窒化ガリウム基板の開発
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- こうじ ひがき
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1 特別論文 窒化ガリウム基板の開発 元木健作 Development of GaN Substrates by Kensaku Motoki To commercialize violet lasers, the mass production of high quality gallium nitride (GaN) single crystal substrates is the key. Sumitomo Electric had successfully developed a process to obtain GaN substrates by means of vapor phase epitaxy. In this process, a thick GaN crystal layer is grown epitaxially on a foreign GaAs substrate, and later, the GaAs is removed. However, a large number of crystal defects (dislocations) generated on the interface between GaN and GaAs had remained a problem. To reduce the dislocations, Sumitomo Electric had developed an original method, DEEP; dislocation elimination by the epitaxialgrowth with inverse-pyramidal pits. With this method, numerous large inverse-pyramidal pits are provided on the surface of GaN crystals and as the crystals grow, dislocations move to pit centers. As a result, for the outside of the pit centers, high-quality GaN crystals with scarce dislocations, are obtained.furthermore, with our advanced-deep (A-DEEP), pit positions can be predetermined by the areas with opposite polarity of GaN. Thus, Sumitomo Electric has succeeded in reducing a remarkable number of dislocations and finally realized high-quality GaN substrates, which satisfy all the requirements for the violet laser diode, by A-DEEP. This paper reviews the early stage of R&D on GaN substrates at Sumitomo Electric. Keywords: GaN, substrate, dislocation, DEEP, A-DEEP 1. 緒言 1993 年に窒化ガリウム (GaN) を用いた高輝度青色 LED( 発光ダイオード ) が開発されたことにより 窒化物系化合物半導体は急速に注目を集め その後 白色 LED にも応用され 技術的にも産業としても大きく進展を遂げた これらの LED は サファイア単結晶基板上に GaN のヘテロエピタキシャル成長を行うことにより製造されている 一方 光ディスクは 1980 年台初めに出現した音楽用の CD から 1990 年代後半に映像用途の DVD へと 1 枚の光ディスクに書き込まれる記録容量が大きく拡大してきた これらの光ディスクに書き込まれた情報の読み取り 書き込みには半導体レーザが使われる 記録容量が拡大するにつれ この半導体レーザには より短い波長のレーザ光が要求されて来た CD には GaAs 基板上に AlGaAs 系エピタキシャル層を成長した波長 780nm の赤外レーザが DVD には GaAs 基板上に AlGaInP 系エピタキシャル層を成長した波長 650nm の赤色レーザが使用された さらに 大容量化が検討され ハイビジョン放送が 2 時間以上記録できる次世代光ディスクには 波長 405nm の青紫色レーザが必要とされた この青紫色レーザには 窒化ガリウム系の InGaN エピタキシャル層が用いられる この青紫色レーザについては 当初 LED と同じくサファイア基板を使って研究開発がなされた しかしながら サファイア基板を用いては 青紫色レーザは実現不可能であることが明らかとなってきた その理由は 一つはレー ザチップの反射面を形成するためのチップ端面の良好な劈開面が サファイア基板では得られない事による これは サファイアとその上の GaN エピタキシャル層との間に劈開面のズレがあるためである また もう一つの理由は サファイア基板上に成長した GaN エピタキシャル層には大量の結晶欠陥 ( 転位という線状の欠陥 ) が存在する事にある サファイアの結晶格子と GaN の結晶格子との間には 16 % もの不整合があり このために GaN をエピタキシャル成長した場合 その界面から GaN 結晶薄膜中に大量の結晶欠陥が発生した これは LED の場合には問題とはならなかった ところが レーザにおいては 使用時の電流密度が遙かに高いため これらの結晶欠陥が原因となり レーザの寿命が非常に短く 実用化には遠かった これらの問題を解決し 窒化ガリウム系の青紫色レーザを実現するためには 結晶欠陥が少なく 高品質かつ大口径の窒化ガリウム基板が必須であると言われた ( 図 1) 当時 窒化ガリウムのバルク単結晶を得る試みは ポーランドのグループによって高温 超高圧状態での結晶成長が研究されていたが 長時間の結晶成長で1 cm 程度の薄い小片のバルク結晶しか得られておらず 工業化は困難であると言われていた このような状況の下 当社では 独自の方向で GaN 基板の研究開発を開始していた その結果 青紫色レーザとして全ての要求を満足する窒化ガリウム結晶基板を初めて ( 10 ) 窒化ガリウム基板の開発
2 図 1 青紫色レーザの最適構造 得ることに成功した 本論文では 当社におけるその初期の研究開発の結果について総説する まうため 前述の様に数万気圧の超高圧状態に保持する必要があったためである 一方 技術進展の速い IT 分野で 窒化ガリウム基板に対する要求に追随するためには 当社の既存の技術に結びつける事は開発スピードを上げるという点で非常に好ましい 3. 窒化ガリウム基板開発における当社のアプローチ当社は それまでに塩化物系ガスによる窒化ガリウムのエピタキシャル成長技術について大学と共同研究を行っていた これをベースに同じく塩化物系の HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 法に変更すれば 大きな結晶成長速度が得られる この HVPE という手法は 当社が既に保有していたクロライド VPE の技術と類似点が多く そのまま横展開が可能であった 当社は まず異種基板上にこの HVPE により高速で厚く GaN を結晶成長し その後に異種基板を除去することで窒化ガリウム基板を得るという方法を採用した ( 図 2) 2. 当社の化合物半導体材料当社では Ⅲ-Ⅴ 族の化合物半導体を研究開発し それを事業化してきたという歴史がある (1) 1961 年より研究開発を初めた GaAs InP を色々な結晶成長手法で生産を行ってきた 例えば GaAs は HB(Horizontal Bridgeman) 法から始まり LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) 法からさらには VB(Vertical Bridgeman) 法へと進んできており ウエハサイズも 2 インチ径から 6 インチ径へと大口径化が進んできている しかしながら GaAs も InP も全て溶融成長法によっている 即ち これらの結晶は融点以上の高温で一旦溶融させた後 冷却され その凝固の過程で種結晶から原子配列を引き継いで単結晶として結晶成長させるものである その単結晶の固まり ( インゴット ) をスライス 研磨加工を行い 基板製品としている また エピタキシャル成長基板製品においては 当社の基板の上に様々なエピタキシャル成長手法を用いて 様々な機能を付加したエピ基板製品としている 古くは 1970 年代後半より 塩化物系の原料ガスを用いた気相成長によるクロライド VPE(Vapor Phase Epitaxy) があった これは GaAs 系 InGaAs 系エピに適用され 独占的に製品供給がなされた 当社の強みとなる独自技術であり 2007 年まで生産を行っていた それ以外にも古くから取り組んでいた液相エピは 1980 年の前半には GaAs 赤外用エピへと展開された 気相成長については その後 MBE OMVPE へと発展していった しかしながら 窒化ガリウム基板については 結晶を成長するには GaAs のような溶融成長は非常に困難であった 窒化ガリウムは 高温で融解する温度では分解してし 図 2 GaN 基板作成の概略プロセス しかしながら 通常 GaN のエピタキシャル成長に使われるサファイア基板 (α-al2o3) は 窒化ガリウムとは熱膨張係数で / 程度の差がある このために 例えば数百 µm 厚さの GaN 結晶を高温にてエピタキシャル成長した後 室温に降温した際にその熱膨張差に基づく熱応力により 大きな反りと界面付近においてクラックが発生した その際に窒化ガリウムのエピ結晶層においても多数 年 7 月 S E Iテクニカルレビュー 第 17 5 号 ( 11 )
3 のクラックが発生する事を確認した これでは GaN 基板結晶は得られない この問題を解決するために 他の異種基板材料を検討した 使用する異種基板としては 熱膨張係数は窒化ガリウムに出来るだけ近い必要がある 当社は 異種基板として GaAs を用いるという方向を探った 図 3 には 代表的な異種基板と窒化ガリウムの関係を示した 縦軸に窒化ガリウムとの結晶格子の不整合率 (%) を示し 横軸に熱膨張係数を示した 異種基板として GaN と対比してサファイア SiC Si GaAs を示した 熱膨張係数差が大きい場合は 前述のように結晶成長の後の冷却時の熱応力により 大きな反りとさらにはクラックが発生する この図表から GaN と GaAs の熱膨張係数差は / とサファイアと比べ 非常に小さいことがわかる これにより 熱膨張差に起因する反り クラックは防止できる可能性がある さらには 結晶成長の後 異種基板を除去する必要がある これについては サファイア基板を異種基板として用いた場合は非常に硬く安定な材料であるためにその除去が非常に困難である それに対し GaAs 基板を用いた場合は GaAs が柔らかい材料であり 化学的な安定性も高くないために 加工も容易で 機械加工により除去が非常に容易にできるというメリットがある しかし 図 3 にあるように 結晶格子の不整合率はいずれにしても 数 % 以上であり エピ結晶界面からの結晶欠陥の発生は避けられない GaN に格子整合する基板材料が存在しない中 結晶欠陥の発生については 何らかの技術的対処が必要と考えられた Lattice mismatch (%) Sapphire +10 SiC GaN 0-10 Si -20 GaAs Thermal expansion coefficient ( 10-6 /K) 図 3 各種基板の結晶格子の不整合と熱膨張係数 4. 窒化ガリウム基板の作成プロセス前項で述べたアプローチにより 窒化ガリウム基板の作製を行った 石英製の反応管からなる標準的な HVPE 炉を GaN の結晶成長に用いた HVPE は 水素ガスをキャリアガスとして用い 第 1 段階の反応として成長炉の上流部を 850 以上に保持し 石英製ボート中の Ga 金属と HCl ガスとを反応させて GaCl を形成し さらにその下流部にて 第 2 段階の反応として GaCl と NH3 とを混合し反応させることで その混合部付近に設置した下地基板上に成長温度にて GaN を析出させるというものである その原理図を図 4に示した 図 4 HVPE(Hydride vapor phase epitaxy) による気相成長下地基板としては GaAs(111) 面基板を使用した 基板サイズは 2 インチ径以上のものを用いた その基板表面には あらかじめ 厚さ 0.1µm 程度の SiO2 膜を直接形成しておき フォトリソグラフィーにより 円形状の窓を形成し 下地の GaAs を露出させた 窓のサイズは 2µm 程度の径として 6 回対称に配置した 結晶成長は 先述の基板上にまず 500 程度の低温で GaN バッファ層を 60nm 程度の厚さで形成した後 昇温して約 1030 にて厚く GaN のエピタキシャル成長を行った 厚さ 500µm 以上に厚膜成長した後 機械加工により下地 GaAs 基板を除去し その後 得られた単独の GaN 結晶厚膜を表裏両面において研磨加工を実施した (2)~(8) GaN の結晶成長が終了後 HVPE 炉から結晶が取り出されたが クラックの発生は見られなかった 結晶の表面は平坦ではなく 3 次元的な凹凸が形成されている状態であった その後 機械加工によって下地の GaAs 基板を除去し 結果として 全くクラックのない GaN の結晶単体が得られた さらに 平坦な基板形状にするために この結晶の両面を研削加工 および研磨加工を行った 写真 1 に最初に得られた 2 インチ径基板を示す 結晶は透明でやや灰色を帯びていた なお 八角形の外周形状は外周加工によるものである 厚さは 約 500µm であり 基板の電気特性はキャリア濃度が cm -3 移動度が 170cm 2 V -1 s -1 であった 比抵抗は Ω cm で ( 12 ) 窒化ガリウム基板の開発
4 写真 1 2 インチ径の GaN 基板あり 導電性基板としての十分な電気伝導性を有していた この基板は GaAs を下地基板として HVPE でのエピタキシャル成長により得られた最初の2インチ径の GaN 自立基板である (2)~(8) 5. 結晶欠陥の低減しかしながら 異種基板上に窒化ガリウムを結晶成長することの最大の問題は 結晶欠陥であった 既に述べた様に 結晶格子の異なる異種基板と窒化ガリウムの界面から 必然的に結晶欠陥 ( 転位 : 線状の欠陥 ) が多量に発生した その結晶欠陥密度は 10 9 cm -2 のオーダーに達していた このような欠陥が多量に存在する限りは レーザ用の基板としては使用出来ない 窒化ガリウムと結晶格子が一致する適当な物質が存在しないため この問題はどうしても解決しなければならない課題であった しかし これらの欠陥の効率的な低減方法は まだ 知られていなかった 厚く成長すれば 若干低減される傾向はあったが 限界があった 通常発生する 10 9 cm -2 の欠陥密度 (1 平方 cm あたり 10 億個の欠陥 ) を少なくともその 10,000 分の1 以下の 10 5 cm -2 以下に低減する必要があった 当社では この窒化ガリウム結晶中の結晶欠陥の低減に集中して取り組んだ そして その研究開発の過程で 結晶成長の際に窒化ガリウムの表面に逆錘型の窪み ( 巨大な成長ピット 例えば逆 6 角錐型 ) を数多く形成して厚く結晶成長を行うと 結晶成長の進行に従って欠陥が逆錘型の窪みの中心 ( 中心にある最も深い底 ) に集まるという現象を発見した その結果 窪みの中心に欠陥が集合するために 逆にその周辺では 欠陥が激減するという事実を見出した この現象を利用すると転位密度の大きな低減が図れる可能性がある 当社では この新しい現象を DEEP (Dislocation Elimination by the Epitaxial-growth with inverse-pyramidal Pits) と命名した なお 成長表面に多数形成する逆錐型状の窪みは成長条件を選ぶことにより 自然発生的に形成させる この DEEP を利用して欠陥密度の低減検討を行った (3)~(8) DEEP についてもう少し詳しく述べる 図 5 に代表例と して 逆 6 角錐状の窪みを形成した場合の DEEP による転位低減のモデルを示した 多数形成する窪みの内の一つを例示した 図 5(a) は 結晶成長表面の窪みの形状の模式図である 窪みの表面には逆六角錐を構成する {11-22} 面からなるファセット面を有している この形態をほぼ維持したまま 厚み方向 ( 上方向 ) に成長する もし この {11-22} ファセット面の表面に転位 ( 線状の欠陥 ) が露出していた場合 例えば図 5(b) はその断面図であるが 表面に露出した転位は 成長と共に 即ちファセット面の上昇移動と共に 逆六角錐の中心に向かって 細い矢印で示したように水平方向に伝播していく 断面図においては 転位は左右から中心に向かって伝播する さらに図 5(c) は 逆 6 角錐状の窪みを上から見た図であるが 転位は窪みの内部に存在していた転位は 窪みの中心に向かって収束するように伝播していく その結果 窪み周辺の転位欠陥は窪みの中心に向かって集合し それにより中心部以外の領域では 低欠陥化がなされる また 窪みの形状は必ずしも逆 6 角錐である必要はなく 逆 12 角推形状となっても同じ効果が得られる 図 6 に成長後の表面状態の模式図と実際の光学顕微鏡写真を示した 表面に形成した多数の窪みの底に転位欠陥が集合する この写真に見られるように 表面には多数の逆六角錘型の窪みによる凹凸があるため 平坦な窒化ガリウム基板とするには 結晶成長の後に表面を加工し 平坦化することが必要である 図 5 図 6 DEEP の転位低減モデル 窒化ガリウムの結晶成長図と実際の表面 年 7 月 S E Iテクニカルレビュー 第 17 5 号 ( 13 )
5 さらに図 7 に DEEP による結晶において 窪みの底の転位欠陥の集合部と 窪みの周辺部の転位欠陥の少ない領域とを透過電子顕微鏡により 直接観察した 図 7(a) に窪みの底の欠陥集合部からの透過電子顕微鏡写真を示すが 線状の転位が無数に集合しているのがわかる それに対し 図 7(b) に転位欠陥密度の低いと予想される領域からの透過電子顕微鏡写真を示したが やはり転位も少ないことが確認された この低転位の領域においては 観察した視野では 貫通転位は見られず C 面に平行な転位が1 本見られただけであった 観察領域から この領域では 転位密度は cm -2 と見積もられる point 図 7 窒化ガリウム結晶の透過電子顕微鏡観察 図 8 窪み周辺の転位欠陥密度分布 さらに 平坦化加工後の GaN 基板において 図 8 に窪みの領域付近のカソードルミネッセンス (CL) 像とその CL 像からカウントした欠陥密度分布を示した 図 8(a) の窪みの CL 像に示した矢印に沿った転位密度分布が窪み中心部を原点として図 8(b) に示されている 窪み中心では 転位密度が最も高く 10 8 cm -2 台であるが 中心から離れるに従って 急速に転位密度が低減しているのがわかる 中心から 100 ~ 200µm 離れた領域では 10 5 cm -2 のオーダーに入っている この領域はレーザ用基板として必要とされる 10 5 cm -2 台程度以下の転位密度が実現できている しかし 窪みの中心付近の約 200µm の領域が貫通転位密度 10 6 cm -2 以上の比較的転位密度の高い領域となっている この領域はレーザ用の基板としては不適切な領域である ところが DEEP においては 窪みの位置を自然発生的に形成しているために 窪みの位置を制御できないと言う問題点があった 即ち 窪みの位置が任意の場所に固定できずランダムであり かつ 窪み中央付近の転位密度の高い領域が比較的広いという問題であった (9) 実際にこの基板を用いて レーザデバイスを作製すると レーザの最も重要なレーザリッジ構造にこの転位密のやや高い領域がかかる確率が高く これでは高品質のレーザを再現性良く生産することはできない この問題はどうしても解決する必要があった 6. さらなる結晶欠陥の低減以上に述べたように DEEP によって得られた窒化ガリウム結晶を 青紫色レーザ用基板として供するには 下記の問題を解決する必要がある 1 窪みの位置の制御方法の確立 2 窪み位置中央付近の領域の転位密度低減の 2 点の問題である 当社はこれらの解決に取り組んだ その結果 新たに開発した手法が DEEP を改善した Advanced-DEEP(A-DEEP) である 以下にその概要について述べる まず 窪みの位置を任意の位置に固定できることが必要である 既に述べたようにこの窪みの形成は自然発生的になされており その位置はランダムである また 例えその位置を一旦制御できたとしても厚く成長すると共に窪み同士の合体によって その位置は変動してしまう そこで 当社は 窪みの位置の固定化に対して 窒化ガリウム結晶において C 軸が 180 反転した結晶方位を有する極性反転した領域を形成させ この極性反転領域の結晶成長速度が遅いことを利用して 窪み位置の固定に利用することを試みた その状況を図 9 に示した 即ち 下地異種基板上の所定の場所に ある材質のパターン層を形成し その上に ( 14 ) 窒化ガリウム基板の開発
6 GaN を結晶成長した場合 そのパターン層の上部だけに極性反転領域が形成されることを見出した この領域をコアと呼ぶ その結果 結晶成長速度の遅いコアに引っ張られる形でファセット面が形成され 窪み位置の固定が可能であることを見出した さらには 窪みの位置が固定され それによりファセット面の形状が安定的に維持されて結晶成長が行われる事により 窪みの中央付近の転位欠陥密度を一層低減する事ができることを見出した このように DEEP に改善を加え 所定の位置にコアを形成して成長することにより窪みの位置を固定し かつ 窪みのファセット面を安定に維持して成長することで一層 転位密度を低減するプロセスを Advanced-DEEP (A-DEEP) と命名した (9) 1)A-DEEP の具体例 ( ドット型コア ) 前述の Advanced-DEEP の具体例について述べる まず 最初に下地異種基板上にパターン層を ドット形状として 6 回対称に配置した ドット間の間隔は 400µm として その上に HVPE にて 窒化ガリウム結晶層を厚く成長した その結果 ちょうどドット状のパターン配置に対応して規則正しく逆 12 角錐状の窪みが配列した さらに これらの窪みの中心の位置は ドット状パターンの位置と対応していた 対応の状況は図 9 図 10 に示した通りである これらの結晶を平坦化加工した後 蛍光顕微鏡で表面を観察した結果を図 11 に示した これらのコントラストは 結晶成長の履歴を示しており 直径 400µm 程度の窪みが則正しく並んで成長したことが示されている こうして 窪みの位置の制御 規則化が実現出来た また 蛍光顕微鏡像では ピットの中央が明るいコントラストで観察されるが この領域は 極性反転しており 前述のコアとなっていることが確認された さらにカソードルミネッセンス (CL) 観察により転位密度を測定した 窪み中心の周辺の転位密度も低減しており 中心のコアの近傍で 10 5 cm -2 以下に低減している所もあった DEEP に対して転位密度においても改善が認められた 以上のように ドット型コアの形成により窪みの位置が固定され さらなる転位低減がなされたことが確認された (9) 図 9 Advanced-DEEP の原理 Starting substrate with dot-pattern layer Pits formed at the core 図 11 図 10 Substrate Patterned layer core C plane ドット型コアによる成長 Hexagonal or dodecagonal inverse pyramidal pits 400µm Core A-DEEP( ドット型コア ) 蛍光顕微鏡像 2)A-DEEP の具体例 ( ストライプ型コア ) 当社では 同様にしてドット型以外のコア形状も検討を行った レーザへの応用を考えるとレーザ素子の細長いキャビティを考慮した構造が好ましい そこで下地異種基板上に形成するパターン層をストライプ状の形状とした ストライプ状パターンの間隔を 400µm としストライプの方向を GaN の< >とした HVPE によりこのパターン層を有した下地異種基板上に窒化ガリウムを厚く成長した結果 図 12 に示したような形状となった 窪みの形状は逆錘形状ではなく V 字谷形状となった 即ち {11-22} 面からなるファセット面で挟まれた V 字谷が 400µm の間隔で規則正しく並んだ構造となった この V 字谷の中心にある底が ストライプパターン層の位置に相当している この結晶の平坦化加工後の蛍光顕微鏡写真を図 13 に示した 前述のドット型とは異なり 長く伸びた成長履歴が見て取れる また 400µm の間隔で見られるやや明るいコントラストの領域は ドット型と同じく極性が反転しており コアであることを確認した このようにコアの形状によって 全く異なる窪みの形状とファセット 年 7 月 S E Iテクニカルレビュー 第 17 5 号 ( 15 )
7 Patterned layer Starting substrate with pattern layer Substrate core (0001) plane (11-22) plane 10 9 core core 10 8 Facet plane formed along stripe core 図 12 ストライプ型コアによる成長 Core 図 14 A-DEEP( ストライプ型コア ) による結晶中の転位欠陥密度 400µm 図 13 A-DEEP( ストライプ型コア ) 蛍光顕微鏡像 面が形成されることがわかった また ストライプ型においてもドット型と同様に コアの形成により その位置に窪みの中心 ( あるいは底 ) を固定することができることが示された (9) ドット型と同様に CL 観察により転位密度を測定した 図 14(a) に観察したサンプルの CL 像を示した この CL 像において 両端に存在するやや明るく見える領域がコアであり この両側のコアの間の転位密度分布を測定し その結果を図 14(b) に示した コアの近傍においても転位密度が激減しており このコアの間の 50µm 360µm の測定領域において 転位は全く観察されなかった これよりこの領域においては 転位密度は 10 3 cm -2 台にまで低減していると考えられる このストライプ型コアを有した結晶において 一層の転位密度の低減がなされる事が示された (9) この欠陥密度は 当初目標としていた 10 5 cm -2 以下を十分に満たす結果であった さらに写真 2 に示したように 2 インチ径基板も実現できた 写真 2 A-DEEP による窒化ガリウム基板 7. レーザ用基板への応用以上述べたように A-DEEP によって 窪みの位置が安定に固定され 予め決められた場所に レーザ素子の要求を満たす結晶欠陥密度の低い領域が形成できるようになった これにより 例えば 異種基板上のストライプ型パターン層の設計で 低欠陥領域のサイズを 400µm 程度として レーザ素子と同程度のサイズするに事により レーザ素子 1チップ内の大部分の領域を低欠陥化することが可能になった 基板とレーザチップの具体的な位置関係を図 15 に図示した こうして 初めてレーザ素子の欠陥密度を安定して従来の 10,000 分の1にあたる 10 5 cm -2 以下に低減することができた チップサイズほぼ全面の低欠陥化により結晶の劈開性も良好であった 特にストライプ型コア ( 16 ) 窒化ガリウム基板の開発
8 に垂直に劈開を行った場合 非常に良好な劈開面が得られた これにより 初めて出力 寿命において優れた特性を有したレーザ素子が製造できるようになった 既に報告された論文からレーザの寿命と転位密度との関係を引用して図 16 にグラフとして纏めた 図 16 に見られるように当社の A-DEEP による基板を用いて既に 10 万時間以上の寿命を有するレーザが報告されている (10)~(12) 当社の GaN 基板は 青紫色レーザ素子の製造におけるデファクトスタンダードとして 位置付けられるに至った 本論文において総説した GaN 基板のプロセスは 初期の研究開発段階のものであったが 製造プロセスはその後大きく進化を遂げた それらは当社で量産プロセスとして確立され 既に 2003 年より量産に入っている ( 写真 3) 8. 結言 写真 3 窒化ガリウム基板の量産 1,000, ,000 図 15 A-DEEP による基板とレーザチップ 10,000 1, ? 図 16 レーザ寿命と転位密度 ( 欠陥密度 ) の関係 窒化ガリウム基板の開発についてその初期の研究開発段階の結果を中心に述べてきた 窒化ガリウムは Ⅲ-Ⅴ 族半導体とは言いながら それまでの GaAs InP とは全く異質な材料であり ほとんど従来の常識が通用しなかった 第一 バルクの基板が存在しなかったし 異種基板上の GaN エピタキシャル層には 多量の結晶欠陥が含まれ しかしそれでも高輝度の青色 LED が実現されていた そういう中で窒化ガリウム基板の開発を進めてきた訳であるが 新材料で かつここまで異質であると 常識に捕らわれないでと言うよりむしろ常識を排除し 自由な発想で進めて行くしかなかった まだ正体のよくわからない材料に対し とにかく 目の前の現象をありのままに捉え 事実をベースにして そこから自由に発想して実際に試みる そして その結果として それまでになかった物や技術を作り出す ということに繋がったと考える 開発に係わった諸氏は一生懸命に取り組んだが 後で振り返ると まさに 材料開発の醍醐味を味わったということになる まだまだ 材料開発においても 雪の中に足跡の残されていない領域もあったのだと思う また 研究開発の成果は 自社の得意とするところに繋げて行くことが大事だと思われる この研究開発も 1970 年代から当社が保有していた塩化物系の気相エピタキシャル成長 ( クロライド VPE) の独自の設備技術に結びつけることができた クロライド VPE は過去のもので既に主流ではなくなっているが この設備技術を横展開する事で 短期間で量産技術まで持って行くことができた 世の中の開発スピードがますます加速される中 自社の優位性を生かすことは 今後重要になっていくと思われる 正に温故知新である この興味深い材料である窒化物系半導体の今後の発展を願ってやまない 年 7 月 S E Iテクニカルレビュー 第 17 5 号 ( 17 )
9 参考文献 (1) 住友電工百年史 (1999) (2) K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki: Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate, Japanese Journal of Applied Physics 40, L (2001) (3) K. Motoki T. Okahisa, S. Nakahata, N. Matsumoto, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, M. Ueno, Y. Kumagai, A. Koukitu, H. Seki: Preparation of Large GaN Substrates, Materials Science and Engineering B, B93, (2002) (4) K. Motoki, T. Okahisa, S. Nakahata, N. Matsumoto, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, M. Ueno, Y. Kumagai, A. Koukitu, H. Seki: Growth and Characterization of Freestanding GaN Sub strates, Journal of Crystal Growth , (2002) (5) 中畑成二 岡久拓司 松本直樹 元木健作 上松康二 上野昌紀 笠井仁 木村浩也 竹本菊郎 大口径 GaN 単結晶基板の開発 SEI テクニカルレビュー 第 161 号 76-79(2002) (6) K. Motoki, T. Okahisa, S. Nakahata, K. Uematsu, H. Kasai, N. Matsumoto, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki : Preparation of 2- inch GaN substrates, Proc. 21st century COE Joint Workshop on Bulk Nitride, IPAP Conf. Series 4, 32-37(2003) (7) 元木健作 Hydride Vapor Phase Epitay(HVPE) によるバルク結晶 白色 LED 照明システム技術の応用と将来展望 ( シーエムシー出版 ) (2003) (8) 元木健作 窒化ガリウム基板結晶 日本電子材料技術協会会報 Vol.37 Oct. p2-6(2006) (9) Kensaku Motoki, Takuji Okahisa, Ryu Hirota, Seiji Nakahata, Koji Uematsu and Naoki Matsumoto: Dislocation reduction in GaN crystal by advanced-deep, Journal of Crystal Growth 305, (2007) (10) S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho and T. Mukai; High-Power and Long-Lifetime InGaN Multi- Quantum-Well Laser Diodes Grown on Low-Dislocation-Density GaN Substrates, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647(2000) (11) Motonobu Takeya, Takashi Mizuno, Tomomi Sasaki, Shinro Ikeda, Tsuyoshi Fujimoto, Yoshio Ohfuji, Kenji Oikawa, Yoshifumi Yabuki, Shiro Uchida, Masao Ikeda; Degradation in AlGaInN lasers; physica status solidi (c)volume 0, Issue 7, Pages: (2003) (12) O.Matsumoto, S. Goto, T. Sakai, Y. Yabuki, T. Tojyo, S. Tomiya, K. Naganuma, T. Asatsuma, K. Tamamura, S. Uchida, and M. Ikeda: Extremely Long Lifetime Blue-violet Laser Diode Grown Homo epitaxially on GaN Substrates, Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, pp (2002) 執筆者 元木 健作 : シニアスペシャリスト半導体技術研究所コア技術研究部グループ長博士 ( 工学 ) 窒化物半導体関連の開発に従事 ( 18 ) 窒化ガリウム基板の開発
PowerPoint プレゼンテーション
加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板を製作することに成功しました 新しい手法は 当研究所半導体工学研究室の青柳克信主任研究員と 北大電子科学研究所の田中悟助教授らのグループで開発
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006
窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
特別論文 窒化物半導体の展開 - 結晶基板とデバイス - 元木健作 Advances in Nitride Semiconductors - Substrates and Devices - by Kensaku Motoki Gallium nitride (GaN) and other nitride compound semiconductors show high potential as
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>
1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長
GaAsInP SiC 1),2) /cm 2 In LED LED 3) LD ),6) 2001 Void-Assisted-Separation: VAS 7) 12) Threading dislocation density: TDD10 6 /cm 2 L
Development of Single-Crystal Substrates SCIOCS Co., Ltd. Hajime FUJIKURA Toshihisa INOUE Toshio KITAMURA Taichiro KONNO Takayuki SUZUKI Tetsuji FUJIMOTO Takehiro YOSHIDA Masatomo SHIBATA Toshiya SAITO
学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical P
円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T211-1 211.2.7 ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical Process (SPCP) と命名し 小型 ~ 中型のオゾナイザーとして製造 販売を行っている SPCP オゾナイザーは図
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ
第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により
この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため
PowerPoint プレゼンテーション
半極性バルク GaN 基板上への LED の開発 実用レベルの発光効率と面内偏光の実現 船戸充講師, 川上養一助教授, 上田雅也 (D1) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 成川幸男, 小杉卓生, 高橋正良, 向井孝志日亜化学工業株式会社 謝辞 : 京都ナノテク事業創造クラスター 背 景 III 族窒化物半導体 :AlN,GaN,InN 紫外域 (AlN) から可視域 (GaN) を通って赤外域
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
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デンドリマー構造を持つアクリルオリゴマー 大阪有機化学工業 ( 株 ) 猿渡欣幸 < はじめに > アクリル材料の開発は 1970 年ごろから UV 硬化システムの確立とともに急速に加速した 現在 UV 硬化システムは電子材料において欠かせないものとなっており その用途はコーティング 接着 封止 パターニングなど多岐にわたっている アクリル材料による UV 硬化システムは下記に示す長所と短所がある
低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
エレクトロニクス 低転位 G a N 基板上の低抵抗 高耐圧 G a N ダイオード 住 吉 和 英 * 岡 田 政 也 上 野 昌 紀 木 山 誠 中 村 孝 夫 Low On-Resistance and High Breakdown Voltage GaN SBD on Low Dislocation Density GaN Substrates by Kazuhide Sumiyoshi,
hetero
ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教
Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx
. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
高出力・高効率純緑色レーザ
エレクトロニクス 高出力 高効率純緑色レーザ 髙 木 慎 平 * 上 野 昌 紀 片 山 浩 二 池 上 隆 俊 中 村 孝 夫 簗 嶋 克 典 High-Power and High-Efficiency True Green Laser Diodes by Shimpei Takagi, Masaki Ueno, Koji Katayama, Takatoshi Ikegami, Takao Nakamura
解 説 ハイドライド気相成長法による高品質 GaN 結晶の育成 碓井 彰 1 砂川 晴夫 1 鷲見 紀彦 1 山本 一富 1 耿 慧遠 1 山口 敦史 2 Growth of High Quality GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy Akira USUI 1,H
解 説 ハイドライド気相成長法による高品質 GaN 結晶の育成 碓井 彰 1 砂川 晴夫 1 鷲見 紀彦 1 山本 一富 1 耿 慧遠 1 山口 敦史 2 Growth of High Quality GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy Akira USUI 1,HaruoSUNAKAWA 1, Norihiko SUMI 1, Kazutomi YAMAMOTO
42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index
MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application
e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1
Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5
2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å
MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]
Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF
ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト
Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage
Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を
Crystals( 光学結晶 ) 価格表 台形状プリズム (ATR 用 ) (\, 税別 ) 長さ x 幅 x 厚み KRS-5 Ge ZnSe (mm) 再研磨 x 20 x 1 62,400 67,200 40,000 58,000
Crystals( 光学結晶 ) 2011.01.01 価格表 台形状プリズム (ATR 用 ) (\, 税別 ) 長さ x 幅 x 厚み KRS-5 Ge ZnSe (mm) 45 60 再研磨 45 60 45 60 50 x 20 x 1 62,400 67,200 40,000 58,000 58,000 88,000 88,000 50 x 20 x 2 58,000 58,000 40,000
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)
Microsoft PowerPoint - ２．斧先生.ppt
スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
清水秀己 矢田真士 Fig. 1 Cross-sectional TEM image of 3C-SiC films grown on Si(111) along the zone axis [01-1], (a) bright field (BF) image, (b) dark field (D
![清水秀己 矢田真士 Fig. 1 Cross-sectional TEM image of 3C-SiC films grown on Si(111) along the zone axis [01-1], (a) bright field (BF) image, (b) dark field (D](/thumbs/91/105912197.jpg "清水秀己 矢田真士 Fig. 1 Cross-sectional TEM image of 3C-SiC films grown on Si(111) along the zone axis [01-1], (a) bright field (BF) image, (b) dark field (D")
Bulletin of Aichi Univ. of Education, 62(Art, Health and Physical Education, Home Economics, Technology and Creative Arts), pp. 59-65, March, 2013 高周波スパッタリングによる Si(111) 基板上 ZnO 薄膜作製における 3C-SiC バッファ層の効果
ＬＥＤの光度調整について
光測定と単位について 目次 1. 概要 2. 色とは 3. 放射量と測光量 4. 放射束 5. 視感度 6. 放射束と光束の関係 7. 光度と立体角 8. 照度 9. 照度と光束の関係 10. 各単位の関係 11. まとめ 1/6 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです
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一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約
シャープ100年史：第7章
1986 1991 1 7-01 7-02 7-04 7-03 2 7-06 7-0 3 7-08 7-07 4 7-10 7-09 6 7-11 7-12 オプトデバイスのリードを支えた オンリーワン 応用製品とともに発展してきたオプトデバイス オプトデバイスとは 光学と電子工学を融合した半導体部品で 大量情報の伝達 記憶 変換を素早く 正確にでき 高度情報化社会で大きな役割を果たした 発光素子と受光素子から
EOS: 材料データシート(アルミニウム)
EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job
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凝集しにくい粒径約 20 nm のコアシェル型ナノ粒子を開発 - 光学フィルムへの応用に期待 - 平成 25 年 1 月 29 日独立行政法人産業技術総合研究所北興化学工業株式会社 ポイント 酸化セリウムとポリマーからなるナノ粒子の粒径を従来の 2 分の 1 以下に このナノ粒子を高濃度に含有させて樹脂フィルムに透明性を維持したまま高屈折率を付与 ナノ粒子の量産化の研究開発を推進し サンプル提供を開始
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
Application Note 光束の評価方法に関して Light Emitting Diode 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ This document contains tentative information; the contents may chang
光束の評価方法に関して 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ 1/6 1. 概要 本書では 日亜化学工業株式会社製 LED について積分球にて光束を評価する上での評価方法と注意事項を示します 2. 評価方法 通常 LED の光束を評価する際は積分球を用いて評価を行います 積分球のサイズも数 inch クラスのものから 1inch クラスまでの様々なサイズのものがありますが
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11 Application Note 光測定と単位について 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです しかし 測定の方法は多種存在し 何をどのような測定器で測定するかにより 測定結果が異なってきます 本書では光測定とその単位について説明していきます 2. 色とは
<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >
7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に
PVEゲルの作製方法 PVAの既存のゲル化法 １ 繰り返し凍結解凍法 1975 hydroxyl groups N. A. Peppas, Makromole. Chemie., 176, 3443-3440 (1975). M. Nambu, Japanese Patent Kokai, No. 57/130543 (1982). Acetoxy groups ２ 凍結法 in Water/DMSO
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電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで
平成20年1月15日
Virtual-Reactor CVD SiC edition Version 7.3.2 新機能のご案内 Virtual-Reactor は 気相からのバルク結晶 及びエピ成長シミュレーションソフトウェアです Virtual Reactor は各種バルク結晶成長方法 及び結晶種に対応しており リアクター内の温度分布 対流パターン 各種成分濃度分布 結晶内熱応力分布 結晶形状変化 転位密度分布などを求めることが出来ます
Fig.2 Optical-microscope image of the Y face-cross sec- tion of the bulk domain structure of a 0.4-mm-thick MgO-LiNbO3 crystal after chemical etching.
Blue EGreen Solid State Lasers Using MgO-LiNbO3 Periodic Domain Inverted Bulk Crystal and Their Applications Koji KAMIYAMA, Yoji OKAZAKI, and Akinori HARADA Fuji Photo Film. Co., Ltd., Miyanodai Technology
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同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 超高輝度 ハイパワー白色光源に適した YAG 単結晶蛍光体を開発 - レーザーヘッドライトなど LED 光源では困難な超高輝度製品への応用に期待 - 配布日時 : 平成 27 年 4 月 13 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構株式会社タムラ製作所株式会社光波 概要 1.
スライド 1
1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この
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1. 転位と塑性変形 1.1 転位身の周りに存在する金属 (metals) 及び合金 (alloys) は結晶である. 結晶の塑性変形 (Plastic deformation) を微視的観点から理解すると, ある特定の結晶学的な面に沿って特定の方向に原子が移動することである この面をすべり面 (slip plane), 方向をすべり方向 (slip direction) という. 通常, 金属の結晶内部には原子の並びが線上に乱れた領域が存在し,
表 1 ポリエチレン, ポリプロピレンにおける多品種生産の国際比較 -,,,
査読論文 石油化学工業における多品種大量生産プロセスの成立と展開 ポリプロピレン生産プロセスを事例に * 中村真悟 要旨 キーワード : * / E-mail nakamura-s@tortuga.sakura.ne.jp 表 1 ポリエチレン, ポリプロピレンにおける多品種生産の国際比較 -,,, 1. チーグラー触媒の発見とプロピレン生産プロセスへの応用 I.C.I., I.C.I. I.C.I.
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インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,
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広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ
(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子
(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子工学科 ) 井上孝行 ( ジャパンエナジー精製技術センター ) 栗田博 ( ジャパンエナジー精製技術センター
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パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )
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2 波長赤外線センサを用いた 2 波長融合処理について 防衛装備庁電子装備研究所センサ研究部光波センサ研究室技官小山正敏 発表内容 1. 2 波長赤外線センサ (2 波長 QDIP*) の概要 2. 2 波長化のメリット 2.1 2 波長帯域の取得による運用場面の拡大 2.2 2 波長融合処理による目標抽出 識別能力の向上 2.2.1 特徴量分類処理 2.2.2 太陽光クラッタ低減処理 2.2.3
1 Fig. 1 Extraction of motion,.,,, 4,,, 3., 1, 2. 2.,. CHLAC,. 2.1,. (256 ).,., CHLAC. CHLAC, HLAC. 2.3 (HLAC ) r,.,. HLAC. N. 2 HLAC Fig. 2
CHLAC 1 2 3 3,. (CHLAC), 1).,.,, CHLAC,.,. Suspicious Behavior Detection based on CHLAC Method Hideaki Imanishi, 1 Toyohiro Hayashi, 2 Shuichi Enokida 3 and Toshiaki Ejima 3 We have proposed a method for
昆虫と自然 2010年12月号 (立ち読み)
食糞性コガネムシの輝く色 構造色のメカニズム 赤嶺 し Seago et al. ５ 真由美 近 雅博 は上記の単純 な多層膜による干渉とは異なる 干渉メカニズム circularly polarizing reflectors もこの範疇 に含めている このことについ ては後述する 2 Three-dimensional photonic crystals は 密に集まったオパー ルに類似した六角形の配列ある
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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
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研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?
1 EPDM EPDM EPDM 耐塩素水性に優れた EPDM の開発 - 次亜塩素酸による EPDM の劣化と耐塩素水性に優れた EPDM の開発 - Development of EPDM with Excellent Chlorine Water Resistance - EPDM: Degr
1 耐塩素水性に優れた の開発 - 次亜塩素酸による の劣化と耐塩素水性に優れた の開発 - Development of with Excellent Chlorine Water Resistance - : Degradation by Hypochlous Acid and Development of Excellent Resistance to Chlorine Water - 機器部品事業部技術開発部
窒化アルミニウム単結晶基板の開発
エレクトロニクス 窒化アルミニウム単結晶基板の開発 佐 藤 一 成 * 荒 川 聡 谷 崎 圭 祐 宮 永 倫 正 櫻 田 隆 山 本 喜 之 中 幡 英 章 Development of Aluminum Nitride Single Crystl Sustrtes y Issei Stoh, Stoshi Arkw, Keisuke Tnizki, Michims Miyng, Tkshi Skurd,
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第 5 章核生成と相形態 目的 相変化時の核生成の基本を理解するとともに, 相形状が種々異なる理由を物理的観点から認識する. 5.1 核生成と成長 5.1.1 均一核生成 5.1. 不均一核生成 5.1.3 凝固 相変態 5.1.4 TTT 線図 5. 相形態 5..1 界面エネルギーと相形態 5.. 組織成長 演習問題 5.1 核生成と凝固 5.1.1 均一核生成 (homogeneous nucleation)
SP8WS
GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
特別賞 酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発 1 独立行政法人情報通信研究機構 2 株式会社タムラ製作所 3 株式会社光波 1 2,1 東脇正高佐々木公平倉又朗人 3 2 増井建和山腰茂伸 2 1. 諸言 近年 温室効果ガス削減 化石燃料に替わる新エネルギーの創出などの革新的省エネルギー技術の開発が 将来に向けた地球規模の命題となっている 加えて 現在我が国では東日本大震災の影響もあり 電力需要を減らす努力がこれまで以上に強く求められている
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GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 シリーズ 波長板 シリーズ 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター
偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 波長板 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター 光について ルケオの光学フィルター でんじは 光とは 電磁波の一種です 波のような性質があります 電磁波とは 電界と磁界が互いに影響し合いながら空間を伝わっていく波のことを言います 電磁波は 波長により次のように分類されます 人の目で認識できる光を可視光線と言います 創業時から 50 年以上かけて培ってきた光学フィルム製造技術や接着技術があります
Influence of Material and Thickness of the Specimen to Stress Separation of an Infrared Stress Image Kenji MACHIDA The thickness dependency of the temperature image obtained by an infrared thermography
概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
低炭素社会の実現に向けた技術および経済 社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書 技術開発編 GaN 系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 (Vol.2) - GaN 結晶と基板製造コスト - 平成 30 年 2 月 Technological Issues and Future Prospects of GaN and Related Semiconductor
酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質
F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右
3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり
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ペタライト - 粘土系耐熱素地の熱膨張特性 ( 第 2 報 ) 岡本康男 *, 林茂雄 *, 新島聖治 *, 久野笑加 *, 磯和真帆 * Thermal Expansion Properties on Heat Resisting Ceramics of Petalite and Clays (Part 2) Yasuo OKAMOTO *, Shigeo HAYASHI *, Seiji NIIJIMA
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
IB-B
FIB による TEM 試料作製法 2 バルクピックアップ法 1. はじめにピックアップ法を用いた FIB による TEM 試料作製法は事前の素材加工が不要であり 試料の損失を無くすなど利点は多いが 磁性材料は観察不可能であること 薄膜加工終了後 再度 FIB に戻して追加工をすることができないこと 平面方向の観察試料作製が難しいことなど欠点もある 本解説ではこれらの欠点を克服するバルクピックアップ法を紹介する
Figure 1. Center and Edge comparison of a HEMT epi measured by PCOR-SIMS SM 図 1 は直径 150mm の Si ウェハ上に成長させた GaN HEMT 構造全体の PCOR-SIMS による深さプ ロファイルを示しています
PCOR-SIMS による Si 基板上 GaN HEMT エピ構造の解析 Temel H. Buyuklimanli (temel@eag.com), Charles W. Magee, Ozgur Celik, Wei Ou, Andrew Klump, Wei Zhao, Yun Qi and Jeffrey Serfass 810 Kifer Road, Sunnyvale, CA 94086
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プレスリリース 2015 年 6 月 25 日 国立大学法人東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 世界最小量子ドットレーザの室温動作に成功 ~ 高効率ナノレーザの実用化に弾み ~ 国立大学法人東京大学 ( 総長 : 五神真 ) ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 ( 機構長 : 荒川泰彦 = 生産技術研究所教授 ) の荒川泰彦教授 舘林潤特任助教らは このほど 高効率ナノレーザ注
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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO
α α α α α α
α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1 島村清史 HVPE of -Ga2O3 on Foreign Substrates 1 Yuichi Oshima 1*, Encarnación G. Víllora 1, and Kiyoshi Shimamura
【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端＜第4回＞
企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発
気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
特別論文 気相法による Z n S e 単結晶成長とその応用 並川靖生 ZnSe Single Crystals Grown by Vapor Growth Methods and Their Application by Yasuo Namikawa ZnSe based white LED can be fabricated by homoepitaxial growth on ZnSe conductive
エラー動作 スピンドル動作 スピンドルエラーの計測は 通常 複数の軸にあるセンサーによって行われる これらの計測の仕組みを理解するために これらのセンサーの 1つを検討する シングル非接触式センサーは 回転する対象物がセンサー方向またはセンサー反対方向に移動する1 軸上の対象物の変位を測定する 計測
LION PRECISION TechNote LT03-0033 2012 年 8 月 スピンドルの計測 : 回転数および帯域幅 該当機器 : スピンドル回転を測定する静電容量センサーシステム 適用 : 高速回転対象物の回転を計測 概要 : 回転スピンドルは 様々な周波数でエラー動作が発生する これらの周波数は 回転スピード ベアリング構成部品の形状のエラー 外部影響およびその他の要因によって決定される
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit
する距離を一定に保ち温度を変化させた場合のセンサーのカウント ( センサーが計測した距離 ) の変化を調べた ( 図 4) 実験で得られたセンサーの温度変化とカウント変化の一例をグラフ 1 に載せる グラフにおいて赤いデータ点がセンサーのカウント値である 計測距離一定で実験を行ったので理想的にはカウ
岡山 3.8m 新望遠鏡制御系のための多点温度計開発 京都大学理学研究科宇宙物理学教室 M1 出口和弘 1. 岡山 3.8m 新望遠鏡に使われる分割鏡のメリットと技術的ハードル我々は現在 京都大学を中心として国立天文台 岡山天体物理観測所に新技術を用いた口径 3.8m の可視 近赤外望遠鏡の建設を計画している ( 図 1) 新技術の一つとして望遠鏡の主鏡に一枚鏡ではなく 扇型のセグメントを組み合わせて一枚の円形の鏡にする分割鏡を採用している
IEEE HDD RAID MPI MPU/CPU GPGPU GPU cm I m cm /g I I n/ cm 2 s X n/ cm s cm g/cm
Neutron Visual Sensing Techniques Making Good Use of Computer Science J-PARC CT CT-PET TB IEEE HDD RAID MPI MPU/CPU GPGPU GPU cm I m cm /g I I n/ cm 2 s X n/ cm s cm g/cm cm cm barn cm thn/ cm s n/ cm
上記目標を達成するために 以下の研究開発項目について 別紙の研究開発計画に基づき研 究開発を実施する 研究開発項目 1 次世代高効率 高品質照明の基盤技術開発 (1) LED 照明の高効率 高品質化に係る基盤技術開発 [ 委託 ] [ 共同研究 (NEDO 負担率 :1/2)] (2) 有機 EL
![上記目標を達成するために 以下の研究開発項目について 別紙の研究開発計画に基づき研 究開発を実施する 研究開発項目 1 次世代高効率 高品質照明の基盤技術開発 (1) LED 照明の高効率 高品質化に係る基盤技術開発 [ 委託 ] [ 共同研究 (NEDO 負担率 :1/2)] (2) 有機 EL](/thumbs/92/108499856.jpg "上記目標を達成するために 以下の研究開発項目について 別紙の研究開発計画に基づき研 究開発を実施する 研究開発項目 1 次世代高効率 高品質照明の基盤技術開発 (1) LED 照明の高効率 高品質化に係る基盤技術開発 [ 委託 ] [ 共同研究 (NEDO 負担率 :1/2)] (2) 有機 EL")
P09024 P07030 平成 25 年度実施方針 電子 材料 ナノテクノロジー部 1. 件名 : プログラム名エネルギーイノベーション /ITイノベーションプログラム/ ナノテク 部材イノベーションプログラム ( 大項目 ) 次世代照明等の実現に向けた窒化物半導体等基盤技術開発 2. 根拠法独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第 15 条第 1 項第 1 号二 3. 背景及び目的 目標地球温暖化問題は
<4D F736F F F696E74202D D828CF897A64D454D53975A8D8790BB91A28CF68A4A94C22E B8CDD8AB B83685D>
高効率 MEMS 融合製造技術 - 話題提供 : 低ダメージ接合技術 - 独立行政法人産業技術総合研究所 高木秀樹 Youn Sung-Won 栗原一真 松本壮平 高橋正春 2010/05/14 マイクロシステム融合研究会 @ 東北大学 1 融合 MEMS デバイスを効率良く作る 異種デバイス融合プロセスの高効率化 サイズフリー集積化技術 接合技術 高精度 高速 一括アセンブリ技術 デバイスごとの最適化
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の実現は この分野の最大の課題となってい (a) た ゲージ中の 酸素イオンを 電子で置換 筆 者 ら の 研 究 グ ル ー プ は 23 年 に 12CaO 7Al2O3 結 晶 以 下 C12A7 を用 い て 安定なエレクトライド C12A7: を実現3) Al3+ O2 Cage wall O2 In cage その電子状態や物性を解明してきた4) 図 1 のように C12A7 の結晶構造は
1/8 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.40 p2 (2005) 1. はじめに 電子顕微鏡のはなし 今村直樹 ( 技術部試験一課 ) 物質表面の物性を知る方法として その表面構造を拡大観察するのが一つの手段となる 一般的には光学顕微鏡 (Optical Microscope) が使用されているがより高倍率な像が必要な場合には電子顕微鏡が用いられる 光学顕微鏡と電子顕微鏡の違いは 前者が光 (
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博士学位論文要旨等の公表 学位規則 ( 昭和 28 年 4 月 1 日文部省令第 9 号 ) 第 8 条に基づき 当該博士の学位の授与に係る論文の内容の要旨及び論文審査の結果の要旨を公表する 氏名 清野裕司 学位の種類博士 ( 理工学 ) 報告番号 甲第 17 号 学位授与の要件学位規程第 4 条第 2 項該当 学位授与年月日平成 25 年 3 月 16 日 学位論文題目 高分子の自己組織化現象によるメゾスコピック構造
渡辺(2309)_渡辺(2309)
[ 29 p. 241-247 (2011)] ** *** ** ** Development of a nickel-based filler metal containing a small amount of silicon by WATANABE Takehiko, WAKATSUKI Ken, YANAGISAWA Atsusi and SASAKI Tomohiro Authors tried
DEIM Forum 2010 A Web Abstract Classification Method for Revie
DEIM Forum 2010 A2-2 305 8550 1 2 305 8550 1 2 E-mail: s0813158@u.tsukuba.ac.jp, satoh@slis.tsukuba.ac.jp Web Abstract Classification Method for Reviews using Degree of Mentioning each Viewpoint Tomoya
知能と情報, Vol.30, No.5, pp
1, Adobe Illustrator Photoshop [1] [2] [3] Initital Values Assignment of Parameters Using Onomatopoieas for Interactive Design Tool Tsuyoshi NAKAMURA, Yuki SAWAMURA, Masayoshi KANOH, and Koji YAMADA Graduate