研究成果報告書

Similar documents
QOBU1011_40.pdf

H17-NIIT研究報告

<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

特-7.indd


無電解めっきとレーザー照射による有機樹脂板上へのCuマイクロパターン形成

Vol. 21, No. 2 (2014) W 3 mm SUS304 Ni 650 HV 810 HV Ni Ni Table1 Ni Ni μm SUS mm w 50 mm l 3 mm t 2.2 Fig. 1 XY Fig. 3 Sch

清水秀己 矢田真士 Fig. 1 Cross-sectional TEM image of 3C-SiC films grown on Si(111) along the zone axis [01-1], (a) bright field (BF) image, (b) dark field (D

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

特-4.indd

【請求項1】

日立金属技報 Vol.34

m 3 /s

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

研究成果報告書(基金分)

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

日本電子News Vol.41, 2009


untitled

<8B5A8F70985F95B632936EE7B22E696E6464>

2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å


untitled

レーザ誘起蛍光法( LIF法) によるピストンの油膜挙動の解析

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index

新技術説明会 様式例

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

E-2 A, B, C A, A, B, A, C m-cresol (NEAT) Rh S m-cresol m-cresol m-cresol x x x ,Rh N N N N H H n Polyaniline emeraldine base E-3 II

Microsoft PowerPoint - ‚æ4‘Í

Al-Si系粉末合金の超塑性

Corrosion Wear of Alloy Tool Steel (SKD 11) Coated with VC and Precipitation Hardening Stainless Steel (SUS 630) in Sodium Chloride Aqueous Solution T

研究成果報告書

untitled

X X 1. 1 X 2 X 195 3, 4 Ungár modified Williamson-Hall/Warren-Averbach 5-7 modified modified Rietveld Convolutional Multiple Whole Profile CMWP 8 CMWP

T05_Nd-Fe-B磁石.indd

明海大学歯学雑誌 36‐2/11.黒岩

橡

J. Jpn. Inst. Light Met. 65(6): (2015)

Microsoft PowerPoint - S-17.ppt

DIN Connector_p2-25.qxd

報告書 H22-2A-09

平成18年○月○日

スライド 1

DiovNT

CuおよびCu‐Sn系化合物のSn‐Pbはんだ濡れ性解析

20 12,, 59 q r Fig.2 [3] Fig.3 1cm Fig.2 Schematic of experimental apparatus for measuring interfacial thermal resistance. Fig.3 Surface morphol

PE-CVD X PTO Sawyer-tower 3.1 PTO Sawyer-tower Sawyer-tower a c 25

UDC : ' : '24' : '24'26' : : A Study of Condition of Pits Formation and Their Fe

F-08E

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

走査型プローブ顕微鏡によるラテックス/デンプンブレンドフィルムの相分離状態の観察

取扱説明書|お部屋を見守るライブカメラ HS3LC2(基本編):マスプロ電工

fma20.PDF

研究成果報告書


2357

Microsystem Integration & Packaging Laboratory


渡辺(2309)_渡辺(2309)

<93C18F578B4C8E965F90F596EE20918F91BC2E6D6364>

Optical Lenses CCD Camera Laser Sheet Wind Turbine with med Diffuser Pitot Tube PC Fig.1 Experimental facility. Transparent Diffuser Double Pulsed Nd:

Study on Application of the cos a Method to Neutron Stress Measurement Toshihiko SASAKI*3 and Yukio HIROSE Department of Materials Science and Enginee


NGGAUM_特別対談_再.indd

BC2007_11_ indd


Annual-report-vol-61.pdf

錫-亜鉛-アルミニウム系鉛フリーはんだの実用化

LAGUNA LAGUNA 10 p Water quality of Lake Kamo, Sado Island, northeast Japan, Katsuaki Kanzo 1, Ni

untitled

Vol. 19, No. 3 (2012) 207 Fig. 2 Procedures for minute wiring onto polyimide substrate. Fig. 3 Ink - jet printing apparatus as part of laser sintering

記者発表資料

75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4)

Table 2 C, Al and Nb contents of samples (%) Table 3 C, Al and Nb contents of samples (%) Table 4 C, Al and Nb contents of samples (%) 6

H5

着色斜め蒸着膜の光学的性質~無機偏光膜への応用

スペースプラズマ研究会-赤星.ppt

PFニュース indd

用描画装置 透明導電用 ITO インク 株式会社 アルバック ULVAC, Inc. Ink-jet Equipment ITO シクロドデセン溶媒 インクジェットタイプ ITO NANOMETAL INK () Ink-jet Type 高精度インクジェット装置 ID-22D S-2 ITO によ

X線分析の進歩36 別刷

表紙最終

Evaluation of Anisotropy and Preferred Orientation of Carbon and Graphite Materials Yoshihiro Hishiyama Fig.1 Diffraction condition in Fourier space.


Database Center for Life Science Online Service

0801391,繊維学会ファイバ12月号/報文-01-西川

Fig. 1. Schematic drawing of testing system. 71 ( 1 )

製紙用填料及び顔料の熱分解挙動.PDF

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

DiovNT

第 3 号各種金属基板上におけるクロメート皮膜の形成過程と性状 337 Fig. SEM micrographs ( 50000) of the surfaces of Zn plates with various chromate treatment times: (a) after polish

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

Mikio Yamamoto: Dynamical Measurement of the E-effect in Iron-Cobalt Alloys. The AE-effect (change in Young's modulus of elasticity with magnetization

表紙_偏光・位相差デバイスのコピー

電子部品はんだ接合部の熱疲労寿命解析

研究成果報告書

第 2 図 X 2. X 線応力計測法について q ( a ) X 線回折モデル q X X X X Bragg 第 3 図 Bragg X X q X ( E ) ( v ) X 2 5 mm X (1) (2) (3) (4) 計測可能領域表面表面下, 断面 ( b ) 無負荷 (5) (6)

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

Letter Capacity of Photographic Materials (Received 8th Sept., 1960) Shingo OOUE and Hiroyuki UEDA Research Laboratory, Fuji Photo Film Co., Ltd. Mina


Transcription:

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層 2 nm (b)ag 層 4 nm を 350 で 4 時間アニール した場合 孤立したドット(Dot)の形成まで には至っていない 一方 (c)ag(4 nm)/ti(2 nm)の二層膜にした場合 同じアニール条件 で個々に孤立したナノドットが形成されて いる 即ち シード層を挿入した方が膜の層 厚が厚くなってもドット化が進行しており 熱凝集が大幅に促進されている また アニ ール時間が 4 時間の場合 Ag/Ti 膜は 250 以上でドット化することが観察された Au/Fe 系に於いても同様の結果となった Fig.1 AFM images showing surface profile of (a) Ti film (2.0 nm), (b) Ag film (4.0 nm), and (c) Ag film (4.0 nm) deposited on Ti seed layer (2 nm) coated onto MgO(001) substrate and annealed at 350 C for 4 h. The images are measured in the region of area 1.0 1.0 mm2. 角度分解 X 線光電子分光 ARXPS 法を用 いた薄膜組成の深さ方向分析の結果 ドット の表面は Ag で覆われており Ti はドットの 中に留まり 表面に Ti が存在していないこ とが確認された また ドット以外の部分で は MgO 基板が露出しており 孤立した Ag/Ti ナノドットが形成された事が判明した 作製された Ag/Ti ナノドットは X 線回折 XRD 法により fcc-ag(001)配向しているこ とが確認された 通常の作製手法で形成され た Ag 単層ナノドットの場合 表面エネルギ ーの最も小さい fcc-(111)配向が見られるが 二層凝集法で作製した場合 熱力学的制約を 打破し 基板に対してエピタキシャル成長す ることが判明した 程 凝集によるドット化の進行過程は遅れる ことになるので[2] 以上の変化の過程は 熱凝集によるドット形成の成長過程に匹敵 するものと考えられる ③ シード層の違いによる Ag Au 薄膜の ナノ構造変化 論文② ③ ⑥関連 Ti Fe Co Cr をシード層に用い MgO(001) 基板上の Ag や Au 薄膜の熱凝集によるナノ構 造変化について調べた結果 全てのシード層 において ドット化が促進されている事が判 明した しかしながら シード層の種類によ り 凝集促進効果の大小やドットの微細構造 に違いがあり 個々のケースにおいて詳細に 検討する必要があることが判明した Ti と Fe をシード層に用いた場合の効果の 違いについて着目し Ag ナノ構造の変化につ いて詳細に解析した 各シード層厚を 1 5 nm と変化させた場合の Mg(001)基板上の Ag 層(4 nm)の凝集構造の変化について調べた Fig.2 は AFM 像より得られた Ag ドット の径と密度のシード膜厚異存性のグラフで ある Ag/Ti の場合 シード層膜の増大に伴 い ドット径が増大し密度が減少する傾向が 見られた これは 総膜厚が増大するためで あり 一般の凝集過程に見られる傾向である [2] 一方 Ag/Fe の場合 そのような傾向が 見られず 変化は複雑である ARXPS を用い て膜内部の組成変化について調べた結果 Ag/Fe の場合 Fe が表面に偏析している割合 が多い事が判明した XRD 解析の結果 Ag/Ti の場合 全てのシード層厚で fcc-(001)配向 しているが Ag/Fe の場合 fcc-(111)配向し ており エピタキシャル成長していないこと が判明した Ag/Fe の場合 Ag と Fe は熱力 学的に相性が悪く 非固溶 二層分離 系で あり アニールによって Ag と Fe の分離が 進むためであると考えられる ② 膜厚の違いによるナノ構造変化 Ag/Ti(2 nm)薄膜 Au/Fe(2 nm)を MgO(001) 基板上に室温蒸着させた後に 350 4 時間 のアニール処理を施す その際 Ag 及び Au の膜厚 2 20 nm を変えた場合の基板上に 形成されるナノ構造の変化について調べた Ag Au の膜厚が 20 nm から薄くなるに従い ナノ構造は以下の通り変化した Hole(穴)の 形成 Hole の成長 Hole の衝突による Mesh(網状構造)の形成 Strand 紐状構 造 の形成 Dot の形成 膜厚が厚くなる Fig.2 Diameter and density of the Ag/Ti and Ag/Fe films on MgO(001) substrate as a function of the seed layer thickness. The Ag layer is 4 nm thick. All samples were annealed at 350 C for 4 h. (2) 二層凝集現象のメカニズム ① 表面エネルギーの利得 論文④関連 熱力学的な観点から 系全体の表面エネル ギーの利得について考察した 一例として

0.4 Ti/MgO! th [GPa] 0.2 0-0.2-0.4-0.6-0.8 200 250 300 350 400 450 500 550 600 Annealing Temperature [ C] Fe/MgO Tensile Compressive Au/MgO Au/Fe Ag/MgO Au/Ti Ag/Fe Ag/Ti Fig.3 Thermal stress of the deposited layer (Ag, Au, Ti, Fe) on the substrate material (Ti, Fe, MgO) plotted as a function of the annealing temperature. Fig.4 AFM images showing surface profile of Ag film deposited on Ti seed layer (1 nm) coated on MgO(110) substrate and post-annealed at 350 C for 4 h. The thicknesses of Ag layer are (a) 4.0, (b) 6.0, (c) 8.0 and (d) 10.0 nm. The images were measured in a region of area 5.0 5.0 µm 2. The insets are high-magnification image, measured in a region of area 0.2 0.2 µm 2.

(a) (b) Fig.6 AFM images showing surface profile of (a) Ag(4 nm)/fe(1 nm)/mgo(001) film after annealing at 350 C for 3 h and (b) PdFe(30 nm) film deposited on the (a) at 350 C. The images are measured in the region of area 5.0 5.0 mm 2. Fig.5 Optical absorbance spectra of the Ag film with a 1.0-nm-thick Ti seed layer on the MgO(110) substrate after annealing at 350 C for 4 h. The thickness of the Ag film varied between 4.0 and 10.0 nm. The inset of figure is optical images of the samples.

0