 係 を 改 善 でき, 多 接 合 セル 全 体 としてのエネルギー 変 換 効 率 を 向 上 させることができる.しかし, 歪 み 補 償 に 用 いる GaAsP 層 は InGaAs 井 戸 に 対 して 大 きなバンドオフセットを 課 するため, 井 戸 内 で 光 励 起 されたキャリアの 取 り 出 しが 困 難 になる.この 問 題 を 解 決 するには, GaAsP 障 壁 層 を 3 nm 程 度 まで 薄 くしてトンネル 効 果 によりキャリア 輸 送 を 促 進 した い. 歪 み 補 償 された 薄 い 井 戸 と 薄 い 障 壁 の 組 み 合 わせを 高 品 位 に 結 晶 成 長 するため にはヘテロ 界 面 の 原 子 組 成 制 御 が 必 須 であり,in situ 観 察 に 基 づくガス 導 入 シーケ ンス 等 の 成 長 法 改 善 が 高 効 率 太 陽 電 池 作 製 の 鍵 を 握 る. 本 発 表 では, 有 機 金 属 気 相 成 長 (MOVPE) 装 置 に 設 置 した 高 精 度 ウエハ 曲 率 観 察 装 置 を 駆 使 して,ヘテロ 界 面 組 成 の 急 峻 化 を 達 成 した 実 例 を 紹 介 する.

セラミックスによるナノフォトニクス 材 料 の 作 製 と 応 用 認 証 するセラミックス 蛍 光 体 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 地 域 連 携 テクノセンター 小 西 智 也 紙 幣 パスポート クレジットカードなどは 蛍 光 発 光 する 特 殊 な 印 刷 が 施 されており 偽 造 されるのを 防 いでいる しかし 昨 今 のコピー 印 刷 技 術 等 の 発 達 により 蛍 光 印 刷 だけでは 認 証 の 安 全 性 を 確 保 できなくなってきたため IC チップや 磁 気 印 刷 など 他 の 認 証 技 術 と 組 み 合 わせるのが 一 般 的 である そのため 認 証 の 安 全 性 を 高 くしよ うとすればするほど 認 証 装 置 が 複 雑 化 高 コスト 化 してしまい 導 入 の 敷 居 が 上 がっ てしまう 一 方 蛍 光 材 料 の 中 でも 希 土 類 添 加 セラミックス 蛍 光 体 は 耐 久 性 があるだけ でなく 近 赤 外 励 起 でも 可 視 発 光 したり ホストによって 発 光 スペクトルが 大 きく 変 化 し たりするなど 特 徴 的 な 性 質 を 示 すことがある これをうまく 利 用 すれば 蛍 光 印 刷 だ けでも 安 全 性 が 高 い 認 証 技 術 を 低 コストで 実 現 可 能 である 本 講 演 では そのための カラクリ 方 法 展 望 について これまでの 研 究 成 果 を 交 えながらナノテクノロジー 材 料 工 学 の 観 点 から 概 説 する

単 一 粒 子 ナノ 加 工 法 を 利 用 した 機 能 性 ナノ 材 料 の 開 発 阿 南 工 業 高 等 専 門 学 校 地 域 連 携 テクノセンター 大 道 正 明 近 年 自 然 界 の 微 細 構 造 に 基 づく 機 能 発 現 を 目 指 して ナノ マイクロ 構 造 体 の 形 成 に 関 する 研 究 が 行 われているが アクチュエータとして 機 能 する 微 細 構 造 はマイクロサ イズの 構 造 体 に 留 まっている これは アクチュエータとして 機 能 するには 高 アスペクト 比 かつ 柔 軟 性 が 必 要 であると 考 えられるが このようなナノ 構 造 体 は 壊 れやすく 均 一 な 構 造 体 の 形 成 が 困 難 であったためである 我 々はこれまで 単 一 粒 子 ナノ 加 工 法 (SPNT)を 用 いることで 高 アスペクト 比 かつ 均 一 なナノ 構 造 体 の 形 成 に 成 功 してきた SPNT とは 荷 電 粒 子 が 極 微 細 空 間 中 において 不 均 一 に 引 き 起 こす 架 橋 反 応 を 利 用 して 均 一 な 高 分 子 ナノワイヤ 群 を 形 成 する 手 法 である 本 セミナーでは 均 一 なナノア クチュエータ 群 の 形 成 を 目 的 として 刺 激 応 答 性 高 分 子 に 対 して SPNT を 適 用 するこ とで 外 部 刺 激 に 応 答 して 均 一 な 形 状 変 化 を 起 こす 1D ナノゲルの 形 成 とさまざまな 機 能 性 ナノワイヤについて 報 告 する