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PowerPoint プレゼンテーション

研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_

2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関

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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

04.プレゼン資料（豊橋技科大_伊﨑先生）

平成 28 年度新技術説明会 2016/1/12 超高効率太陽電池 水素生成用 インタースタック酸化物構造体 豊橋技術科学大学大学院工学研究科機械工学専攻教授伊﨑昌伸 m-izaki@me.tut.ac.jp 太陽エネルギーの活用 太陽光スペクトルと擬似太陽光 pn 接合型太陽電池の動作原理と理論変換効率ー単接合太陽電池の限界ー 空乏層 伝導帯 e 伝導帯 e 変換効率 < 28% h 荷電子帯 h

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

hetero

ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

解 説 カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望 石塚尚吾 1 小牧弘典 1 吉山孝志 1 水越一路 1 山田昭政 1 仁木栄 1 Recent Developments in Chalcopyrite Solar Cell and Module Technologies Shogo I

解 説 カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望 石塚尚吾 1 小牧弘典 1 吉山孝志 1 水越一路 1 山田昭政 1 仁木栄 1 Recent Developments in Chalcopyrite Solar Cell and Module Technologies Shogo ISHIZUKA 1, Hironori KOMAKI 1, Takashi YOSHIYAMA 1,

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

新技術説明会　様式例

1 新材料 BaSi 2 による 薄膜太陽電池開発の現状 筑波大学数理物質系 教授末益崇 材料による分類 太陽電池の分類 シリコン系 シリコン系新材料 結晶シリコン アモルファル III-V 族 (GaAs) 単結晶シリコン多結晶シリコン微結晶シリコン多接合へテロ接合型 (HIT) 太陽電池 化合物系 CIGS 系 (CuInSe 2 ) BaSi 2 CdTe c=1.158nm 有機系 有機半導体

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

untitled

SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g

untitled

Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

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/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

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1. 光伝導効果と光伝導素子 2. 光起電力効果と太陽電池 3. 通信用フォトダイオード 1 1. 光伝導効果と光伝導素子半導体に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光子が入射した場合 価電子帯の電子が伝導帯に励起される この結果 価電子帯に正孔が伝導帯に電子が一対光生成される 光生成したキャリアは 半導体の外部から電界をかけることにより移動し 電流として寄与する これを光導電効果 ( あるいは内部光電効果

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

Title

SIMS のアーティファクトについて ナノサイエンス株式会社 永山進 1 artifact( アーティファクト ) とは? 辞書を調べると Artifact ( 考古学 ), 人工品 人工遺物 ( 先史時代の単純な器物 宝石 武器など ) 出土品 Artifact ( 技術的なエラー ), 技術的な側面から入り込むデーターにおける望ましくない変化 ( 測定や解析の段階で発生したデータのエラーや解析のゆがみ

化合物多接合太陽電池の高効率化と応用 High Efficiency Technology and Application of Multi-Junction Compound Semiconductor Solar Cells 鷲尾英俊 * 十楚 Hidetoshi Washio 博行 * Hir

High Efficiency Technology and Application of Multi-Junction Compound Semiconductor Solar Cells 鷲尾英俊 * 十楚 Hidetoshi Washio 博行 * Hiroyuki Juso 化合物太陽電池とは, 現在の主流であるシリコンを材料として用いた太陽電池と異なり, インジウムやガリウムなど,2 種類以上の元素からなる化合物半導体を材料とした光吸収層を持つ変換効率の高い太陽電池で,

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

図 1 太陽電池の種類と特徴 当社は1959 年に太陽電池の開発に着手し 1963 年に結晶シリコン太陽電池の生産を開始した 当初は無人灯台や人工衛星など電力線の届かない しかも過酷な条件下での特殊用途へ設置を行い 現在までにそれぞれ約 1900 箇所以上 約 160 機以上に搭載しており 当社製パ

環境技術が創る未来 太陽電池の技術開発と今後の可能性について シャープ株式会社ソーラーシステム事業本部副本部長兼次世代要素センター所長兼第一開発室長 シャープ株式会社ソーラーシステム事業本部次世代要素技術センター第一開発室 佐賀達男浅野直城 はじめに 現在 我々は主なエネルギー源として石油 天然ガス 石炭等の化石燃料を利用している ところが これら化石燃料を大量に消費し続けることで 近い将来に地球温暖化や資源枯渇問題等が顕在化し

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太陽光発電ロードマップ (PV2030+) 概要版 2030 年に向けた太陽光発電ロードマップ (PV2030) に関する 見直し検討委員会 報告書 ( 独 ) 新エネルギー 産業技術総合開発機構新エネルギー技術開発部 2030 年に向けた太陽光発電ロードマップ (PV2030) に関する見直し検討委員会 目 次 ( ページ ) 1. 見直しの目的と背景 1 2. ロードマップ (PV2030) 策定後の環境変化

新技術説明会　様式例

高い p 形電気伝導性を有する 透明電極材料 龍谷大学理工学部物質化学科助教山添誠司教授和田隆博 1 P 形透明導電性酸化物 (TCO) 薄膜開発の背景 高効率薄膜フルスペクトル太陽電池 地球温暖化対策として温室効果ガスの大幅削減に寄与するために 太陽光発電の性能を飛躍的に向上させることを目的とする 2050 年までに 変換効率が40% 超 かつ 発電コストが汎用電力料金並み の太陽電池を実用化することを目指した研究開発の中で

スライド 1

亜酸化銅 (Cu2O) を用いる超低コスト太陽電池技術 金沢工業大学 工学部電気電子工学科 教授 宮田俊弘 Kanazawa Institute of Technology Optoelectronic Device System Research & Development Center 1 発表内容 1. 研究の背景 ( 従来技術の問題点 ) 2. 超低コスト亜酸化 (Cu2O) ヘテロ接合太陽電池

スライド 1

1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

化合物太陽電池の ポテンシャルと課題

第 136 回結晶工学研究会 2012 年 4 月 20 日 化合物太陽電池の ポテンシャルと課題 佐藤勝昭 科学技術振興機構 はじめに 現在実用されている太陽電池のうち最も高い変換効率を示すのは III-V 族単結晶系多接合太陽電池で 集光型で 42% に達します III-V 族単結晶系は高効率ですが 高コストのため宇宙用やソーラーカーレース用としてのみ使われています 低コスト化をめざし多結晶系の研究が進んでいますが高効率化

研究成果報告書

EL EL 17% 1.5 (F. Li, et al. Org. Elect., Vol. 8, 635, 2007 ) (S.Hore, et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, pp. Vol. 90, 1176, 2006) (C. Haase et al., Proc. of SPIE, Vol. 6645, 66450W, 2007) (T. Fukuda

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

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技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

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1 45nm 2 2004 2007 2010 90* 65 45 4 10 25 * 100 10001 H16 45 2001-2003 2004-2007 65 45 MIRAI 3 Cu n+ n+ p+ p+ p n nmos pmos ITRS 2004 2007 2010 2013 2016 3.5 k 3.0 2.5 2.0 ITRS2001 ITRS2003 Low-k 1.5 1.0

世界トップクラス 先端の自動生産 ライン採用 信頼されるものづくりへ 鹿児島出水市から羽ばたく エネルギーギャップのこだわり 私たちエネルギーギャップは N 型太陽電池モジュールの数少ない国内メーカーとして JAPAN QUALITY また蓄電池その他の太陽光発電事業向け機器のサプライヤーとして 高

世界トップクラス 先端の自動生産 ライン採用 信頼されるものづくりへ 鹿児島出水市から羽ばたく エネルギーギャップのこだわり 私たちエネルギーギャップは N 型太陽電池モジュールの数少ない国内メーカーとして JAPAN QUALITY また蓄電池その他の太陽光発電事業向け機器のサプライヤーとして 高性能 高品質 サービスを核とし JAPAN QUALITY にこだわり 再生可能エネルギーのさらなる普及

資料２　次世代太陽電池における計測機器

第 9 回 先 端 計 測 分 析 技 術 機 器 開 発 小 委 員 会 2010 年 11 月 24 日 次 世 代 太 陽 電 池 における 計 測 機 器 韓 礼 元 次 世 代 太 陽 電 池 センター 1 太 陽 電 池 の 分 類 太 陽 電 池 シリコン 化 合 物 単 結 晶 結 晶 系 多 結 晶 薄 膜 系 (アモルファス マイクロクリスタル 等 ) 単 結 晶 ( GaAs

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

23EU-PVSECReport

第 23 回太陽光発電欧州会議 (23 rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition) 報告 2008.9 山口真史 ( 豊田工大 ) 1. 開催月日 :2008 年 9 月 1 日 ~5 日 2. 開催場所 :Feria Valencia( バレンシア スペイン ) 3. 本会議の概要 : 毎年開催される太陽光発電に関する欧州会議である

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1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

4_Laser.dvi

1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation

シャープ技報 第 93 号 2005 年 12 月 Cz 1. 実験 1 1 デバイス シミュレーション Integrated Systems Engineering, Inc.ISE TCAD 図 1 表 ライフタイム評価 bulk SRV Cz eff CVD PECVD SiH /

高効率シリコン裏面電極型太陽電池 High Efficiency Back Contact Si Solar Cell 中村京太郎 * 1 伊坂隆行 * 2 舩越康志 * 2 Kyotaro Nakamura Takayuki Isaka Yasushi Funakoshi 殿村嘉章 * 2 町田智弘 * 2 岡本浩二 * 1 Yoshifumi Tonomura Tomohiro Machida

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜

量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発

第 106 回研究開発セミナー クリーンテック 水素社会への挑戦 (2016.10.11) 量子ドットデバイス と最先端太陽電池開発 電気通信大学基盤理工学専攻山口浩一 < クリーンテック > 再生可能エネルギーを利用した安定な電力供給 太陽光 水の電気分解 水素生成 貯蔵 水素と酸素の化学反応 電気, 水 ( 光エネルギー ) ( 電気エネルギー ) ( 化学エネルギー ) ( 化学エネルギー )

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

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小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

パナソニック技報

技術論文 Panasonic Technical Journal Vol. 57 No. 4 Jan. 2012 薄型高効率 HIT 太陽電池の性能改善 Improvement of High-Performance HIT Solar Cells with Thin Si Wafers 藤嶋大介 Daisuke Fujishima 矢野 Ayumu Yano 歩 木下敏宏 Toshihiro Kinoshita

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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

資料1-2 コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズインフォマティクスの融合によるラボ改革

コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズ インフォマティックスの融合によるラボ改革 国立研究開発法人物質 材料研究機構エネルギー 環境材料研究拠点 後藤真宏 高速な材料開発の必要性 高性能なエネルギー変換材料の創製が急務 自然エネルギー生成 エネルギー有効利用 Web. JAXA 地球環境の悪化が進行 省エネルギー 摩擦力低減など 非常に過酷な制約がある 短期間で! ユビキタス 無害な元素 原子から材料まで

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

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1 透明 鏡 黒ならびに発光状態を有する スイッチャブルスマートウィンドウ Switchable smart window with a light-emitting state and mirror transparent black 東京工芸大学工学部メディア画像学科教授内田孝幸 2 研究の背景 地球温暖化やエネルギー供給の問題から エネルギーを特に多く消費する 冷暖房負荷の軽減に関する技術開発の期待が高まっている.

Keysight Technologies B1500Aを使用した太陽電池セルのIV/CV特性評価

Keysight Technologies B1500A IV/CV Application Note Keysight B1500A IV CV B1500A B1500A 1 pn R sh R s R s R s R sh R sh R s + R sh Cu In Ga Se CIGS 2 DSC C p r p r s + C p r p r s C p C t C d C t C d C

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

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0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

これからのソーラーパネルの選び方 1. 重要なのは いつ元がとれるのか? ということ 太陽光発電システムは 決して安い商品ではありません そのとき一番気になるのは投資した費用の回収期間 つまり投資を回収するというゴールにいつ達することができるのかということではないでしょうか? 2. 回収期間を決める

これからのソーラーパネルの選び方 サングリーン エコ 西都１ ８.メガ太陽光発電所 平成２５年３月完成 これからのソーラーパネルの選び方 1. 重要なのは いつ元がとれるのか? ということ 太陽光発電システムは 決して安い商品ではありません そのとき一番気になるのは投資した費用の回収期間 つまり投資を回収するというゴールにいつ達することができるのかということではないでしょうか? 2. 回収期間を決めるのは

新技術説明会　様式例

1 新型 D-π-A 型蛍光性色素を用いた 色素増感太陽電池 広島大学大学院工学研究院物質化学工学部門応用化学専攻准教授大山陽介 2 研究背景 光増感有機色素を吸着させた酸化チタン (Ti 2 ) ナノ粒子電極を用いる色素増感太陽電池 (DSSC) は 太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する安価でクリーンな次世代太陽光発電システムとして注目されており 実用化を目指した熾烈な研究開発が国際的に行われている

研究成果報告書(基金分)

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ

スライド 1

High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

cm H.11.3 P.13 2 3-106-

H11.3 H.11.3 P.4-105- cm H.11.3 P.13 2 3-106- 2 H.11.3 P.47 H.11.3 P.27 i vl1 vl2-107- 3 h vl l1 l2 1 2 0 ii H.11.3 P.49 2 iii i 2 vl1 vl2-108- H.11.3 P.50 ii 2 H.11.3 P.52 cm -109- H.11.3 P.44 S S H.11.3

Microsoft Word - note02.doc

年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

untitled

20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

Microsoft Word - 9.編集後記12_樋口_編集.doc

環境制御 (Environment Research and Control), 34, 8-13 (2012) 総 説 新しい太陽光発電システムの現状と今後 ( 集光型太陽光発電システム ) 橋本潤独 ) 産業技術総合研究所太陽光発電工学研究センター評価 標準チーム特別研究員 305-8568 茨城県つくば市梅園 1-1-1 中央第 2 1. はじめに今後のエネルギー政策に注目が集まる中 日本では

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

サンディア国立研究所 カリフォルニア州リバモア 提供資金:1,354,245 ドル プロジェクト概要: 本プロジェクトは 単接合型の色素増感太陽電池 (DSSC) のパフォーマンスを最大限に向上させる革新的な光吸収材と太陽電池構造の開発するもの サンディアは DSSC の主な制約に対応するための新た

(1112-5-1) 新エネルギー分野 ( 太陽光発電 ) 仮訳 次世代太陽光発電 3 SunShot Initiative の次世代太陽光発電 (PV) プロジェクトは SunShot Initiative のコ スト目標を達成する可能性のあるトランスフォーマティブな PV 技術に取り組む プロジ ェクト目標は以下のとおり : 効率向上 コスト低減 信頼性向上 より安全で持続可能なサプライチェーンの構築

TOP10 Innovations A triple-junction compound solar module with a conversion efficiency of 31.17%. Source SHARP CORPORATION (

A triple-junction compound solar module with a conversion efficiency of 31.17%. Source SHARP CORPORATION (http://www.sharp.co.jp/corporate/news/160519-a.html) 2017 Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右

3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり

fma20.PDF

PZT TSC Measurement for Degraded and Damaged PZT Thin Films Capacitors Prepared by Sputtering. FeRAM MFIS : XRD, TEM : XRF, EDS, EPMA, SIMS : SPM, NDM? DLTS DLTS (TSC) (TSC) fatigue,, ( ) (1) (2) J T TSC

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2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B

PowerPoint プレゼンテーション

2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大

研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

研究部 研究課題名 Cu(In,Ga)Se 2 多結晶薄膜の局所構造と太陽電池性能の相関 研究代表者名立命館大学 理工学部 峯元高志 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに太陽電池が 21 世紀を担うクリーンエネルギーとして期待されている 現状では 結晶シリコンが太陽電池材料の主流である 一方 ガラス等の基板上に金属や半導体などの薄膜を堆積させた薄膜型太陽電池が 低コスト

PowerPoint プレゼンテーション

第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則

21世紀COE講義2006_5.ppt

T c T>Tc T

MOSFET HiSIM HiSIM2 1

MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution

Microsoft Word - 01マニュアル・入稿原稿p1-112.doc

4 54 55 56 ( ( 1994 1st stage 2nd stage 2012 57 / 58 365 46.6 120 365 40.4 120 13.0 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 4 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

スライド 1

基 礎 から 徹 底 解 説 : 高 効 率 太 陽 電 池 に 向 けた 研 究 開 発 超 高 効 率 III/V 太 陽 電 池 www.solarsystems.com.au 杉 山 正 和 東 京 大 学 大 学 院 工 学 系 研 究 科 太 陽 電 池 の 効 率 記 録 2 集 光 型 太 陽 電 池 Puertollano and Seville (Spain) www.concentrix-solar.de

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

Microsoft Word - 3_テクノセンター年報2013年度131115（上野）

特集 1 インクジェット用イカ墨色素の精製と粒子径制御法の開発 特許取得, ベンチャー企業の参入, 製品化への道筋 上野孝 ( 物質環境工学科 ) 1. はじめに函館ではイカの加工工程で内臓が取り除かれて廃棄物として処分される 内臓の約 2% に相当する約 240 トンの墨袋が毎年廃棄されている イカ墨の黒い色素成分はユーメラニンの色である 顔料や化粧品メーカーは食べられる, または肌につけても安全な天然黒色色素に強い関心があり,

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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

資料2　小長井委員　説明資料

文部科学省 革新的エネルギー研究開発拠点形成事業 FUTURE-PV Innovation 研究課題 : ナノワイヤー太陽電池 資料 2 H28.6.14 環境エネルギー科学技術委員会 研究総括 東京都市大学総合研究所 教授小長井誠 OUTLINE 1. 事業の概要 2. 研究成果 3. 今後の方向性 事業計画概要 実施期間 : 平成 24 年度 ~ 平成 28 年度 (5 ヵ年度 ) 研究テーマ

利点を併せ持つからである バックコンタクト構造では受光面に電極が無く電極の陰によるロス ( シャドーロス ) が無いことによって高い J sc が得られ 3), また, ヘテロ接合技術では, アモルファスシリコンと結晶シリコンのヘテロ接合界面が界面でのキャリア再結合を低減できるため, 高い不活性化

Development of Next-Generation High Efficiency Crystalline Si Solar Cells 中村淳一 * 浅野直城 * 稗田健 * 岡本親扶 * 片山博之 * Junichi Nakamura Naoki Asano Takeshi Hieda Chikao Okamoto Hiroyuki Katayama 既に商品化している太陽電池モジュール

Microsoft PowerPoint - new_ NEDOフォーラムTS-9第3部（山田）r2公開用.pptx

第 3 部国民負担と発電コストの削減 NEDO の PV 発電コスト削減シナリオ (NEDO PV Challenges より ) ( 独 ) 新エネルギー 産業技術総合開発機構 (NEDO) ( 独 ) 新エネルギ 産業技術総合開発機構 (NEDO) 新エネルギー部主任研究員山田宏之 本日の内容 1. 太陽光発電開発戦略 NEDO PV Challenges 策定経緯と概要 2. 発電コスト低減目標

新技術説明会　様式例

静岡大学との連携による新技術説明会 2014 年 11 月 7 日 1 表面プラズモンアンテナ付き フォトダイオードによる屈折率測定 研究者 : 静岡大学電子工学研究所教授猪川洋 助教佐藤弘明 説明者 : 猪川洋 開発の経緯 SOI LSI の普及 部分空乏型 ( ハイエンド MPU ゲーム機 ) 完全空乏型 (22 nm 世代以降にも対応 ) 光検出器は LSI に新たな機能を付与課題 : 薄い

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In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 m-matsumoto@jv.jp.nec.com 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の