IGBT- インバータ /IGBT,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues コレクタ エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage 連続 DC コレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent トータル損失 Totalpowerdissipation ゲート エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VCES V TC = C, Tvj max = C TC = 5 C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = Ptot 355 W VGES +/- V 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. コレクタ エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage ゲート エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage ゲート電荷量 Gatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance コレクタ エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent ゲート エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent ターンオン遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-ondelaytime,inductiveload IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V IC VCE sat 3, 3,85 3,75 V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth,5 5,5 6,5 V VGE = -5 V... +5 V QG, µc RGint 5, Ω f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cies 3, nf f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cres, nf VCE = V, VGE = V, ICES 5, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = V RGon = 3 Ω td on,,3 ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload IC =, VCE = V RGon = 3 Ω tr,5,6 ターンオフ遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-offdelaytime,inductiveload IC =, VCE = V RGoff = 3 Ω td off,3,36 ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload IC =, VCE = V RGoff = 3 Ω tf,,3 ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC =, VCE = V, LS = 3 nh RGon = 3 Ω Eon 6, ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC =, VCE = V, LS = 3 nh RGoff = 3 Ω Eoff, 短絡電流 SCdata ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions VGE 5 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt RthJC,35 K/W Tvj op - 5 C ISC 3
Diode インバータ /Diode,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 連続 DC 電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value VRRM V IF tp = ms IFRM VR = V, tp = ms, I²t ²s 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = 3 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V VF IRM,, 8,,,55 V V 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF =, - dif/dt = 3 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V Qr 3, 8, µc µc 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF =, - dif/dt = 3 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V Erec, 3, ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC, K/W Tvj op - 5 C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance R の偏差 DeviationofR 損失 Powerdissipation B- 定数 B-value B- 定数 B-value B- 定数 B-value 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 93 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 3375 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ t.b.d. K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ t.b.d. K
モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 保存温度 Storagetemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 質量 Weight RMS, f = Hz, t = min. VISOL,5 kv Cu 基礎絶縁 ( クラス,IEC6) basicinsulation(class,iec6) 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal l3 CTI > 5 / モジュール /permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K), 7,5 min. typ. max. mm mm RthCH, K/W LsCE 3 nh TC=5 C,/ スイッチ /perswitch RCC'+EE', mω Tstg - 5 C 取り付けネジ M5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm G g 3
出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C 9 9 VGE = 8V VGE = 9V VGE = V VGE = V VGE = 5V VGE = V IC [] IC [] 3 3,,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, 5,5 6, VCE [V],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, 5,5 6, VCE [V] 伝達特性 IGBT- インバータ (Typical) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=3Ω,RGoff=3Ω,VCE=V 9 8 6 Eon, Eoff, IC [] E [] 8 3 6 5 6 7 8 9 VGE [V] 3 9 IC []
スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=,VCE=V 過渡熱インピーダンス IGBT- インバータ transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 8 6 E [] ZthJC [K/W], 8 6 3 9 RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,683,9,997,5 3,85,73,336,9,,,, t [s] 逆バイアス安全動作領域 IGBT- インバータ (RBSO)) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=3Ω,Tvj=5 C 順電圧特性 Diode インバータ (typical) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC, Modul IC, Chip 9 IC [] IF [] 3 VCE [V],,,,6,8,,,,6,8,,,,6 VF [V] 5
スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=3Ω,VCE=V スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=V, Erec,, Erec, 3,5 3,5 3, 3,,5,5 E [], E [],,5,5,,,5,5, 3 9 IF [], 3 9 RG [Ω] 過渡熱インピーダンス Diode インバータ transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) NTC- サーミスタ サーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJC : Diode Rtyp ZthJC [K/W], R[Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,6,3,353, 3,75,6,873,3,,,, t [s] TC [ C] 6
回路図 /circuit_diagram_headline J パッケージ概要 /packageoutlines 7
この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります 利用規約このデータシートに記載されているデータ類は 技術者向けの物です このデバイスを使用される際は 製品が使用されるアプリケーションにて ご評価頂いた上で アプリケーションに適切かご判断願います このデータシートには 保証されている特性が記述されております その他 保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます 保証は アプリケーションやその特性に対しては行いません 実際のアプリケーションでの利用に関しては 必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください 追加の技術的情報 アプリケーションでの使用方法について ご質問がある際には 最寄のセールスオフィスにお問い合わせ願います (www.infineon.com 参照 ) 製品にご興味頂き必要があれば アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります 技術的な要求によっては 当該製品が危険な物になり得る可能性があります この様なことが起こる可能性がある場合は 製品を使用される方の責任にて 弊社セールスオフィスに連絡願います 航空関連 もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は インフィニオンと下記の項目を合意しているか ご確認願います ーリスク及び品質の評価ー品質契約ーアプリケーションの共同評価上記の内容の状況に応じて 製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます 必要に応じて この規約を関係される方々に送付してください インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. 8