レベルではよく分かっていない. このメカニズムの解明には, 垂直配向膜表面の異方性評価手法が必要である. 薄膜表面の異方性を評価する手法として,SHG( 第二高調波発生 ) SFG( 和周波発生 ) 分光,NEXAFS(X 線吸収端微細構造 ),IR-RAS( 高感度反射型赤外分光 ),SARS(
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- ともみ あきくぼ
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1 光第二高調波発生を用いた液晶配向膜における表面配向特性の解析 Characterization of Surface Orientation of Liquid Crystal Alignment Layer by Optical Second Harmonic Generation *1 村上嘉崇 Yoshitaka Murakami *2 岡田敬 Takashi Okada Second harmonic generation (SHG) of rubbed side-chain polyimide (PI) alignment films with various pretilt angles has been observed to study the surface anisotropy characteristics. SHG interference patterns with four configurations P in /P out, P in /S out, S in /S out and S in /P out of PI films with different steroid chains were observed. In case of the lower pretilt angle PI films, anisotropy which was not observed before rubbing appeared. In order to estimate the second order nonlinear susceptibility χ (2) ijk elements, the SHG data were fitted with theoretical SHG intensity as a function of the sample rotational angle around its surface normal. The average polar tilt angle of the rubbed low pretilt angle PI chains was determined to be around 16 degrees. The results suggest that pretilt angles of liquid crystal are affected by orientational structure of an alignment layer polyimide surface. 1 はじめに 液晶ディスプレイ ( L C D ) は現在, 大型テレビやスマー トフォンなどに広く用いられている表示デバイスであり, 我々の生活に不可欠な存在である.LCD における表示画 素のオン オフは,2 枚の直交した偏光板の間を通る光の 直線偏光方向を, 誘電率異方性を有した液晶分子の配向 を電圧により変化させ, 制御している. 液晶分子の駆動 方式としては, 基板面に平行な IPS(In-Plane Switching) や FFS(Fringe Field Switching) と, 基板面に垂直な VA (Vertical Alignment) が代表的であり, 大抵の LCD はど ちらかの配向を利用している.LCD の駆動モードに適し た液晶分子の配向方位を規定するために重要な役割を果 たしているのが, その上下界面に存在している液晶配向 膜である. 液晶配向膜は, 数十 nm 程度のポリイミド薄膜 であり, 液晶配向制御以外に, 電圧保持率などの電気特 性や長期使用に耐える信頼性等が要求されるため, 精密 * 年入社ディスプレイソリューション研究所 * 年入社ディスプレイソリューション研究所 な分子設計が求められる材料である 1). 液晶配向制御は, 配向膜最表面の分子設計が必要であり, 樹脂 薄膜のバルク物性の寄与が大きい電気特性や信頼性とは異なり, 薄膜表面の配向メカニズムを理解した材料設計が求められる. 液晶配向膜の界面に存在する液晶分子の配向を制御するメカニズムとして, 液晶分子が溝に沿って配向する排除体積効果, 表面自由エネルギーや最表面の高分子構造と液晶分子との van der Waals 力を主とした分子間相互作用が提案されている 2),3). 一方で, 近年,LCD の高精細化や高輝度化の需要に対応するため, 安定した液晶のプレチルト角の発現がより求められている. 液晶プレチルト角とは, 液晶配向軸に沿った液晶分子の長軸と配向面とのなす角度であり,LCD の表示特性に大きく影響する. 垂直配向膜の場合, ポリイミドに剛直な環状構造, 長鎖アルキル基やフッ素含有基などを含む疎水性側鎖を導入し, ラビング処理により表面側鎖に異方性配向を付与することでプレチルト角が発現される 4),5). しかしながら, 液晶プレチルト角の発現メカニズムは, 最表面を構成する分子 JSR TECHNICAL REVIEW No.125/2018 1
2 レベルではよく分かっていない. このメカニズムの解明には, 垂直配向膜表面の異方性評価手法が必要である. 薄膜表面の異方性を評価する手法として,SHG( 第二高調波発生 ) SFG( 和周波発生 ) 分光,NEXAFS(X 線吸収端微細構造 ),IR-RAS( 高感度反射型赤外分光 ),SARS( 表面増強ラマン散乱 ),AFM( 原子間力顕微鏡 ) などが提案されている 6) 9). これらの中で, 垂直配向膜では最表面選択性と測定感度が重要であるため,SHG SFG 分光法が適している. 本研究では, プレチルト角が異なる垂直配向膜の SHG を用いた表面配向特性の解析を実施した. これまでに著者らは, 安定性と電気特性の面からステロイド骨格導入ポリイミドを開発し, 側鎖構造と導入量, ラビング条件により液晶プレチルト角度を 3 から90 の範囲で制御できることを見出した 10). 側鎖と液晶分子の相互作用に由来した現象であると推測されるが, そのメカニズムは理解できていない. 今回, 構造の異なるステロイド骨格を導入した, 高プレチルト角と低プレチルト角の 2 種類のポリイミドをモデル樹脂に用いて, 配向膜表面の配向性と液晶プレチルト角の関係を明らかにすることを目的として,SHG により表面異方性を解析した. 2 SHGについて 2.1 薄膜表面の配向性評価法分子の配向性を評価する手法としては, 一般的に偏光を用いた分光分析法が用いられている. 代表的な配向性評価法を図 1に示す. 液晶配向膜の配向性評価において, 表示性能を支配している薄膜表面の配向性を選択的に評価することが重要である. 従来の一般的な分析手法では, 薄膜表面とバルクの分子構造の違いを区別することは困難であったが, 近年になりNEXAFS や非線形光学効果 (NLO) を利用した SHG SFG を用いた配向膜 / 液晶の表面 / 界面における分子配向性解析が報告されている 9),11). NEXAFSとSHG SFG を比較した場合, 薄膜最表面の界面選択制において,NLOの方が優れている.NEXAFS は,X 線の染み込みの影響が出るため, 試料表面近傍の数 nmから飛び出す光電子を検出している. これに対して, NLOは, 対称性が壊れる表面や界面でのみ発生し, 最表面の異方性評価を選択的に評価することが可能であり, 表面選択性と測定感度に優れている. 2.2 SHG 法 2 次の非線形光学効果であるSHG は, わずかな対称性の崩れにも敏感であるため, 界面や単分子膜の分子配向解析に広く用いられている. 線形光学現象において, 電場 E の印加に応答して, 誘電体に分極 P が誘起される. ここで,χは電気的感受率,ε 0 は真空の誘電率である. 光の周波数 ωに応答した分極が誘起されることを示す. P=ε 0 χ (1) E これに対して, レーザーなどの強い光が入射した場合, 分極は電場に比例しなくなり, 電場の2 次,3 次に比例する非線形光学応答が起こることが知られている. 次式の右辺第一項は線形分極, 第二項以降は非線形分極を表している. (2) (3) Ρ=P L +P NL +P NL + = ε 0 χ (1) E+ε 0 χ (2) :EE+ε 0 χ (3) :EEE+ χ (n) はn 次の非線形感受率であり,n+1 階のテンソルである.E n に比例する現象を n 次の非線形光学効果と呼ぶ. 対称性を持つ系では偶数項が現れず, 反転対称性のない系では第二項に由来する非線形光学効果が観察される. そのため,2 次の NLOである SHGは表面 / 界面選択性が高い 12). SHGは, 周波数 ωの光を媒質に入射した時,2 倍の周波数の光が発生する現象である 13). この現象は, 状態間遷移ではなく, 瞬時の仮想的な準位を介した過程であると解釈される. 瞬間的に 2 個の光子を取り入れ, エネルギーを結合した 1 個の光子を放出する 14). 反転対称性がなく, 異方性を有した液晶配向膜表面は SHG 活性である. さらに, 入射光及び出射光の偏光をP 及びSの2パターンずつ計 4 パターン測定とSHG 強度の方位角依存性を組み合わせることで,3 次元の配向ベクトルを評価することができる. 3 実験 Figure 1 Anisotropic analysis methods of thin film surface. 3.1 ポリイミド前駆体溶液の作製窒素下,500 ml 二口フラスコに,1, 4-Phenylenediamine(10.30 g, 95.2 mmol) とside-chain diamine(40.8 mmol) をN-methyl-2-pyrrolidone(NMP)240 gに溶解した後,2, 3, 5-tricarboxycyclopentyl acetic dianhydride (23.36 g, mmol) を60 で3 時間反応した.NMPと 2 JSR TECHNICAL REVIEW No.125/2018
3 Scheme 1 Synthesis of PAA and PI. Scheme 2 Side-chain diamines(h 2 N-X-NH 2 ). ethylene glycol monobutyl etherを加えて 3.5 wt% 溶液を調製した後,0.20 μmテフロンフィルターでろ過することで, ポリイミド前駆体 (PAA) 溶液を作製した. 本研究に用いたポリイミド前駆体の化学構造をスキーム2に示す.side-chain diamineとして, 上記構造式のジアミン A とBを使用して,PAA-A とPAA-B を合成した. 3.2 ポリイミド薄膜の作製とラビング処理ポリイミド前駆体溶液 2 種をそれぞれ ITOガラス基板上にスピンコートし, ホットプレートを用いて 80 で乾燥した. その後, 分の熱処理をクリーンオーブンで行いポリイミド薄膜を作製した. 薄膜の膜厚は, 熱処理後 80 nmになるように調整した. ラビング処理は, ナイロンの布を用いて, 布の押し付け圧 0.4 mm, ステージ速度 30 mm/sec, ローラー回転速度 400 rpmの条件で一回実施した. ジアミン AとBを用いたラビング前後のポリイミド薄膜をそれぞれ PI-A, PI-A-rubとPI-B, PI-B-rub とする. 3.3 ポリイミド薄膜の評価と液晶プレチルト角の測定液晶配向膜の表面状態は,AFM(Bruker 社製 Dimension Fast Scan) を用いて, タッピングモードで測定した. 液晶プレチルト角は, 液晶セルを作製して, 偏光解析装置 ( シンテック社製 OPTIPRO) を用いて測定した.PI-ArubとPI-B-rubのセル組したテストピース ( 以下, 液晶セルと表記 ) の液晶プレチルト角は,90 と10 であった 10). 3.4 SHG 測定図 2 に示すように,Nd:YAG レーザシステムを用い光子 Figure 2 Experimental optical schematic diagram for SHG measurement. PMT and HWP represent photomultiplier and half wave plate, respectively. エネルギー 2.33 ev の光パルス ( 波長 532 nm, パルス 幅 30 ps) を液晶配向膜のみのサンプルに偏光板を用いて P in /P out,p in /S out,s in /P out,s in /S out の 4 パターンで偏光照射し, 表面から発生する 4.66 ev の SHG(266 nm) を測定した. サンプルは回転台にラビング方向と励起光ビームの方向 が一致するときを 0 として固定し, そこから 10 刻みに 1500 パルスずつ照射しながら 360 回転させ SHG を測定し た. 各方位角 SHG 強度パターンから 2 次の非線形感受率 χ (2) ijk を求め,SHG の起源を考察した. 4 結果と考察 4.1 ラビング処理前後の表面構造 高 低プレチルト角配向膜 (PI-A,PI-B) のラビング処 理前後の表面形状を AFM で測定した結果を図 3 に示す. 両者のサンプルに明確な差異は, 見られなかった. 配向 膜表面の膜構造に有意差が見られなかったことから, 液 晶セルの液晶プレチルト角は, ポリイミド側鎖の密度と配 向方位の影響を受けていると考えられる. JSR TECHNICAL REVIEW No.125/2018 3
4 Figure 3 Tapping mode AFM morphologies of the surface of(a)pi-a-rub and(b)pi-b-rub. 4.2 ラビング処理前後の異方性変化 図 4 に,PI-A と PI-B のラビング前後の P in /P out の SHG 異 方性強度の方位角依存性を示す. 高プレチルト角の PI-A は, ラビング前後において,SHG 強度の回転依存性が見 られないことから, 液晶配向膜表面の分子構造の配向は 面内で対称であることがわかる. これに対して, 低プレ チルト角の PI-B-rub は, ラビング後に SHG 強度の異方性 が観察された. この結果は,PI-B がラビングにより, 液 晶配向膜に異方性が付与されたことを示唆している. SHG は対称が崩れた界面から現れるが, ラビング前の状 態では異方性が現れていないことから, 基板界面ではな く, 液晶配向膜の PI 表面での SHG 活性であることがわか る. さらに, ラビング処理の影響は, 表面 10 nm 程度で あることが知られている 15). ラビング後の PI-A-rub は Figure 4 Optical SHG results from the unrubbed and rubbed polyimide thin layer surface as a function of the sample rotational angle around its surface normal. The input-output polarization combination is P in /P out.( a )P I - A ;( b ) PI-A-rub;(c)PI-B;(d)PI-B-rub. SHG 活性がなかったことから, ポリイミド主鎖ではなく, 側鎖構造の違いが寄与していると考えられる. 4.3 液晶配向膜表面の配向解析液晶配向膜表面の配向解析を実施するため, プレチルト角が発現した PI-Bのラビング前後の P in /P out,p in /S out, S in /P out,s in /S out の4パターンで偏光条件のSHG 強度の方位角依存性を測定した ( 図 5). ラビング前のPI-BのP in / P out とS in /P out の測定では方位角依存性はみられず,P in / S out,s in /S out では信号強度が非常に小さくラビングしていない試料の測定結果では異方性は見られなかった. この結果は, 分子配向が全体として面外方向に向いているが, 面内ではランダム方向を向いていることを意味している. ラビング後の PI-B-rubでは, 前述の通り異方性が見られた. ラビングの方向は,180 から0 に向けてである. このラビング方向に対して対称, それと直交する方向では非対称なパターンが得られた. つまり, ラビング方向に沿った入射電場に対してSHG 強度が強くなり, 異方性が発現していることが明らかになった. PI-B の側鎖を含んだポリマー鎖は, ジグザグ構造をとっていると考えられる. ラビング処理前のポリマー鎖はランダム配向し, その中の側鎖は疎水性が強いため液晶配向膜の表面に集積しやすい. ラビング処理によって側鎖が倒れ, その結果, 図 6に示すように膜面に垂直な方向 ξから平均的に側鎖部分がラビング方向に傾いていると推測される.pi-b のジグザグ構造はPI-Aよりも柔軟であるため, ラビング処理による構造変化を可能にしたと考えられる. SHG 強度の方位角依存性の実験結果から,PI-B-rubの分子配向がラビング方向に傾いていると仮定して,2 次の非線形感受率のχ (2) 成分を解析し, 分子配向角度を算出した. このχ (2) 成分から, 液晶配向膜表面の側鎖を含んだジグザグ構造のラビング方向傾きである極角を定量的に見積もった. その結果, ラビング方向におよそ θ=16 から 18 だけ傾いていることが示された. 側鎖含有ジアミン構造の違いにより, 液晶配向膜の配向性に差異が現れ, それが液晶プレチルト角に影響していることが明らかになった. 数値解析の詳細については, 著者らの論文を参照されたい 16). 他方,SHG から得られた単膜の極角 (θ=16 から 18, プレチルト角では 74 から 72 ) と液晶セルの液晶プレチルト角 (10 ) には, 差異があった.PI-B-rubから発生した SHG は, 側鎖ジアミン根本の主鎖構造に近い芳香環の影響を含んでいるのに対して, 液晶セルでは側鎖との相互作用を含む液晶の傾きを評価している. そのため,SHG 4 JSR TECHNICAL REVIEW No.125/2018
5 Figure 5 Optical SHG results from the unrubbed and rubbed polyimide thin layer surface of PI-B as a function of the sample rotational angleψaround its surface normal. The input-output polarization combination are(a)p in /P out,( b ) P in /S out,(c)s in /P out, a n d( d )S in /S out. The solid thin curves are the theoretical fits, and the black dots are experimental results. The angleψis defined to be zero when the direction of the wave vector component of the incident light wave parallel to the substrate is in the rubbing direction. 謝辞北陸先端科学技術大学の水谷五郎教授から, 測定と解析から結果の解釈に関し, 多くのご協力とご助言を頂き, 深く感謝致します. Figure 6 Schematic model of the rubbing effect of the polyimide with steroid side chain. による配向性評価では, 液晶と相互作用するステロイド 側鎖の配向角を厳密には評価できていない. 今後の課題 は, 液晶配向膜最表面に存在する側鎖の配向性を解明し, 表面異方性と液晶プレチルト角発現メカニズムを解明す ることであると考えている. 5 まとめ SHG による液晶配向膜表面の配向性評価と解析結果を 報告した.SHG の特徴である, 異方性評価の表面選択性 と感度を活かし, 液晶配向膜表面の配向性解析に有用な 情報が得られることを示した. ポリイミドの側鎖含有ジア ミン構造の違いにより, 液晶配向膜の配向性に差異が現れ, それが液晶プレチルト角に影響していることが明らかにな った. 今後は, 側鎖構造や側鎖量を変更したサンプルを用 いて, 液晶プレチルト角と表面配向性の関係性の理解を深 めることにより, 液晶配向膜の分子設計にフィードバック できることが期待される. 発表先 第 27 回光物性研究会 2016 年 e-journal of Surface Science and Nanotechnology 15, 7-12(2017) 11th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 年 第 72 回日本物理学会年次大会 2017 年 日本物理学会秋季大会 2017 年引用文献 1) N. Koide: The Liquid Crystal Display Story, 50 Years of Liquid Crystal R&D that lead The Way to the Future, Springer, Tokyo,(2014). 2) J. Stohr and M. G. Samant: J. Elec. Spect. Reltd. Phenm., 189, 98-99(1999). 3) J. Y. Huang, J. S. Li, Y. S. Juang and S. H. Chen: Jpn. J. Appl. Phys., 34, 3163(1995). 4) M. Nishikawa, T. Miyamoto, S. Kawamura, Y. Tsuda, N. Bessho, D.-S. Seo, Y. Iimura, and S. Kobayashi: Mol. Cryst. Liq. Cryst., 258, 285(1995). 5) Y. J. Lee, J. G. Choi, I-K Song, J. M. Oh, M. H. Yi: Polymer, (2006). JSR TECHNICAL REVIEW No.125/2018 5
6 6) H. Sano, J. Saito, J. Ikeda, G. Mizutani: J. Appl. Phys., 100, (2006). 7) A. B. El Basaty, Y. Miyauchi, G. Mizutani, T. Matsushima, H. Murata: Appl. Phys., Lett. 97, (2010). 8) J. J. Ge, C. Y. Li, I. K. Mann, D. Zhang, S.-Y. Wang, F. W. Harris, S. Z. D. Cheng, S.-C. Hong, X. Zhuang, Y. R. Shen: J. Am. Chem. Soc., 123, 5768(2001). 9) C.-Y. Chen. W.-T. Liu, P. Pagliusi, Y. R. Shen: Macromolecules, 42, 2122(2009). 10)M. Nishikawa: J. Photopolym. Sci. Technol., 24, 317 ( ). 11) 冨永哲雄, 木村雅之, 川上浩之, 滝沢優難, 難波秀利 : JSR テクニカルレビュー, 117, 9(2010). 12)O. Masahito: Ekisho, 15, 245(2011). 13)P.-F. Brevet: Surface Second Harmonic Generation Presses polytechniques et universitaires romandes, Lausanne,(1997). 14)F. Araoka: Ekisho, 20, 49(2016). 15) 冨永哲雄 : 日本接着学会誌, 49, 4 0 9( ). 16)M. S. Ullah, S. Asai, Y. Inomata, K. T. T. Hien, G. Mizutani, Y. Murakami, T. Okada: e-j. Sur f. Sci. Nanotech., 15, 7( ). 6 JSR TECHNICAL REVIEW No.125/2018
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( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続
2018/6/12 表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位 1. ショックレー状態 ( 準位 ) 2. タム状態 ( 準位 ) 3. 鏡像状態 ( 準位 ) 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテン
表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位. ショックレー状態 ( 準位. タム状態 ( 準位 3. 鏡像状態 ( 準位 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテンシャル e F z ( z z e V ( z ( Fz dz 4z e V ( z 4z ( z > ( z < のときの電子の運動を考える
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
(MIRU2008) HOG Histograms of Oriented Gradients (HOG)
(MIRU2008) 2008 7 HOG - - E-mail: [email protected], {takigu,ariki}@kobe-u.ac.jp Histograms of Oriented Gradients (HOG) HOG Shape Contexts HOG 5.5 Histograms of Oriented Gradients D Human
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 QOBU1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
化学結合が推定できる表面分析 X線光電子分光法
1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
パナソニック技報
Liquid Crystal Display Technology for Realizing Contrast Ratio of 1 million to 1 Katsuhiro Kikuchi LCDLiquid Crystal Display IPSIn-Plane Switching-LCD 2100:1 IPS-LCDIPS-LCD50 20:1 Realization of Liquid
Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】
報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授
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2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
自然現象とモデル_ pptx
光と物質の相互作用入門 統合自然科学科 深津 晋 The University of Tokyo, Komb Grdute School of Arts nd Sciences 0. 光は電磁波 振動しながら進行する電磁場 波長 λ γ線 0.1nm 10 nm 380 nm 780 nm 1 µm 10 µm 100 µm 1mm 1cm 1 m 1,000 m 単位の変換関係 X線 真空紫外 深紫外
Fig. 3 Flow diagram of image processing. Black rectangle in the photo indicates the processing area (128 x 32 pixels).
Fig. 1 The scheme of glottal area as a function of time Fig. 3 Flow diagram of image processing. Black rectangle in the photo indicates the processing area (128 x 32 pixels). Fig, 4 Parametric representation
「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型
Influence of Material and Thickness of the Specimen to Stress Separation of an Infrared Stress Image Kenji MACHIDA The thickness dependency of the temperature image obtained by an infrared thermography
年次大会原稿最終.PDF
Structural Analysis of Coating Layer Containing Plastic Pigments Yoko Saito, Hideki Touda, Junji Kasai ZEON Corporation Hitomi Hamada, Toshiharu Enomae, Fumihiko Onabe The University of Tokyo Recently,
昆虫と自然 2010年12月号 (立ち読み)
食糞性コガネムシの輝く色 構造色のメカニズム 赤嶺 し Seago et al. 5 真由美 近 雅博 は上記の単純 な多層膜による干渉とは異なる 干渉メカニズム circularly polarizing reflectors もこの範疇 に含めている このことについ ては後述する 2 Three-dimensional photonic crystals は 密に集まったオパー ルに類似した六角形の配列ある
銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果
トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved
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分子組織科学特論講義 2 色づく分子組織体 円偏光について 甲虫の表皮 液晶 コレステリック液晶 コレステリック液晶の分子配列を固定する 制御する 分子組織化による色の応用 円偏光は 電場ベクトルの方向がらせんを描いて回転する光である 位相を 4 分の 1 波長変化させる 1/4 波長板に 45 度で直線偏光を通すことで円偏光は作られる 逆に 円偏光を 1/4 波長板に通すことで直線偏光が得られる.
75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4)
3 * 35 (3), 7 Analysis of Local Magnetic Properties and Acoustic Noise in Three-Phase Stacked Transformer Core Model Masayoshi Ishida Kenichi Sadahiro Seiji Okabe 3.7 T 5 Hz..4 3 Synopsis: Methods of local
<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>
技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering
2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å
MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]
Development of Induction and Exhaust Systems for Third-Era Honda Formula One Engines Induction and exhaust systems determine the amount of air intake
Development of Induction and Exhaust Systems for Third-Era Honda Formula One Engines Induction and exhaust systems determine the amount of air intake supplied to the engine, and as such are critical elements
社会学部紀要 118号☆/6.藤原
March 4 3 989 98 988 0 990 03 9 9 97 3 98 988 9890 03 0 9 97 97 2 4 4 4 2 9 69 9 97 74972 68 8 9 96 97 98 99 960 March 4 96 962 D 963 964 96 8 2 966 8 if MASH 967 968 0 97 972 969 970 March 4 973 974 97
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
(Microsoft PowerPoint - \201\232\203|\203X\203^\201[)
[ 2Pf012 ] 溶液ラジカル重合における末端変性アクリル系ポリマーの合成 Synthesis of terminal-modified acrylic polymers by the solution polymerization with radical initiators. ( 株 )DNP ファインケミカル 西馬千恵 清水圭世 竹岡知美 有富充利 顔料分散体 インクジェットインクやカラーフィルタ用レジストなどの顔料分散体が優れた性能を発揮するためには
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として1 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
Decomposition and Separation Characteristics of Organic Mud in Kaita Bay by Alkaline and Acid Water TOUCH NARONG Katsuaki KOMAI, Masataka IMAGAWA, Nar
Decomposition and Separation Characteristics of Organic Mud in Kaita Bay by Alkaline and Acid Water TOUCH NARONG Katsuaki KOMAI, Masataka IMAGAWA, Narong TOUCH and Tadashi HIBINO Aggravation of water qualities
8.1 有機シンチレータ 有機物質中のシンチレーション機構 有機物質の蛍光過程 単一分子のエネルギー準位の励起によって生じる 分子の種類にのみよる ( 物理的状態には関係ない 気体でも固体でも 溶液の一部でも同様の蛍光が観測できる * 無機物質では規則的な格子結晶が過程の元になっているの
6 月 6 日発表範囲 P227~P232 発表者救仁郷 シンチレーションとは? シンチレーション 蛍光物質に放射線などの荷電粒子が当たると発光する現象 材料 有機の溶液 プラスチック 無機ヨウ化ナトリウム 硫化亜鉛 など 例えば以下のように用いる 電離性放射線 シンチレータ 蛍光 光電子増倍管 電子アンプなど シンチレーションの光によって電離性放射線を検出することは非常に古くから行われてきた放射線測定法で
On the Wireless Beam of Short Electric Waves. (VII) (A New Electric Wave Projector.) By S. UDA, Member (Tohoku Imperial University.) Abstract. A new e
On the Wireless Beam of Short Electric Waves. (VII) (A New Electric Wave Projector.) By S. UDA, Member (Tohoku Imperial University.) Abstract. A new electric wave projector is proposed in this paper. The
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電磁波工学 第 5 回平面波の媒質への垂直および射入射と透過 柴田幸司 Bounda Plan Rgon ε μ Rgon Mdum ( ガラスなど ε μ z 平面波の反射と透過 垂直入射の場合 左図に示す様に 平面波が境界面に対して垂直に入射する場合を考える この時の入射波を とすると 入射波は境界において 透過波 と とに分解される この時の透過量を 反射量を Γ とおくと 領域 における媒質の誘電率に対して透過量
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In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 [email protected] 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の
スライド 1
Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC
FT-IRにおけるATR測定法
ATR 法は試料の表面分析法で最も一般的な手法で 高分子 ゴム 半導体 バイオ関連等で広く利用されています ATR(Attenuated Total Reflectance) は全反射測定法とも呼ばれており 直訳すると減衰した全反射で IRE(Internal Reflection Element 内部反射エレメント ) を通過する赤外光は IRE と試料界面で試料側に滲み出した赤外光 ( エバネッセント波
C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B
I [email protected] 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld
STRUCTUAL ANALYSIS OF DAMAGED HAIR UNDER STRETCHING CONDITION BY MICROBEAM X-RAY DIFFRACTION
マイクロビーム X 線を用いた 毛髪微細構造の研究 ( 株 ) 資生堂 新成長領域研究開発センター 柿澤みのり マイクロビーム X 線を用いた 毛髪微細構造の研究 利用ビームライン BL40XU: 高フラックスビームラインビーム径が小さく ( 約 5μm) 強度の高い X 線が得られる 毛髪の構造 キューティクル コルテックス メデュラ 80-120μm 毛髪の部位ごとの構造が測定可能 今回の発表内容
Surface Characterization and Performance of Surface-Treated Materials (II) Container Material Kinji Saijo* *Toyo Kohan Co., LTD Technical Research Laboratory This article reviews the application of surface
Visual Evaluation of Polka-dot Patterns Yoojin LEE and Nobuko NARUSE * Granduate School of Bunka Women's University, and * Faculty of Fashion Science,
Visual Evaluation of Polka-dot Patterns Yoojin LEE and Nobuko NARUSE * Granduate School of Bunka Women's University, and * Faculty of Fashion Science, Bunka Women's University, Shibuya-ku, Tokyo 151-8523
コロイド化学と界面化学
環境表面科学講義 http://res.tagen.tohoku.ac.jp/~liquid/mura/kogi/kaimen/ E-mail: [email protected] 村松淳司 分散と凝集 ( 平衡論的考察! 凝集! van der Waals 力による相互作用! 分散! 静電的反発力 凝集 分散! 粒子表面の電位による反発 分散と凝集 考え方! van der Waals
2 Hermite-Gaussian モード 2-1 Hermite-Gaussian モード 自由空間を伝搬するレーザ光は次のような Hermite-gaussian Modes を持つ光波として扱う ことができる ここで U lm (x, y, z) U l (x, z)u m (y, z) e
Wavefront Sensor 法による三角共振器のミスアラインメント検出 齊藤高大 新潟大学大学院自然科学研究科電気情報工学専攻博士後期課程 2 年 214 年 8 月 6 日 1 はじめに Input Mode Cleaner(IMC) は Fig.1 に示すような三角共振器である 懸架鏡の共振などにより IMC を構成する各ミラーが角度変化を起こすと 入射光軸と共振器軸との間にずれが生じる
From Evans Application Notes
3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2
<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >
7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 [email protected] 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に
第122号(A4、E)(4C)/3 宇野ほか
trans Development of high performance heat resistant transparent polyimides based on trans-,,, -cyclopentanetetracarboxylic dianhydride Takaaki Uno Takashi Okada Igor Rozhanskii Toshimitsu Kikuchi Kohei
反射係数
平面波の反射と透過 電磁波の性質として, 反射と透過は最も基礎的な現象である. 我々の生活している空間は, 各種の形状を持った媒質で構成されている. 人間から見れば, 空気, 水, 木, 土, 火, 金属, プラスチックなど, 全く異なるものに見えるが, 電磁波からすると誘電率, 透磁率, 導電率が異なるだけである. 磁性体を除く媒質は比透磁率がで, ほとんど媒質に当てはまるので, 実質的に我々の身の回りの媒質で,
