低炭素社会にむけたグリーンエレクトロニクスの役割

NISSIN REPORT 2015 17 18 19 20 21 22 23 1 2 3 5 7 9 10 11 12 13 15 1,500 1,000 500 0 1,033 2012 1,099 1,071 2013 2014 150 100 50 0 71 2012 95 90 2013 2014 44.2% 18.3% 22.4% 15.1% 49.5% 1.1% 28.4% 17.5%

熱効率( 既存の発電技術 コンバインドサイクル発電 今後の技術開発 1700 級 ( 約 57%) %)(送電端 HV 級 ( 約 50%) 1500 級 ( 約 52%

(4) 技術革新 量産効果によるコスト低減の考え方 2020 年と 2030 年モデルプラントについて 技術革新や量産効果などによる発電コストの低減が期待される電源について 以下のとおり検証した (a) 石炭火力 石炭火力については 2010 年モデルプラントにおいて超々臨界圧火力発電による約 42% の発電効率を前提としている 現在 更なる熱効率向上に向けて石炭ガス化複合発電 (IGCC) 1 や先進超々臨界圧火力発電

New Drive The Next The FRENIC-Ace is the inverter that produces excellent cost-performance; maintains high performance through optimal design. In this

New Drive The Next The FRENIC-Ace is the inverter that produces excellent cost-performance; maintains high performance through optimal design. In this way, it can be applied to various machines and devices.

Microsoft Word 後藤佑介.doc

課題アプローチ技法 Ⅲ 73070310 後藤佑介テーマ 住宅用太陽光発電システムの利用効果 1. はじめに近年 地球温暖化問題に関心が集まっている その要因である二酸化炭素は私たちの生活を支える電力利用から排出される 二酸化炭素の排出を削減するためには再生可能エネルギー利用の技術が必要である その技術の一つである太陽光発電システム (PV システム ) はクリーンで無公害なエネルギーとして大きな期待が寄せられている

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

電解水素製造の経済性 再エネからの水素製造 - 余剰電力の特定 - 再エネの水素製造への利用方法 エネルギー貯蔵としての再エネ水素 まとめ Copyright 215, IEEJ, All rights reserved 2

国内再生可能エネルギーからの水素製造の展望と課題 第 2 回 CO2フリー水素ワーキンググループ水素 燃料電池戦略協議会 216 年 6 月 22 日 日本エネルギー経済研究所 柴田善朗 Copyright 215, IEEJ, All rights reserved 1 電解水素製造の経済性 再エネからの水素製造 - 余剰電力の特定 - 再エネの水素製造への利用方法 エネルギー貯蔵としての再エネ水素

Micro Fans & Blowers Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 千葉県市原市辰巳台西

www.pelonistechnologies.com Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 290-0004 千葉県市原市辰巳台西 4-13-1-9-1 104-0041 東京都中央区新富 1-5-5-406 Tel:0436-98-2341 Fax:0436-98-2336 Tel:03-3206-6832 Fax:03-3206-6829

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc

東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

DSP用いたスイッチング電源回路 軽負荷場合の効率向上手法の検討

第 56 回システム LSI 合同ゼミ Gunma-Univ. Kobayashi Lab 2014 年 1 月 18 日 ( 土 ) 於早稲田大学 DSP を用いたスイッチング電源回路 軽負荷場合の効率向上手法の検討 群馬大学 工学研究科電気電子専攻 靳光磊 ( ジンコウライ ) 1 OUTLINE 研究背景 目的 電源効率劣化の原因 研究方法 BLPFC AC/DC 変換回路部の検討 リンク電圧最適可変

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プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器

事例8_ホール素子

省エネルギーその 7- ホール素子 ホール IC 1. 調査の目的エアコンの室内機と室外機には空調を行うための FAN 用のモータが搭載されている モータには DC ブラシレスモータと AC モータ ( 誘導モータ ) とがある DC ブラシレスモータを搭載したエアコンはインバータエアコンと呼ばれ 電力の周波数を変えてモータの回転数を制御できることから 非インバータエアコン (AC モータを搭載 )

電中研における次世代のグリッド技術開発

電力中央研究所フォーラム 2010 研究成果発表会電力流通部門 1 太陽光発電の大量導入に対応する次世代のグリッド技術 電中研における次世代の グリッド技術開発 システム技術研究所 所長栗原郁夫 2010/10/27 1 目標 低炭素社会を支える将来の日本の電力供給 利用インフラの構築 2010/10/27 2 目的 日本型スマートグリッドのコアとなる部分の技術開発 海外インフラ輸出 国際標準化戦略

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2011. 3. 2 高等研究院 インテックセンター成果報告会 極限を目指した 新しい半導体デバイスの実現 京都大学工学研究科電子工学専攻 木本恒暢 須田淳 光 電子理工学 エネルギー 環境問題や爆発的な情報量増大解決へ 物理限界への挑戦と新機能の創出 自在な光子制御 フォトニック結晶 シリコンナノフォト二クス ワイドバンドギャップ光半導体 極限的な電子制御 ワイドバンドギャップ (SiC) エレクトロニクス

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする

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世界の火力発電の市場動向 次世代 発電協議会 ( 第 5 回会合 ) 資料 2 1. はじめに 2. 世界の発電動向 3. 世界の国 地域別発電市場動向 4. 我が国の発電市場動向 5. 世界の火力発電の発電効率 6. 今後の世界の火力発電市場 一般財団法人エネルギー総合工学研究所小野崎正樹 1 1. はじめに 東南アジアを中心とした急激な経済成長にともない 発電設備の拡充が進んでいる 2040~2050

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

1. 目的 実施計画 高度なエネルギーマネジメント技術により 需要家側のエネルギーリソースを統合的に制御することで バーチャルパワープラントの構築を図る < 高度なエネルギーマネジメント技術 > 蓄熱槽を活用した DR 複数建物 DR 多彩なエネルギーリソースのアグリゲーション < 便益 > 系統安

A バーチャルパワープラント構築事業 A-1 アグリゲータ事業 於 2016 年 9 月 14 日第 4 回 ERAB 検討会 蓄熱槽を含む多彩なエネルギーリソースを活用したバーチャルパワープラントの構築 ( 抜粋資料 ) 資料 2-3 代表申請者 共同申請者 アズビル株式会社東京電力エナジーパートナー株式会社株式会社三菱地所設計明治安田生命保険相互会社日本工営株式会社 1. 目的 実施計画 高度なエネルギーマネジメント技術により

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パワーエレクトロニクス工学論 10. 各種シングル インダクタデュアル アウトプット (SIDO) 電源 10-1 降圧形 昇圧形 SIDO 電源 10-2 リプル制御 SIDO 電源 10-3 ZVS-PWM 制御 SIDO 電源 10-4 ソフトスイッチングSIDO 電源 SIDO: Single Inductor Dual Output 10-1 10.1 降圧形 昇圧形 SIDO 電源 (1)

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります

平成 21 年度資源エネルギー関連概算要求について 21 年度概算要求の考え方 1. 資源 エネルギー政策の重要性の加速度的高まり 2. 歳出 歳入一体改革の推進 予算の効率化と重点化の徹底 エネルギー安全保障の強化 資源の安定供給確保 低炭素社会の実現 Cool Earth -1-

平成 21 年度資源エネルギー関連概算要求について 21 年度概算要求の考え方 1. 資源 エネルギー政策の重要性の加速度的高まり 2. 歳出 歳入一体改革の推進 2006 3. 予算の効率化と重点化の徹底 エネルギー安全保障の強化 資源の安定供給確保 低炭素社会の実現 Cool Earth -1- エネルギー対策特別会計 ( 経済産業省分 ), 一般会計 ( 資源エネルギー庁分 ) -2- エネルギー安全保障の強化

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電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

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アクティブインダクタを用いた コモンモードノイズ低減フィルタ 北海道大学大学院情報科学研究科准教授池辺将之 研究背景 アナログ回路におけるインダクタ 高インダクタ部品は 外付けでサイズが大きい オンチップ用途では インダクタンスとQ 値が低い 開発目標 アクティブインダクタを用いた 小面積 チューナブルな有用回路の実現 ( 本提案 ) 増幅機能も有するコモンモードノイズ低減フィルタ アクティブインダクタ回路

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パワーエレクトロニクス工学論 10. 各種シングル インダクタデュアル アウトプット (SIDO) 電源 10-1 降圧形 昇圧形 SIDO 電源 10-2 リプル制御 SIDO 電源 10-3 ZVS-PWM 制御 SIDO 電源 10-4 ソフトスイッチングSIDO 電源 SIDO: Single Inductor Dual Output H28 群馬大学大学院講義パワーエレクトロニクス工学論

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

TC74HC14AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

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1 / 6 SANYO DENKI TECHNICAL REPORT No.12 November-2001 特集 松崎昭憲 Akinori Matsuzaki 阿藤聡 Satoshi Atoh 近年 地球温暖化 環境汚染 資源枯渇などの地球環境負荷を低減し 環境にやさしい製品が求められてきている それに伴って 製品アセスメントを実施し 環境負荷の評価および環境に対する影響を低減するための設計は 当然の責務となってきている

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

2012. 7. 9 窒化物半導体応用研究会 SiC パワー半導体の 研究開発動向 京都大学工学研究科電子工学専攻 木本恒暢 概要 1. SiCパワー半導体 2. SiCダイオードの進展 3. SiCスイッチングデバイスの進展 4. SiC 半導体の開発動向 5. まとめ 2 Rated Current (A) パワーデバイス パワーデバイス DC AC AC DC DC DC( 電圧変換 ) AC

形式 :PDU 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力

計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 密着取付可能 アプリケーション例 容積式流量計のパルス信号を単位パルスに変換 機械の回転による無接点信号を単位パルスに変換

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーションを特徴とします また 保護素子を内蔵する事により高い ESD 耐圧を有しています USB-A8 パッケージを採用する事で小型 薄型化を実現し 低背化や高密度表面実装が必要な小型通信機器などへの応用が可能です

日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品

Infrastructure Technology / Products HIGHLIGHTS 2008 HDD 2.5 HDD3.5 HDD 1 Deskstar 7K1000 HDD Hard Disk Drive 2006 5 PC 2.5 HDD HDD 3.5 HDD1 1 2007 3Deskstar 7K1000 3.5 HDD 1149 Deskstar 7K500 2 GMR Giant

AN41904A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード UBGA064-P-0606ACA 発行年月 : 2007 年 6 月 1 目 概要. 3 特長. 3 用途. 3 外形. 3 構造.... 3 ブロック図.... 4 応用回路例.... 5 端子説明... 6 絶対最大定格..... 8 動作電源電圧範囲. 8 次 2 カムコーダ用レンズドライバ ( アイリス制御内蔵 ) 概要 は, カムコーダ用レンズドライバ

次世代エネルギーシステムの提言 2011 年 9 月 16 日 株式会社日本総合研究所 創発戦略センター Copyright (C) 2011 The Japan Research Institute, Limited. All Rights Reserved.[tv1.0]

次世代エネルギーシステムの提言 2011 年 9 月 16 日 株式会社日本総合研究所 創発戦略センター Copyright (C) 2011 The Japan Research Institute, Limited. All Rights Reserved.[tv1.0] 1-1. 次世代のエネルギーシステムの前提 エネルギーシステムに関する三つのリスク 1 エネルギー供給システムの技術的なリスク

UIプロジェクトX

エネルギー分散管理と地方経済 原田達朗九州大学炭素資源国際教育研究センター http://cr.cm.kyushu-u.ac.jp/ https://www.facebook.com/carbonresources.kyushuuniv 2017.02.03 九州大学 1 1. 背景 2. 日本のエネルギー ( 電力 / ガス ) の状況 3. 地域経済 4. 地域でマネージメント 1. 背景 2

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系統接続制約問題の影響度を判断するための 出力制御シミュレーション について -FIT が開く太陽光発電 普及の新しい扉 - 2015 年 4 月 14 日一般社団法人太陽光発電協会 1 出力制御シミュレーション の考え方 1 本シミュレーションは 以下の三つの要素情報をもとに 試算されています 1 電力需要実績各電力会社より公表されている 2013 年の時間毎 (24 時間 365 日 =8,760

D IEEJ Transactions on Industry Applications Vol.133 No.3 pp DOI: /ieejias DC-DC Principle of Surge Voltage of a Rectifier in I

D IEEJ Transactions on Industry Applications Vol.133 No.3 pp.350 359 DOI: 10.1541/ieejias.133.350 DC-DC Principle of Surge Voltage of a Rectifier in Isolated DC-DC Converters and Snubber Circuit Design

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900

日本市場における 2020/2030 年に向けた太陽光発電導入量予測 のポイント 2020 年までの短 中期の太陽光発電システム導入量を予測 FIT 制度や電力事業をめぐる動き等を高精度に分析して導入量予測を提示しました 2030 年までの長期の太陽光発電システム導入量を予測省エネルギー スマート社

日本市場における 2020/2030 年に向けた 太陽光発電導入量予測 固定価格買取制度下での住宅用 産業用 メガソーラーの導入量予測プレゼンテーション資料 2015 年 7 月株式会社資源総合システム 2015 株式会社資源総合システム無断複写 複製 無断転載を禁止します 日本市場における 2020/2030 年に向けた太陽光発電導入量予測 のポイント 2020 年までの短 中期の太陽光発電システム導入量を予測

AN15880A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の

(Microsoft PowerPoint - \203E\203B\203\223\203N\210\244\222m.ppt)

IGBT 発展の経緯と限界特性 中川明夫 中川コンサルティング事務所 1 パワーデバイス応用分野の変遷 1997 2005 HVDC Transmission HVDC Transmission IGBT 2 パワーデバイス発展の経緯 ( 東芝の例 ) Power rating (VA) 100M 10M 1M 100K 1 st wave 10K 1960 500A2500V 80A400V 150A1000V

富士通セミコンダクタープレスリリース 2013/04/22

[ プレスリリース ] 2013 年 4 月 22 日富士通セミコンダクター株式会社 低炭素社会に貢献するエナジーハーベスティング電源 IC 2 製品を新発売 ~ 電子機器やワイヤレスセンサーノードなどの電池レス化を実現 ~ 富士通セミコンダクター株式会社 ( 注 1) は エナジーハーベスティング電源 IC として 降圧型 DC/DC コンバーター ( 注 2) MB39C811 と 昇圧型 DC/DC

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

浜松 市が目指す将 来ビジョン スマートシティ 浜松 スマートシティ 浜松 の 将来イメージ :THY[ JP[` /HTHTH[Z\ 安心 安全で安定的なエネルギーを賢く利用し 持続的に成長発展する都市 太陽光や風 力 水 力 バイオマスなど 地 域 の自然 資源を活用した再生可能エネルギーや 自家発電 設 備 ガスコージェネレーション による自立分散型電源により 自分たちで使う電 力を自分たちで創り

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

電力線重畳型機器認証技術

1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です

EFE SERIES 基ユ板a_EFE_1 記載内容は 改良その他により予告なく変更する場合がありますので あらかじめご了承ください EFE 3 UL EN 電圧 CSA C22.2 EN (300M ) N 特長 型名呼称方法 デジタル制御回

SERIES 基ユ板a 1 記載内容は 改良その他により予告なく変更する場合がありますので あらかじめご了承ください 3 UL60950-1 EN60950-1 電圧 CS C22.2 EN60601-1(300M ) N.60950-1 特長 型名呼称方法 デジタル制御回路内蔵 高効率化 :90%(300J) 300 J 24 - 小型化 : 従来モデル体積比較 35% 減 :1Uラック実装可能な薄型形状

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

TC74HC00AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

RIETI Highlight Vol.66

2 0 1 7 F A L L 66 1 RIETI HIGHLIGHT 2017 FALL RIETI HIGHLIGHT 2017 FALL 3 Interviewer 4 RIETI HIGHLIGHT 2017 FALL DPNo No. 17-E-082-0 http://www.rieti.go.jp/jp/publications/dp/17e082.pdf RIETI HIGHLIGHT

第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例 プリント基板設計における推奨パターン及び注意点 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M12343 Rev.1.0 Dec

第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例. 5-2 2. プリント基板設計における推奨パターン及び注意点.. 5-5 5-1 1. 応用回路例 この章では 推奨配線とレイアウトについて説明しています プリント基板設計時におけるヒントと注意事項については 以下の応用回路例をご参照下さい 図.5-1 と図.5-2 には それぞれ 2 種類の電流検出方法での応用回路例を示しており

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって

入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信

東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521

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隠岐諸島における ハイブリッド蓄電池システム実証事業の概要 環境省 平成 26 年度離島の再生可能エネルギー導入促進のための蓄電池実証事業 に採択 2016 年 6 月 16 日 中国電力株式会社流通事業本部 1. 島根県隠岐諸島の概要 1 島根県隠岐諸島の概要 2 隠岐諸島は, 本土の北方約 50km の日本海に位置 島前 ( ト ウセ ン )3 島と島後 ( ト ウコ ) および 180 余りの小島で構成

スライド 1

Codes Technologies 2 1 日本で販売されております蛍光灯の種類は沢山ありますので お客様のご要望のものをご提供いたします LED 蛍光灯をご購入前にご確認下さい 節電タイプの LED 蛍光灯は 中国 台湾または韓国製品です.LED は日亜または CREE ですが製造は 中国 韓国 台湾メーカーです 節電タイプ LED 蛍光灯は通常の蛍光灯より若干青く光ります 右下の画像をご覧下さい左が

<4D F736F F F696E74202D C5817A936497CD8EA BB8CE382CC89CE97CD94AD A8E912E >

1. 火力発電投資を取り巻く環境 電力自由化後の火力発電投資 ~ メリットオーダー分析にみるリスクと課題 ~ 今月のトピックス No.235-1(215 年 6 月 18 日 ) 競争の促進による効率化やコスト低減等を目的に 215 年より電力システム改革が進められており 216 年には小売全面自由化 22 年には料金規制の撤廃と送配電部門の法的分離が予定されている ( 図表 1-1) これにより

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

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一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

MARKALモデルによる2050年の水素エネルギーの導入量の推計

IEEJ 2013 年 5 月掲載禁無断転載 EDMC エネルギートレンド MARKAL モデルによる 2050 年の水素エネルギーの導入量の推計 - 低炭素社会に向けた位置づけ - 計量分析ユニット川上恭章 1. はじめに 2011 年 3 月に生じた東日本大震災および福島第一原子力発電所事故は 日本のエネルギー政策に大きな影響を与えた 前年の 2010 年に公表された エネルギー基本計画 1)

TLP250

東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流 :

<4D F736F F D F B5A8F7095F18D908F F955C8E CD82B682DF82C BC95EB2D >

2010 年度 グリーン IT 推進協議会 技術検討委員会報告書 2011 年 6 月 グリーン IT 推進協議会 技術検討委員会 全体目次 はじめに... 1 技術検討委員会委員名簿... 3 第 1 部 IT システム 機器の見える化技術 ~ 電力消費効率評価技術の今 ~... 7 第 2 部 IT による企業活動の見える化技術 ~EEMS 適用の際のポイント~... 133 おわりに... 223

グリーンエネルギー普及拡大における太陽光発電の寄与

2 2 2 2 2 PV 3 ( 8.3) ( 26.7) NEDO 2001 4 5 40MW160MW 6 7 PV Si * 8 9 200 150 100 50 0 250 20 539 32 40 1,065 111 1,986 5,654 147 6,352 160 15,879 178 25,151 20,877 235 232 38,262 46,760 1994 1995 1996

回路シミュレーションに必要な電子部品の SPICE モデル 回路シミュレータでシミュレーションを行うためには 使用する部品に対応した SPICE モデル が必要です SPICE モデルは 回路のシミュレーションを行うために必要な電子部品の振る舞い が記述されており いわば 回路シミュレーション用の部

当社 SPICE モデルを用いたいたシミュレーションシミュレーション例 この資料は 当社 日本ケミコン ( 株 ) がご提供する SPICE モデルのシミュレーション例をご紹介しています この資料は OrCAD Capture 6.( 日本語化 ) に基づいて作成しています 当社 SPICE モデルの取り扱いに関するご注意 当社 SPICE モデルは OrCAD Capture/PSpice 及び

動化 V ns 9)10) Grezaud 15ns 10) DC VSC (Voltage Source Converter) SiC HEV SiC-MOSFET FWD SiC-SBD SiC-MOSFET FET DENSO TECHNICAL REVIEW Vol 電 FW

デッドタイム制御機能内蔵 * SiC MOSFET 用ゲートドライバの開発 Development of the Dead Time Controlled Gate Driver for SiC MOSFET 丹羽章雅 Akimasa NIWA 今澤孝則 Takanori IMAZAWA 山本昌弘 Masahiro YAMAMOTO 笹谷卓也 Takanari SASAYA 磯部高範 Takanori

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9

AN41250A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード HQFP048-P-0707A 発行年月 : 2007 年 6 月 1 目 概要. 3 特長. 3 用途. 3 外形. 3 構造.... 3 ブロック図.... 4 端子説明... 5 絶対最大定格..... 7 動作電圧範囲. 7 次 2 光 Disk 用 7-ch Motor r 用 IC 概要 は Spindle Motor 駆動部に低雑音の Direct

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1 3 5 7 9 11 1 13 15 17 0 1 3 6 7 9 30 31 3 33 35 36 37 38 39 41 45 1 CSR014 CSR014 トップメッセージ ダイヘングループは 1919 年の創業以来 変 できました また 溶接ロボットや搬送ロボットで培ってまい 圧器や溶接機 産業用ロボット 半導体 ＦＰＤ製造 また 製品開発面においても全事業で環境配慮 りました当 社

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

参考 :SWITCH モデルの概要 SW ITCH モデル は既存の発電所 系統 需要データを基にして 各地域における将来の自然エネルギーの普及 ( 設備容量 ) をシミュレーションし 発電コストや CO 排出量などを計算するモデルです このモデルでは さらに需要と気象の時間変動データから 自然エネ

第 章 日本版 SWITCH モデルによる 00 年需給構造の評価 電力需給モデルによるエネルギーシナリオの分析本章では 自然エネルギー財団が提案する 00 年度のエネルギーシナリオ (JREF シナリオ ) の実現可能性やコストを分析します このシナリオの分析には 発電所 需要地 系統等情報によって構成される電力需給モデル SWITCH-Japan モデル を用いました SWITCH-Japan

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

USER'S GUIDE

AC/DC Converter 非絶縁降圧型 PWM 方式 2W -12V 出 BM2P129TF 評価ボード 評価ボードは 90Vac 264Vacの から-12Vの負電圧を出 します 出 電流は最 0.167Aを供給します 650V MOSFET 内蔵 PWM 方式 DC/DCコンバータICのBM2P129TFを使用しています BM2P129TFは 650V 耐圧起動回路内蔵により 低消費電 に貢献します

圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて

圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type

FANUC i Series CNC/SERVO

+ Series CNC/SERVO * * 2 * * 3 Series 0+-MODEL F * * * Series 30+/31+/32+/35+-MODEL B * Power Motion +-MODEL A * PANEL +H * PANEL +H Pro * MT-LINK+ * MT-LINKi 4 サーボラインアップ @*-B series SERVO α*-bシリーズサーボは

形式 :WYPD 絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着

絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着取付可能 アプリケーション例 フィールド側のパルス信号を直流的に絶縁してノイズ対策を行う パルス出力の種類を変換 ( 例

出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F

低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F

Fig. 1. Relation between magnetron anode current and anode-cathod voltage. Fig. 2. Inverter circuit for driving a magnetron. 448 T. IEE Japan, Vol. 11

High Frequency Inverter for Microwave Oven Norikazu Tokunaga, Member, Yasuo Matsuda, Member, Kunio Isiyama, Non-member (Hitachi, Ltd.), Hisao Amano, Member (Hitachi Engineering, Co., Ltd.). Recently resonant

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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

総合仕様

Dell Inspiron 300/400 仕様 本書には セットアップ ドライバのアップデート およびコンピュータのアップデートの際に必要となる可能性がある基本情報が記載されています メモ : 提供される内容は地域により異なる場合があります コンピュータの設定に関する詳細については スタートとサポートをクリックし お使いのコンピュータに関する情報を表示するためのオプションを選択してください ヘルプ

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

PQ200WN3MZPH

小型面実装型低損失レギュレータ 特長 () 出力電流 :ma () 高耐圧 in(max)= () 低消費電流 ( 無負荷時消費電流 :MAX.mA OFF 時消費電流 :MAX.μA) ()ON/OFF 機能内蔵 () 過電流保護 過熱保護機能内蔵 ()ASO 保護機能内蔵 (7) セラミックコンデンサ対応 ()RoHS 指令対応品 用途 ()FPDテレビ ()DDレコーダ () デジタルSTB

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2 ... 2... 3... 5... 6 1... 7 1-1... 8 1-1-1... 8 1-1-2... 9 1-2... 10 1-3... 11 1-4... 11... 16 2-1PPS... 17 2-1-1PPS... 17 2-1-2... 20 2-2... 23 2-2-1... 23 2-2-2... 25... 29 3-1... 30 3-1-1... 30 3-1-2...

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt

0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

TC7WT126FU

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)

LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

電子回路I_8.ppt

電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

発電単価 [JPY/kWh] 差が大きい ピークシフトによる経済的価値が大きい Time 0 時 23 時 30 分 発電単価 [JPY/kWh] 差が小さい ピークシフトしても経済的価値

差が大きい ピークシフトによる経済的価値が大きい 3 3 4 4 時 23 時 3 分 差が小さい ピークシフトしても経済的価値が小さい 3 3 4 4 時 23 時 3 分 電力使用量を調整する経済的価値を明らかに ~ 発電コストの時間変動に着目した解析 制御技術を開発 ~ ポイント 電力需要ピーク時に電力使用量を調整するデマンドレスポンスは その経済的価値が明らかになっていなかった デマンドレスポンスが費用対効果を最大化するための制御技術を新たに開発

研究の背景 世界のエネルギー消費量は年々増加傾向にあり, 地球規模のエネルギー不足が懸念さ れています このため, 発電により生み出したエネルギー ( 電力 ) の利用の更なる高効 率化が求められており, その鍵は電力制御を担っているパワーデバイス ( 6) が握っ ています 現在主流である Si(

News Release 平成 30 年 4 月 27 日 各報道機関文教担当記者 殿 水蒸気とニッケルを用いた非プラズマプロセスによるダイヤモンドの高速 異方性エッチング技術を開発 金沢大学理工研究域電子情報通信学系の德田規夫准教授, 大学院自然科学研究科電子情報科学専攻博士後期課程の長井雅嗣氏らの研究グループ ( 薄膜電子工学研究室 ) は, 国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイスチームの牧野俊晴研究チーム長,

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM