Th-P2 GaN 表面上 Ga 吸着層の構造解析佐々木拓生岩田卓也 2 高橋正光 2 量子科学技術研究開発機構 2 兵庫県立大学 Th-P3 GaN(000) 表面におけるステップの安定性に関する理論的検討相可拓巳アブドゥルムィッツプラディプト秋山亨中村浩次伊藤智徳 Th-P4 Th

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ありおきおいもり
7 years ago
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1 第 0 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会平成 30 年 7 月 2 日 -3 日名古屋大学 ES 館 ES ホール 2 th July 208 (Thursday) Opening (3:00-3:0) ES ホール三宅秀人 ( ) Session I :(3:0-4:45)ES ホール基調講演 (3:0-4:00) PL- Transformative Electronics が築く未来社会天野浩名古屋大学チュートリアル講演 (4:00-4:45) Th-T ハライド気相成長法によるⅢ 族セスキ酸化物半導体結晶の成長熊谷義直東京農工大学休憩 (4:45-5:00) Session II :(5:00-6:26)ES ホール招待講演 (5:00-5:30) Th-I 大気開放溶液系機能薄膜作製手法ミスト CVD の開発と現状川原村敏幸高知工科大学一般講演 I(Short presentation I)(5:30-6:26) Th-P GaN-MOVPE 成長における CH4 吸着確率と C 不純物濃度の面方位依存性草場彰李冠辰 2 パヴェウケンピスティ 3 マイケルフォンスパコフスキー 4 寒川義裕 5 九州大学 2 オックスフォード大学 3 UNIPRESS 4 バージニア工科大学 5 名古屋大学

2 Th-P2 GaN 表面上 Ga 吸着層の構造解析佐々木拓生岩田卓也 2 高橋正光 2 量子科学技術研究開発機構 2 兵庫県立大学 Th-P3 GaN(000) 表面におけるステップの安定性に関する理論的検討相可拓巳アブドゥルムィッツプラディプト秋山亨中村浩次伊藤智徳 Th-P4 Th-P5 OVPE 成長条件下における GaN(000) 面の kink 表面構造の解析竹田浩基河村貴宏 2 鈴木泰之北本啓 2 今西正幸 2 吉村政志 2 森勇介 2 森川良忠 2 寒川義裕 3 柿本浩一 3 2 大阪大学 3 九州大学 AlN 基板上における GaN の成長様式に関する理論的研究積木伸之介秋山亨アブドゥルムイッツプラディプト中村浩次伊藤智徳 Th-P6 Wedge-shape geometry 法を用いた AlN 半極性面における表面エネルギーの評価瀬田雄基アブドルムィッツプラディプト秋山亨中村浩次伊藤智徳 Th-P7 BAlN および BGaN における構造安定性および混和性に関する理論的研究長谷川裕也秋山亨アブドゥルムイッツプラディプト中村浩二伊藤智徳 Th-P8 有機金属気相成長法を用いた BN 成長の熱力学解析三浦遼高田和哉小西敬太村上尚纐纈明伯熊谷義直東京農工大学 Th-P9 AlInN 超格子構造におけるバンドギャップの組成依存性藤田裕真河村貴宏鈴木泰之秋山亨寒川義裕 2 2 九州大学

3 Th-P0 分子線エピタキシャル成長における InAs / GaAs(00) 系でのミスフィット転位形成に関する理論的検討 : 表面再構成の影響米本和弘秋山亨アブドゥルムィッツプラディプト中村浩次伊藤智徳 Th-P GaN へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成と形状制御宮川鈴衣奈後藤兼三松浦英徳正直花奈子 2 林侑介 2 三宅秀人 2 江龍修名古屋工業大学 2 Th-P2 サファイア基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成と結晶評価吉川秀亮宮川鈴衣奈江龍修名古屋工業大学 Th-P3 V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討松久快生八木裕隆井上翼中野貴之静岡大学 Th-P4 表面活性化接合と Si 基板除去による GaN 極性反転構造の作製小野寺卓也上向井正裕髙橋一矢 2 岩谷素顕 2 赤﨑勇 2 林侑介 3 三宅秀人 3 久志本真希 4 鄭惠貞 4 本田善央 4 天野浩 4 片山竜二大阪大学 2 名城大学 3 4 名古屋大学 Th-P5 Si 基板表面炭化により形成した SiC 薄膜上の GaN 成長出浦桃子朱逸夫百瀬健霜垣幸浩東京大学 Th-P6 その場観察 X 線回折測定を用いた AlGaN/GaN ヘテロ構造緩和過程の解析石原和弥金山亮介岩谷素顕竹内哲也上山智赤崎勇 2 名城大学 2 名古屋大学 Th-P7 6H-SiC 基板上における AlN 周期構造の作製と評価上杉謙次郎正直花奈子林侑介肖世玉永松謙太郎吉田治正三宅秀人

4 Th-P8 パルススパッタ堆積法により作製した AlN 及び AlGaN の特性評価櫻井悠也上野耕平小林篤三宅秀人 2 藤岡洋 3 東京大学 2 3 JST-ACCEL Th-P9 極性面フリーな三次元 InGaN 量子井戸を用いた混合色合成と制御松田祥伸船戸充川上養一京都大学 Th-P20 バッファー層挿入によるガラス基板上多結晶 InN の電気特性の改善坂本真澄小林篤上野耕平藤岡洋 2 東京大学 2 JST-ACCEL Th-P2 RF-MBE 法による Metal-rich 条件下での Al-xInxN 成長黒田古都美川原達也毛利真一郎荒木努名西憓之立命館大学 Th-P22 MOVPE 法による Ga2O3 成長の熱力学解析山野邉咲子吉田健人小西敬太熊谷義直東京農工大学 Th-P23 ハライド気相成長法におけるサファイア off 基板上への単結晶 c-in2o3 成長長井研太中畑秀利小西敬太 Plamen P. Paskov 2 Bo Monemar 2 熊谷義直 2 東京農工大学 2 Linköping University Th-P24 ハライド気相成長法による酸化ガリウムホモエピタキシャル層のピットの起源小西敬太後藤健 23 村上尚倉又朗人 23 山腰茂伸 23 熊谷義直東京農工大学 2 株式会社タムラ製作所 3 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー Th-P25 金属 Cd を用いた気相成長法による Si(2) 基板上への CdTe 初期成長西角美奈江磯憲司 2 極檀優也白石万壽美村上尚纐纈明伯東京農工大学 2 三菱ケミカル株式会社

5 Th-P26 有機金属気相選択成長により作製した InP ナノワイヤのサイズ制御佐々木正尋千葉康平吉田旭伸冨岡克広本久順一北海道大学 Th-P27 近接昇華法を用いた 6H-SiC への B 高濃度ドーピングに関する研究田中大稀黒川広朗岩谷素顕竹内哲也上山智赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 Th-P28 ナノダイヤモンドを用いた Si 基板上へのグラフェン直接析出成長山本大地山田純平上田悠貴藤原亨介丸山隆弘成塚重弥名城大学一般講演 Ⅰ (Poster session I ) (6:30-8:00) ES 会議室意見交換会 (8:00-9:30) ES 会議室

6 3 th July 208 (Friday) Session III :( 9:00-0:45)ES ホールチュートリアル講演 (9:00-9:45) Fr-T GaN 結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状秩父重英東北大学招待講演 (9:45-0:45) Fr-I トリハライド気相成長法による GaN 高温高速成長村上尚東京農工大学 Fr-I2 硬 X 線光電子分光法を用いた InGaN 系窒化物半導体の表面 - バルク電子状態評価井村将隆物質材料研究機構休憩 (0:45-:00) Session IV :( :00-2:22)ES ホール招待講演 (:00-:30) Tr-I3 InN 系窒化物半導体のパルススパッタリング成長と FET 応用小林篤東京大学一般講演 II(Short presentation II)(:30-2:22) Fr-P アニール処理を行ったスパッタ AlN/Sapphire テンプレート上への HVPE 成長 Jiang NanXiao Shiyu 福田涼正直花奈子吉田治正三宅秀人 Fr-P2 r 面サファイア上 a 面 AlN スパッタ膜への高温アニールと HVPE 成長福田涼蒋楠正直花奈子上杉謙次郎林侑介肖世玉三宅秀人

7 Fr-P3 Na フラックスポイントシード法を用いた GaN 結晶成長における転位発生原因の調査澤田友貴山田拓海今西正幸吉村政志森勇介大阪大学 Fr-P4 THVPE 法を用いた GaN の高温高速成長大関大輔竹川直山口晃村上尚熊谷義直松本功 2 纐纈明伯東京農工大学 2 大陽日酸株式会社 Fr-P5 THVPE 法による SCAAT 製バルク結晶上 GaN ホモエピタキシャル成長大瀧将磨大関大輔磯憲司 2 村上尚纐纈明伯東京農工大学 2 三菱ケミカル株式会社 Fr-P6 Fr-P7 Fr-P8 THVPE 法による窒化ガリウムの高速ホモエピタキシャル成長河本直哉竹川直大関大輔大瀧将磨山口晃 2 村上尚熊谷義直松本功 2 纐纈明伯東京農工大学 2 大陽日酸株式会社 Parasitic deposition inhibition with barrier gas in a New Vertical HVPE Reactor with Showerhead Nozzle Qiang Liu Naoki Fujimoto Shugo Nitta Yoshio Honda Hiroshi Amano Nagoya University RIE-GaN 表面への AlGaN 直接成長による AlGaN/GaN 構造の作製と評価山本暠勇金谷彗杜牧野伸哉葛原正明福井大院工 Fr-P9 GaInN チャネル層を用いた HFET 型可視光センサ坂田芽久美岩谷素顕竹内哲也上山智赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 Fr-P0 Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N-MSM 紫外線センサにおける捕獲準位とセンサ特性吉川陽 3 牛田彩希岩谷素顕竹内哲也上山智赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 3 旭化成

8 Fr-P Fr-P2 Fr-P3 Fr-P4 TMAH を使用した AlGaN 系材料に対するウェットエッチング安江信次川瀬雄太池田隼也櫻木勇介岩山章岩谷素顕上山智竹内哲也赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学組成傾斜 AlGaN クラッド層を用いた深紫外レーザ川瀬雄太池田隼也櫻木勇介安江信次岩山章岩谷素顕竹内哲也上山智赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 GaN 系長波長面発光レーザへ向けた AlInN/GaN 多層膜反射鏡平岩恵村永亘赤木孝信竹内哲也三好実人 2 岩谷素顕上山智赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋工業大学 3 名古屋大学 AlInN/AlGaN 多周期クラッド層を用いた青色端面発光レーザダイオード荒川渓三好晃平竹内哲也三好実人 2 上山智岩谷素顕赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋工業大学 3 名古屋大学 Fr-P5 自己形成 Eu 添加 GaN ナノコラムによる波長安定型赤色 LED の作製助川睦関口寛人松崎良助山根啓輔岡田浩岸野克巳 2 若原昭浩豊橋技術科学大学 2 上智大学 Fr-P6 Fr-P7 MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製高橋祐吏丸山貴之山田夏暉江原一司望月健中川央也宇佐美茂佳 2 本田善央 2 天野浩 2 小島一信 3 秩父重英 3 井上翼青木徹中野貴之静岡大学 2 名古屋大学 3 東北大学 ZnO 系ワイドギャップ半導体微小共振器を用いた量子相関光子対発生素子の設計矢野岳人片山竜二上向井正裕大阪大学 Fr-P8 サブバンドギャップ光照射を用いた GaN p-n 接合ダイオードのアバランシェ増倍の測定前田拓也成田哲生 2 上田博之 2 兼近将一 2 上杉勉 2 加地徹 3 木本恒暢堀田昌宏須田淳 3 京都大学 2 豊田中央研究所 3 名古屋大学

9 Fr-P9 Fr-P20 Fr-P2 Fr-P22 Fr-P23 GaN 縦型 pn ダイオードの垂直メサ型耐圧構造評価福島颯太安藤悠人宇佐美茂佳田中敦之出来真斗久志本真希新田州吾本田善央天野浩名古屋大学 GaN 自立基板上 pn ダイオードにおけるリーク電流の MOCVD 成長圧力依存性宇佐美茂佳安藤悠人福島颯太田中敦之出来真斗久志本真希新田州吾本田善央天野浩名古屋大学 m 面 GaN 基板上 SBD における障壁高さの金属仕事関数依存性安藤悠人永松謙太郎田中敦之宇佐美茂佳出来真斗久志本真希新田州吾本田善央天野浩名古屋大学オフ角を有する m 面 GaN 基板上 GaN-MOS キャパシタの界面準位評価出来真斗安藤悠人渡邉浩崇田中敦之久志本真希新田州吾本田善央天野浩名古屋大学多光子 PL 顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察田中敦之永松謙太郎久志本真希出来真斗新田州吾本田善央天野浩名古屋大学 Fr-P24 Fr-P25 Renninger Scan 法による GaN 基板の結晶性評価 -パターン強度分布の X 線波長照射面積依存性 - 大鉢忠 2 佐藤祐喜 2 竹本菊郞羽木良明 3 和田元 2 吉門進三 2 界面反応成長研究所 2 同志社大学 3 住友半導体材料 ( 株 ) X 線回折逆格子空間マッピングを用いたスパッタ法 AlN 膜の定量的評価田中襲一正直花奈子林侑介上杉謙次郎三宅秀人 Fr-P26 SD 法を用いた高濃度 p 型ドープ GaN 薄膜の物性評価筆谷大河上野耕平小林篤藤岡洋 2 東京大学 2 JST-ACCEL 休憩 (2:22-3:30)

10 一般講演 II (Poster session II) (3:30-5:00) ES 会議室 Session V :( 5:00-6:45)ES ホールチュートリアル講演 (5:00-5:45) Fr-T2 縦型 GaN パワーデバイスのための結晶成長デバイスプロセス技術須田淳名古屋大学招待講演 (5:45-6:45) Fr-I4 ワイドギャップ半導体の単一光子発生欠陥を利用した量子センシング佐藤真一郎量子科学技術研究開発機構 Fr-I4 深紫外 SHG に向けたウェハ接合型 AlN 極性反転構造林侑介 Closing (6:45-7:00) ES ホール藤岡洋 ( 東京大学 )

Microsoft Word - pre-ISGN-prog-v8.docx

Microsoft Word - pre-ISGN-prog-v8.docx 9 th May, 206 (Monday) Opening (:00-:0) 大ホール三宅秀人 ( 三重大学 ) Session I: 基調講演大ホール PL-Mo- :0-4:00 (50min) 窒化物半導体パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望加地徹名古屋大学未来材料システム研究所 T-Mo- 4:00-4:45 (45min) 窒化物半導体の光物性山口敦史金沢工業大学工学部 Session