創光科学における高性能DUV-LEDの開発   “DUV-LED本格実用化元年を目前にして”

事務連絡

新機能創成に向けた光 光量子科学技術 平成 9 年度採択研究代表者 H 年度 実績報告 平山秀樹 独立行政法人理化学研究所基幹研究所先端科学研究領域テラヘルツ光研究グループ テラヘルツ量子素子研究チームチームリーダー 研究課題 3-3nm 帯 InAlGaN 系深紫外高効率発光デバイスの研究. 研究実施の概要波長が 3-3nm 帯の深紫外高効率 LED 深紫外半導体レーザは 医療 殺菌 浄水 生化学産業

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

新技術説明会　様式例

1 殺菌用 深紫外 LED の開発 国立研究開発法人理化学研究所平山量子光素子研究室 主任研究員平山秀樹 出力 深紫外 LED の応用分野 高密度光記録深紫外 DVD 樹脂加工 接着電子部品 UV 接着 3D プリンター 医療機器 殺菌 浄水 空気浄化 DUV 光 浄水 冷蔵庫 エアコン 医療 農業免疫療法 ( アトピー皮膚炎 ); ナローバンド UVB 療法商品作物の病害防止 ( イチゴのうどん粉病など

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

スライド 1

深紫外高効率 LED の 開発と応用 ( 独 ) 理化学研究所平山秀樹 ( 内容 ) 1 背景 新規波長光素子開発の重要性 深紫外 LED の応用分野 2 高効率 AlGaN 系深紫外 LED の開発 結晶成長技術の進展 発光効率の飛躍的向上 高出力 LED の実現 3 まとめと今後の展望 半導体レーザ LED 殺菌 浄水 医療 高密度光記録 (DVD) 照明装置 化学工業 バイオ産業 半導体光デバイス未開拓波長の開発と応用分野

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

研究プライオリティー会議

平山量子光素子研究室 Quantum Optodevice Laboratory 主任研究員平山秀樹 ( 工博 ) HIRAYAMA, Hideki (Dr. Eng.) 日本語版 キーセンテンス : 1. ワイドギャップ窒化物半導体の結晶成長技術の開拓 2. 深紫外 LED 半導体レーザの開発 3. テラヘルツ量子カスケードレーザの開発 キーワード : 量子光デバイス 量子電子デバイス レーザダイオード

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1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

PowerPoint Presentation

/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

PowerPoint プレゼンテーション

半極性バルク GaN 基板上への LED の開発 実用レベルの発光効率と面内偏光の実現 船戸充講師, 川上養一助教授, 上田雅也 (D1) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 成川幸男, 小杉卓生, 高橋正良, 向井孝志日亜化学工業株式会社 謝辞 : 京都ナノテク事業創造クラスター 背 景 III 族窒化物半導体 :AlN,GaN,InN 紫外域 (AlN) から可視域 (GaN) を通って赤外域

Microsoft PowerPoint 　フォーリンプレスセンター　NUAMANO

LED 産業の今後の可能性 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻 赤﨑記念研究センター教授天野浩 amano@nuee.nagoya-u.ac.jp 1. LED 市場現況 2. 照明用 LED の新展開と応用展開 3. 深紫外 LED の開発状況 2015 年 01 月 14 日 ( 水 ) 10:30-12:00 如何に青色 LED が若者の生活を変えたか? 1989 1998 1991

スライド 1

AlGaN 系深紫外 LED の開発 ( 独 ) 理化学研究所平山秀樹 内容 1. 背景 2. AlGaN 系深紫外 LED の高効率化 高品質 AlN の結晶成長 内部量子効率の向上 電子注入効率の向上 光取り出し効率の向上 実用レベル高出力 LED 3. まとめと今後の展望 半導体発光素子の未開拓領域と開発目標 Frecuency (THz) 100 50 20 10 5 3 2 1 Wavelength

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

研究プライオリティー会議

4-5:13.3meV, 6.36nm 3-5:18.5meV, 1.15nm 4-2:44.2meV, 0.40psec 4-1:50.5meV, 0.51psec 3-2:38.9meV, 0.49psec 3-1:45.2meV, 0.80psec 平山量子光素子研究室 Quantum Optodevice Laboratory 主任研究員平山秀樹 ( 工博 ) HIRAYAMA, Hideki

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 24 年 5 月 31 日現在 機関番号 :8241 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2~211 課題番号 :227617 研究課題名 ( 和文 ) 窒化物半導体を用いた深紫外 LED 深紫外 LD の開発 研究課題名 ( 英文 ) Development of deep ultraviolet LED

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス

4_Laser.dvi

1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

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特別号.indd

Journal of Industry-Academia-Government Collaboration http://sangakukan.jp/journal/ ノーベル物理学賞記念復刻版 (2011 年 4 月号 ) 赤㟢勇 名城大学教授 / 名古屋大学名誉教授 特別教授 インタビュー青色 LED 実現への道未到の領域 われ一人荒野を行く 現代のエジソン を顕彰する意義 / 青色発光ダイオードの研究開発史

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

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戦略的創造研究推進事業 CREST 研究領域 新機能創成に向けた光 光量子科学技術 研究課題 230-350nm 帯 InAlGaN 系深紫外高効率発光デバイスの研究 研究終了報告書 研究期間平成 19 年 10 月 ~ 平成 25 年 3 月 研究代表者 : 平山秀樹 ( 独 ) 理化学研究所 主任研究員 1 研究実施の概要 (1) 実施概要 波長が 230-350nm 帯の深紫外高効率 LED

Microsoft Word - ②（添付資料）家庭の夏期節電実態調査の結果について

CO 2 1. 2012 CO 2 CO 2 CO 2 2. 2012 9 28 10 1 8,241 CO 2 3. (1) 2012 2.7%CO 2 1% 1 2 5.8% 3.7% (2.8%)(2.8%) 6 4 5% 1 3 7 5%3 (2) 2012 32%2011 21 (39%)(38%)(37%) 8 2011 (+17.9 ) (+11.9 )(+9.3 )2012 8 (-14.9

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

2

1 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234 12123456789012345678901234

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板を製作することに成功しました 新しい手法は 当研究所半導体工学研究室の青柳克信主任研究員と 北大電子科学研究所の田中悟助教授らのグループで開発

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AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

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MAGNETIC ENCODER MH-10 MR-13 MR-16 磁気式エンコダ モタと一体化設計とすること で 超小型ながら３ 高分解能 ラインドライバ出力を 実現した磁気式エンコダです MR-13,MR-16 As designed in one unit with a motor, these magnetic encoders are very small, but are equipped

Development of Analysis Equipment for the Reprocessing Plant using Microchips Microchip, Analysis, Reprocessing, Thermal Lens, Uranium, Plutonium Development of Analysis Equipment for the Reprocessing

I? 3 1 3 1.1?................................. 3 1.2?............................... 3 1.3!................................... 3 2 4 2.1........................................ 4 2.2.......................................

II III I ~ 2 ~

中堅中小企業向け秘密保持マニュアル

20 15 14.6 15.3 14.9 15.7 16.0 15.7 13.4 14.5 13.7 14.2 10 10 13 16 19 22 1 70,000 60,000 50,000 40,000 30,000 20,000 10,000 0 2,500 59,862 56,384 2,000 42,662 44,211 40,639 37,323 1,500 33,408 34,472

ＰＲ映画-1

- 2 -

- 2 - - 3 - (1) (2) (3) (1) - 4 - ~ - 5 - (2) - 6 - (1) (1) - 7 - - 8 - (i) (ii) (iii) (ii) (iii) (ii) 10 - 9 - (3) - 10 - (3) - 11 - - 12 - (1) - 13 - - 14 - (2) - 15 - - 16 - (3) - 17 - - 18 - (4) -

2 1980 8 4 4 4 4 4 3 4 2 4 4 2 4 6 0 0 6 4 2 4 1 2 2 1 4 4 4 2 3 3 3 4 3 4 4 4 4 2 5 5 2 4 4 4 0 3 3 0 9 10 10 9 1 1

1 1979 6 24 3 4 4 4 4 3 4 4 2 3 4 4 6 0 0 6 2 4 4 4 3 0 0 3 3 3 4 3 2 4 3? 4 3 4 3 4 4 4 4 3 3 4 4 4 4 2 1 1 2 15 4 4 15 0 1 2 1980 8 4 4 4 4 4 3 4 2 4 4 2 4 6 0 0 6 4 2 4 1 2 2 1 4 4 4 2 3 3 3 4 3 4 4

1 (1) (2)

1 2 (1) (2) (3) 3-78 - 1 (1) (2) - 79 - i) ii) iii) (3) (4) (5) (6) - 80 - (7) (8) (9) (10) 2 (1) (2) (3) (4) i) - 81 - ii) (a) (b) 3 (1) (2) - 82 - - 83 - - 84 - - 85 - - 86 - (1) (2) (3) (4) (5) (6)

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

Temporal Emission Characteristics of Light Emitting-Diodes for High-Speed Pulsed Current Member Yasumitsu Fujisawa (University of Tokushima, presently

Temporal Emission Characteristics of Light Emitting-Diodes for High-Speed Pulsed Current Member Yasumitsu Fujisawa (University of Tokushima, presently at Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd.) Member Mamoru Hashimoto

2. 平山秀樹 : 半導体光デバイスの基礎と今後 - 青色 LED から深紫外 LED LD QCL へ-, 第 63 回応用物理学会春期学術講演会チュートリアル講演 半導体光デバイスの基礎と今後 - 青色 LED から深紫外 LED LD QCL へ-, 東工大大岡山キャンパス,2016 年 3

(1) 原著論文 (accept) を含む / Original Papers 1. 平山秀樹 : AlGaN 紫外 LED の進展と展望, 照明学会誌,Vol. 100, No.3, pp. 115-118, 2016. 2. M. Jo, N. Maeda and H. Hirayama: Enhanced light extraction in 260 nm light-emitting diode

0810_UIT250_soto

UIT UNIMETER SERIES 250 201 Accumulated UV Meter Digital UV Intensity Meter Research & Development CD Medical Biotech Sterilization Exposure Bonding Manufacturing Curing Production Electronic Components

Title

SIMS のアーティファクトについて ナノサイエンス株式会社 永山進 1 artifact( アーティファクト ) とは? 辞書を調べると Artifact ( 考古学 ), 人工品 人工遺物 ( 先史時代の単純な器物 宝石 武器など ) 出土品 Artifact ( 技術的なエラー ), 技術的な側面から入り込むデーターにおける望ましくない変化 ( 測定や解析の段階で発生したデータのエラーや解析のゆがみ

X線分析の進歩36 別刷

X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................

µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)

1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37

世界の文化と伝統を守る LED 照明 LED lamp! Solar panel Antenna for satellite TV Inside Ger Mongolia Ger Mr.Luvsannyam Gantumur, Minister for Education and Science o

資料 3 次世代超スマート社会を支える窒化物半導体デバイス 平成 28 年 10 月 13 日名古屋大学天野浩 世界の文化と伝統を守る LED 照明 LED lamp! Solar panel Antenna for satellite TV Inside Ger Mongolia Ger Mr.Luvsannyam Gantumur, Minister for Education and Science

28 Horizontal angle correction using straight line detection in an equirectangular image

28 Horizontal angle correction using straight line detection in an equirectangular image 1170283 2017 3 1 2 i Abstract Horizontal angle correction using straight line detection in an equirectangular image

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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

あらゆる情報検出から赤外線データ通信まで 幅広い用途に使える 超小型 & 高感度 光センサー Ultra-compact, high-sensitivity optical sensors for various app ranging from information detection to i

あらゆる情報検出から赤外線データ通信まで 幅広い用途に使える 超小型 & 高感度 光センサー Ultra-compact, high-sensitivity optical sensors for various app ranging from information detection to infrared data communicati lications on CITISENSOR( 当社商標

PowerPoint プレゼンテーション

加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

I A-9 45 A,B, A,B, A,B, A,B, C, A, A, A A, B, C I A A,B, A,B, B,C, A, A A, B, C ( ) I A-11 LuFe 2 O 4 53, A,, B, C,, A, B, C I A-12 I A-13 Lumin

23 12 7 ( ) I A, I B I A 10:00 10:05 10F L 10:05 11:45 10F L 12:45 14:45 10F S10A I A-1 DC AC Bloch Zener 341 21, JST CREST I A-2 (6,5) 17,,,, A, B, A, B I A-3 X 21, A,, A I A-4 25 A, A, A,B, A A, B JST

Microsoft PowerPoint - 阪大XFELシンポジウム_Tono.ppt [互換モード]

X 線自由電子レーザーシンポジウム 10 月 19 日大阪大学レーザー研 X 線自由電子レーザーを用いた利用研究 登野健介 理研 /JASRI X 線自由電子レーザー計画合同推進本部 1 科学の基本中の基本 : 光 ( 電磁波 ) による観察 顕微鏡 望遠鏡 細胞の顕微鏡写真 赤外望遠鏡 ( すばる ) で観測した銀河 2 20 世紀の偉大な発明 : 2 種類の人工光源 レーザー LASER: Light

Microsoft PowerPoint - 講演原稿_関西_no3.pptx

白色発光ダイオード 2015.11.14 日亜化学工業株式会社 E50 森口敏生 1/22 目次 1. 日亜化学工業について 1.1 拠点 1.2 主力製品 2. 光の基本 2.1 光と人の目 2.2 色度図 2.3 黒体輻射 ( 標準光源 ) 2.4 演色性 3. 光源 3.1 種類 3.2 白い光のスペクトル 3.3LED の発光原理 4. 日亜 LED 4.1 発光層 4.2 発光スペクトルと色度図

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

PowerPoint プレゼンテーション

フォトニックワイヤーボンディング による Si 基板上 III-V チップ間の光伝搬 Tomohiro AMEMIYA 1,2 1 Institute of Innovative Research (IIR), Tokyo Institute of Technology 2 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute

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コヒレント社製次世代小型連続発振レーザとその応用 (2010 年 9 月 22 日現在 ) コヒレント ジャパン ( 株 ) 産業用レーザセールスG 山崎達三 135-0016 東京都江東区東陽 7-2-14 TEL:03-5635-8700 1. はじめに近年 LD の高出力化 長寿命化と非線形光学技術の発展により可視や紫外光を発振する LD 励起固体レーザや LD モジュールは ガスレーザの置き換え光源として注目され導入が急速に進んでいる

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

モノグラフ・中学生の世界 Vol.62

q w e r t y u i o!0!1!2 !3!4!5!6!7!8 !9 @0 @1 q w q q w e r q w e qw qw qw qw q qw q w e r q w q w z x qw q w e q w r t y u i o!0!1!2!3!4!5!6!7!8

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Lineup information

00 Dec. 04 : fo : Δfi : tr Δfi =0.35/t r I00 I /I 00 (%) t e t s= t e +t r (%) 90 0 tr Δq=l Δf/u Δq b=l/d : N : t : Δf : Δq N= Δq = Δf D = Δf t g Δqb g u g l D Δf g u t t=d/u Δq=l Δf/u 00 Dec. 04 f q u

植物23巻2号

(J.SHITA)23(2):37-43. 2011. 37 520-0531 1-13-15 Operation Should be Automated and not so in Plant Factory for Leafy Vegetables Touichi OGURA Goodgoal Inc, 1-13-15 Suimei Otsu-shi, Shiga 520-0531, Japan

THz 300THz nm VLC LED 2. 1 VLC VLC VLC 2. 2 VLC VLC VLC LED VLC 10 VLC 2003 VLC Consortium VLCC [11] VLC VLCC VLC LED LED LED 2010 LED

LED 70350515 a) Fundamental Experiments on Visible Light Communications using LED as Light Receptor Device Hiroshi YAMAMOTO a) LED LED LED LED LED LED LED LED GL5UR3K1(Sharp ) LED GL5SR082B0S(Sharp ) LED

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

Introduction to Microfabrication

2005 Introduction to Microfabrication 1 1.1 Microfabrication disciplines Microfabrication technologies IC industry and related industries MEMS, solar cells, flat-panel displays, optelectronics In-plane

発表内容 1. 事業の位置づけ 必要性 2. 研究開発マネジメント 3. 研究開発成果 4. 成果の実用化 事業化に向けた取組及び見通し 24

資料 5-2 2018 年 6 月 8 日中間評価分科会 高輝度 高効率次世代レーザー技術開発 (2016~2020 年度 5 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) プロジェクトリーダー東京大学物性研究所教授小林洋平 発表内容 1. 事業の位置づけ 必要性 2. 研究開発マネジメント 3. 研究開発成果 4. 成果の実用化 事業化に向けた取組及び見通し 24 波長 プロジェクトの概要 独 現状

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1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

三菱光デバイス

0.9 0.8 0.7 0.6 500 0.5 y 0.4 0.3 490 0.2 0.1 0.0 0.0 520 480 540 srgb CMY D65 Laser Display 560 580 600 620 700 470 460 380 0.1 0.2 0.3 0.4 x 0.5 0.6 0.7 0.8 RED [638nm] (Display System etc.) ML562G84

8 (2006 ) X ( ) 1. X X X 2. ( ) ( ) ( 1) X (a) (b) 1: (a) (b)

8 (2006 ) X ( ) 1. X X X 2. ( ) ( ) ( 1) X (a) (b) 1: (a) (b) X hkl 2θ ω 000 2: ω X 2θ X 3: X 2 X ω X 2θ X θ-2θ X X 2-1. ( ) ( 3) X 2θ ω 4 Si GaAs Si/Si GaAs/GaAs X 2θ : 2 2θ 000 ω 000 ω ω = θ 4: 2θ ω

1 2 1 a(=,incident particle A(target nucleus) b (projectile B( product nucleus, residual nucleus, ) ; a + A B + b a A B b 1: A(a,b)B A=B,a=b 2 1. ( 10

1 2 1 a(=,incident particle A(target nucleus) b (projectile B( product nucleus, residual nucleus, ) ; a + A B + b a A B b 1: A(a,b)B A=B,a=b 2 1. ( 10 14 m) ( 10 10 m) 2., 3 1 =reaction-text20181101b.tex

cm H.11.3 P.13 2 3-106-

H11.3 H.11.3 P.4-105- cm H.11.3 P.13 2 3-106- 2 H.11.3 P.47 H.11.3 P.27 i vl1 vl2-107- 3 h vl l1 l2 1 2 0 ii H.11.3 P.49 2 iii i 2 vl1 vl2-108- H.11.3 P.50 ii 2 H.11.3 P.52 cm -109- H.11.3 P.44 S S H.11.3

USHIO DISCHARGE LAMPS UV LAMPS Deep UV LAMPS XENON LAMPS XENON FLASH LAMPS LAMP HOUSINGS OPTICAL MEASURING INSTRUMENTS USHIO DISCHARGE LAMPS p.4-9 p.10-11 p.1-18 p.-1 p.- 4 p.6-9 7 8 9 p.30-37 UV LAMPS

FAZ_NA_2008_e.qxd

www.moeller.net Xpole Xpole Industrial, the logical continuation of the development of installation products for industrial applications. From protective switches to modular installation devices to surge

第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発

第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006

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Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

untitled

DC Fan 8mm sq. General Specifications San Ace 8 15mm thick (GA type), 15mm thick, 2mm thick (GA type) 2mm thick, 25mm thick (GA type), 25mm thick (S type) 25mm thick (GV type), 25mm thick 25mm thick (San

Microsoft PowerPoint - n161_163.ppt

特長 ケースサイズ 製品の特長 12.5 x 19.0 mm (W x H) アノードコモンとカソードコモン対応 ケース色はブラックとグレー対応 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長 Green Orange Red : 565nm : 605nm : 660nm 桁数文字形状文字高素子材質 1 桁ヤバネタイプ 15.24 mm Green Orange Red : GaP : GaAsP

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

JAJP

Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12

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基 礎 から 徹 底 解 説 : 高 効 率 太 陽 電 池 に 向 けた 研 究 開 発 超 高 効 率 III/V 太 陽 電 池 www.solarsystems.com.au 杉 山 正 和 東 京 大 学 大 学 院 工 学 系 研 究 科 太 陽 電 池 の 効 率 記 録 2 集 光 型 太 陽 電 池 Puertollano and Seville (Spain) www.concentrix-solar.de

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2014 年 12 月 28 日 ( 日 )10:35-11:00 第 8 回日中省エネルギー 環境総合フォーラム GaN を用いた新しいエレクトロニクスと 省 創エネルギーへの貢献 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻教授名古屋大学赤﨑記念研究センター長天野浩 1/22 なぜ研究テーマとして青色 LED を選んだか? 1970 1980 1990 1967 気相成長 AlN 松下技研 赤﨑

10生活環境研究報告.indd

It is well known that there are great differences among the flow characteristics of a non- Newtonian fluid such as gelatinized starch dispersions, depending on the analytical devices used and measurement

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- i - - i - Application of All-Optical Switching by Optical Fiber Grating Coupler Yasuhiko Maeda Abstract All-optical switching devices are strongly required for fast signal processing in future optical

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1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

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燃焼圧センサ

49 Combustion Pressure Sensor Kouji Tsukada, Masaharu Takeuchi, Sanae Tokumitsu, Yoshiteru Ohmura, Kazuyoshi Kawaguchi π 1000N 150 225N 1 F.S Abstract A new combustion pressure sensor capable of measuring

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

X線分析の進歩 39　別刷

On Intrinsic and Extrinsic Origin of Plasmon Peaks Shoichi TAKAYAMA and Jun KAWAI 2-8-1 112-8681 PRESTO-JST 5 12-75 Copyright The Discussion Group of X-Ray Analysis, The Japan Society for Analytical Chemistry

報告書

(University College Dublin) 22 2 15 22 4 10 宇都宮大学オプティクス教育研究センター はじめに アイルランドのダブリンにあるアイランド国立大学ダブリン校 (University College Dublin) において 約 2 ヶ月間の短期研究留学を行った O Sullivan 教授と Dunne 准教授の研究室に滞 在し 極端紫外光 (XUV) に関する研究に従事させて頂き

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特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては

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1 (1) (2) (3) (4) (1) (2) (3) (1) (2) (3) (1) (2) (3) (4) (5) (1) (2) (3) (1) (2) 10 11 12 2 2520159 3 (1) (2) (3) (4) (5) (6) 103 59529 600 12 42 4 42 68 53 53 C 30 30 5 56 6 (3) (1) 7 () () (()) () ()

<8B5A8F70985F95B632936EE7B22E696E6464>

47 Electrical Discharge Truing for Electroplated Diamond Tools Koji Watanabe Hisashi Minami Hatsumi Hiramatsu Kiyonori Masui (211 7 8 ) Electroplated diamond tools are widely used for grinding because

「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」

NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型

Options Unit : mm Finger guards Color Model Surface treatment Nickel-chrome plating silver DC Fan 4mm Air Flo

DC Fan 4mm sq. San Ace 4 1mm thick, 15mm thick (GA type), 15mm thick, 2mm thick (GA type), 2mm thick 28mm thick (GA type), 28mm thick (GE type) 28mm thick (GV type), 28mm thick General Specifications Material

q w e q w e r

q w e r t q w e q w e r a s d f a qw e d s q we r q f q w er t y q w q w e r t y u i o!0!1 !2!3!4!5 q w q a s d f g h j k a s d f g h j k a s d f g h j a s d f g h j as d a

PowerPoint プレゼンテーション

第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則

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48 144 2006 206-213 Journal of the Combustion Society of Japan Vol. 48 No. 144 (2006) 206-213 ORGNAL PAPER * * An Approach to Combustion Diagnostics of Premixed Flame by Chemiluminescence of OH * and CH