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フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

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推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

DS

フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

devicemondai

c 2009 i

1. 4cm 16 cm 4cm 20cm 18 cm L λ(x)=ax [kg/m] A x 4cm A 4cm 12 cm h h Y 0 a G 0.38h a b x r(x) x y = 1 h 0.38h G b h X x r(x) 1 S(x) = πr(x) 2 a,b, h,π

ミニ分光器 MS シリーズ C10988MA-01 C11708MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した超小型のミニ分光器 ミニ分光器 MSシリーズは MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合し 親指大の超小型サイズ ( mm) を実現したモバイル測定機器組み込み用

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

推奨端子電圧 (Ta=25 C) 電源電圧 Vdd V クロックパルス電圧 Highレベル 3 Vdd Vdd 0.25 V V() Lowレベル V スタートパルス電圧 Highレベル 3 Vdd Vdd 0.25 V V() Lowレベル V ブロ

MEMS-FPI 分光センサ C14273 MEMS-FPI チューナブルフィルタと受光素子を一体化した近赤外用の超小型分光センサ MEMS-FPI 分光センサ C14273 は 印加電圧により透過波長を可変できる MEMS-FPI (Fabry-Perot Interferometer: ファブリ

uPC2711TB,uPC2712TB DS

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1516-機器センサ_J.indb

1. 2 P 2 (x, y) 2 x y (0, 0) R 2 = {(x, y) x, y R} x, y R P = (x, y) O = (0, 0) OP ( ) OP x x, y y ( ) x v = y ( ) x 2 1 v = P = (x, y) y ( x y ) 2 (x

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CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン

K 1 mk(

ミニ分光器 マイクロシリーズ C12666MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した指先大の超小型分光器ヘッド C12666MAは MEMS 技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型 ( 指先大 ) の分光器ヘッドです 新設計の光学系を採用することにより従来品のミニ分光器 MSシリーズ

LCR e ix LC AM m k x m x x > 0 x < 0 F x > 0 x < 0 F = k x (k > 0) k x = x(t)

Microsoft Word - 章末問題

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01

HA17458シリーズ　データシート

. ev=,604k m 3 Debye ɛ 0 kt e λ D = n e n e Ze 4 ln Λ ν ei = 5.6π / ɛ 0 m/ e kt e /3 ν ei v e H + +e H ev Saha x x = 3/ πme kt g i g e n


2 G(k) e ikx = (ik) n x n n! n=0 (k ) ( ) X n = ( i) n n k n G(k) k=0 F (k) ln G(k) = ln e ikx n κ n F (k) = F (k) (ik) n n= n! κ n κ n = ( i) n n k n

uPC1251, 358 DS


simx simxdx, cosxdx, sixdx 6.3 px m m + pxfxdx = pxf x p xf xdx = pxf x p xf x + p xf xdx 7.4 a m.5 fx simxdx 8 fx fx simxdx = πb m 9 a fxdx = πa a =

50 2 I SI MKSA r q r q F F = 1 qq 4πε 0 r r 2 r r r r (2.2 ε 0 = 1 c 2 µ 0 c = m/s q 2.1 r q' F r = 0 µ 0 = 4π 10 7 N/A 2 k = 1/(4πε 0 qq

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

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1 A A.1 G = A,B,C, A,B, (1) A,B AB (2) (AB)C = A(BC) (3) 1 A 1A = A1 = A (4) A A 1 A 1 A = AA 1 = 1 AB = BA ( ) AB BA ( ) 3 SU(N),N 2 (Lie) A(θ 1,θ 2,

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02

ŠéŒØ‘÷†u…x…C…W…A…fi…l…b…g…‘†[…NfiüŒå†v(fl|ŁŠ−Ù) 4. −mŠ¦fiI’—Ÿ_ 4.1 −mŠ¦ŁªŁz‡Ì„v”Z

MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

7 π L int = gψ(x)ψ(x)φ(x) + (7.4) [ ] p ψ N = n (7.5) π (π +,π 0,π ) ψ (σ, σ, σ )ψ ( A) σ τ ( L int = gψψφ g N τ ) N π * ) (7.6) π π = (π, π, π ) π ±

1 8, : 8.1 1, 2 z = ax + by + c ax by + z c = a b +1 x y z c = 0, (0, 0, c), n = ( a, b, 1). f = n i=1 a ii x 2 i + i<j 2a ij x i x j = ( x, A x), f =

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MOS FET c /(17)

1 Ricci V, V i, W f : V W f f(v ) = Imf W ( ) f : V 1 V k W 1

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電

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PS2701-1, PS2701-2, PS DS

MB (FRONT VIEW) (TOP VIEW) VSA VSB / RESIN VSC VSA OUTC VSB /RESIN GND GND OUTC (DIP-P-M0) (FPT-P-M0) VSC (SIP-P-M0) VSA VSB / RESIN 00 kω 0 kω + + Co

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CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q

y = x x R = 0. 9, R = σ $ = y x w = x y x x w = x y α ε = + β + x x x y α ε = + β + γ x + x x x x' = / x y' = y/ x y' =

untitled

高速度スイッチングダイオード



Part () () Γ Part ,

K E N Z OU

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

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MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

‚åŁÎ“·„´Šš‡ðŠp‡¢‡½‹âfi`fiI…A…‰…S…−…Y…•‡ÌMarkovŸA“½fiI›ð’Í


Δ Δ Δ 250

genron-3

,.,, 1. LED, 1450nm 1450nm 2mm 2mm LED 1mm 1mm


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The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

ELCODIS.COM - ELECTRONIC COMPONENTS DISTRIBUTOR

TC7WT126FU

R3111x NO.JA R3111x CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON TYP. 0.8µA (VDD=1.5V) 0.7V 10.0V (Topt=2

0.1 I I : 0.2 I

InGaAs リニアイメージセンサ G11508 シリーズ G11475~G11478 シリーズ 近赤外イメージセンサ (0.9~1.67 µm/2.55 µm) G11508/G11475~G11478 シリーズは 近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計された InGaAsリニアイメージセンサです

x x x 2, A 4 2 Ax.4 A A A A λ λ 4 λ 2 A λe λ λ2 5λ + 6 0,...λ 2, λ 2 3 E 0 E 0 p p Ap λp λ 2 p 4 2 p p 2 p { 4p 2 2p p + 2 p, p 2 λ {

推奨端子電圧 電源電圧 Vdd V クロックパルス電圧 Highレベル Vdd Vdd Vdd V V(CLK) Lowレベル V スタートパルス電圧 Highレベル Vdd Vdd Vdd V V(ST)

untitled

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13Ad m in is t r a t ie e n h u lp v e r le n in g Ad m in is t r a t ie v e p r o b le m e n,p r o b le m e n in d e h u lp v e r le n in g I n d ic

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S I. dy fx x fx y fx + C 3 C dy fx 4 x, y dy v C xt y C v e kt k > xt yt gt [ v dt dt v e kt xt v e kt + C k x v + C C k xt v k 3 r r + dr e kt S dt d

V(x) m e V 0 cos x π x π V(x) = x < π, x > π V 0 (i) x = 0 (V(x) V 0 (1 x 2 /2)) n n d 2 f dξ 2ξ d f 2 dξ + 2n f = 0 H n (ξ) (ii) H

HA1631S01/02/03/04シリーズ　データシート

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -

‚å„´577-03

NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄

p = mv p x > h/4π λ = h p m v Ψ 2 Ψ

BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S

2 Part A B C A > B > C (0) 90, 69, 61, 68, 6, 77, 75, 20, 41, 34 (1) 8, 56, 16, 50, 43, 66, 44, 77, 55, 48 (2) 92, 74, 56, 81, 84, 86, 1, 27,



Transcription:

Siフォトダイオード 第 2章 1 Siフォトダイオード 章 1-1 動作原理 1-2 等価回路 1-3 電流ー電圧特性 1-4 直線性 1-5 分光感度特性 1-6 ノイズ特性 1-7 感度均一性 1-8 応答速度 1-9 オペアンプとの接続 1-10 応用回路例 2 フォトダイオード S i 2 PSD 位置検出素子 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6 2-7 特長 構造 動作原理 位置検出誤差 位置分解能 応答速度 飽和光電流 使い方 3 応用例 3-1 3-2 3-3 3-4 3-5 3-6 3-7 3-8 粒度分布計 レーザ回折 散乱法 バーコードリーダ UVセンサ ロータリーエンコーダ カラーセンサ VICS 道路交通情報通信システム 三角測距 ダイレクト位置検出 23

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1. 1-2 1-1 KPDC0002JA Io = IL - ID - I, q VD = IL - IS (exp - 1) - I,... (1) k T IS: q : 1 k: T: Voc = k T IL ln - I (, + 1 )... (2) q Is ( ) q Isc Rs Isc = IL - Is exp - 1 - Isc Rs... (3) k T Rsh KPDC0004JA 25 KPDC0003JA

1-3 KPDB0002JB KPDC0005JA KPDC0006JA KPDB0001JB 26

1-4 KPDB0004JA Psat = VBi + VR... (4) (RS + RL) Sλ Psat : [W] (Psat 10 mw) VBi : [V] (0.2 0.3 V ) VR : [V] RS : ( Ω ) RL : [Ω] Sλ : λ [A/W] KPDC0008JC KPDB0003JD KPDB0009JC 27

1-5 λc = 1240 [nm]... (5) Eg Eg: [ev] QE = S 1240 100 [%]... (6) λ S: [A/W] λ: [nm] KPINB0395JA 1-6 KSPDB0247JB in = ij 2 + isd 2 + isl 2 [A]... (7) 28

ij = 4k T B [A]... (8) Rsh k: T: B: isd = 2q ID B [A]... (9) q: 1 ID: isl = 2q IL B [A]... (10) NEP = in [W/Hz 1/2 ]... (11) S in: [A/Hz 1/2 ] S: [A/W] 1-7 1-8 KPDB0006JB t1 = 2.2 Ct RL... (12) Cj A {(VR + 0.5) ρ} -1/2-1/3... (13) KPDB0007JA 29

d d t3 = = 2... (14) vd VR KPDC0010JB tr = t1 2 + t2 2 + t3 2... (15) KPDB0010JA fc = 0.35... (16) tr KSPDB0298JA 30

KSPDB0297JA KPDC0011JA IC : en : KPDC0035JA 1-9 KPDC0009JA 31

: 1-18 (a) : AD549 : Cf=0 pf : Cf=10 pf KPDB0021JA : 1-18 (a) : AD549 : 780 nm : Cf=0 pf : Cf=10 pf KPDB0019JA : 1-18 (a) : AD549 : 780 nm Cf=0 pf KPDB0020JA 32

1-10 KPDB0016JA IC1 : FET IC2 : OP07 Cf : 10 pf 100 pf Rf : 10 GΩ max. SW : PD : S1226/S1336/S2386, S2281 Vo = Isc Rf [V] KSPDC0051JC KSPDC0052JB KSPDC0053JB 33

: TTL Low IC : LF356 SW: CMOS 4066 PD : S1226/S1336/S2386 C : VO = Isc to 1 C [V] KPDC0027JB D: IB : IB << Isc R : 1 GΩ 10 GΩ Io: D 10-15 10-12 A IC: FET Isc + IB Vo = -0.06 log ( + 1) [V] Io KPDC0021JA lx lx lx lx 34

PD: S9219 (4.5 A/100 lx) KSPDC0054JB PD : S1226/S1336/S2386 IC : LF356 D : ISS226 Vo = Rf (Isc2 - Isc1) [V] (Vo<±0.5 V) KPDC0017JB lx lx lx VR : IC : TLC271 PD : S7686 (0.45 A/100 lx) A : Log PD: S5870 KPDC0018JE Vo = log (ISC1/ISC2) [V] KPDC0025JC 35

A :, 1 ma 10 ma PD : S2387-1010R B : S : Si S2387-1010R: 930 nm S=0.58 A/W Po : Po = Isc S [W] KPDC0026JA PD : PIN (S5971, S5972, S5973, S9055, S9055-01 ) RL, R, Rf: IC : AD8001 Vo = Isc RL (1 + Rf ) [V] R KPDC0015JE PD: PIN (S5971, S5972, S5973 ) Rf : IC : AD745, LT1360, HA2525 Vo = -Isc Rf [V] KPDC0020JD 36

PD : PIN (S5971, S5972, S5973, S9055, S9055-01 ) RL, R, Rf, r: IC : AD8001 Vo = Isc RL (1 + Rf ) [V] R KPDC0034JA 2. 2-1 2-2 PD : PIN (S2506-02, S5971, S5972, S5973 ) RL : RS : FET FET: 2SK362 KPDC0014JE 37

KPSDC0010JB IX2 - IX1 2XA =... (9) IX1 + IX2 LX KPSDC0005JB LX LX - XA + XA 2 IX1 = Io... (1) 2 IX2 = Io... (2) LX LX IX2 - IX1 2XA =... (3) IX1 + IX2 LX IX1 LX - 2XA =... (4) IX2 LX + 2XA LX - XB IX1 = Io... (5) LX IX2 = XB Io... (6) LX IX2 - IX1 2XB - LX =... (7) IX1 + IX2 LX IX1 LX - XB = IX2 XB... (8) IX1: X1 IX2: X2 Io : (IX1 + IX2) LX : () XA : PSD XB : X1 KPSDC0009JC KPSDC0012JC (IX2 + IY1) - (IX1 + IY2) 2XA =... (10) IX1 + IX2 + IY1 + IY2 LX KPSDC0006JA (IX2 + IY2) - (IX1 + IY1) 2YA =... (11) IX1 + IX2 + IY1 + IY2 LY 38

KPSDB0114JA - 3 2 KPSDC0071JB E = Xi - Xm [ m]... (12) Xi : [ m] Xm: [ m] IX2 - IX1 LX Xm = IX1 + IX2 2... (13) KPSDB0005JA KPSDC0073JA 39

KPSDC0074JA KPSDC0076EA KPSDC0075JA KPSDC0063JA KPSDC0077JA 2-4 XB + Δx IX2 + ΔI = Io... (14) LX ΔI: Δx: ΔI Δx = LX... (15) Io Is = 2q (IO + ID) B [A]... (17) q : 1 [C] IO: [A] ID: [A] B : [Hz] 40 In ΔR = LX... (16) Io

Ij = 4kTB [A]... (18) Rie k : [J/K] T : [K] Rie: [Ω] ) Rsh >> Rie Rsh en Ien = B [A]... (19) Rie en: [V/Hz 1/2 ] In = Is 2 + Ij 2 + Ien 2 [A]... (20) KPSDB0083JB Vs = Rf 2q (Io + ID) B [V]... (21) Vj = Rf 4kTB [V]... (22) Rie Ven = 1 + Rf en B [V]... (23) Rie VRf = Rf 4kTB [V]... (24) Rf Vin = Rf in B [V]... (25) in: [A/Hz 1/2 ] Vn = Vs 2 + Vj 2 + Ven 2 + VRf 2 + Vin 2 [V]... (26) KPSDB0084JA 41

t1 = 2.2 Ct (Rie + RL)... (27) 2-5 t1 = 0.5 Ct (Rie + RL)... (28) tr = t1 2 + t2 2... (29) 2-6 KPSDB0110JB KPSDC0078JA 42

KPSDB0087JA 2-7 KPSDB0086JB KPSDC0085JC KPSDC0026JE KPSDB0003JA 43

KPSDC0029JE KACCC0223JA 44

3. 3-1 3-3 3-4 3-2 KSPDC0056JA KSPDC0062JA 45

3-5 3-6 KACCC0212JE KLEDC0029JA 46

KPSDC0080JB - 7 3 KPSDC0087JA KPSDC0086JA 3-8 KPSDC0088JA KPSDC0089JA 47

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