スライド 1

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

Microsoft Word 北大プレスリリース（情報・村山）_web

報道機関各位 2017 年 6 月 23 日東北大学材料科学高等研究所東北大学流体科学研究所東北大学金属材料研究所北海道大学北見工業大学 超低損傷 3 次元 InGaN 量子ナノディスク創成により発光効率 100 倍に バイオテンプレート極限加工により次世代高効率窒化物量子ドット LED 実用化に道 概要 東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) および流体科学研究所 (IFS) の寒川誠二教授 肥後昭男助教

Microsoft PowerPoint - 豊田2008HP閲覧用資料

核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt

チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

産総研 MEMS スキルアップコース 中長期 集中型 先端集積化 MEMS の研究開発を推進している産総研 N-MEMS ファウンドリ ( ウェハ径 200/300mm) において 三次元加工技術 フォトリソグラフィー技術 極小微細加工技術等 MEMS 分野における種々の要素技術を習得する 研究開発

産総研 Technology CAD (TCAD) 実習初級コース 中級コース 短期型 Technology CAD(TCAD) は 計算機上のシミュレーションにより 所望の機能を持つ半導体素子の構造とその作製条件の最適化を行うことができる技術です 通常 半月から数ヶ月程度かかる半導体プロセスを実行することなく 半導体素子の作製条件を計算機上で導き出すことができます 初級コースは TCAD 初心者を対象として

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

研 究 の 背 景 化 合 物 半 導 体 量 子 ドットレーザおよび 発 光 ダイオード(LED: light emitting diode)は 低 消 費 電 力 光 素 子 と して また 超 高 速 光 変 調 素 子 として 飛 躍 的 に 高 まる 通 信 需 要 に 応 えユビキタス

平 成 26 年 9 月 4 日 東 北 大 学 原 子 分 子 材 料 科 学 高 等 研 究 機 構 (AIMR) 東 北 大 学 流 体 科 学 研 究 所 北 海 道 大 学 東 京 大 学 大 学 院 工 学 系 研 究 科 科 学 技 術 振 興 機 構 (JST) 3 次 元 量 子 ドット 構 造 の 形 成 実 現 による LED 発 光 を 世 界 で 初 めて 観 察 バイオテンプレー

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

untitled

20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

新技術説明会　様式例

静岡大学との連携による新技術説明会 2014 年 11 月 7 日 1 表面プラズモンアンテナ付き フォトダイオードによる屈折率測定 研究者 : 静岡大学電子工学研究所教授猪川洋 助教佐藤弘明 説明者 : 猪川洋 開発の経緯 SOI LSI の普及 部分空乏型 ( ハイエンド MPU ゲーム機 ) 完全空乏型 (22 nm 世代以降にも対応 ) 光検出器は LSI に新たな機能を付与課題 : 薄い

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

Microsoft Word NWQDlasers_3_v3 JT_otk_修正履歴なし　荒川_修正

プレスリリース 2015 年 6 月 25 日 国立大学法人東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 世界最小量子ドットレーザの室温動作に成功 ~ 高効率ナノレーザの実用化に弾み ~ 国立大学法人東京大学 ( 総長 : 五神真 ) ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 ( 機構長 : 荒川泰彦 = 生産技術研究所教授 ) の荒川泰彦教授 舘林潤特任助教らは このほど 高効率ナノレーザ注

title

ナノ量子フォトニクス 資料2-1 科学技術 学術審議会 研究計画 評価分科会 第10期ナノテクノロジー 材料科学技術委員会 第3回 未来の量子通信技術に向けた光デバイスの研究 理化学研究所 開拓研究本部 加藤ナノ量子フォトニクス研究室 光量子工学研究センター 量子オプトエレクトロニクス研究チーム 加藤雄一郎 Nanoscale Quantum Photonics Laboratory, RIKEN

テーマ名：

テーマ名 組織名 技術分野 2.45GHz マイクロ波発振器及び大気圧プラズマニードル株式会社プラズマアプリケーションズものづくり概要 株式会社プラズマアプリケーションズ ( 静岡大学発の研究開発型ベンチャー ) の 2.45GHz マイクロ波発振器は 高効率 小型 長寿命で 小容積プラズマ発生など様々な用途に利用可能です また この発振器により生成可能な当研究室開発の大気圧プラズマニードルは 以下の特徴があります

Microsoft PowerPoint - 21.齋修正.pptx

薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

<6D31335F819A A8817A89C896DA93C782DD91D682A6955C816991E58A A CF8D588CE3817A C8B8F82B382F1817A7

電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

PowerPoint Presentation

半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

PowerPoint プレゼンテーション

グラフェンデバイスの電子状態のナノ分析 吹留博一 1) 永村直佳 ), 3) 篠原稔宏 ) 井出隆之 1) 黒角翔大 ) 豊田智史 ),3) 堀場弘司 ),3) 長汐晃輔 ) 末光真希 1) 鳥海明 ) 尾嶋正治 ),3) 1) 東北大学電気通信研究所 ) 東京大学大学院工学研究科, 3) 東京大学放射光連携機構 ( 今回の発表内容は 011A/B 期 S 課題 ( 堀場 ) の一部 011B 期

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】

報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜

マイクロメカトロニクス講義概要

BEANS: 加工寸法や材料を超えた 異機能集積プロセス技術 BEANS プロジェクトサブリーダー 東京大学生産技術研究所マイクロナノメカトロニクス国際研究センター 藤田博之 MEMS は身の回りに広く応用されている 車の中 カメラ 携帯電話 スマートフォン TV ゲームのコントローラ ビデオプロジェクター プリンター 光通信ネットワーク PC ロボット マイクロマシンプロジェクト (1990) から

PowerPoint Presentation

2010 年 3 月 18 日 1/37 グローバル COE と人材育成ー情報エレクトロニクスシステム教育研究拠点での人材育成ー 川又政征 東北大学工学研究科電子工学専攻 平成 22 年 3 月 18 日 2010 年 3 月 18 日 2/37 目次 グローバル COE とは? 情報エレクトロニクスシステム教育研究拠点 の概要 ν-qiスクールとは? 大学卒業 大学院修了までにかかる費用 ν-qiスクールの活動

PowerPoint Presentation

半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

hetero

ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

Microsoft PowerPoint - 発表スライド-Web公開用01.pptx

単一光子光源に向けたカーボンナノチューブ光 電子デバイス研究 研究代表者 : 牧英之 ( 慶應義塾大学理工学部物理情報工学科専任講師 ) 発表者 : 森達也 室野井有 ( 物理情報工学科牧研究室修士 1 年 ) Carbon nanotube SWNT One-dimensional material diameter: ~ 1nm (SWNTs) length: several m Electronic

untitled

1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)

‚æ62›ñ”©fi®”Ô‰Z‘p›ï‘Ü

重イオンビームを用いたシングルイベント効果の評価技術

半導体に対する三つの放射線影響 とその照射試験 小野田忍 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門 半導体耐放射線性研究グループ o n o d a. s h i n o b u @ j a e a. g o. j p 027-3 4 6-9324 発表内容 2 1. 放射線と半導体 1. 放射線環境 2. 半導体に対する3つの放射線影響 2. 原子力機構 高崎量子応用研究所放射線照射施設の紹介

学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

PowerPoint プレゼンテーション

Drain Voltage (mv) 4 2 0-2 -4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Gate Voltage (V) Vds [V] 0.2 0.1 0.0-0.1-0.2-10 -8-6 -4-2 0 Vgs [V] 10 1000 1000 1000 1000 (LSI) Fe Catalyst Fe Catalyst Carbon nanotube 1~2 nm

untitled

Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

室 日 A B C D E F G H I J K L M N O P Q セッションプログラム 第 1 日第 2 日第 3 日 午前午後午前午後午前午後 デジタルエンジニアリング A05 A08 ナノ表面研削 / ELID 研削 C05 C08 サイバーフィールド構築技術 (1) F02 F04 サイバーフィールド構築技術 (2) F06 F09 高能率 高精度化のための切削工具 (1) G01

記　者　発　表（予　定）

平成 30 年 3 月 3 0 日 科学技術振興機構 (JST) 慶 應 義 塾 大 学 九 州 大 学 シリコンチップ上のグラフェン高速発光素子を開発 ~ チップ上光集積素子へ新たな道 ~ ポイント シリコン上に集積可能で高速にオン オフ可能な光源を実現することはこれまで困難であった グラフェンを用い 超高速 超小型のシリコン上発光素子を実現 アレー化 大気中動作 光通信実演に成功した シリコン集積回路技術と融合した高集積光通信用素子の実現が期待される

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

研究成果報告書(基金分)

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

PowerPoint Presentation

/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

text_0821.dvi

Team DIANA 2007 8 21 2 ( ) ( ) Team DIANA 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 Janosfalvi Zsuzsa 1 1 3 1 5 1.1.................................. 5 1.2................................. 5 1.3.....................................

< D834F E8F74816A2D8AAE90AC2E6D6364>

2014 Annual Meeting of the Atomic Energy Society of Japan 2014 年 3 月 26 日 28 日 休憩 標準委員会セッション2( システム安全専門部会 ) 総合講演 報告 2 水素安全対策高度化 第 3 日 原子力安全部会セッション 原子力発電部会 第 25 回全体会議 第 1 日 原子力発電部会セッション 標準委員会セッション 3( 原子力安全検討会,

Microsoft Word - 3 生産（仕切り）.doc

生産システム工学コース 生産システム工学コース教員一覧 職名氏名主な担当科目備考 教授 上島光浩 熱力学 教授 富永一利 生産システム工学実験実習 教務主事 教授 廣井徹麿 材料力学 教授 深津拡也 電気工学 コース長 准教授 伊藤聡史 計測システム工学 准教授 坂本 誠 材料工学 准教授 平野利幸 流体力学 准教授 松本正樹 管理システム工学 Ⅰ 5200 担任 准教授 三浦慎一郎 プログラミング

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices

ASAKURA Nobuyuki, Japan Atomic Energy Research Institute, Naka, Ibaraki 311-0193, Japan e-mail: asakuran@fusion.naka.jaeri.go.jp The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices Naka Fusion Research Establishment,

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の

報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

PowerPoint プレゼンテーション

第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則

untitled

/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

10 IDM NEC

No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3

NN_JP_'1203_H1H4.ai

Special Feature Nano-materials by Nanoarchitectonics 02 NIMS NOW 2012 March NIMS NOW 2012 March 03 Special Feature Nano-materials by Nanoarchitectonics Special Feature Nano-materials by Nanoarchitectonics

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和 発明の概要 世界最高 Q 値を達成しているヘテロ構造ナノ共振器を用いて マイクロワット閾値をもつシリコンラマンレーザーを作製した レーザー素子は シリコン (001) 基板に穴をあけるだけで作製でき 素子サイズは 10 ミクロン程度である 従来の結晶方向から 45 度傾けてデバイスを作製

<4D F736F F F696E74202D D828CF897A64D454D53975A8D8790BB91A28CF68A4A94C22E B8CDD8AB B83685D>

高効率 MEMS 融合製造技術 - 話題提供 : 低ダメージ接合技術 - 独立行政法人産業技術総合研究所 高木秀樹 Youn Sung-Won 栗原一真 松本壮平 高橋正春 2010/05/14 マイクロシステム融合研究会 @ 東北大学 1 融合 MEMS デバイスを効率良く作る 異種デバイス融合プロセスの高効率化 サイズフリー集積化技術 接合技術 高精度 高速 一括アセンブリ技術 デバイスごとの最適化

PowerPoint プレゼンテーション

第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

03_委託テーマ発表資料（その２）（p.89-p.134).pdf

89 MEMS 2 / 5-0 0-20 90 3 Beyond-CMOS CNT CNT CNT NEC 4 NEDO (80 NEDO 2008.05 Nature Nanotechnology NEDO (8 22 CNT CNT NEDOPJ CNT NEDO M 3 5 Nature Nanotechnology 3, 289-294 (2008) 6 9 7 8 92 9 (!!! '!!!

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70

Encore SSIS 10 c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 SSIS NOSIDE PR SSIS SSIS PR 2000 5SSIS SSIS 1 2001 5 8 3 2004 SSIS 1 2 SSIS 24 SSISPR

Microsoft Word - 01.doc

科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

16K14278 研究成果報告書

様式 C-19 F-19-1 Z-19 CK-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景近年 エボラ出血熱などのウイルス感染症のパンデミック ( 地球規模での流行 ) が大きな脅威となっている パンデミック感染症の診断 拡大防止には 遺伝子診断 ( 以下 DNA 診断 ) に基づくウイルス検査が必須であるが 代表的な DNA 診断技術であるリアルタイム PCR( ポリメラーゼ連鎖反応 ) 法は高コストであるため

J. Jpn. Inst. Electron. Packaging 17(4): (2014)

一般社団法人エレクトロニクス実装学会 第 3 回定時総会報告 1. 26 5 23 14 00 15 00 2. 167-0042 3-12-2 3. 2,230 2,230 4. 1,140 37 1,103 1,140 5. 6. 1 25 2 25 3 26 4 26 5 7. 11 15 2 TDK 1 25 25 2 25 25 25 4 1 26 3 31 23 2 3 26 26 4

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt

LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

<30345F D834F E8F48816A2D8AAE90AC2E6D6364>

2015 Fall Meeting of the Atomic Energy Society of Japan 2015 年 9 月 9 日 11 日 発表 10 分, 質疑応答 5 分 第 1 日 炉設計と炉型戦略, 核変換技術 A01 A02 A03 炉設計と炉型戦略, 核変換技術 A04 A05 A06 A07 休憩 教育委員会セッション 炉設計と炉型戦略, 核変換技術 A08 A09 A10

20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au

Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.

第 2 日 放射性廃棄物処分と環境 A21 A22 A23 A24 A25 A26 放射性廃棄物処分と環境 A27 A28 A29 A30 バックエンド部会 第 38 回全体会議 休 憩 放射性廃棄物処分と環境 A31 A32 A33 A34 放射性廃棄物処分と環境 A35 A36 A37 A38

2013 Annual Meeting of the Atomic Energy Society of Japan 2013 年 3 月 26 日 28 日 第 1 日 原子力施設の廃止措置技術 A01 A02 A03 A04 原子力施設の廃止措置技術 A05 A06 A07 放射性廃棄物処分と環境 A08 A09 A10 A11 A12 A13 放射性廃棄物処分と環境 A14 A15 A16 A17

Microsoft Word - _博士後期_②和文要旨.doc

博士学位論文要旨等の公表 学位規則 ( 昭和 28 年 4 月 1 日文部省令第 9 号 ) 第 8 条に基づき 当該博士の学位の授与に係る論文の内容の要旨及び論文審査の結果の要旨を公表する 氏名 清野裕司 学位の種類博士 ( 理工学 ) 報告番号 甲第 17 号 学位授与の要件学位規程第 4 条第 2 項該当 学位授与年月日平成 25 年 3 月 16 日 学位論文題目 高分子の自己組織化現象によるメゾスコピック構造

PowerPoint プレゼンテーション

CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

報告書

(University College Dublin) 22 2 15 22 4 10 宇都宮大学オプティクス教育研究センター はじめに アイルランドのダブリンにあるアイランド国立大学ダブリン校 (University College Dublin) において 約 2 ヶ月間の短期研究留学を行った O Sullivan 教授と Dunne 准教授の研究室に滞 在し 極端紫外光 (XUV) に関する研究に従事させて頂き

Microsoft PowerPoint - 今栄一郎.ppt [互換モード]

37 1 高性能分子デババイスを志向した配向性単分子膜の新規製造方法 広島大学大学院工学研学研究院物質化学工学部門学部門准教授今栄一郎郎 教授播磨裕 2 有機電子デバイスの発展 プラスチックフィルム上での有機 TFT 駆動 EL ディスプレイを実現 (2007 年 5 月 ) http://www.sony.co.jp/sonyinfo/news/press /200705/07-053/index.html

DUVレーザによる微細加工技術開発,三菱重工技報 Vol.53 No.4(2016)

新製品 新技術特集技術論文 57 DUV レーザによる微細加工技術開発 Development of Microfabrication Technology by DUV Laser *1 今宮悠治 *1 赤間知 Yuji Imamiya Satoru Akama *2 藤田善仁 *3 二井谷春彦 Yoshihito Fujita Haruhiko Niitani 近年, レーザ加工技術は目覚ましく進展しており,

untitled

2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

スライド 1

1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

PowerPoint プレゼンテーション

光両性物質発生剤 Photo Ampholyte Compounds Generator 千葉大学大学院融合科学研究科 情報科学専攻画像マテリアルコース 准教授髙原茂 Photo-X-generator 光 -X- 発生剤 hν PXG hν P + X X = 反応活性種 Photo-X-generator 光 -X- 発生剤 hν PXG hν P + X 反応中間体生成物 ( 反応触媒 ) R

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>

2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

Microsoft Word - 2 機械（仕切り）.doc

機械システム工学コース 機械システム工学コース教員一覧 職名氏名主な担当科目備考 教授 青木 繁 機械力学 教授 古川純一 熱力学 5100 担任 教授 松澤和夫 基礎材料学 2100 担任 教授 吉田政弘 機械システム設計 コース長 准教授 稲村栄次郎 材料力学 Ⅱ 准教授 大野 学 ロボット工学 准教授 栗田勝実 振動工学 Ⅰ 3100 担任 准教授 長谷川収 機械加工学 助教 伊藤幸弘 基礎加工学

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs

2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................

PowerPoint プレゼンテーション

実空間差分法に基づく 第一原理電子構造 量子輸送特性計算 09/05/15 大阪大学大学院工学研究科小野倫也 Real-space first-principles calculation code The grand-state electronic structure is obtained by solving the Schrödinger (Kohn-Sham) equation 1 2

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

-2-

-2- -3- 会場へのアクセス -4- -5- 11 月 21 日 ( 水 ) 9:25 9:30 細胞を創る 研究会 5.0 開会挨拶木賀大介 ( 東京工業大学 ) 9:30 10:30 基調講演 Chair: 木賀大介 ( 東工大 ) 大島泰郎先生 ( 共和化工 環境微生物学研究所 東京工業大学名誉教授 ) 生命の起源と Magic20 10:30 11:30 ポスター発表 ( 奇数番号 )

るという強みを活かし プラットフォーム内での連携を強化することで 機関の特徴である集積化された新デバイスに関する支援事例が増えてくることを期待する (5) 人材教育 ( 図 4) (6) 活動内容 1 ナノてくてくの紹介 ( 広報活動 ): 研究所の広報誌で企業とナノテクノロジー活動学生の活動を紹介

ナノテクノロジー支援活動レジメ 2017.8.24 福山正隆 1 緒言 広島大学のナノデバイスバイオ融合科学研究所において 2006 年は経済産業省の中核人材育成事業のNMOSトランジスタの試作に従事した この成果を認められて 2007 年から 2025 年の 8 年間に文部科学省のナノテクノロジー支援を担当した この支援の目的は各機関が保有する設備を有効に活用するとともに公的機関が自主的に資金を確保しながら若手の研究者を育成することにある

Microsoft Word - TokyoTechPR _Masu_web.doc

平成 27 年 2 月 20 日 報道機関各位 東京工業大学広報センター長 大谷 清 高周波無線給電型の超低電力無線機で多値変調を実現 要点 5.8GHz 帯 113μW で動作する無線送信機に 多値変調を適用 直交バックスキャッタリング回路 により 32QAM,2.5M ビット / 秒を実現 無線機は高周波無線給電技術で生成した電源により動作 概要 東京工業大学フロンティア研究機構の益一哉教授と精密工学研究所の伊藤浩之准教授

光通信ネットワークの構築に欠かせない高品質な光ファイバの量産性に優れた製造法である「VAD法」が世界的に権威のあるIEEE マイルストーンに認定

2015 年 5 月 21 日日本電信電話株式会社古河電気工業株式会社住友電気工業株式会社株式会社フジクラ 光通信ネットワークの構築に欠かせない 高品質な光ファイバの量産性に優れた製造法である VAD 法 が 世界的に権威のある IEEE マイルストーンに認定 日本電信電話株式会社 ( 以下 NTT 東京都千代田区 代表取締役社長 : 鵜浦博夫 ) 古河電気工業株式会社 ( 以下 古河電工 東京都千代田区

平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (

平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) の菅原克明助教 一杉太郎教授 高 橋隆教授 同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは

13 2 9

13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子