Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学5.ppt

Size: px
Start display at page:

Download "Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学5.ppt"

Transcription

1 MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト l 配線 MO- の構成要素 電子回路の構成要素 ( 受動素子 抵抗トランジスタ拡散抵抗ゲート配線金属配線 ( 寄生 容量 MO 酸化膜 MM 容量トランジスタソース ドレイン容量 ( 寄生 金属配線間 ( 寄生 インダクタメタル配線 : 通常は小さく無視できる 回路の要素として使用 高速動作の阻害要因 MO 領域 MO 領域 シート抵抗 ( 教科書.8,9 設計者のレイアウトデザインでは, 厚さは制御できない シート抵抗 s ( 単位はΩ/ を使用する R ポリシリコンゲート層を使用した抵抗の例 μm 教科書.0 表.. 層の種類 ポリシリコン層 l 配線 シート抵抗 00Ω/ 0Ω/ 0.0Ω/ 端子位置 ( コンタクト μm シート抵抗 ( 教科書.8,9 設計者のレイアウトデザインでは, 厚さは制御できない シート抵抗 s ( 単位はΩ/ を使用する R を使用した抵抗の例 長さは電極コンタクトの中心間距離で規定する 長さ 電極 + 型拡散領域 : 幅 : 長さ : 高さ 高さ 右図の抵抗 Rは R 0 0[ Ω] 6 幅 型 断面図

2 抵抗素子 ( 抵抗素子 ( 配線材料の固有抵抗を使用した場合 配線材料の固有抵抗を使用した場合 7 ゲート電極 金属配線 R 材料 ポリシリコンシリサイド (oi,i 高融点金属 ( + 拡散 + 拡散 l,u 抵抗率 (Ω m ポリシリコン ~0 - シリサイド ~0-6 高融点金属 ~0-7 シリコン ~0 - l~x0-8 u~.x0-8 教科書.0 の拡散抵抗, ポリシリコン抵抗, l 抵抗になるときのそれぞれの膜厚は? 8 ゲート電極 金属配線 材料 ポリシリコンシリサイド (oi,i 高融点金属 ( + 拡散 + 拡散 l,u 抵抗率 (Ω m ポリシリコン ~0 - シリサイド ~0-6 高融点金属 ~0-7 シリコン ~0 - l~x0-8 u~.x0-8 教科書.0 の拡散抵抗, ポリシリコン抵抗, l 抵抗になるときのそれぞれの膜厚は? 0 - / μm ポリシリコン 0 - / μm l 配線 X0-8 /0.00.6μm 9 拡散抵抗素子 拡散抵抗は下記のように作成される シリサイド化しない +, + 拡散シート抵抗値はプロセスに大きく依存するが~00Ω/ 程度 拡散抵抗は基板に対して接合容量 ( 後述 を持つので注意が必要 R 長さ + 型 型 + 型 型幅 0 トランジスタレイアウト サリサイド化の利点, 注意点 ゲート抵抗, 拡散抵抗を低くできる コンタクト抵抗を下げることができる コンタクト数を少なくできる レイアウト自由度向上 ゲート抵抗, 拡散抵抗を用いる抵抗素子にはサリサイドブロック領域の指定が必要 拡散抵抗 ゲート抵抗トランジスタ電流の低下 サリサイドブロック領域 ゲート抵抗 抵抗素子レイアウト R 拡散抵抗 長さ はサリサイドブロック長で規定する 小テスト 持ち込み物件 : 関数電卓のみ 試験範囲 : 第 回 ~ 第 回講義全範囲 半導体工学の復習も含む 教科書で言えば.0.. まで 該当範囲教科書章末問題 第 章 (((0 第 章 ((<(a のみ >(((6 レジュメ第 章も復習すること 第 章の ( 接点の電圧を 0. 以下に 0. に 図. 修正 外側の黒い枠 ( ウエルは必要ありません μm 8μm 基板

3 図.6 修正 μm サリサイドゲート技術 ( 再掲 MO の黒い枠 ( ウエルは必要ありません 替わりに, ウエルが MO の周りに必要です. μm 8μm ウエル 基板 シリサイド : シリコンと金属の化合物で, ポリシリコンより抵抗率が小さい i,ii,oi,ii など サリサイド : トランジスタのゲート, ソース, ドレイン領域に自己整合的にシリサイドを形成する elf liged ilicide ゲート抵抗を低くするだけでなく, ソースドレイン部への配線抵抗およびコンタクト抵抗も低減できる サリサイド (elf lig ilicide の形成プロセス 側壁絶縁膜 oly-i + + (a ゲート横に側壁絶縁膜を有するoly-iゲートを形成する i + + (b i 膜をスパッタリングにより形成 ii + + (c 熱処理によりiとiを反応させ ii を形成 ii + + (d 化学薬品を用いて未反応の i を除去 ドレイン電流のゲート電圧依存性 << G - th のとき ( 線形領域 と > G - th のとき ( 飽和領域 で特性異なる. 線形領域の正比例特性で,X 軸との切片がしきい値電圧 (th 相互コンダクタンスg m とは, ゲート電圧 G の変化 d g m に対するドレイン電流 の変化の割合 d ドレイン電流 ( gm μo 線形 ドレイン電流 ( gm μo ( G G 飽和 μ o ( G ( μo G 抵抗素子 ( トランジスタを使用した場合線形領域 ( < G - では/R/μ o ( G - の抵抗とみなせる ゲート電圧で制御できる可変抵抗 d μ o ( G μo ( G R d 電流 ( G th となるピンチオフ点 線形 飽和 G μ o ( G th th ゲート電圧 ( G ゲート電圧 ( G 上記の回路の特性値 μ o を利得係数 βと呼ぶ 6 ドレイン電圧 ( μ o ( G 容量素子 ( MO トランジスタのゲート電極は容量素子となる ゲート電極とソース ドレイン電極間が容量 ゲート酸化膜の単位面積当たりの容量 o o 0 /t o ゲート容量 g o 0 破断面 ゲート電極ソース電極ドレイン電極 断面図 絶縁膜 トランジスタゲート幅 MO トランジスタゲート容量 ゲートバイアス依存性がある 周波数依存性がある 精度の必要なアナログ回路では使用されない t 電荷の変化が生じる場所 oly-i G < 0 oly-i G < th th oly-i 低周波 高周波 G > th 型反転層 変化 7 トランジスタゲート長 平面図 8 蓄積モード空乏モード反転モード

4 容量素子 ( 層間絶縁膜をはさむ l 配線間の容量 MM(Metal-sulator-Metal キャパシタと呼ぶ バイアス依存性, 周波数依存性が少ない 特別な追加 l 配線が必要なのでコスト高となる 同様にゲートポリシリコンとその上の追加ポリシリコン配線で作成する場合もある. 追加 l 配線 層間絶縁膜 配線の寄生抵抗 のスピードを律速しているのは配線の抵抗と容量 : 配線幅 : 配線長さ : 配線膜厚 抵抗率 ( l μωcm R シート抵抗 ( l の膜厚が 0.μm の時 s ( l 0.Ω / R s l 配線 9 0 配線の寄生容量 配線は隣接配線, 上下配線の間に寄生容量を持つ 最先端の0.8~0.μmルールのl 配線では通常 0.~0.f/μm 程度である信号の遅延を小さくするには, 抵抗と容量の積 Rを小さくすればよい ( 隣接配線間隔 を広くする ( 配線幅 を太くすると, 対上下配線の容量が増加するため容量は増加するが, 抵抗は小さくなるため, 信号遅延を小さくすることができる 遅延を小さくしたいとき 配線線幅 倍 抵抗 /となるが, 容量は 倍とはならない 配線遅延低減 高速化に寄与する R R R / < R R <R トランジスタ部の寄生抵抗 容量 下記の抵抗 容量共にトランジスタ速度を遅くする プロセス改良により高速化 ソースドレイン容量 コンタクト抵抗 ゲート配線抵抗 接合容量 ( 教科書. 接合が作成されていると空乏層容量 de がある ソースドレイン電極には寄生容量がある de には 接合に印加されている接合電圧 の依存性がある. 0 のときの容量を de0 とすると de de 0 教科書 ( 8 式 教科書はj, φ B になっているので注意 は 型端子が+の場合 ( 順方向

5 ビルトインポテンシャル の導出 ( 復習 型領域では E i E Ei E i e 型領域では E Ei E E e i i E i E E E i i + 6 i. 0 [ m ] E i 解説 ( 教科書. 参考 アクセプタ密度 X0 [m - ] の 型 i とドナー密度 X0 [m - ] の 型 i の 接合におけるビルトインポテンシャル を求めよ. B i ( [ ] + 拡散領域 ( X0 [m - ] 型半導体 型半導体 6 型基板 ( X0 [m - ] MO r 接合における電界 ( 半導体工学 接合における空乏層幅 7 ドナー密度がアクセプタ密度の 倍 ( の 接合を考えポアソン方程式を解いて電界を求める d ( 9 d ( [ < < 0] [0 < < ] ( 境界条件は E( E( 0 解は E ( + [ < < 0] ( 0 E ( [0 < < ] ( 電界から 接合の電位差を計算 ( + ( 型 i - - 電界 E - [/m ] E [/m] E ma 型 i 8 ( ( ( + ( ( を用いて de + を求めると ( de + 空乏層幅 de はビルトイン電圧 の関数になっている 順方向電圧 を印加した場合の空乏層幅は - を代入して + de ( ( 9 順方向電圧印加 空乏層幅は狭くなる 逆方向電圧印加 空乏層幅は拡がる ( 8 電圧印加時の空乏層における蓄積電荷の変化 電圧印加時の空乏層容量 空乏層幅の変化により, 接合に蓄積される電荷が変化 正孔 :+ 電荷 型半導体 型半導体 電子 :- 電荷 Q 接合における単位断面積あたりの電荷 Q は ( ( + + 順方向電圧 逆方向電圧 電圧ですると容量となるので dq de ( d( Q -Q -Q +Q 順方向電圧 容量は ( 順方向 > ( 逆方向 逆方向電圧 0 0のときの容量 de0 は >> de de de0 i 0 と考えると, φ B なので教科書 (.0 に一致 de + j なので教科書 (.9 に一致 +

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学7.ppt

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学7.ppt 集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

More information

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt 半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

More information

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード] 1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

More information

Microsoft PowerPoint - 2.devi2008.ppt

Microsoft PowerPoint - 2.devi2008.ppt 第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

More information

電子回路I_4.ppt

電子回路I_4.ppt 電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

More information

diode_revise

diode_revise 2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

More information

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

More information

電子回路I_6.ppt

電子回路I_6.ppt 電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

More information

13 2 9

13 2 9 13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

More information

弱反転領域の電荷

弱反転領域の電荷 平成 6 年度集積回路設計技術 次世代集積回路工学特論資料 微細化による特性への影響 松田順一 本資料は 以下の本をベースに作られている Yanni ivii, Operaion an Moeing of he MOS ranior Secon Eiion,McGraw-Hi, New York, 999. 概要 チャネル長変調 短チャネルデバイス 短チャネル効果 電荷配分 ドレイン ~ ソース電圧の効果

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 半導体電子工学 II 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/01/1 10 月 13 日 接合ダイオード (1) 3 10 月 0 日 4 10 月 7 日 5 11 月 10 日 接合ダイオード () 接合ダイオード (3) 接合ダイオード (4) MOS 構造 (1) 6 11 月 17 日 MOS 構造 () 7 11

More information

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt 6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

More information

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt 第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

More information

高周波動作 (小信号モデル)

高周波動作 (小信号モデル) 平成 9 年度集積回路設計技術 次世代集積回路工学特論資料 高周波動作 小信号モデル 群馬大学松田順一 概要 完全 QS モデル 等価回路の導出 容量評価 - パラメータモデル NQSNon-Qua-Sac モデル NQS モデルの導出 NQS 高周波用 等価回路 RF アプリケーションへの考察 注 以下の本を参考に 本資料を作成 Yann T Operaon an Moeln of he MOS

More information

スライド 1

スライド 1 電子デバイス工学 9 電界効果トランジスタ () MO T (-1) MOキャパシタ 金属 - 絶縁体 - 半導体 電界効果トランジスタ 金属 Metal 絶縁体 Isulator 半導体 emcouctor 金属 Metal 酸化物 Oxe 半導体 emcouctor Gate wth, Z MI T MO T Polslco or metal 半導体として を用い, その酸化物 O を絶縁体として用いたものが主流であったため,

More information

<4D F736F F F696E74202D2094BC93B191CC82CC D B322E >

<4D F736F F F696E74202D2094BC93B191CC82CC D B322E > 半導体の数理モデル 龍谷大学理工学部数理情報学科 T070059 田中元基 T070117 吉田朱里 指導教授 飯田晋司 目次第 5 章半導体に流れる電流 5-1: ドリフト電流 5-: 拡散電流 5-3: ホール効果第 1 章はじめに第 6 章接合の物理第 章数理モデルとは? 6-1: 接合第 3 章半導体の性質 6-: ショットキー接合とオーミック接触 3-1: 半導体とは第 7 章ダイオードとトランジスタ

More information

<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>

<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63> 量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

More information

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt 9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

More information

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm 集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

More information

半導体工学の試験範囲

半導体工学の試験範囲 練習問題 1. 半導体の基礎的性質問 1 n 形半導体について 以下の問いに答えよ (1) エネルギーバンド図を描け 必ず 価電子帯 ( E ) フェルミ準位( E ) 伝導帯( E ) を示す こと () 電子密度 ( n ) を 伝導帯の有効状態密度 ( ) を用いた式で表せ (3) シリコン半導体を n 形にする元素を挙げ その理由を述べよ F 問 型半導体について 以下の問いに答えよ (1)

More information

Microsoft PowerPoint pptx

Microsoft PowerPoint pptx 4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗

More information

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大

More information

(Microsoft PowerPoint - \217W\220\317\211\361\230H\215H\212w_ ppt)

(Microsoft PowerPoint - \217W\220\317\211\361\230H\215H\212w_ ppt) 集積回路工学 東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 集積回路工学 1 レイアウトの作業 トランジスタの形状と位置を決定 トランジスタ間を結ぶ配線の経路を決定 製造工程の製造精度に対し 十分な余裕を持った設計ー > デザインルール チップ面積の最小化 遅延の最小化 消費電力の最小化 仕様設計 Schematic の作成 / 修正 Simulation DRC/LVS OK? OK? LPE/Simulation

More information

Acrobat Distiller, Job 2

Acrobat Distiller, Job 2 2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX

More information

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学2.ppt

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学2.ppt チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

More information

基本的なノイズ発生メカニズムとその対策 電源 GND バウンス CMOS デジタル回路におけるスイッチング動作に伴い 駆動 MOS トランジスタのソース / ドレインに過渡的な充放電電流 及び貫通電流が生じます これが電源 GND に流れ込む際 配線の抵抗成分 及びインダクタンス成分によって電源電圧

基本的なノイズ発生メカニズムとその対策 電源 GND バウンス CMOS デジタル回路におけるスイッチング動作に伴い 駆動 MOS トランジスタのソース / ドレインに過渡的な充放電電流 及び貫通電流が生じます これが電源 GND に流れ込む際 配線の抵抗成分 及びインダクタンス成分によって電源電圧 デジアナ混載 IC ミックスド シグナル IC 設計の留意点 2005 年 5 月初版 2010 年 10 月改訂作成 : アナロジスト社森本浩之 まえがきデジタル アナログ混載 IC の回路本来の実力を引き出すためにはアナログ回路とデジタ ル回路の不要な干渉を抑える必要があり ノウハウを要します ですが十分な理解と注意の元で設 計を行えばさほど混載を恐れる必要もありません 用語 IP: Intellectual

More information

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt 0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

More information

レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_5

レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_5 CMO レイアウト設計法 -5 ( ノイズと特性バラツキをおさえる CMO レイアウト設計法 ) (C)2007 umiaki Takei 1.IC のノイズ対策 CMO 回路では微細加工技術の進歩によりデジタル回路とアナログ回路の両方を混載して 1 チップ化した LI が増えてきた 昨今では 携帯電話用の高周波 1 チップ CMOLI が頻繁に話題になる しかし 混載した場合 デジタル回路のノイズがアナログ回路へ混入し

More information

スライド 1

スライド 1 電子デバイス工学 7 バイポーラトランジスタ () 静特性と動特性 トランジスタの性能指標 エミッタ効率 γ F ベース輸送効率 α T エミッタ効率 : なるべく正孔電流は流れて欲しくない の程度ベース輸送効率 : なるべくベース内で再結合して欲しくない の程度 Emittr Efficicy Bas Trasort Efficicy Collctor Efficicy Elctro Flow E

More information

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある 2.6 トランジスタの等価回路 2.6.1 トランジスタの直流等価回路 V I I D 1 D 2 α 0

More information

4端子MOSトランジスタ

4端子MOSトランジスタ 平成 8 年度集積回路設計技術 次世代集積回路工学特論資料 4 端子 MOS トランジスタ 群馬大学松田順一 概要 完全チャージ シート モデル 簡易チャージ シート モデル ソース参照モデル 対称モデル 強反転モデル 完全対称モデル 簡易対称モデル 簡易ソース参照モデル 弱反転モデル EK.. Ez F. Krummachr E. A. ioz モデル 実効移動度 温度依存性 p チャネル トランジスタ

More information

Microsoft PowerPoint pptx

Microsoft PowerPoint pptx 3.2 スイッチングの方法 1 電源の回路図表記 電源ラインの記号 GND ラインの記号 シミュレーションしない場合は 省略してよい ポイント : 実際には V CC と GND 配線が必要だが 線を描かないですっきりした表記にする 複数の電源電圧を使用する回路もあるので 電源ラインには V CC などのラベルを付ける 2 LED のスイッチング回路 LED の明るさを MCU( マイコン ) で制御する回路

More information

アクティブフィルタ テスト容易化設計

アクティブフィルタ テスト容易化設計 発振を利用したアナログフィルタの テスト 調整 群馬大学工学部電気電子工学科高橋洋介林海軍小林春夫小室貴紀高井伸和 発表内容. 研究背景と目的. 提案回路 3. 題材に利用したアクティブフィルタ 4. 提案する発振によるテスト方法 AG( 自動利得制御 ) バンドパス出力の帰還による発振 3ローパス出力の帰還による発振 4ハイパス出力の帰還による発振. 結果 6. まとめ 発表内容. 研究背景と目的.

More information

半導体エンジニアのための CV( 容量 - 電圧 ) 測定基礎 キーサイト テクノロジー合同会社アプリケーション エンジニアリング部門アプリケーションエンジニア柏木伸之 Page 1

半導体エンジニアのための CV( 容量 - 電圧 ) 測定基礎 キーサイト テクノロジー合同会社アプリケーション エンジニアリング部門アプリケーションエンジニア柏木伸之 Page 1 半導体エンジニアのための CV( 容量 - 電圧 ) 測定基礎 キーサイト テクノロジー合同会社アプリケーション エンジニアリング部門アプリケーションエンジニア柏木伸之 Page 1 これから CV 測定を始める方へ CV 測定は デバイス評価において幅広く使用されている測定手法です 本セミナでは CV 測定の重要性 基礎 測定テクニックについてご紹介いたします Page 2 目次 CV 測定とは?CV

More information

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx 4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (

More information

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET 1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

More information

電子回路基礎

電子回路基礎 電子回路基礎アナログ電子回路 デジタル電子回路の基礎と応用 月曜 2 時限目教室 :D205 天野英晴 hunga@am.ics.keio.ac.jp 講義の構成 第 1 部アナログ電子回路 (4/7, 4/14, 4/21, 5/12, 5/19) 1 ダイオードの動作と回路 2 トランジスタの動作と増幅回路 3 トランジスタ増幅回路の小信号等価回路 4 演算増幅器の動作 5 演算増幅器を使った各種回路の解析

More information

Taro-F25理論 印刷原稿

Taro-F25理論 印刷原稿 第 種理論 A 問題 ( 配点は 問題当たり小問各 点, 計 0 点 ) 問 次の文章は, 真空中の静電界に関する諸法則の微分形に関する記述である 文中の に当てはまるものを解答群の中から選びなさい 図のように, 直交座標系において電界の z 軸成分が零となるような電界について, y 平面の二次元で電位や電界を考える ここで,4 点 (h,0),(0,h), (- h,0),(0,-h) の電位がそれぞれ

More information

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht 第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6

More information

Microsoft Word - サイリスタ設計

Microsoft Word - サイリスタ設計 サイリスタのゲート回路設計 サイリスタはパワエレ関係の最初に出てくる素子ですが その駆動用ゲート回路に関する文献が少なく 学 生が使いこなせないでいる ゲート回路の設計例 ( ノイズ対策済み ) をここに記しておく 基本的にサイリス タのゲート信号は電流で ON させるものです 1. ノイズ対策済みゲート回路基本回路の説明 図 1 ノイズ対策済みゲート回路基本回路 1.1 パルストランス パルストランスは

More information

Microsoft PowerPoint - 2.1MOSFETの特性.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - 2.1MOSFETの特性.ppt [互換モード] 2.1 MOSFET の特性 教科書 2.1 節 ~2.5 節 教科書には詳細な特性パラメータの式が示されていて複雑だが ディジタル回路設計では 本プリントの内容を理解していれば問題はない 2.1.1 PN 接合と内部電界 不純物による電気伝導の制御 (1) III IV V B C N Al Si P ドープ (Dope): 不純物を混ぜること 電子 ( 青色 ) Ga In Ge Sn As Sb

More information

Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学

Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学 017 年 11 月 13 日 ( 月 ) 1 限 8:45~10:15 I015 第 6 回半導体工学天野浩 項目 5 章 接合 htt://cheahotovoltaiceergy.blogsot.j/01/07/hotovoltaiccellsgeeratig.html 1/84 接合ダイオードとショットキーバリアダイオードとの違い 接合ダイオード S htt://www.semico.toshiba.co.j/cotact/

More information

レベルシフト回路の作成

レベルシフト回路の作成 レベルシフト回路の解析 群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室 96305033 黒岩伸幸 指導教官小林春夫助教授 1 ー発表内容ー 1. 研究の目的 2. レベルシフト回路の原理 3. レベルシフト回路の動作条件 4. レベルシフト回路のダイナミクスの解析 5. まとめ 2 1. 研究の目的 3 研究の目的 信号レベルを変換するレベルシフト回路の設計法を確立する このために 次の事を行う

More information

例 e 指数関数的に減衰する信号を h( a < + a a すると, それらのラプラス変換は, H ( ) { e } e インパルス応答が h( a < ( ただし a >, U( ) { } となるシステムにステップ信号 ( y( のラプラス変換 Y () は, Y ( ) H ( ) X (

例 e 指数関数的に減衰する信号を h( a < + a a すると, それらのラプラス変換は, H ( ) { e } e インパルス応答が h( a < ( ただし a >, U( ) { } となるシステムにステップ信号 ( y( のラプラス変換 Y () は, Y ( ) H ( ) X ( 第 週ラプラス変換 教科書 p.34~ 目標ラプラス変換の定義と意味を理解する フーリエ変換や Z 変換と並ぶ 信号解析やシステム設計における重要なツール ラプラス変換は波動現象や電気回路など様々な分野で 微分方程式を解くために利用されてきた ラプラス変換を用いることで微分方程式は代数方程式に変換される また 工学上使われる主要な関数のラプラス変換は簡単な形の関数で表されるので これを ラプラス変換表

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 平成 17 年度前期大学院 情報デバイス工学特論 第 9 回 中里和郎 基本 CMOS アナログ回路 (2) 今回の講義内容は 谷口研二 :LS 設計者のための CMOS アナログ回路入門 CQ 出版 2005 の第 6 章ー 9 章 (pp. 99-158) の内容に従っている 講義では谷口先生のプレゼンテーション資料も使用 ソース接地増幅回路の入力許容範囲 V B M 2 M 1 M 2 V in

More information

アナログ用MOSトランジスタ動作の基礎 公開講座資料

アナログ用MOSトランジスタ動作の基礎 公開講座資料 5 年 3 月 日 アナログ用 MOSFET 動作の基礎ー MOSFET モデルの考え方ー 群馬大学 松田順一 概要 ドリフト電流と拡散電流 エンハンスメント型 MOSFET 特性 強反転 / 弱反転一括モデル ( 表面電位表現 ) 強反転モデル 弱反転モデル EK モデル ピンチオフ電圧 移動度 温度依存性 イオン注入されたチャネルを持つ MOSFET 特性 デプレッション型 MOSFET 特性

More information

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ 3.4 の特性を表す諸量 入力 i 2 出力 負荷抵抗 4 端子 (2 端子対 ) 回路としての の動作量 (i) 入力インピーダンス : Z i = (ii) 電圧利得 : A v = (iii) 電流利得 : A i = (iv) 電力利得 : A p = i 2 v2 i 2 i 2 =i 2 (v) 出力インピーダンス : Z o = i 2 = 0 i 2 入力 出力 出力インピーダンスの求め方

More information

Microsoft PowerPoint EM2_15.ppt

Microsoft PowerPoint EM2_15.ppt ( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続

More information

Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx

Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx . エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 半導体電子工学 II 神戸大学工学部 小川 電気電子工学科 真人 10/06/'10 半導体電子工学 II 1 他講義との関連 ( 積み重ねが大事 積み残すと後が大変 ) 2008 2009 2010 2011 10/06/'10 半導体電子工学 II 2 量子物理工学 Ⅰ 10/06/'10 半導体電子工学 II 3 IC の素子を小さくする利点 このくらいのだったらなぁ 素子の微細化が必要 (C)

More information

Microsoft Word - 第6章MOSFET_

Microsoft Word - 第6章MOSFET_ 第 6 章 MOSFET 能動動作をする半導体デバイスとして 東の横綱をバイポーラトランジスタとするなら MOSFET はさながら西の横綱といったところであろう MOSFET は理解する過程でキャリアの拡散の概念を必要とせず オームの法則と電磁気学の基礎があれば理解できる 前章を読み進めた読者にとっては大変簡単に思われるかもしれない この章でほぼ集積回路に登場するすべてのデバイスを理解することになるため

More information

Microsoft PowerPoint - 6.1動作速度BL.pptx

Microsoft PowerPoint - 6.1動作速度BL.pptx 6.1 動作速度 遅延の原因と解析 6.1.1 寄生素子の回路への影響 2 3 回路と寄生素子 1 レイアウトに起因する寄生素子のモデル化 Vi Vo V2 R Vi Vo V2 Vi V2 Vo Rl l Rpoly Rpoly Rpoly Rpoly Rs Rs Rs Rs Rd Rd Rd Rd db db db db sb sb sb sb gs gs gs gs gd gd gd gd gb

More information

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63> 光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

More information

Microsoft PowerPoint - ch3

Microsoft PowerPoint - ch3 第 3 章トランジスタと応用 トランジスタは基本的には電流を増幅することができる部品である. アナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われる. 1 トランジスタの発明 トランジスタは,1948 年 6 月 30 日に AT&T ベル研究所のウォルター ブラッテン ジョン バーディーン ウィリアム ショックレーらのグループによりその発明が報告され, この功績により 1956 年にノーベル物理学賞受賞.

More information

電子回路I_8.ppt

電子回路I_8.ppt 電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

More information

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

More information

目次 概要... 1 目次 電気的特性 静的特性 動的特性 静電容量特性 実効容量 ( エネルギー換算 ) スイッチング特性 dv/dt 耐量...

目次 概要... 1 目次 電気的特性 静的特性 動的特性 静電容量特性 実効容量 ( エネルギー換算 ) スイッチング特性 dv/dt 耐量... パワー MOSFET 電気的特性 概要 本資料はパワー MOSFET の電気的特性について述べたものです 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. 電気的特性... 3 1.1. 静的特性... 3 1.2. 動的特性... 3 1.2.1. 静電容量特性... 3 1.2.2. 実効容量 ( エネルギー換算 )... 4 1.2.3. スイッチング特性... 5 1.2.4. dv/dt 耐量...

More information

SSM3K7002KFU_J_

SSM3K7002KFU_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5

More information

Microsoft PowerPoint - 基礎電気理論 07回目 11月30日

Microsoft PowerPoint - 基礎電気理論 07回目 11月30日 基礎電気理論 7 回目 月 30 日 ( 月 ) 時限 次回授業 時間 : 月 30 日 ( 月 )( 本日 )4 時限 場所 : B-3 L,, インピーダンス教科書 58 ページから 64 ページ http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 授業評価アンケート ( 中間期評価 ) NS の授業のコミュニティに以下の項目について記入してください

More information

TPCP8406_J_

TPCP8406_J_ MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa

More information

QOBU1011_40.pdf

QOBU1011_40.pdf 印字データ名 QOBU1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

More information

Microsoft PowerPoint - SSCS(kansai)技術セミナー(谷口).ppt

Microsoft PowerPoint - SSCS(kansai)技術セミナー(谷口).ppt 先端 MO アナログ集積回路の課題と今後の展開 Ⅰ.MOFE を用いた増幅回路 MO による回路実現を前提として. 大阪大学谷口研二 概要 Ⅰ.MOFE を用いた増幅回路 Ⅱ. 高速アナログ回路設計のポイント Ⅲ.MO アナログ回路のレイアウト. MOFEの基本構造. MO 素子を用いた増幅回路 3. 増幅回路の周波数特性 4. 半導体ロードマップと新構造デバイス 常に MOFE 構造を意識しながら..

More information

(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周

(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周 トランジスタ増幅回路設計入門 pyrgt y Km Ksaka 005..06. 等価回路についてトランジスタの動作は図 のように非線形なので, その動作を簡単な数式で表すことができない しかし, アナログ信号を扱う回路では, 特性グラフのの直線部分に動作点を置くので線形のパラメータにより, その動作を簡単な数式 ( 一次式 ) で表すことができる 図. パラメータトランジスタの各静特性の直線部分の傾きを数値として特性を表したものが

More information

SSM6J505NU_J_

SSM6J505NU_J_ MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS

More information

パワーMOSFETの特性

パワーMOSFETの特性 2015 年 3 月 2 日 パワー MOSFE の特性 群馬大学 松田順一 1 概要 パワー MOSFE の用途 基本構造 (DMOS と UMOS) 出力特性 静的ブロッキング特性 順方向伝導特性 MOS 表面物理 閾値電圧 チャネル抵抗 DMOSFE 特性オン抵抗 DMOS セル最適化 UMOSFE 特性オン抵抗など 周波数応答 スイッチング性能 ターンオン過渡解析 ターンオフ過渡解析 d/d

More information

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法

More information

TPC8107

TPC8107 TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い

More information

POCO 社の EDM グラファイト電極材料は 長年の技術と実績があり成形性や被加工性が良好で その構造ならびに物性の制御が比較的に容易であることから 今後ますます需要が伸びる材料です POCO 社では あらゆる工業製品に対応するため 各種の電極材料を多数用意しました EDM-1 EDM-3 EDM

POCO 社の EDM グラファイト電極材料は 長年の技術と実績があり成形性や被加工性が良好で その構造ならびに物性の制御が比較的に容易であることから 今後ますます需要が伸びる材料です POCO 社では あらゆる工業製品に対応するため 各種の電極材料を多数用意しました EDM-1 EDM-3 EDM POCO 社の EDM グラファイト電極材料は 長年の技術と実績があり成形性や被加工性が良好で その構造ならびに物性の制御が比較的に容易であることから 今後ますます需要が伸びる材料です POCO 社では あらゆる工業製品に対応するため 各種の電極材料を多数用意しました EDM-1 EDM-200 EDM-200 EDM-200 INDEX EDM グラファイトの分類 電極材料選択の主要ファクタ P2

More information

1 演習 :3. 気体の絶縁破壊 (16.11.17) ( レポート課題 3 の解答例 ) ( 問題 3-4) タウンゼントは平行平板電極間に直流電圧を印加し, 陰極に紫外線を照射して電流 I とギ ャップ長 d の関係を調べ, 直線領域 I と直線から外れる領域 II( 図 ) を見出し, 破壊前前駆電流を理論的 に導出した 以下の問いに答えよ (1) 領域 I における電流 I が I I expd

More information

スライド 1

スライド 1 情報デバイス特論演習設計ルール 実際に集積回路の設計を体験する 想定プロセス : μm CMOS 電源電圧 : 5V 本設計ルールは P. E. Allen and D. R. Holberg, CMOS Analog Circuit Design, Second Edition, 2002, Oxford University Press 及び VDEC( 東京大学大規模集積回路教育センタ ) を参考に教育用として作成したものであり

More information

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度 3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

More information

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02 項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

More information

                                             半導体デバイスの信頼性

                                             半導体デバイスの信頼性 Ⅲ. 1. 光素子の劣化メカニズム 1.1 半導体レーザー (LD) の光学損傷 2.2 受光素子の故障メカニズム 2. 高周波デバイスの劣化メカニズム 2.1 実装後のクラック発生 2.2 H/P FET の熱暴走 2.3 L/N FET の静電気破壊 2.4 AI 配線のエレクトロマイグレーション 12/36 MSRH06-1 光出力 P 光出力 P 1. 光素子の劣化メカニズム 1.1 半導体レーザー

More information

TPC8407_J_

TPC8407_J_ MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 モータドライブ用 CCFLインバータ用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 18 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 14 mω (

More information

TK50P04M1_J_

TK50P04M1_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い

More information

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01 項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

More information

TPCA8056-H_J_

TPCA8056-H_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 ノートブックPC 用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 17 nc ( 標準 ) (4) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 2.2 mω ( 標準 ) (V

More information

Microsoft Word - 2_0421

Microsoft Word - 2_0421 電気工学講義資料 直流回路計算の基礎 ( オームの法則 抵抗の直並列接続 キルヒホッフの法則 テブナンの定理 ) オームの法則 ( 復習 ) 図 に示すような物体に電圧 V (V) の直流電源を接続すると物体には電流が流れる 物体を流れる電流 (A) は 物体に加えられる電圧の大きさに比例し 次式のように表すことができる V () これをオームの法則 ( 実験式 ) といい このときの は比例定数であり

More information

スライド 1

スライド 1 アナログ検定 2014 1 アナログ検定 2014 出題意図 電子回路のアナログ的な振る舞いを原理原則に立ち返って解明できる能力 部品の特性や限界を踏まえた上で部品の性能を最大限に引き出せる能力 記憶した知識や計算でない アナログ技術を使いこなすための基本的な知識 知見 ( ナレッジ ) を問う問題 ボーデ線図などからシステムの特性を理解し 特性改善を行うための基本的な知識を問う問題 CAD や回路シミュレーションツールの限界を知った上で

More information

スライド 1

スライド 1 プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器

More information

( 全体 ) 年 1 月 8 日,2017/1/8 戸田昭彦 ( 参考 1G) 温度計の種類 1 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k B T を

( 全体 ) 年 1 月 8 日,2017/1/8 戸田昭彦 ( 参考 1G) 温度計の種類 1 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k B T を ( 全体 htt://home.hiroshima-u.ac.j/atoda/thermodnamics/ 9 年 月 8 日,7//8 戸田昭彦 ( 参考 G 温度計の種類 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k T を単位として決められている 9 年 月 日 ( 世界計量記念日 から, 熱力学温度 T/K の定義も熱エネルギー k T/J に基づく. 定積気体温度計

More information

MOSFET dv/dt 影響について Application Note MOSFET dv/dt 影響について 概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します Tosh

MOSFET dv/dt 影響について Application Note MOSFET dv/dt 影響について 概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します Tosh 概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / d が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. MOSFET の dv/d とは... 3 1.1. dv/d 発生のタイミング... 3 1.1.1. スイッチング過渡期の dv/d... 3 1.1.2. ダイオード逆回復動作時の dv/d...

More information

高耐圧SiC MOSFET

高耐圧SiC MOSFET エレクトロニクス 高耐圧 S i C M O S F E T 木村錬 * 内田光亮 日吉透酒井光彦 和田圭司 御神村泰樹 SiC High Blocking Voltage Transistor by Ren Kimura, Kousuke Uchida, Toru Hiyoshi, Mitsuhiko Sakai, Keiji Wada and Yasuki Mikamura Recently,

More information

Microsoft Word -

Microsoft Word - 電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで

More information

物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように 2つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右の2つ

物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように 2つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右の2つ 物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右のつの物質の間に電位差を設けて左から右に向かって電流を流すことを行った場合に接点を通って流れる電流を求めるためには

More information

TPHR7904PB_J_

TPHR7904PB_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 車載用 モータドライブ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 (2) 小型, 薄型で実装面積が小さい (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 0.65 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( 最大 ) (V

More information

RLC 共振回路 概要 RLC 回路は, ラジオや通信工学, 発信器などに広く使われる. この回路の目的は, 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである. 使い方には, 周波数を設定し外へ発する, 外部からの周波数に合わせて同調する, がある. このように, 周波数を扱うことから, 交流を考える

RLC 共振回路 概要 RLC 回路は, ラジオや通信工学, 発信器などに広く使われる. この回路の目的は, 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである. 使い方には, 周波数を設定し外へ発する, 外部からの周波数に合わせて同調する, がある. このように, 周波数を扱うことから, 交流を考える 共振回路 概要 回路は ラジオや通信工学 などに広く使われる この回路の目的は 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである 使い方には 周波数を設定し外へ発する 外部からの周波数に合わせて同調する がある このように 周波数を扱うことから 交流を考える 特に ( キャパシタ ) と ( インダクタ ) のそれぞれが 周波数によってインピーダンス *) が変わることが回路解釈の鍵になることに注目する

More information

第1章 様々な運動

第1章 様々な運動 自己誘導と相互誘導 自己誘導 自己誘導起電力 ( 逆起電力 ) 図のように起電力 V V の電池, 抵抗値 R Ω の抵抗, スイッチS, コイルを直列につないだ回路を考える. コイルに電流が流れると, コイル自身が作る磁場による磁束がコイルを貫く. コイルに流れる電流が変化すると, コイルを貫く磁束も変化するのでコイルにはこの変化を妨げる方向に誘導起電力が生じる. この現象を自己誘導という. 自己誘導による起電力は電流変化を妨げる方向に生じるので逆起電力とも呼ばれる.

More information

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析 [17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

More information

アナログ回路 I 参考資料 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用

アナログ回路 I 参考資料 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用 アナログ回路 I 参考資料 2014.04.27 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用いて再現することである 従って LTspice の使用方法などの詳細は 各自で調査する必要があります

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 1-1 情報デバイス工学特論 第 1 回 CMOS 集積回路概観 1-2 目的 現在の LSI の主流デバイスであるシリコン CMOS 集積回路を理解する 素子の製法 ( プロセス ) から動作原理 ( デバイス ) 素子の使い方 ( 回路 ) まで総合的に理解する 半導体集積回路 LSI : Large Scale Integrated Circuit 1-3 チップ ウエハ 現在は直径 12 インチ

More information

【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端<第4回>

【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端<第4回> 企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 4 3 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

More information

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

More information

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります

More information

予定 (川口担当分)

予定 (川口担当分) 予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体

More information

TK58A06N1_J_

TK58A06N1_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) TK58A06N1 TK58A06N1 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 4.4 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( ) (V DS = 60 V) (3) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです

More information