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1 < コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 Copyright Gigaphoton Inc.

2 ギガフォトンの事業概要 2 半導体露光 光源ビジネス 液晶アニール 光源ビジネス 本体販売先 部品販売先 ASML, Nikon, Canon Intel, Toshiba, Samsung, TSMC など半導体メーカ 本体販売先 部品販売先 ブイ テクノロジー 堺ディスプレー (SDP), BOE など液晶パネルメーカ 照明光学系 ローダ パネル 光源 スキャンステージ 出展 : asml.com 出展 : ブイ テクノロジー社パンフレット

3 3 半導体露光 光源

4 最新型露光 光源 ( エキシマレーザ ) の構造と主性能 4 外観 法 横幅 2800mm 奥 845mm さ 2120mm 重量 3410kg 性能 発振波 193nm 平均出 W パルスエネルギ 10-20mJ 発振周波数 6000Hz スペクトル幅 (E95) 0.25pm

5 露光 光源の技術変遷 エキシマレーザ露光機 nm 半導体の解像度 (nm) 銀ランプ (G-line) (436nm) 750nm 500nm 銀ランプ (I-line) (365nm) 350nm 250nm KrF (248nm) 180nm 130nm ArF (Dry) (193nm) ArF (immersion) ( 等価波 134nm) 90nm 65nm 45nm 出展 : ASML, Canon, Nikon

6 半導体市場 6 半導体需要は現在 $330B 規模で 今後も年率 3% 程度で成 する 込み 露光光源市場は 3D-NAND や IoT の拡 により ArF だけでなく KrF についても 定の需要がある 込み 半導体市場 ($B) 光源別割合 100% 50% 0% 銀ランプ KrF ArF '97 '01 '05 '09 '13 '17 PC ノート PC 携帯電話 スマートフォンタブレット 3D-NAND IoT

7 コマツでの露光 光源開発の経緯 Komatsu and Ushio developed joint venture company Gigaphoton Inc. is founded!!! The first Excimer LASER was developed at Komatsu for the Coherent Anti-Stokes Raman Spectroscopy (a.k.a. CARS) system Komatsu shipped the world s first KrF excimer laser KLE-630S for lithography 2 full Watts output!!! Cymer enters market of Excimer lasers for lithography tools. The rivalry begins!!! 1999 Our first KrF laser for semiconductor manufacturing, KLES-G10K was shipped to overseas In 2000 Gigaphoton was born!

8 露光 光源のビジネスモデル 本体 ( 光源本体販売 ) と部品 ( メンテナンス事業 ) の複合ビジネスモデル 本体は露光装置メーカに販売 本体販売後 半導体メーカと部品販売 ( パルス従量課 ) 契約を結び保守を実施 パルス従量課 とは : レーザの使 量に応じた課 ( パルス使 量 パルス単価 ) システム ( 当社メリット ) 安定した利益を得られる 部品の寿命延 がコスト削減等に直結する ( 顧客メリット ) 費 管理が容易 稼働を最優先した保守計画が可能 8 光源本体販売事業 本体販売露光装置メーカ : ASML, Nikon, Canon 露光装置販売 ギガフォトングループ メンテナンス事業 GPK ( 韓国ギガフォトン ) GPT ( ギガフォトン台湾 ) GPU ( ギガフォトン USA) GPE ( ギガフォトン Europe) GPSB ( シンガポール 店 ) KIS ( 中国 : コマツ産機 ) レーザ放電管モジュール 光学モジュール 部品販売 半導体メーカ : Intel, Micron, TSMC, Samsung, Globalfoundries, 東芝, SK Hynix

9 ギガフォトン製光源の導 状況 9 総設置台数 約 1300 台の光源が稼働中 2016 年度末時点での詳細 KrF 68% ArF (Dry)..8% ArF (Immersion)..24%

10 売上推移 ( 単独 ) 営業利益 レーザ本体売上 レーザメンテ売上 億円 (8ケ )

11 露光 光源の重点課題 11 拡 する中国市場への対応 2014 年 6 中国国家主席が 半導体新興 的に 国家集成電路産業発展推進綱要 制定 2015 年半導体売上 を2013 年 で4 割増 2030 年に世界トップクラスの企業を複数育成 当初 2 兆円規模の 中国 IC 産業ファンド 設 し 半導体分野に投資 ( 現在 18 兆円に増額 ) 中国ファブ装置関連の2018 年投資額は100 億ドル以上に上昇し その後数年は維持 込む (SEMI) 次世代 EUV 光源の市場導 半導体メーカ (Intel, Samsung, TSMC) は線幅 7nm, 5nm プロセスへの EUV 適 を 標として 積極的な投資を予定 量産 として 耐久化 信頼性化が きな課題となっている EUV 光源メーカは ASML(Cymer) とギガフォトンの 2 社のみである

12 ギガフォトンの中国戦略 12 One Gigaphoton サポート 急激に伸びる中国ビジネスに対して 中国事業を早急に強化するため コマツ産機光学機械部 (KIS) を中 にギガフォトン本社 ( 営業 サービス 教育 物流 ) 及び関係会社を統括するグループ横断プロジェクトを展開中 現地営業 の強化 ギガフォトン本社 台湾 韓国からのサポート 新規サービス拠点の開設 6 拠点 (2016 年 ) 11 拠点 (2017 年度末 ) トレーニングセンターの開設 新 サービスエンジニア短期 上げのために 2017 年 8 に常州市コマツ中国の 場内にエンジニア育成 トレーニングセンターを開設

13 EUV 光源の導 時期 13 EUV 産導 時期 Logic 20nm 16/14nm 10nm 7nm 5nm 3nm Performance Memory DRAM X 1Y 1Z next Storage Class Memory 量産開発研究ロート マッフ ReRAM, X-point etc. 2X'/x2 1X"/x4 1Y"/x8 1Z"/x8 *ASML の資料を元に当社製作

14 EUV 光源の技術概要 14 効率 ( 競合の 50% 以下の省エネ ) プリパルス技術 ( ピコ秒 YAG レーザ ) により い変換効率を実現 励起 出 CO2 レーザを三菱電機 ( 株 ) と共同開発 耐久性 信頼性 超電導磁 を いた集光ミラー汚れ低減技術 発光の仕組み EUV 光源の構成 外観図 プリパルスレーザ ドロプレット (20um 液体 ) ドロプレットジェネレータ 2 階 : チャンバ部 CO2 レーザ ミスト (300um 液体 ) 集光ミラー ドロプレット レーザを 2 階に伝送 EUV 光 プラズマ ( ガス ) 磁場によりスズを捕集 ( 残余スズは H2 ガスによるエッチングにより除去 ) プリパルスレーザ CO2 レーザ チャンバ マグネット IF 点 ( 露光装置側 ) 9860mm 1 階 : レーザ部 重量 :30ton 2300mm 6600mm

15 EUV 光源の進捗状況 15 研究開発フェーズでは光源出 250W を達成し競合をキャッチアップ 現在 実証機において初期量産時の 標である 100W レベルでの信頼性向上に注 中 光源出 (W) 本格量産時 標 ギガ ( 研究開発 ) ギガ ( 研究開発 _ 実証機 ) 競合 ( 研究開発 ) 競合 ( 製品 ) 初期量産時 標 H H H H H H H1

16 16 液晶アニール 光源 出典 :V-technology 社 HP TV の画素駆動 の TFT に従来使 される a-si は 電気を通し難い性質があるが レーザを a-si に照射してアニールすると多結晶化が起こり 電気が通りやすくなり画質の向上が可能

17 型のガラス基板サイズに対応 TV 画 の 型化とともに ガラス基板も 型化 競合の実績は アニール光学系サイズの制約上 第 6 世代サイズまでが限界 V 社アニール 式で第 8 世代サイズ以上のガラス基板のアニール技術を開発中 ガラス基板サイズ 1 V 社アニール 式 (PLAS 2 ) 型パネル向け 競合アニール 式 (ELA) 中 型パネル向け 第 10.5 世代 2940 mm 3400 mm 17 G6 X1500 mm Y1850 mm G8 X2200 mm Y2400 mm G10 SDP X2880 mm Y3130 mm G10.5 BOE X2940 mm Y3370 mm 対応可能 対応可能 対応可能 ( 実績なし ) 3 対応可能 ( 実績なし ) 対応可能 ( 実績なし ) 1 ガラス基板サイズ ( 上図 ) 2 PLAS : Partial Laser Anneal Silicon( 局所アニール ) 3 競合のラインビーム 式は 照射光学系のサイズ制約により G8 以上の 型ガラス基板のアニール実績無し

18 液晶アニール 光源の特徴 途液晶アニール 半導体露光 型式 GT600K GT64A 外観 アニール向けに新 採 18 主仕様波 248nm 193nm 繰返周波数 6000Hz 6000Hz パルスエネルギー 100mJ( 露光 の10 倍 ) 10mJ 出 600W( 露光 の10 倍 ) 60W

19 新建屋建設 19 拡 する露光 アニール 光源ビジネスに応えるため 製造キャパシティの増 (1.4 倍 ) オフィス環境の改善を実施中

20 THANK YOU Copyright Gigaphoton Inc.

α α α α α α

α α α α α α α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

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