（微細加工）使用料算出表_ のコピー.xlsx

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とよみりゅうとう
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1 1 マスクアライナキャノン社製 PLA-501(S) 4,600 5,700 1,000 2 電子線描画装置日本電子社製 JBX6000SG 3 CAD セイコーインスツルメンツ社製 SX-0 4 反応性イオンエッチング装置サムコ社製 RIE-1C 5 イオン注入装置日新電機社製 NH-20SR-WMH 4,500 6,000 1, 2, 6 X 線光電子分光装置 VG 社製 ESCALAB210 7 走査型電子顕微鏡日本電子社製 JSM-6301F 1,000 4, 5,700 1,000 1,200 8 電気炉光洋リントハーク社製 MODEL ,600 6,600 2,000 2,500 9 急速加熱処理装置 AG Associates 社製 Heatpulse610 1,200 3,0 4,100 1,200 1,0 1, 10 ドラフトチャンバーダルトン社製 11 薄膜 X 線回折装置 RIGAKU 社製 ATX-G 3, 4, 1,300 2, 原子間力顕微鏡 Bruker 社製 AXS Dimension3100 1,000 3,300 4,000 1, 元マクネトロンスハッタ装置 1,0 5,200 6,0 1,0 2, 元 MBE 装置 1, 5,600 6, 1, 2,000 2, 15 ECR-SIMS エッチング装置 4,700 5, 1,

2 16 3 元マクネトロンスハッタ装置島津製作所製 HSR-522 1,300 3,600 4,600 1,300 2, 露光プロセス装置一式ユニオン光学社製 PEM 0 1, 2, エッチングプロセス一式 ACCULINE 社製 QZ-B 薄膜プロセス一式芝浦メカトロニクス社製 CFS-4ES 薄膜プロセス一式日本パリレン合同会社製 PDS (3) 薄膜プロセス一式 (3) 三鷹光器社製 NH-3N 20 透過型電子顕微鏡日本電子社製 JEM-2100K 21 集束イオンヒーム装置 SII NanoTechnology 社製 SMI レーザー描画装置 Heidelberg Instruments 社製 DWL66FS 2, 1,200 1, フォトリソクラフィ装置 23 ウシオ電機社製マルチライトML251A/B 共和理研社製スヒンナー K-359SD-1 3,000 4,000 1, 分子線エヒタキシー装置エイコーエンシニアリンク社製 2,600 6,000 8,000 2,600 3,000 4,600 ( ) 内は1 日あたりの料金 (20,) (47,) (63,) (20,) (23,) (36,) 電子ビーム蒸着装置 25 3,100 3, 1,200 アルバック社製 EBX-10D 26 スハッタ絶縁膜作製装置 MESアフティ社製 AFTEX ,300 5,200 1,300 1, 27 ICPエッチング装置アルバック社製 CE-300I 3,0 4,200 2,0 ( ) 内は 1 回あたりの料金試料を高真空中に保持し作製 ( 約 8 時間 ) する場合 (18,200) (,600) (47,300) (18,200) (20,) (26,700)

3 28 RIE エッチング装置サムコ社製 RIE-10NR 3,100 1, 走査型電子顕微鏡日立ハイテクフィールティンク社製 S5200 4,700 1, 2, 段差計アルバック社製 Dektak ,200 2, 超高密度大気圧フラスマ装置富士機械製造 ( 株 ) 社製 500 2,0 2, 超高密度液中フラスマ装置 NUシステム社製 500 2,0 2, 大気圧 IAMS( イオン付着質量分析器 ) キャノンアネルハ社製 5,500 6,300 1, 2, 真空紫外吸収分光計 ( 原子ラシカルモニター ) NU システム社製 2, 6, 7,700 2, 3, In-situ 電子スピン共鳴 (ESR) Bruker 社製 EMX Premium X 4,300 5,000 1, 2, 二周波励起フラスマエッチンク装置 37 60MHz 励起フラスマ CVD 装置東京エレクトロン社製 38 ラシカル計測付多目的フラスマフロセス装置 4,100 5,000 1, 2, レーザー描画装置 Heidelberg 社製 DWL66 utas 交番磁界勾配型磁力計 4, 5,700 1,200 振動試料型磁力計 4,600 5,0 1,000 1,300 (3) (3) トルク磁力計 4,600 5,0 1,000 1,300

4 (4) (4) 磁気光学スペクトロメータ 4,600 5,600 1, マスクアライナ一式 Suss MicroTec AG 製 MA-6 マスクアライナ一式 Suss MicroTec AG 製 MJB-3 2,200 8, 10,300 2,200 2,500 1,200 10,300 11, 1,200 1,300 3, (3) マスクアライナ一式 (3) ナノテック製 LA410 1,000 10, ,000 1, スプレーコーター一式サンメイ製 DC110 8, 10,200 1, 2,300 レーザ描画装置一式 43 3,000 8,600 10,000 3,000 3,0 4,100 Heidelberg 製 mpg101-uv スパッタリング装置一式 44 3, 7, 9,200 3, 4,0 5,300 キャノンアネルバ製 E-200S 次元レーザリソグラフィシステム一式 Nanoscribe 製フォトニックフロフェッショナル 3 次元レーザリソグラフィシステム一式 KISCO 製 SCLEAD3CD2000 2,500 7,300 8, 2,500 2, 600 5,600 6, ,000 光三次元造形装置一式 46 Object 製 EDEN250 ナノインプリント装置一式 47 8,000 9,0 2,300 SCIVAX 製 X-300 BVU-ND パリレンコーティング装置一式 , 5, KISCO 製 DACS-LAB 小型微細形状測定機一式 49 1,200 小坂研究所製 ET200 6,200 7,100 1,200 1,300 蛍光バイオイメージング装置一式 50 共焦点レーザ顕微鏡システムニコン製 1,000 5, 7,100 1,000 1,200 A1Rsi-N ICPエッチング装置一式 51 10,100 17,100 19, 10, ,600 サムコ製 RIE-

5 ECRスパッタリング装置一式 52 6, 8,000 1,000 1,0 エリオニクス製 EIS-230S 電鋳装置一式 53 日立協和エンシニアリンク製 HIKEP-M 高精度電子線描画装置一式 54 3,600 9,100 10,600 3,600 4,200 5,100 日本電子製 SPG-724 SEM 用断面試料作製装置 ,600 9, 700 JEOL 製 SM デジタルマイクロスコープ一式 56 1,000 5,600 6,600 1,000 KEYENCE 製 VK-9700 電子線露光装置 57 3,000 5,300 7,200 3,000 3,500 5,100 日本電子社製 JBX6300FS フェムト秒レーザー加工分析システム 58 1, 4,000 5,300 1, 2,200 3,300 UFL-Hybrid X 線光電子分光装置 59 2, 5, 6, 2, 3,300 4,000 KRATOS 社製 AXIS-HSI フーリエ変換赤外分光分析装置 60 4, 5,700 1,200 日本分光社製 FT/IR-615V 型 ICPエッチング装置一式 61 エリオ二クス製 EIS-700 プラズマCVD 装置 62 1,0 5,500 6,600 1,0 2,300 サムコ製 PD-2 ダイシングソー装置 63 2,600 6,600 7,600 2,600 3,000 3,600 NUシステム製 NU-CCP/ALD リアクティブイオンエッチング装置 64 4, , 4,000 4,600 5,500 サムコ製 RIE-10N プラズマ支援原子層堆積装置 65 2,0 5,200 6,100 2,0 2,700 3, NUシステム製 NU-CCP/ALD 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 NUシステム製 NU-RC/Cl-Etch 2,700 5,700 6,600 2,700 3,100 3,

6 表面解析プラズマビーム装置 67 NUシステム製 LIA-Plasma Beam/CF&Cl 4,000 6,700 9,100 4,000 4,600 6,700 System in-situプラズマ照射表面分析装置 68 3,300 6,300 7, 3,300 3, 5,000 0 走査型イオン顕微鏡 69 0 原子間力顕微鏡 ,000 4, 日本 Veeco 製 NanoMan VS-1N デジタルマイクロスコープ一式 71 3, 4,0 KEYENCE 製 VK-9510 透過型電子顕微鏡 72 JEM2100 Deep Si Etcher 73 8,600 14,100 16,700 8,600 9, 11, 住友精密工業製 Multiplex-ASE 走査型電子顕微鏡 74 1,300 3,500 4,300 1,300 2,000 日立ハイテクフィールディング社製 S4300 X 線光電子分光装置 75 2,200 5,000 6,200 2,200 2,500 3,0 VG 社製 ESCALAB マルチマテリアル 3D プリンタ 3D systems 社製 ProJet5500X 3,000 6,500 7, 3,000 3,500 4,500 研究成果非公開使用料は共用機器 1 時間あたりのオプション料金であり別途加算する上記共用機器使用料は文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 ( 微細加工 ) の採択により軽減されております令和 4 年 3 月 31 日の事業終了後は通常の料金設定となります上記金額は全て消費税改定前 (H31.4.~R1.9) の料金 Ⅱ 算出内訳別紙 1 のとおり Ⅲ 項目別算出基礎別紙 2 のとおり Ⅳ 解析手数料 (1 時間当たり ) 解析手数料学外者非営利法人営利法人 5, 6,500 Ⅴ 算出基礎別紙 3 のとおり

C ナノ材料分析評価装置 C1 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 4,830 円加工評価室 1 C2 分析走査電子顕微鏡 6,720 円加工評価室 1 C3 高速液中原子間力顕微鏡 ( 株 ) 生体分子計測研究所 2,570 円加工評価室 2 C4 走査型プローブ顕微鏡システム 2,

C ナノ材料分析評価装置 C1 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 4,830 円加工評価室 1 C2 分析走査電子顕微鏡 6,720 円加工評価室 1 C3 高速液中原子間力顕微鏡 ( 株 ) 生体分子計測研究所 2,570 円加工評価室 2 C4 走査型プローブ顕微鏡システム 2, 表 1-1. 装置等の利用負担金表 ( 学術研究機関の利用学術研究機関との共同研究による企業のナノテクノロジープラットフォーム事業に基づく利用中小企業 ( 5) のナノテクノロジープラットフォーム事業に基づく利用 ) 新利用料金消費税込み :2017 年 4 月 1 日から適用装置等利用料金設置場所装置群 No. 機器名メーカ名 ( 一時間当り ) A1 高速高精度電子ビーム描画装置