フラットパネルディスプレイ概論（２）液晶ディスプレイ:LCD

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Chapter 1 FPD(Flat Panel Display) と関連産業 Chapter 1 1. TFT-LCD と AMOLED 比較 1.1 特性比較 1.1.1 駆動方式図 1.1に TFT-LCD と AMOLED の画素回路を示す LCD では各画素に TFT1 個, 蓄積容量 1 個の1T1C 構成だが,OLEDでは各画素にTFT2 個, 蓄積容量 1 個の2T1Cが最低でも必要となる

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液晶の科学 山口東京理科大学基礎工学部電子情報工学科兼液晶研究所教授 高頭孝毅 2006/08/03.07 1 講義の内容 偏光について 液晶物質について LCD について ( 偏光板と液晶物質のコラボレーション ) 2006/08/03.07 2 偏光について 光は電場の振動でできる波 光は電場が振動して形成される波 通常の光 360 度全ての方向に振動している 2006/08/03.07 3 偏光について

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

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MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

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集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

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液晶ディスプレイの基礎 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 液晶とは? Liquid Crystal 液体と結晶の中間物質 LCD( 液晶ディスプレイ ) 1888 年液晶の発見 ( 植物学者 Reinitzer; オーストリア ) 1863 年液晶の電気特性変化発見 (Williams, 米 RCA ) 1968 年 DS 型 GH 型 LCD 方式の発表 (heilmaierら,

メモリ液晶ディスプレイの構成と特徴 業天誠二郎 モバイル液晶事業本部モバイル液晶第 1 事業部 近年, 携帯電話に代表されるモバイル機器の進化は目覚しく, 搭載されるディスプレイに対する高性能化, 高機能化の要求はますます高くなっています そのような中で, 当社オンリーワン技術である CG-Sili

メモリ液晶ディスプレイの構成と特徴 業天誠二郎 モバイル液晶事業本部モバイル液晶第 1 事業部 近年, 携帯電話に代表されるモバイル機器の進化は目覚しく, 搭載されるディスプレイに対する高性能化, 高機能化の要求はますます高くなっています そのような中で, 当社オンリーワン技術である CG-Silicon 技術を用いて各画素内にメモリ回路を構成し, ディスプレイの低消費電力化を実現すると共に,PNLC

..... 兆円 約 5.1 兆円 年 2010 年 約 12 兆円 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオ

. 1 ..... 兆円 14.0 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 0.1 0.2 0.7 1.2 0.3 約 5.1 兆円 1.1 1.5 2000 年 2010 年 約 12 兆円 0.3 0.5 1.5 2.2 3.4 2.5 1.5 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオカメラ用 デジタルカメラ用 電卓用等携帯電話用 携帯情報端末 (PDA) 用ノートPC 用 デスクトップ

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_５

CMO レイアウト設計法 -5 ( ノイズと特性バラツキをおさえる CMO レイアウト設計法 ) (C)2007 umiaki Takei 1.IC のノイズ対策 CMO 回路では微細加工技術の進歩によりデジタル回路とアナログ回路の両方を混載して 1 チップ化した LI が増えてきた 昨今では 携帯電話用の高周波 1 チップ CMOLI が頻繁に話題になる しかし 混載した場合 デジタル回路のノイズがアナログ回路へ混入し

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 545

IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 5451821 号 ) である IGZO は, これからのモバイル用ディスプレイに必須となる超高精細対応,

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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

基本的なノイズ発生メカニズムとその対策 電源 GND バウンス CMOS デジタル回路におけるスイッチング動作に伴い 駆動 MOS トランジスタのソース / ドレインに過渡的な充放電電流 及び貫通電流が生じます これが電源 GND に流れ込む際 配線の抵抗成分 及びインダクタンス成分によって電源電圧

デジアナ混載 IC ミックスド シグナル IC 設計の留意点 2005 年 5 月初版 2010 年 10 月改訂作成 : アナロジスト社森本浩之 まえがきデジタル アナログ混載 IC の回路本来の実力を引き出すためにはアナログ回路とデジタ ル回路の不要な干渉を抑える必要があり ノウハウを要します ですが十分な理解と注意の元で設 計を行えばさほど混載を恐れる必要もありません 用語 IP: Intellectual

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アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

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液晶ってなに? ー液晶テレビから太陽電池までー 東工大像情報工学研究所 教授半那純一 お話の内容 液晶物質とはどのようなものか? どんな性質を持っているか? 光の制御 その性質がどの様に 液晶テレビに活かされているか 液晶物質の従来 知られていなかった新しい特性 発見に関わる歴史特性の応用実用化に向けての取り組み 電流の制御 有機物の結晶と液体の構造 結晶 液体 : 分子 凝集した分子の秩序性 結晶

(Microsoft PowerPoint - \217W\220\317\211\361\230H\215H\212w_ ppt)

集積回路工学 東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 集積回路工学 1 レイアウトの作業 トランジスタの形状と位置を決定 トランジスタ間を結ぶ配線の経路を決定 製造工程の製造精度に対し 十分な余裕を持った設計ー > デザインルール チップ面積の最小化 遅延の最小化 消費電力の最小化 仕様設計 Schematic の作成 / 修正 Simulation DRC/LVS OK? OK? LPE/Simulation

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パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 シリーズ 波長板 シリーズ 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター

偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 波長板 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター 光について ルケオの光学フィルター でんじは 光とは 電磁波の一種です 波のような性質があります 電磁波とは 電界と磁界が互いに影響し合いながら空間を伝わっていく波のことを言います 電磁波は 波長により次のように分類されます 人の目で認識できる光を可視光線と言います 創業時から 50 年以上かけて培ってきた光学フィルム製造技術や接着技術があります

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分子組織科学特論講義 2 色づく分子組織体 円偏光について 甲虫の表皮 液晶 コレステリック液晶 コレステリック液晶の分子配列を固定する 制御する 分子組織化による色の応用 円偏光は 電場ベクトルの方向がらせんを描いて回転する光である 位相を 4 分の 1 波長変化させる 1/4 波長板に 45 度で直線偏光を通すことで円偏光は作られる 逆に 円偏光を 1/4 波長板に通すことで直線偏光が得られる.

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チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

Datenblatt

寸法 35 55 9 Teach H.Res Norm H.Spd Off.D T.Off On.D LO DO 型番 光ファイーバーアンプ 特長 接続方法 簡単操作 表示と設定ボタンでパラメータ設定可能 ブリッジ通信でもっと簡単な配線構成が可能 ASC ( 自動信号制御 ) 透明体検出可能 マスタモジュール 3 μs ハイスピードモード +UB 13VDC V Q Release dae: 29-1-22

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集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

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3.2 スイッチングの方法 1 電源の回路図表記 電源ラインの記号 GND ラインの記号 シミュレーションしない場合は 省略してよい ポイント : 実際には V CC と GND 配線が必要だが 線を描かないですっきりした表記にする 複数の電源電圧を使用する回路もあるので 電源ラインには V CC などのラベルを付ける 2 LED のスイッチング回路 LED の明るさを MCU( マイコン ) で制御する回路

テクニカル ホワイト ペーパー HP Sure View

テクニカルホワイトペーパー HP Sure View 目次 はじめに... 2 機能のコントロール... 2 プライバシーモードの有効化 / 無効化... 2 最も高いプライバシーレベルの迅速な有効化... 2 プライバシーレベルの設定 HP EliteBook 840 G3/G4 1040 G3... 2 プライバシーレベルの設定 HP EliteBook x360 1030 G2... 2 テクノロジーサマリ...

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを

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反射型カラーLCD技術による事業創出 Non-Mobile事業ポートフォリオの強化 B toｂ商品事業の強化 株式会社ジャパンディスプレイ 取締役 兼 COO 有賀 修二 Agenda Ⅰ. 中期経営 標 モバイル以外の事業 2020 年 30% 以上 Ⅱ. 反射型カラー LCD 技術による事業創出 1. 反射型カラー LCD の保有コア技術 2. 保有技術から た市場俯瞰図 3. 個別事業テーマ

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37 1 高性能分子デババイスを志向した配向性単分子膜の新規製造方法 広島大学大学院工学研学研究院物質化学工学部門学部門准教授今栄一郎郎 教授播磨裕 2 有機電子デバイスの発展 プラスチックフィルム上での有機 TFT 駆動 EL ディスプレイを実現 (2007 年 5 月 ) http://www.sony.co.jp/sonyinfo/news/press /200705/07-053/index.html

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

寄稿記事液晶テレビ用 LED バックライトの現状と将来動向 御子柴茂生 電気通信大学電子通信学部電子工学科教授 液晶テレビ用バックライトとして冷陰極蛍光管, 外部電極蛍光管, 有機 EL など種々の技術がある が,LED を用いたバックライトは他の技術では替え難い特徴を有する 動画表示時に発生するぼ

寄稿記事液晶テレビ用 LED バックライトの現状と将来動向 御子柴茂生 電気通信大学電子通信学部電子工学科教授 液晶テレビ用バックライトとして冷陰極蛍光管, 外部電極蛍光管, 有機 EL など種々の技術がある が,LED を用いたバックライトは他の技術では替え難い特徴を有する 動画表示時に発生するぼや けや色分離を減らすためには正確なタイミングでのバックライト点滅が必要であるが, 応答の速い LED

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路

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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

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電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで

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第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

s ss s ss = ε = = s ss s (3) と表される s の要素における s s = κ = κ, =,, (4) jωε jω s は複素比誘電率に相当する物理量であり ここで PML 媒質定数を次のように定義する すなわち κξ をPML 媒質の等価比誘電率 ξ をPML 媒質の

FDTD 解析法 (Matlab 版 2 次元 PML) プログラム解説 v2.11 1. 概要 FDTD 解析における吸収境界である完全整合層 (Perfectl Matched Laer, PML) の定式化とプログラミングを2 次元 TE 波について解説する PMLは異方性の損失をもつ仮想的な物質であり 侵入して来る電磁波を逃さず吸収する 通常の物質と接する界面でインピーダンスが整合しており

「リフレッシュ理科教室」テキスト執筆要領

F. 部品を集めてラジオを作ろう 電波はラジオ テレビ 携帯電話をはじめとして 宇宙通信など多くの通信に広く使われている ただし 最近のラジオは IC を使用し 動作がよくわからない ここでは 簡単な回路を用いて基本的なラジオを作る ラジオ伝送では 変調と検波と呼ばれる操作があり これを理解しておこう 1. ラジオによる音声信号の送受信 1.1 ラジオ送信の考え方 ( 変調 ) ラジオなどに利用される電波は音声に比較するとはるかに高い周波数です

Microsoft Word - サイリスタ設計

サイリスタのゲート回路設計 サイリスタはパワエレ関係の最初に出てくる素子ですが その駆動用ゲート回路に関する文献が少なく 学 生が使いこなせないでいる ゲート回路の設計例 ( ノイズ対策済み ) をここに記しておく 基本的にサイリス タのゲート信号は電流で ON させるものです 1. ノイズ対策済みゲート回路基本回路の説明 図 1 ノイズ対策済みゲート回路基本回路 1.1 パルストランス パルストランスは

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o

小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,

Microsoft PowerPoint - ch3

第 3 章トランジスタと応用 トランジスタは基本的には電流を増幅することができる部品である. アナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われる. 1 トランジスタの発明 トランジスタは,1948 年 6 月 30 日に AT&T ベル研究所のウォルター ブラッテン ジョン バーディーン ウィリアム ショックレーらのグループによりその発明が報告され, この功績により 1956 年にノーベル物理学賞受賞.

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員 ( 現在 東京理科大学 ) 寺部一弥グループリーダー 青野正和拠点長らの研究チームは

Microsoft PowerPoint - H22パワエレ第3回.ppt

パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第三回サイリスタ位相制御回路逆変換動作 平成 年 月 日月曜日 限目 誘導負荷 位相制御単相全波整流回路 導通期間 ( 点弧角, 消弧角 β) ~β( 正の半波について ) ~ β( 負の半波について ) β> となる時に連続導通となる» この時, 正の半波の導通期間は~» ダイオードでは常に連続導通 連続導通と不連続導通の境界を求める オン状態の微分方程式

問題 バイポーラ電源がないと 正と負の電圧や電流を瞬断なくテスト機器に供給することが困難になります 極性反転リレーやスイッチ マトリクスを持つ 1 象限または 2 象限電源では V またはその近傍に不連続が生じ これが問題になる場合があります ソリューション 2 象限電圧のペアを逆直列に接続すれば

太陽電池セル / モジュール向けテスト ソリューション Agilent 663XB 電源を逆接続して 太陽電池セル / モジュール テスト用の 4 象限動作を実現 Application Note 概要 電源を使って太陽電池セル / モジュールの性能を完全に特性評価するには 電圧を正方向と逆方向で印加する必要があります ソーラ デバイスが明状態 ( 光が照射された状態 ) のときは 電源は可変電圧負荷として動作し

電子回路I_6.ppt

電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

Micro Fans & Blowers Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 千葉県市原市辰巳台西

www.pelonistechnologies.com Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 290-0004 千葉県市原市辰巳台西 4-13-1-9-1 104-0041 東京都中央区新富 1-5-5-406 Tel:0436-98-2341 Fax:0436-98-2336 Tel:03-3206-6832 Fax:03-3206-6829

王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態

2015.02 王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態のとき 表示画面を偏光メガネを通して見たときに干渉色いわゆる虹ムラが発生する場合があることはよく知られています

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

3.4 の特性を表す諸量 入力 i 2 出力 負荷抵抗 4 端子 (2 端子対 ) 回路としての の動作量 (i) 入力インピーダンス : Z i = (ii) 電圧利得 : A v = (iii) 電流利得 : A i = (iv) 電力利得 : A p = i 2 v2 i 2 i 2 =i 2 (v) 出力インピーダンス : Z o = i 2 = 0 i 2 入力 出力 出力インピーダンスの求め方

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

<4D F736F F F696E74202D AC89CA95F18D9089EF975C8D658F F43945A A CC8A4A94AD298F4390B394C5205B8CDD8AB B83685D>

小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは

ユーザーマニュアル 製品概要 プロジェクターレンズ 2 投影オン / オフボタン 3 フォーカスリング 4 ボリューム調節ボタン 5 メニューボタン 6 トップホルダー * 7 充電モードボタン 8 LED インジケータ 9 HDMI オスコ

製品概要 6 12 1 3 4 5 2 7 8 9 10 11 1 プロジェクターレンズ 2 投影オン / オフボタン 3 フォーカスリング 4 ボリューム調節ボタン 5 メニューボタン 6 トップホルダー * 7 充電モードボタン 8 LED インジケータ 9 HDMI オスコネクタ 10 Micro USB 充電ポート 11 HDMI ポート 12 Type A USB ポート * プロジェクター両側のボタンを押すと

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2019 年 OLED 部品素材レポート 1 目次 1. 重要な要約 4 2. フォルダブルOLED 用部品素材の開発状 6 2.1 フォルダブルスマートフォン動向 2.2 フォルダブルOLEDの動向 2.3 フォルダブルOLED 構造解析 2.4 部品素材の開発状況 3. レイヤ別の部品素材の開発状 25 3.1 基板 3.2 TFT 3.3 電極 3.4 封止 3.5 タッチセンサー 3.6 偏光板

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

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同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 超高輝度 ハイパワー白色光源に適した YAG 単結晶蛍光体を開発 - レーザーヘッドライトなど LED 光源では困難な超高輝度製品への応用に期待 - 配布日時 : 平成 27 年 4 月 13 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構株式会社タムラ製作所株式会社光波 概要 1.

elm73xxxxxxa_jp.indd

概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき

PEA_24回実装学会a.ppt

85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: yuimichi@5lab.co.jp 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由

0 21 カラー反射率 slope aspect 図 2.9: 復元結果例 2.4 画像生成技術としての計算フォトグラフィ 3 次元情報を復元することにより, 画像生成 ( レンダリング ) に応用することが可能である. 近年, コンピュータにより, カメラで直接得られない画像を生成する技術分野が生

0 21 カラー反射率 slope aspect 図 2.9: 復元結果例 2.4 画像生成技術としての計算フォトグラフィ 3 次元情報を復元することにより, 画像生成 ( レンダリング ) に応用することが可能である. 近年, コンピュータにより, カメラで直接得られない画像を生成する技術分野が生まれ, コンピューテーショナルフォトグラフィ ( 計算フォトグラフィ ) と呼ばれている.3 次元画像認識技術の計算フォトグラフィへの応用として,

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

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FUJITSU Component タッチパネルアナログ抵抗膜方式 線式軽荷重タッチパネル FID-00シリーズ ( フィルム ガラス構造 ) 静電容量方式タッチパネルの操作感により近づけた軽荷重入力 線式フィルム ガラス構造アナログ抵抗膜方式タッチパネルです.3~22 インチまでのパネルサイズをラインナップしています オプションのコントロールボードにより拡大 縮小 回転等の 2 点ジェスチャー入力にも対応いたします

Microsoft Word - 1.2全反射.doc

. 全反射 φ 吸収があると透過光は減少する ( 吸収は考えない ) 全反射普通に三角関数を理解しているものには不思議な現象 Opia Fibr はこのメカニズムで伝える ブリュ - スター角 全反射 となる すなわち は実数として存在しない角度となる虚数 (or 複素数 ) となる 全反射という そこで r si を考えよう は存在しない角度なので この式から を消去して 実数である だけの表示にしよう

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht

第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板 2 2 3 単板マイクロチップコンデンサ CLB シリーズ 特長. なめらかで緻密なセラミクスと金電極を用いたシンプルな単板構造であるため 信頼性 周波数特性に優れています 2. 超小型の0.25mm 角からシリーズ化しており 回路の小型化 高密度実装に適しています 3. 金電極を用いているので AuSnによるダイボンディング Au 線によるワイヤーボンディングができます

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

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分析の原理 15 電位差測定装置の原理と応用 概要 電位差測定法は 溶液内の目的成分の濃度 ( 活量 ) を作用電極と参照電極の起電力差から測定し 溶液中のイオン濃度や酸化還元電位の測定に利用されています また 滴定と組み合わせて当量点の決定を電極電位変化より行う電位差滴定法もあり 電気化学測定法の一つとして古くから研究 応用されています 本編では 電位差測定装置の原理を解説し その応用装置である

diode_revise

2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M

Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル 413180100 19.4 システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M21/M22/M23/M24/M25 テクニカルマニュアル 413556900 21.4 システムリセットコントローラ

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

コネクタ 角形コネクタ 仕様一覧表 仕様 基本形式 SC XC KC CTM MPC 形式 SC-PS12C SC-PS24C SC-PS36C XC-P1 XC-P2M XC-P10T XC-P10M XC-T10 XC-S4 XC-S20 XC-S40 KC-12PS KC-20PS CTM-S

コネクタ 仕様一覧表 仕様 基本形式 S X K TM MP 形式 S-PS12 S-PS24 S-PS36 0T 0M X-T10 X-S4 X-S20 X-S40 K-12PS K-20PS TM-SA TM-SV TMH-SA TMH-SV TMX-SA TMX-SV MP-24PS MP-36PS 定格絶縁電圧 250V 600V 250V 250V 定格通電電流 10A( 単極使用の時 :15A)

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発 ~ 電圧をかけずに動作する電気化学デバイス実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 29 年 9 月 7 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構 (NIMS) 概要 1.NIMS は 電圧でなく磁気でイオンを輸送するという 従来と全く異なる原理で動作するトランジスタの開発に成功しました

暮らしのなかの物理：光を知って光を使う

東大付属中高高 2 物理 Ⅰ レクチャー 暮らしのなかの物理 : 光を知って光を使う2 佐藤勝昭工学博士東京農工大学名誉教授 第 1 回の復習 光の波長と色について学びました 白熱灯 蛍光灯 白色 LED の光をだすしくみの違いについて学びました スペクトルの違いを直視分光器を使って観察しました 今回学ぶこと 発表 : 第 1 回の講義や実験を通じてわかったこと もっと知りたいことを各班の代表に発表してもらいます

Microsoft PowerPoint - パワエレH20第4回.ppt

パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第 4 回 サイリスタ変換器 ( 相ブリッジ ) 自励式変換器 平成 年 7 月 7 日月曜日 限目 位相制御単相全波整流回路 転流重なり角 これまでの解析は交流電源の内部インピーダンスを無視 考慮したらどうなるか? 電源インピーダンスを含まない回路図 点弧時に交流電流は瞬時に反転» 概念図 電源インピーダンスを含んだ回路図 点弧時に交流電流は瞬時に反転できない»

Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx

スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

untitled

インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,

Microsoft PowerPoint - SDF2007_nakanishi_2.ppt[読み取り専用]

ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式

(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周

トランジスタ増幅回路設計入門 pyrgt y Km Ksaka 005..06. 等価回路についてトランジスタの動作は図 のように非線形なので, その動作を簡単な数式で表すことができない しかし, アナログ信号を扱う回路では, 特性グラフのの直線部分に動作点を置くので線形のパラメータにより, その動作を簡単な数式 ( 一次式 ) で表すことができる 図. パラメータトランジスタの各静特性の直線部分の傾きを数値として特性を表したものが

Microsoft PowerPoint EM2_15.ppt

( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx

4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (

円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical P

円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T211-1 211.2.7 ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical Process (SPCP) と命名し 小型 ~ 中型のオゾナイザーとして製造 販売を行っている SPCP オゾナイザーは図

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン

蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )

( オルタステクノロジー ) 産業用 TFT-LCD モニター ( 超高精細 高画質アモルファスシリコン TFT)HAST HAST(Hyper Amorphous Silicon TFT) とは 超高精細 TFTアレイ加工技術 微細低抵抗配線技術 超狭ピッチCOG 接合技術 高画質光学設計技術を追

産業用 LCD モジュール なら ぜひオリナスへ 高耐久 長期供給 高輝度 広視野角 低消費電力 小型 大型サイズ 国内はじめ海外主要メーカー取扱い中 サンプル 技術問い合わせ お待ちしております ご回覧下さい www.olinas.co.jp/ ( オルタステクノロジー ) 産業用 TFT-LCD モニター ( 超高精細 高画質アモルファスシリコン TFT)HAST HAST(Hyper Amorphous

学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or

RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって

入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value

13 2 9

13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

TC74HC14AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

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4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗

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広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ

Microsoft PowerPoint - fid-554.pptx

製品カタログ FUJITSU Component タッチパネル FID-55 シリーズ FUJITSU Component タッチパネルアナログ抵抗膜方式 線式タッチパネル FID-55シリーズ ( フィルム ガラス構造 ) 線式フィルム ガラス構造のアナログ抵抗膜方式タッチパネルで 3.8~7. インチまでの幅広いパネルサイズに対応いたします RoHS 適合 幅広い入力手段に対応アナログ抵抗膜方式タッチパネルのため入力手段に制限が少なく