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13 EUVA EUV EUVLL (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA EUV W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC EUVA NEDO

13 EUVA EUV EUVLL 2002 6 (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA 2002 2005 EUV 2007 2 2005 1050W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC 1 2008 2010 EUVA NEDO EUVA EUV 2006 Selete EUVA 1. EUVA 436nm 365nm 1/17 KrF

<4D F736F F D2082B182EA837A CC8DC E9197BF332D322D A955D89BF816988C4816A8A DCF F4390B38DCF CEA8F4390B DCF817A2E6

第 20 回研究評価委員会 資料 3-2-3 極端紫外線 (EUV) 露光システム開発プロジェクト 事後評価報告書 ( 案 ) 概要 目 次 ( 頁 ) 分科会委員名簿 1 プロジェクト概要 2 評価概要 ( 案 ) 6 評点結果 12 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会 極端紫外線(EUV) 露光システム開発プロジェクト ( 事後評価 ) 分科会委員名簿 氏名 所属 (

DiovNT

EUV 露光技術の開発と放射光の役割 岡崎信次技術研究組合超先端電子技術開発機構 135 8073 東京都江東区青海 2 45 タイム24ビル10F 要旨光リソグラフィの解像限界を突破する技術として,EUV (Extreme Ultra-Violet) 光を用いた露光技術が注目されている 本技術によれば, ナノメータ領域の量産加工技術も見えてくるが, 開発課題も多い EUV 露光の光源として, 放射光を用いることは無いが,

45nm以降に向けたリソグラフィ技術 －ArF液浸への期待とその後の展開－

1 45nm ArF WG5 WG5 2 3 2004 Update Potential Solutions ArF EUV (ML2) 4 2004 Update Potential Solutions - Potential Solutions CD (total CD control) 4nm(3s) CD "Red" 2005 Changes to coloring, footnotes,

スライド 1

リソグラフィの最新状況 WG5 ( リソグラフィ WG) ルネサスエレクトロニクス ( 株 ) 内山貴之 - 内容 - WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 ITRS 2011 リソグラフィの概要 リソグラフィの最新状況 まとめ 1 略語 NA Numerical Aperture CD Critical Dimension CDU CD Uniformity DOF Depth of Focus

第7章 WG5 リソグラフィ

第 6 章 WG5 リソグラフィ 6-1 はじめに 2008 年度 WG5( リソグラフィ WG) では ITRS2008update 版の作成に向けて 技術世代に対応した解決策候補 (Potential Solutions) の技術調査 各種テーブルの見直し クロスカット活動などを行うとともに 2009 版の作成指針を絞り込んだ Lithography itwg は SEMATECH から出ているリーダーの下

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Lithography WG 活動報告 微細化の限界に挑むリソグラフィ技術 STRJ WS 2015 年 3 月 6 日品川 : コクヨホール WG5 主査 : 上澤史且 ( ソニー ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 6, 2015, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 - JEITA 半導体部会 /

<4D F736F F D A955D89BF95F18D908F C4816A81418F9C82AD ED28EC08E7B8ED28E9197BF E955D89BF8F91CCABB0CFAFC493C696408DC C55F FC92F95F E A A819A2E646F6

極端紫外線 (EUV) 露光システム開発プロジェクト 事後評価報告書 平成 21 年 2 月 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会 平成 年 月 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会委員長 NEDO 技術委員 技術委員会等規程第 3 条の規定に基づき 別添のとおり評価結果について報告します 目次 はじめに

DiovNT

トピックス X 線露光技術の現状 田口孝雄, 松井安次 技術研究組合 超先端電子技術開発機構 Advances in Proximity X-ray Lithography Takao TAGUCHI and Yasuji MATSUI Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET) This article reviews

フォトポリマー懇話会

半導体向け EUV リソグラフィの現状と展望 株式会社東芝セミコンダクター & ストレージ社半導体研究開発センターリソグラフィプロセス技術開発部内山貴之 2015 Toshiba Corporation 内容 1. はじめに デバイスのスケーリングとリソグラフィ技術 次世代リソグラフィ技術の現状と課題 2. EUV リソグラフィの概要 EUV リソグラフィの課題 高 NA-EUV リソグラフィ 3.

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

WG5: ArF NGL STRJ WS: March 5, 2004, WG5 Lithography 2 WG5 27 STRJ WS: March 5, 2004, WG5 Lithography 3 Outline 1. ITRS Lithography Roadmap 2. ArF (193nm), ArF F 2 (157nm),EUVL PEL (Leepl), EPL, ML2 Imprint,

スライド 1

/ Lithography Conventional DRC+Lithographic DRC (Metrology: SEM OPE ) CD-SEM IP CD-SEM Hot Spot 1 DRC: Design Rule Check CD-SEM: Critical Dimension-Scanning Electron Microscope Hot spot: Systematic defect:

「○○技術開発」

次世代半導体微細加工 評価基盤技術の開発 中間評価報告書 表 紙 平成 25 年 12 月 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 研究評価委員会 平成 25 年 12 月 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構理事長古川一夫殿 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会委員長西村吉雄 NEDO 技術委員 技術委員会等規程第 33 条の規定に基づき 別添のとおり評価結果について報告します

プリント

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カールツァイス社 ZEISS Lenses for Line Scan and Large Image Format General Features 高精度マニュアルフォーカス& アイリス調整 堅牢なフルメタル構造 忠実な色表現 マシンビジョン 43mm ラインスキャンカメラ対応 マシンビジョン 24x36mm エリアスキャンカメラ対応 Index Introduction 4 Interlock

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2016 年度活動報告 リソグラフィー専門委員会 2017.05.09 高橋和弘リソグラフィー専門委員会委員長 リソグラフィ専門委員会 委員長 キヤノン ( 株 ) 高橋和弘 副委員長 ( 株 ) ニコン 奥村正彦 委員 ( 株 ) アドバンテスト 黒川正樹 ウシオ電機 ( 株 ) 笠間邦彦 ギガフォトン ( 株 ) 黒須明彦 信越石英 ( 株 ) 西村裕幸 東京エレクトロン ( 株 ) 中島英男

DiovNT

軟 X 線干渉法による EUV 投影光学系の波面計測 新部正人兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 678 1205 兵庫県赤穂郡上郡町光都 3 1 2 要旨次世代の半導体パタン露光技術の候補である極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 法の開発においては, 投影光学系の波面収差を0.1 nm の精度で計測する必要がある この目的を達成するため, 我々は簡単な部品交換で多種類の軟 X 線干渉計測ができる実験干渉計を開発し,

<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>

技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

第3節

Prolith 3.1 Post Exposure Bake PEB PC 1970 F.H.Dill [1-2] PC Aerial Image Image in Resist Latent Image before PEB Resist Profile Develop Time Contours Latent Image after PEB 1 NA PEB [3-4] NA Cr 2 3 (b)

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

JAIST Reposi Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: Issu

JAIST Reposi https://dspace.j Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: 661-666 Issue Date 2009-10-24 Type Conference Paper Text version

SEM 式 PEM 式 TDI センサ TDI sensor 電子銃 Electron gun 検出器 Detector 電子銃 Electron gun EUV マスク EUV mask 点照射 Point exposure 面照射 Areal exposure EUV マスク EUV mask

論文 EUV マスク欠陥検査に用いる新写像投影 (PEM) 式電子光学系の製作 * 畠山雅規 村上武司 狩俣努 * 渡辺賢治 寺尾健二 * Development of Novel Optical System based on Projection Electron Microscopy (PEM) for EUV Mask Inspection by Masahiro HATAKEYAMA, Takeshi

21世紀型パラメータ設計―標準ＳＮ比の活用―

世紀のパラメータ設計ースイッチ機構のモデル化ー 接点 ゴム 変位 スイッチ動作前 スイッチ動作後 反転ばねでスイッチの クリック感 を実現した構造 世紀型パラメータ設計 標準 SN 比の活用 0 世紀の品質工学においては,SN 比の中に, 信号因子の乱れである 次誤差 (S res ) もノイズの効果の中に加えて評価してきた.のパラメータ設計の例では, 比例関係が理想であるから, 次誤差も誤差の仲間と考えてもよかったが,

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Lithography WG 活動報告 ITRS 2015 に見る リソグラフィ技術の最新動向 STRJ WS 2016 年 3 月 4 日品川 : コクヨホール WG5 主査 : 上澤史且 ( ソニー ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2016, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 - JEITA

14 2 1 1 2 2 1 2 2 2 2 3 2 3 6 2 4 7 2 5 8 3 3 1 10 3 2 12 4 4 1 14 4 17 4 19 4 3 1 22 4 3 2 28 4 3 3 31 5 34 6 36 37 38 1. Ti:Sapphire 2. (1) (2) 2. 2. (3)(4) (5) 2 2 1 (6) 2. 3. 4 3.. 5 4 3. 6 2 5. 1

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt

チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

Microsoft PowerPoint - １．プロセス制御の概要.pptx

プロセス制御工学 1. プロセス制御の概要 京都大学 加納学 Division of Process Control & Process Systems Engineering Department of Chemical Engineering, Kyoto University manabu@cheme.kyoto-u.ac.jp http://www-pse.cheme.kyoto-u.ac.jp/~kano/

平行平面板による収差発生と補正について

ORA セミナー 半導体製造における計測用結像光学系の事例 平行平面板による収差発生と補正について 稲秀樹 千徳孝一キヤノン ( 株 ) 製品技術研究所 ina.hideki@canon.co.jp, sentoku.koichi@canon.co.jp 1. はじめに 光学の結像を利用して 高精度な検出で 実際に製品適用しているものの一つに 半導体製造装置が上げられる その中でも本報告は アライメント検出系と重ね合せ検査装置で使用されている計測用結像光学系の収差補正に関するものである

「EUV」中間評価報告書（案）.PDF

EUV 1 2 3 4 7 8 1-1 2-1 2-2 1-1 1 2 EUV 3 4 5 6 7 研究評価委員会委員名簿 委員長曽我直弘滋賀県立大学学長 委員伊東弘一大阪府立大学大学院工学研究科教授 稲葉陽二 日本大学法学部教授 大西優 株式会社カネカ顧問 尾形仁士 三菱電機株式会社上席常務執行役開発本部長 黒川淳一 横浜国立大学大学院工学研究院教授 小柳光正 東北大学大学院工学研究科教授 佐久間一郎

ここまで進化した! 外観検査システムの今 表 2 2 焦点ラインスキャンカメラ製品仕様 項目 仕 様 ラインセンサ 4K ラインセンサ 2 光学系 ビームスプリッター (F2.8) ピクセルサイズ 7μm 7μm, 4096 pixels 波長帯域 400nm ~ 900nm 感度 可視光 : 量子

2 焦点ラインスキャンカメラ 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムによる分光を用いた特殊カメラ 専用レンズの製造販売を行っている 本稿では プルズム分光技術を使用し 可視領域で異なる 2 面に焦点を結ぶようにラインセンサを配置した 2 焦点ラインスキャンカメラ ( 写真 1) および専用レンズについて紹介する 1 開発の経緯と技術的特長 透明物体の表面と裏面の画像を同時に取得する また 凹凸のある製品

部門別情報 CONTENTS 36 情報コミュニケーション部門 36 事業戦略 38 業績の概要 40 成長事業 戦略事業の紹介 42 生活 産業部門 42 事業戦略 44 業績の概要 46 成長事業 戦略事業の紹介 48 エレクトロニクス部門 48 事業戦略 50 業績の概要 52 成長事業 戦略事業の紹介 34 hontoprintrush DNP DNP BPO 201512 BPO5 IC

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TMT 可視光分光撮像装置 (WFOS/MOBIE) 用 大口径レンズ及びレンズセルの概念検討一式 仕様書 平成 25 年 4 月 国立天文台 1 総説 国立天文台はアメリカ カナダ 中国 インドと協力して次世代超巨大望遠鏡 Thirty Meter Telescope(TMT) 計画を推進している この望遠鏡はこれまで最大の望遠鏡の主鏡口径である10mを大幅に超える30mとなる 可視光分光撮像装置

Microsoft PowerPoint - ６．PID制御.pptx

プロセス制御工学 6.PID 制御 京都大学 加納学 Division of Process Control & Process Systems Engineering Department of Chemical Engineering, Kyoto University manabu@cheme.kyoto-u.ac.jp http://www-pse.cheme.kyoto-u.ac.jp/~kano/

2 76 MPU (MEF mask error factors) nm 9nmCD 14nmCD 2003 MEF 1.0(alt-PSM ) nmCD 5.5nmCD MPU OPC PSM 193nm 157nm 157nm (ROI) 193nm 157nm Ca

1 2003 2 CD 15 ITWG International technology working group[ ] ESH Environment, Safety, and Health[ ] TWG RET resolution enhancement techniques OAI off-axis illumination PSM phase shifting masks OPC optical

[Opening Session]

PMJ2016 学会報告 1. はじめに PMJ2016 論文委員長大日本印刷株式会社吉岡信行 2016 年 4 月 6 日から 8 日にかけてパシフィコ横浜で PMJ2016 学会が開催された 以下に PMJ2016 学会についての報告を行う 2. 投稿論文数と傾向 PMJ2016 では全体で 63 件の発表が行われた そのうち Oral 発表が 27 件 Poster 発表が 26 件 招待講演が

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 DOC#: GPD Copyright Gigaphoton Inc.

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 Copyright Gigaphoton Inc. ギガフォトンの事業概要 2 半導体露光 光源ビジネス 液晶アニール 光源ビジネス 本体販売先 部品販売先 ASML, Nikon, Canon Intel, Toshiba, Samsung, TSMC など半導体メーカ

2001 Format for ITRS

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2013 年版 リソグラフィ THE ITRS IS DEVISED AND INTENDED FOR TECHNOLOGY ASSESSMENT ONLY AND IS WITHOUT REGARD TO ANY COMMERCIAL CONSIDERATIONS PERTAINING TO INDIVIDUAL

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

untitled

研究評価委員会

研究評価委員会 次世代半導体微細加工 評価基盤技術の開発 ( 中間評価 ) 分科会 議事録 日時 : 平成 25 年 8 月 27 日 ( 火 )10:00~17:50 場所 : 大手町サンスカイルーム D 室 ( 朝日生命大手町ビル 27 階 ) 出席者 ( 敬称略 順不同 ) < 分科会委員 > 分科会長 宮本岩男東京理科大学基礎工学部電子応用工学科嘱託教授 分科会長代理石原直 東京大学大学院工学系研究科特任教授

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EUV は間に合うか それともトリプルパターンニングか? ーリソグラフィ技術の最新動向ー WG5 ( リソグラフィ Working Group) 富士通セミコンダクター ( 株 ) 千々松達夫 - 内容 - WG5 の活動体制 EUV か トリプルパターニングか その他のトピックス まとめ STRJ WS: March 8, 2013, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制

ＬＥＤの光度調整について

光測定と単位について 目次 1. 概要 2. 色とは 3. 放射量と測光量 4. 放射束 5. 視感度 6. 放射束と光束の関係 7. 光度と立体角 8. 照度 9. 照度と光束の関係 10. 各単位の関係 11. まとめ 1/6 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです

ベースライトのスタンダード 色を自然に引き立てる Ra95 スタンダードタイプも光束維持率を向上 HIDタイプは約 6 万時間のロングライフ 1

ベースライトのスタンダード 色を自然に引き立てる Ra95 スタンダードタイプも光束維持率を向上 HIDタイプは約 6 万時間のロングライフ 1 色を自然に くっきり表現 光束維持率の向上 高演色 タイプ は Ra95と演色性に優れ 商品をくっきりと際立たせます スペクトル制御技術により 肌の色も美しく 自然な色を再現します HIDは光束維持率を70% から80% にアップ 寿命も大幅に伸び 約 60,000

Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて

Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて発生する軸上色収差 倍率色収差を抑えた光学設計を行い 焦点距離が異なったレンズを使用しても RGB 個々の焦点位置がレンズ間で同じ位置になるよう設計されている

InstrumentWS_GenkiSuzuki

第 6 回可視赤外線観測装置技術 WS @ 三鷹キャンパス 多天体補償光学に向けた Open- Loop 補償光学系での波面補償の性能評価 東北大学理学研究科天文学専攻秋山研究室修士 2 年鈴木元気 1. 多天体補償光学の課題 2. 東北大 1cm 望遠鏡用開ループ制御補償光学系の開発 3. 開ループ制御のためのCalibration 手法 4. 波面補償の実験結果. まとめ 1. 多天体補償光学の課題

産総研 MEMS スキルアップコース 中長期 集中型 先端集積化 MEMS の研究開発を推進している産総研 N-MEMS ファウンドリ ( ウェハ径 200/300mm) において 三次元加工技術 フォトリソグラフィー技術 極小微細加工技術等 MEMS 分野における種々の要素技術を習得する 研究開発

産総研 Technology CAD (TCAD) 実習初級コース 中級コース 短期型 Technology CAD(TCAD) は 計算機上のシミュレーションにより 所望の機能を持つ半導体素子の構造とその作製条件の最適化を行うことができる技術です 通常 半月から数ヶ月程度かかる半導体プロセスを実行することなく 半導体素子の作製条件を計算機上で導き出すことができます 初級コースは TCAD 初心者を対象として

研究成果報告書(基金分)

25 6 7 (EUV) 2 34 nm L/S Rate constants for the reaction of the electrons with triphenylsulfonium triflate (TPS-Tf) and pinanediol monosulfonates, which consist of tosylate (PiTs) or 4-trifluoromethylbenzenesulfonate

Microsoft PowerPoint - H24全国大会_発表資料.ppt [互換モード]

第 47 回地盤工学研究発表会 モアレを利用した変位計測システムの開発 ( 計測原理と画像解析 ) 平成 24 年 7 月 15 日 山形設計 ( 株 ) 技術部長堀内宏信 1. はじめに ひびわれ計測の必要性 高度成長期に建設された社会基盤の多くが老朽化を迎え, また近年多発している地震などの災害により, 何らかの損傷を有する構造物は膨大な数に上ると想定される 老朽化による劣化や外的要因による損傷などが生じた構造物の適切な維持管理による健全性の確保と長寿命化のためには,

Ł\”ƒ-2005

バリデーション基準 1. 医薬品 医薬部外品 GMP 省令に規定するバリデーションについては 品質リスクを考慮し 以下の バリデーション基準 に基づいて実施すること 2. バリデーション基準 (1) バリデーションの目的バリデーションは 製造所の構造設備並びに手順 工程その他の製造管理及び品質管理の

バリデーション基準 1. 医薬品 医薬部外品 GMP 省令に規定するバリデーションについては 品質リスクを考慮し 以下の バリデーション基準 に基づいて実施すること 2. バリデーション基準 (1) バリデーションの目的バリデーションは 製造所の構造設備並びに手順 工程その他の製造管理及び品質管理の方法 ( 以下この基準において 製造手順等 という ) が期待される結果を与えることを検証し これを文書とすることによって

<4D F736F F D2089FC92E82D D4B CF591AA92E882C CA82C982C282A282C42E727466>

11 Application Note 光測定と単位について 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです しかし 測定の方法は多種存在し 何をどのような測定器で測定するかにより 測定結果が異なってきます 本書では光測定とその単位について説明していきます 2. 色とは

<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >

7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に

日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003

日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 目次 1. 緒言 2. 半導体産業の転換点 3. 競争と協調 - コンソーシア 4. コンソーシア - 米国と日本 5. 日本の半導体コンソーシアの現状と将来展望 6. 結言 1. 緒言 2. 半導体産業の転換点 50% 45% 40% 35% 30% 25% 20% 15%

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

表紙_偏光・位相差デバイスのコピー

2 Table of Contents 2 Note: Polarizers are available from less than 5mm square to 200 mm and greater diameter Polarizers Retarders 3 Polarizers Retarders Fig. 1-2 4 Polarizers Retarders polarizer. Polarized

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

C12CA/C13CA シリーズ 光学的特性 項目 TM-UV/VIS-CCD TM-VIS/NIR-CCD C12CA C12CAH C13CA C13CAH 単位 感度波長範囲 2 ~ 32 ~ 1 nm 波長分解能 ( 半値幅 )* 3 max. 1 typ. * 4 max. 1* 4 ty

C12CA/C13CA シリーズ 高感度タイプ ( 裏面入射型 CCD イメージセンサを採用 ) 高分解能タイプ ミニ分光器 TMシリーズは 光学素子とイメージセンサと駆動回路をコンパクトにまとめた分光器 ( ポリクロメータ ) です 測定光を光ファイバ経由で入光し 分光結果をUSB 接続でPCに取り込むことにより 分光スペクトルの収集が可能です 本製品は 裏面入射型 CCDイメージセンサを採用した高感度タイプで

人間の視野と同等の広視野画像を取得・提示する簡易な装置

人間の視野と同等の広視野画像 を取得 提示する簡易な装置 公立はこだて未来大学 システム情報科学部複雑系知能学科 准教授鈴木昭二 研究背景 2 画像情報は有用である 多様な情報 ( 明るさ, 色, 形, 動きなど ) 見ればわかる しかし, カメラの画角は狭い 見える範囲が限定される 全体像を把握しくい 移動する物体を見失いやすい 広視野画像の取得 ( 従来方法 ) 3 多数のカメラを搭載 多数の画像を合成し高解像度の画像取得

議事次第 ( 公開セッション ) 1. 開会 資料の確認 2. 分科会の設置について 3. 分科会の公開について 4. 評価の実施方法について 5. プロジェクトの概要説明 5.1 事業の位置付け 必要性 研究開発マネジメント : 片岡茂 NEDO IoT 推進部主査 5.2 研究開発成果 成果の実

研究評価委員会 次世代半導体微細加工 評価基盤技術の開発 ( 事後評価 ) 分科会 議事録 日時 : 平成 28 年 6 月 21 日 ( 火 )9:30~18:00 場所 : 大手町サンスカイルーム A 会議室 ( 朝日生命大手町ビル 27 階 ) 出席者 ( 敬称略 順不同 ) < 分科会委員 > 分科会長 宮本岩男 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科嘱託教授 分科会長代理 石原直 東京大学工学系研究科学術戦略室上席研究員

2357

分科会資料

研究評価委員会 次世代半導体材料 プロセス基盤 (MIRAI) プロジェクト ( 事後評価 ) 分科会 議事要旨 日 時 : 平成 年 月 日 ( 木 ) ~ 平成 年 月 日 ( 月 ) ~ 場 所 : 全国町村議員会館 ( 階 第 ~ 会議室 ) 東京都千代田区一番町 番地 出席者 ( 敬称略 順不同 ) < 分科会委員 > 分科会長 白木 靖寛 東京都市大学 総合研究所 教授 東京大学名誉教授

3D 自動外観検査装置 BF-3Di 全部品の高さ計測により 検査効率が飛躍的に向上

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相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります

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日本電子News Vol.41, 2009

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AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

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報告書（第２回ＮＧＯ‐ＪＩＣＡ）／はじめに・目次

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