第 0 回ナノ構造 エピタキシャル成長講演会 平成 30 年 7 月 2 日 -3 日 名古屋大学 ES 館 ES ホール 2 th July 208 (Thursday) Opening (3:00-3:0) ES ホール 三宅秀人 ( ) Session I :(3:0-4:45)ES ホール基調講演 (3:0-4:00) PL- Transformative Electronics が築く未来社会天野浩名古屋大学 チュートリアル講演 (4:00-4:45) Th-T ハライド気相成長法によるⅢ 族セスキ酸化物半導体結晶の成長熊谷義直東京農工大学 休憩 (4:45-5:00) Session II :(5:00-6:26)ES ホール招待講演 (5:00-5:30) Th-I 大気開放溶液系機能薄膜作製手法 ミスト CVD の開発と現状川原村敏幸高知工科大学 一般講演 I(Short presentation I)(5:30-6:26) Th-P GaN-MOVPE 成長における CH4 吸着確率と C 不純物濃度の面方位依存性草場彰 李冠辰 2 パヴェウ ケンピスティ 3 マイケル フォン スパコフスキー 4 寒川義裕 5 九州大学 2 オックスフォード大学 3 UNIPRESS 4 バージニア工科大学 5 名古屋大学
Th-P2 GaN 表面上 Ga 吸着層の構造解析 佐々木拓生 岩田卓也 2 高橋正光 2 量子科学技術研究開発機構 2 兵庫県立大学 Th-P3 GaN(000) 表面におけるステップの安定性に関する理論的検討 相可拓巳 アブドゥルムィッツプラディプト 秋山亨 中村浩次 伊藤智徳 Th-P4 Th-P5 OVPE 成長条件下における GaN(000) 面の kink 表面構造の解析竹田浩基 河村貴宏 2 鈴木泰之 北本啓 2 今西正幸 2 吉村政志 2 森勇介 2 森川良忠 2 寒川義裕 3 柿本浩一 3 2 大阪大学 3 九州大学 AlN 基板上における GaN の成長様式に関する理論的研究積木伸之介 秋山亨 アブドゥルムイッツプラディプト 中村浩次 伊藤智徳 Th-P6 Wedge-shape geometry 法を用いた AlN 半極性面における表面エネルギーの評価 瀬田雄基 アブドルムィッツプラディプト 秋山亨 中村浩次 伊藤智徳 Th-P7 BAlN および BGaN における構造安定性および混和性に関する理論的研究 長谷川裕也 秋山亨 アブドゥルムイッツプラディプト 中村浩二 伊藤智徳 Th-P8 有機金属気相成長法を用いた BN 成長の熱力学解析 三浦遼 高田和哉 小西敬太 村上尚 纐纈明伯 熊谷義直 東京農工大学 Th-P9 AlInN 超格子構造におけるバンドギャップの組成依存性 藤田裕真 河村貴宏 鈴木泰之 秋山亨 寒川義裕 2 2 九州大学
Th-P0 分子線エピタキシャル成長における InAs / GaAs(00) 系でのミスフィット転位形成に関する理論的検討 : 表面再構成の影響米本和弘 秋山亨 アブドゥルムィッツプラディプト 中村浩次 伊藤智徳 Th-P GaN へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成と形状制御宮川鈴衣奈 後藤兼三 松浦英徳 正直花奈子 2 林侑介 2 三宅秀人 2 江龍修 名古屋工業大学 2 Th-P2 サファイア基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成と結晶評価 吉川秀亮 宮川鈴衣奈 江龍修 名古屋工業大学 Th-P3 V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討 松久快生 八木裕隆 井上翼 中野貴之 静岡大学 Th-P4 表面活性化接合と Si 基板除去による GaN 極性反転構造の作製小野寺卓也 上向井正裕 髙橋一矢 2 岩谷素顕 2 赤﨑勇 2 林侑介 3 三宅秀人 3 久志本真希 4 鄭惠貞 4 本田善央 4 天野浩 4 片山竜二 大阪大学 2 名城大学 3 4 名古屋大学 Th-P5 Si 基板表面炭化により形成した SiC 薄膜上の GaN 成長出浦桃子 朱逸夫 百瀬健 霜垣幸浩東京大学 Th-P6 その場観察 X 線回折測定を用いた AlGaN/GaN ヘテロ構造緩和過程の解析 石原和弥 金山亮介 岩谷素顕 竹内哲也 上山智 赤崎勇 2 名城大学 2 名古屋大学 Th-P7 6H-SiC 基板上における AlN 周期構造の作製と評価 上杉謙次郎 正直花奈子 林侑介 肖世玉 永松謙太郎 吉田治正 三宅秀人
Th-P8 パルススパッタ堆積法により作製した AlN 及び AlGaN の特性評価 櫻井悠也 上野耕平 小林篤 三宅秀人 2 藤岡洋 3 東京大学 2 3 JST-ACCEL Th-P9 極性面フリーな三次元 InGaN 量子井戸を用いた混合色合成と制御 松田祥伸 船戸充 川上養一 京都大学 Th-P20 バッファー層挿入によるガラス基板上多結晶 InN の電気特性の改善 坂本真澄 小林篤 上野耕平 藤岡洋 2 東京大学 2 JST-ACCEL Th-P2 RF-MBE 法による Metal-rich 条件下での Al-xInxN 成長 黒田古都美 川原達也 毛利真一郎 荒木努 名西憓之 立命館大学 Th-P22 MOVPE 法による Ga2O3 成長の熱力学解析 山野邉咲子 吉田健人 小西敬太 熊谷義直 東京農工大学 Th-P23 ハライド気相成長法におけるサファイア off 基板上への単結晶 c-in2o3 成長長井研太 中畑秀利 小西敬太 Plamen P. Paskov 2 Bo Monemar 2 熊谷義直 2 東京農工大学 2 Linköping University Th-P24 ハライド気相成長法による酸化ガリウムホモエピタキシャル層のピットの起源小西敬太 後藤健 23 村上尚 倉又朗人 23 山腰茂伸 23 熊谷義直 東京農工大学 2 株式会社タムラ製作所 3 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー Th-P25 金属 Cd を用いた気相成長法による Si(2) 基板上への CdTe 初期成長 西角美奈江 磯憲司 2 極檀優也 白石万壽美 村上尚 纐纈明伯 東京農工大学 2 三菱ケミカル株式会社
Th-P26 有機金属気相選択成長により作製した InP ナノワイヤのサイズ制御 佐々木正尋 千葉康平 吉田旭伸 冨岡克広 本久順一 北海道大学 Th-P27 近接昇華法を用いた 6H-SiC への B 高濃度ドーピングに関する研究 田中大稀 黒川広朗 岩谷素顕 竹内哲也 上山智 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 Th-P28 ナノダイヤモンドを用いた Si 基板上へのグラフェン直接析出成長 山本大地 山田純平 上田悠貴 藤原亨介 丸山隆弘 成塚重弥 名城大学 一般講演 Ⅰ (Poster session I ) (6:30-8:00) ES 会議室 意見交換会 (8:00-9:30) ES 会議室
3 th July 208 (Friday) Session III :( 9:00-0:45)ES ホールチュートリアル講演 (9:00-9:45) Fr-T GaN 結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状秩父重英東北大学 招待講演 (9:45-0:45) Fr-I トリハライド気相成長法による GaN 高温高速成長村上尚東京農工大学 Fr-I2 硬 X 線光電子分光法を用いた InGaN 系窒化物半導体の表面 - バルク電子状態評価 井村将隆 物質 材料研究機構 休憩 (0:45-:00) Session IV :( :00-2:22)ES ホール招待講演 (:00-:30) Tr-I3 InN 系窒化物半導体のパルススパッタリング成長と FET 応用小林篤東京大学 一般講演 II(Short presentation II)(:30-2:22) Fr-P アニール処理を行ったスパッタ AlN/Sapphire テンプレート上への HVPE 成長 Jiang NanXiao Shiyu 福田涼 正直花奈子 吉田治正 三宅秀人 Fr-P2 r 面サファイア上 a 面 AlN スパッタ膜への高温アニールと HVPE 成長 福田涼 蒋楠 正直花奈子 上杉謙次郎 林侑介 肖世玉 三宅秀人
Fr-P3 Na フラックスポイントシード法を用いた GaN 結晶成長における転位発生原因の調査 澤田友貴 山田拓海 今西正幸 吉村政志 森勇介 大阪大学 Fr-P4 THVPE 法を用いた GaN の高温 高速成長 大関大輔 竹川直 山口晃 村上尚 熊谷義直 松本功 2 纐纈明伯 東京農工大学 2 大陽日酸株式会社 Fr-P5 THVPE 法による SCAAT 製バルク結晶上 GaN ホモエピタキシャル成長 大瀧将磨 大関大輔 磯憲司 2 村上尚 纐纈明伯 東京農工大学 2 三菱ケミカル株式会社 Fr-P6 Fr-P7 Fr-P8 THVPE 法による窒化ガリウムの高速ホモエピタキシャル成長河本直哉 竹川直 大関大輔 大瀧将磨 山口晃 2 村上尚 熊谷義直 松本功 2 纐纈明伯 東京農工大学 2 大陽日酸株式会社 Parasitic deposition inhibition with barrier gas in a New Vertical HVPE Reactor with Showerhead Nozzle Qiang Liu Naoki Fujimoto Shugo Nitta Yoshio Honda Hiroshi Amano Nagoya University RIE-GaN 表面への AlGaN 直接成長による AlGaN/GaN 構造の作製と評価山本暠勇 金谷彗杜 牧野伸哉 葛原正明福井大院工 Fr-P9 GaInN チャネル層を用いた HFET 型可視光センサ 坂田芽久美 岩谷素顕 竹内哲也 上山智 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 Fr-P0 Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N-MSM 紫外線センサにおける捕獲準位とセンサ特性 吉川陽 3 牛田彩希 岩谷素顕 竹内哲也 上山智 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 3 旭化成
Fr-P Fr-P2 Fr-P3 Fr-P4 TMAH を使用した AlGaN 系材料に対するウェットエッチング安江信次 川瀬雄太 池田隼也 櫻木勇介 岩山章 岩谷素顕 上山智 竹内哲也 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学組成傾斜 AlGaN クラッド層を用いた深紫外レーザ川瀬雄太 池田隼也 櫻木勇介 安江信次 岩山章 岩谷素顕 竹内哲也 上山智 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋大学 GaN 系長波長面発光レーザへ向けた AlInN/GaN 多層膜反射鏡平岩恵 村永亘 赤木孝信 竹内哲也 三好実人 2 岩谷素顕 上山智 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋工業大学 3 名古屋大学 AlInN/AlGaN 多周期クラッド層を用いた青色端面発光レーザダイオード荒川渓 三好晃平 竹内哲也 三好実人 2 上山智 岩谷素顕 赤﨑勇 2 名城大学 2 名古屋工業大学 3 名古屋大学 Fr-P5 自己形成 Eu 添加 GaN ナノコラムによる波長安定型赤色 LED の作製 助川睦 関口寛人 松崎良助 山根啓輔 岡田浩 岸野克巳 2 若原昭浩 豊橋技術科学大学 2 上智大学 Fr-P6 Fr-P7 MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製高橋祐吏 丸山貴之 山田夏暉 江原一司 望月健 中川央也 宇佐美茂佳 2 本田善央 2 天野浩 2 小島一信 3 秩父重英 3 井上翼 青木徹 中野貴之 静岡大学 2 名古屋大学 3 東北大学 ZnO 系ワイドギャップ半導体微小共振器を用いた量子相関光子対発生素子の設計矢野岳人 片山竜二 上向井正裕大阪大学 Fr-P8 サブバンドギャップ光照射を用いた GaN p-n 接合ダイオードのアバランシェ増倍の測定前田拓也 成田哲生 2 上田博之 2 兼近将一 2 上杉勉 2 加地徹 3 木本恒暢 堀田昌宏 須田淳 3 京都大学 2 豊田中央研究所 3 名古屋大学
Fr-P9 Fr-P20 Fr-P2 Fr-P22 Fr-P23 GaN 縦型 pn ダイオードの垂直メサ型耐圧構造評価福島颯太 安藤悠人 宇佐美茂佳 田中敦之 出来真斗 久志本真希 新田州吾 本田善央 天野浩名古屋大学 GaN 自立基板上 pn ダイオードにおけるリーク電流の MOCVD 成長圧力依存性宇佐美茂佳 安藤悠人 福島颯太 田中敦之 出来真斗 久志本真希 新田州吾 本田善央 天野浩名古屋大学 m 面 GaN 基板上 SBD における障壁高さの金属仕事関数依存性安藤悠人 永松謙太郎 田中敦之 宇佐美茂佳 出来真斗 久志本真希 新田州吾 本田善央 天野浩名古屋大学オフ角を有する m 面 GaN 基板上 GaN-MOS キャパシタの界面準位評価出来真斗 安藤悠人 渡邉浩崇 田中敦之 久志本真希 新田州吾 本田善央 天野浩名古屋大学多光子 PL 顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察田中敦之 永松謙太郎 久志本真希 出来真斗 新田州吾 本田善央 天野浩名古屋大学 Fr-P24 Fr-P25 Renninger Scan 法による GaN 基板の結晶性評価 -パターン強度分布の X 線波長 照射面積依存性 - 大鉢忠 2 佐藤祐喜 2 竹本菊郞 羽木良明 3 和田元 2 吉門進三 2 界面反応成長研究所 2 同志社大学 3 住友半導体材料 ( 株 ) X 線回折逆格子空間マッピングを用いたスパッタ法 AlN 膜の定量的評価田中襲一 正直花奈子 林侑介 上杉謙次郎 三宅秀人 Fr-P26 SD 法を用いた高濃度 p 型ドープ GaN 薄膜の物性評価 筆谷大河 上野耕平 小林篤 藤岡洋 2 東京大学 2 JST-ACCEL 休憩 (2:22-3:30)
一般講演 II (Poster session II) (3:30-5:00) ES 会議室 Session V :( 5:00-6:45)ES ホールチュートリアル講演 (5:00-5:45) Fr-T2 縦型 GaN パワーデバイスのための結晶成長 デバイスプロセス技術須田淳名古屋大学 招待講演 (5:45-6:45) Fr-I4 ワイドギャップ半導体の単一光子発生欠陥を利用した量子センシング佐藤真一郎量子科学技術研究開発機構 Fr-I4 深紫外 SHG に向けたウェハ接合型 AlN 極性反転構造 林侑介 Closing (6:45-7:00) ES ホール 藤岡洋 ( 東京大学 )