SPICA の中間赤外線検出器

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フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

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光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

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e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2


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SPICA の遠中間赤外線検出器 和田武彦 鈴木仁研 (ISAS/JAXA)

内容 次世代赤外線天文衛星 SPICA 赤外線検出器 SPICA の中間赤外線検出器 Si:Sb BIB 1024x1024 Si:As BIB 1024x1024 熱設計 SPICA の遠赤外線検出器 ( 鈴木さん )

次世代赤外線天文衛星 SPICA 大口径 :2.5m 冷却望遠鏡 : 8K 波長 17-210um の 遠中間赤外線で分光観測 Payload Module (PLM) Service Module (SVM) V-grooves ( 放射冷却 & 断熱 ) 放射と冷凍機による冷却 冷媒 真空容器が不要 JAXA H3 ロケット L2 に設置 ( 地球から 150 万 km) 2027-2028 年打上 日欧共同ミッション 外寸 :Φ4500 mm x 5285 mm 質量 :2614 kg (dry, nominal), 3450 kg (wet, with margin) ESA CDF study: NG-CryoIRTel, Next Generation Cryogenic InfraRed Telescope. http://sci.esa.int/jump.cfm?oid=56108 ESA CDF study (2014) JAXA 戦略的中型ミッション : MDR 合格 (2015) ESA CV M5 応募 (2016)

冷却により背景熱雑音を低減 f a cryogenically-cooled IR telescope K 10 5 reduction! SPICA SPICA (8K) 4

遠中間赤外線で圧倒的な高感度 Limiting Line Flux (5σ-1hr) / Wm -2 10-15 10-16 10-17 10-18 10-19 10-20 10 SOFIA AKARI IRC R=25000 JWST/MIRI R=3000 Spitzer SPICA AKARI FIS-FTS 20 100 200 350 1000 Wavelength / µm 2010's 100 Improvement R=300 HERSCHEL SPICA/SAFARI 日本の戦略技術を活用して冷却望遠鏡を実現することにより 従来よりも 100 倍もの感度向上が期待できる. 2020's ALMA 5

Enrichment of the Universe with metal and dust leading to the formation of habitable world O H Mg Si O OO 20 30 O H 40 Evolution of galaxies Formation of planetary systems IR spectroscopy 1. Dust bands (organic matter, mineral, ice) 2. Extinction-free metal lines 3. Molecular hydrogen lines HRS 17.2 17.3 20 40 λ (μm) 60 12 14 16 λ (μm) 18 D HH H

SPICA 観測装置 遠赤外線観測装置 (SAFARI) 波長 34-210um 波長分解能 R=300 の分光器 スペクトル線観測限界 5x10-20 W/m 2 (5σ1 時間 ) 赤方偏移 z=3/115 億年前の銀河を 10 時間で分光観測 超伝導転移端検出器 (TES) 中間赤外線観測装置 (SMI) 波長 17-36um 低分散分光器 (LRS) 連続波観測限界 30µJy (5σ1 時間 ) 赤方偏移 z=3/115 億年前の銀河を 1 時間で分光観測 波長 18-36um 中分散分光器 (MRS) 波長 12-18um 高分散分光器 (MRS) スペクトル線観測限界 5x10-20 W/m 2 (5σ1 時間 ) 赤方偏移 z=3/115 億年前の銀河を 10 時間で分光観測 BIB 型光伝導検出器 波長 12-17um では Si:As BIB 1024x1024 を使用 波長 17-36um では Si:Sb BIB 1024x1024 を使用

SPICA 観測装置 遠赤外線観測装置 (SAFARI) 波長 34-210um 波長分解能 R=300 の分光器 スペクトル線観測限界 5x10-20 W/m 2 (5σ1 時間 ) 赤方偏移 z=3/115 億年前の銀河を 10 時間で分光観測 超伝導転移端検出器 (TES) 中間赤外線観測装置 (SMI) 波長 17-36um 低分散分光器 (LRS) 連続波観測限界 30µJy (5σ1 時間 ) 赤方偏移 z=3/115 億年前の銀河を 1 時間で分光観測 波長 18-36um 中分散分光器 (MRS) 波長 12-18um 高分散分光器 (MRS) スペクトル線観測限界 5x10-20 W/m 2 (5σ1 時間 ) 赤方偏移 z=3/115 億年前の銀河を 10 時間で分光観測 BIB 型光伝導検出器 波長 12-17um では Si:As BIB 1024x1024 を使用 波長 17-36um では Si:Sb BIB 1024x1024 を使用

赤外線画像センサー 光検知器 読み出し回路 信号処理 ( 積分等 ) 画素選択回路 Nagase et. al. 2013, WOLTE10

光検知 coherent detection 振幅と位相の両方検出 ( 波として検出 ) 超高速動作が必要 直接検出 ~ GHz Heterodyne ~ THz 電波干渉計 (ALMA) ~1 THz 量子カスケードレーザー ~ 10THz incoherent detection 振幅のみを検出 熱型 高感度な温度計と熱容量の小さな吸収体 Transition Edge Sensor(TES) 量子型 超伝導準粒子 (STJ, KIDS) 量子井戸型 半導体量子型 BIB 型光伝導検出器 TI ADC12J4000

半導体量子型検出器 X 線から遠赤外線まで幅広く使われている TES に対する優位性 Rogalski and Sizov 2011, Opto-electron. Rev. 19, 346-404 不要な電磁波に感度を持たない ( 熱型は何でも感じる ) 冷却が楽 ( 遠赤外線でも 2K で OK TES は 100mK 以下に冷却 )

外因性光伝導素子 Impurities Shallow band gap of impurities Eg λc Si: As 53meV 23um Ge:Ga 11meV 115um (Petroff and Stapelbroek 1986, US patent 4568960) hopping 電流による暗電流増加を避けるため不純物濃度を濃くできない 量子効率の低下 緩和が光電流 ( 暗電流 ) によって行われる 感度の不安定性 Si 系では 20um

Blocked impurity band (BIB) detector high-doped IR active layer Non-doped Blocking layer 不純物濃度を濃く 感度の向上 不純物バンドの形成 緩和が不純物バンドで起こる 感度が安定 Band gapが狭くなる 長波長化 高純度層を配置 トンネル暗電流を抑制 (Petroff and Stapelbroek 1986, US patent 4568960)

中間赤外線画像センサー 検知部に Si:As/Si:Sb BIB 検出器 読み出し回路部に Si 読み出し集積回路 (ROIC) 動作温度 (4-6K) は通常の CMOS の動作限界に近い FD-SOI CMOS なら 4K でも動作 (Wada et al. 2012, J. Low. Temp. Phys. 167, 602) 1Kx1K 画素画像センサーが実用化 (HST/NICMOS Instrument handbook) (Wada et al. 2016, JLTP, accepted)

(Love et al., 2006, SPIE 6276, 62761Y)

( 宇宙用 )BIB 型赤外線検出器の発達 2006/2003 2009 2018 2027 メーカー AKARI/Spitzer WISE JWST SPICA Raytheon Si:As 256x256 -- 1024x1024 ROIC CRC744 -- SBRC375 DRS Si:As 128x128 1024x1024 -- 1024x1024 Si:Sb 128x128 -- -- 1024x1024 ROIC LF128 LF1024 -- LF1024

SPICA 用中間赤外線検出器 広い視野 広帯域分光 高分散分光 画素が多いこと 超低背景放射環境を活かす 暗電流が少ないこと 読み出し雑音が小さいこと 12-18um: Si:As IBC 1Kx1K JWST/MIRI 検出器 18-36um: Si:Sb BIB 1Kx1K Spitzer/IRS の Si:Sb 128x128 と WISE の Si:As 1024x1024 をベースに開発

検出器仕様 12-18um 18-36um supplier Raytheon DRS format 1024x1024 1024x1024 detector Si:As IBC Si:Sb BIB wavelength 1-26um 1-36um QE(average) >40 % (goal >80%) >50% Read noise(cds) 40 e 100 e Dark current <0.2 e/s/pix (<0.03 e/s/pix goal) <2 e/s/pix (<0.2 e/s/pix for 1024x900) (<0.1 e/s/pix goal) Pixel size 25um 18um Operating temperature 6K 4K

中間赤外線検出器開発 IBC/BIB 検出器結晶 (Si:As, Si:Sb) 読み出し集積回路 (ROIC) Detector Assembly (DA)

Si:Sb 1Kx1K の開発 Spitzer/IRS Si:Sb 検出器と WISE 1Kx1K ROIC を組み合わせて実現する 暗電流が大きい (2 e/s) この低減が課題 FY2010 年より開発を開始 ROIC 由来の暗電流を測定し十分小さい (<0.2e/s) であることを確認した Si:Sb 結晶を新規に作成し Si:Sb 検出器由来の暗電流が小さい (<0.2e/s) ことを確認 ( Khalap et al., 2012, SPIE 8512, 85120O)

Si:As, Si:Sb の量子効率 Si:Sb の長波長端での量子効率が小さいが SOFIA/FOCAST と同様な手法 (AR, 検出器構造の改良 ) で向上が可能

熱設計 肝は冷却 cooling power is everything! 熱流入 発熱が大きいと冷えない 冷媒冷却ならミッション寿命が減るだけ 冷凍機冷却だとミッションが破綻 15mW at 4K, 5mW at 1.7K for all FPI 入熱を減らす : 電気配線 発熱を減らす : 寄生電気容量の削減 検出器熱アニーリング運用

Sugita et. al., Cryogenics 50, 566 (2010)

常温部制御電気系 97K 67K 50K 26K 9m 電気配線 6m Si:As 検出器 (6K) Si:Sb 検出器 (4K) Shinozaki et. al., Cryogenics 64, 228 (2014)

SMI 検出器系の熱設計 熱伝導割り当て 0.7mW at 4.5K 運用時発熱の割り当て 8mW at 4.5K 熱アニーリング運用にて 1.7K 冷凍機への熱流量が 2mW を超えないこと

熱伝導設計 ( 電気配線 ) テフロン被覆電線について熱伝導方程式を解いた 全配線 ( 検出器 FW 温度計他 ) 699 本を考慮 現実的な配線ルートを考慮して長さを仮定 直径 0.05mm リン青銅線を 2 本束ねたものを使うことで 熱伝導を 0.60mW( 仕様 0.7mW) に抑えつつ 電気抵抗を 121ohm( 仕様 250ohm) に抑えることができた Wada et al., SPIE 8442, 84423V (2012) 電線 : 製造メーカ 商社さん紹介できます

熱設計結果 ( 電気配線 ) Stage1 (low T) Stage2 (hight) T1 [K] T2 [K] L_el [m] L_th [m] wire F_heat mw Res ohm Cap pf DET FPI 1.7 4.5 0.1 0.1 PBW2 0.08 2.52 3 FPI IOB 4.5 4.5 2.0 2.0 CUW3 0 5.7 62.1 IOB TOB 4.5 4.5 1.35 1.35 CUW3 0 3.85 41.9 TOB TS 4.5 30 1.4 1.4 PBW2 0.61 35.3 42.0 TS IS 30 56.4 1.0 0.416 PBW2 4.24 25.2 30.0 IS MS 56.4 88.0 0.2 0.105 PBW2 25.06 5.04 6.0 MS OS 88.0 136.0 0.2 0.105 PBW2 47.37 5.04 6.0 OS MT 136.0 241.4 1.5 0.88 PBW2 15.70 37.8 45.0 MT PLBM 241.4 253.0 5.6 5.6 AGW26 90.00 0.6 415 PLBM FPIE 253.0 253.0 2.0 2.0 AGW26 0 0.2 148 F_heat は 699 本分

発熱設計 ( 検出器発熱 ) 低温部 (4.5K) での発熱は検出器が支配的 配線寄生容量の駆動にほとんどが費やされている ( 容量 x 周波数 ) 容量の削減 電線芯線直径の削減 ( 直径 100µm=>50µm) 信号線の這いまわしを工夫して配線長を節約 中間温度ステージ (130K) にバッファアンプを設け 4.5K ステージが駆動する長さを節約

15m 6m 9m

熱設計結果 ( 検出器発熱 ) Detector Power in detector (mw) Power in buffer (mw) Frame rate Unit cell output total load output Total (Hz) 1Kx1K 0.86 0.96 1.82 1.34 6.08 7.42 0.95

熱設計 ( 熱アニーリング ) 軌道上運用中は cosmic ray にさらされる Hitting を受けた pixel は特性が悪化 ( 暗電流増大 ) する 一度 高温 (20K) にすると特性が回復することが知られている ( 熱アニーリング )

熱設計 ( 熱アニーリング ) 定常観測時には十分に検出器が冷却 (4K for Si:Sb) される必要がある 冷凍機との間の熱抵抗を小さく! 冷凍機の特性から cooling powerを超える熱流入は許されない アニーリング実現のためには 冷凍機との間の熱抵抗は大きく! 定常解は存在しない 非定常解を探した

熱モデル 検出器 (+ マザーボード ) と冷凍機の間に熱容量バッファーを設ける 定常観測状態で検出器が冷えるように熱抵抗を決定 アニール時はパルス熱入力を与えることで短時間検出器温度を上昇させる 冷凍機に流れ込む熱流量が設計値を超えないよう バッファーの熱容量を決定

熱モデル ( アニーリング ) 検出器マザーボード 25x35x1.5mm Al2O3

熱設計結果 ( アニーリング ) 入力熱パルス (150mW, 0.5 秒 ) バッファー熱容量を検出器部の 20 倍に設定 冷凍機負荷ピークを 1.68mW に抑えられる ( 割り当て 2mW)

まとめ SPICA の特徴冷却宇宙望遠鏡超低背景放射環境をフルに活かすため 多画素 高効率 低暗電流 低雑音検出器が必要 12-18um Si:As 1Kx1K は既開発 (JWST/MIRI) 18-36um Si:Sb 1Kx1K を開発中 無冷媒 放射 冷凍機冷却のため 熱制約条件がシビア 配線 検出器運用方向を最適化することで熱設計解が見つかった 同時に 熱アニーリング を実現する解もつかった Wada et al., SPIE 8442, 84423V (2012)

宣伝 新学術領域研究 3 次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開 ( 平成 25~29 年度 ) http://soipix.jp/b02.html Ge 遠赤外線 BIB 検出器開発に関しては http://www.ir.isas.jaxa.jp/~wada/pub/bib/ FD-SOI CMOS 極低温読出集積回路に関しては http://www.ir.isas.jaxa.jp/~wada/pub/cre/ 単一材料多層干渉光学フィルターに関しては http://www.ir.isas.jaxa.jp/~wada/pub/sws/