デュアル 理 想 ダイオードおよび Hot Swapコントローラ 特 長 n n n n : 2.9V 18V n N MOSFET n 1μs n :.5μs n 回 路 ブレーカで 調 整 可 能 な 電 流 制 限 n 発 振 のないスムーズな 切 り 替 え n 電 流 制 限 フォールトの 遅 延 を 調 整 可 能 n フォールトおよびパワー 状 態 出 力 n LTC4225-1:フォールト 後 にラッチオフ n LTC4225-2:フォールト 後 に 自 動 リトライ n 24ピン4mm 5mm QFNおよび SSOP パッケージ アプリケーション n 冗 長 電 源 n 電 源 ホールドアップ n MicroTCAシステムおよびサーバー n テレコム ネットワーク n 電 源 プライオリタイザ 概 要 LTC 4225 N MOSFET 2 Hot Swap 2 MOSFET Hot Swap MOSFET / LTC4225 MOSFET LTC4225 / LTC4225-1 LTC4225-2 L LT LTC LTM Linear TechnoogyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー 社 の 登 録 商 標 です Hot Swapはリニアテクノロジー 社 の 商 標 です 他 の 全 ての 商 標 はそれぞれの 所 有 者 に 所 有 権 があります 標 準 的 応 用 例 137k 2k 2k 137k CPO1 ON1 GN µtca EN2 PWRG2 ON2 FAULT2 CPO2 IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2.4Ω Si7336AP Si7336AP SENSE1 GATE1 LTC4225 HGATE1 OUT1 FAULT1 PWRG1 EN1 TMR1 TMR2.4Ω Si7336AP Si7336AP 47nF 47nF BACKPLANE PLUG-IN CAR 1 PLUG-IN CAR 2 7.6A 7.6A 422512 TA1a POWER ISSIPATION (W) 3. 2.5 2. 1.5 1..5 IOE (SBG125L) MOSFET (Si7336AP) POWER SAVE 2 4 6 8 LOA CURRENT (A) 422512 TA1 1
絶 対 最 大 定 格 (Notes 1 2) 電 源 電 圧 IN2...3V~24V...3V~7V 入 力 電 圧 ON1 ON2 EN1 EN2...3V~24V TMR1 TMR2....3V~(.3V) SENSE1 SENSE2...3V~24V 出 力 電 圧 FAULT1 FAULT2 PWRG1 PWRG2...3V~24V CPO1 CPO2 (Note 3)...3V~35V GATE1 GATE2 (Note 3)...3V~35V HGATE1 HGATE2 (Note 4)...3V~35V OUT1 OUT2...3V~24V 平 均 電 流 FAULT1 FAULT2 PWRG1 PWRG2...5mA...1mA 動 作 温 度 範 囲 LTC4225C... C~7 C LTC4225I... 4 C~85 C 保 存 温 度 範 囲... 65 C~15 C リード 温 度 ( 半 田 付 け 1 秒 ) GNパッケージ...3 C ピン 配 置 SENSE1 GN ON2 1 2 3 4 5 IN2 6 SENSE2 7 8 9 TOP VIEW GATE1 CPO1 HGATE1 OUT1 PWRG1 24 23 22 21 2 25 1 11 12 GATE2 CPO2 HGATE2 OUT2 PWRG2 19 FAULT1 18 ON1 17 EN1 16 TMR1 15 TMR2 14 EN2 13 FAULT2 UF PACKAGE 24-LEA (4mm 5mm) PLASTIC QFN T JMAX = 125 C, θ JA = 34 C/W EXPOSE PA (PIN 25) PCB GN CONNECTION OPTIONAL CPO1 1 GATE1 2 SENSE1 3 4 ON1 5 6 GN 7 ON2 8 IN2 9 SENSE2 1 GATE2 11 CPO2 12 TOP VIEW 24 HGATE1 23 OUT1 22 PWRG1 21 FAULT1 2 EN1 19 TMR1 18 TMR2 17 EN2 16 FAULT2 15 PWRG2 14 OUT2 13 HGATE2 GN PACKAGE 24-LEA PLASTIC SSOP NARROW T JMAX = 125 C, θ JA = 85 C/W 2
発 注 情 報 * LTC4225CUF-1#PBF LTC4225CUF-1#TRPBF 42251 24-Lead (4mm 5mm) Pastic QFN C to 7 C LTC4225CUF-2#PBF LTC4225CUF-2#TRPBF 42252 24-Lead (4mm 5mm) Pastic QFN C to 7 C LTC4225IUF-1#PBF LTC4225IUF-1#TRPBF 42251 24-Lead (4mm 5mm) Pastic QFN -4 C to 85 C LTC4225IUF-2#PBF LTC4225IUF-2#TRPBF 42252 24-Lead (4mm 5mm) Pastic QFN -4 C to 85 C LTC4225CGN-1#PBF LTC4225CGN-1#TRPBF LTC4225GN-1 24-Lead Pastic SSOP C to 7 C LTC4225CGN-2#PBF LTC4225CGN-2#TRPBF LTC4225GN-2 24-Lead Pastic SSOP C to 7 C LTC4225IGN-1#PBF LTC4225IGN-1#TRPBF LTC4225GN-1 24-Lead Pastic SSOP -4 C to 85 C LTC4225IGN-2#PBF LTC4225IGN-2#TRPBF LTC4225GN-2 24-Lead Pastic SSOP -4 C to 85 C より 広 い 動 作 温 度 範 囲 で 規 定 されるデバイスについては 弊 社 へお 問 い 合 わせください * 温 度 等 級 は 出 荷 時 のコンテナのラベルで 識 別 されます 鉛 ベースの 非 標 準 仕 様 の 製 品 の 詳 細 については 弊 社 へお 問 い 合 わせください 鉛 フリー 製 品 のマーキングの 詳 細 については http://www.inear-tech.co.jp/eadfree/ をご 覧 ください テープアンドリールの 仕 様 の 詳 細 については http://www.inear-tech.co.jp/tapeandree/ をご 覧 ください 電 気 的 特 性 T A 25 C V IN = SYMBOL PARAMETER CONITIONS MIN TYP MAX UNITS V IN Input Suppy Range 2.9 18 V I IN Input Suppy Current 2.8 5 ma V IN(UVL) Input Suppy Undervotage Lockout IN Rising 1.75 1.9 2.5 V V IN(HYST) Input Suppy Undervotage Lockout Hysteresis 1 5 9 mv V INTVCC Interna Reguator Votage 4.5 5 5.6 V V INTVCC(UVL) Interna V CC Undervotage Lockout Rising 2.1 2.2 2.3 V V INTVCC(HYST) Interna V CC Undervotage Lockout Hysteresis 3 6 9 mv V FW(REG) V GATE Forward Reguation Votage (V INn V OUTn ) Externa N-Channe Gate rive (V GATEn V INn ) I CPO(UP) CPOn Pu-Up Current CPO = IN = 2.9V CPO = IN = 18V IN < 7V, V FW =.1V, I =, 1µA IN = 7V to 18V, V FW =.1V, I =, 1µA 1 25 4 mv I GATE(FPU) GATEn Fast Pu-Up Current V FW =.2V, V GATE = V, CPO = 17V 1.5 A I GATE(FP) GATEn Fast Pu-own Current V FW =.2V, V GATE = 5V 1.5 A t ON(GATE) GATEn Turn-On eay V FW =.2V, C GATE = 1nF.25.5 µs t OFF(GATE) GATEn Turn-Off eay V FW =.2V, C GATE = 1nF.2.5 µs Hot Swap V SENSE(CB) V SENSE(ACL) V HGATE Circuit Breaker Trip Sense Votage (V INn V SENSEn ) Active Current Limit Sense Votage (V INn V SENSEn ) Externa N-Channe Gate rive (V HGATEn V OUTn ) IN < 7V, I =, 1µA IN = 7V to 18V, I =, 1µA 5 1-6 -5 7 12-95 -85 14 14-12 -11 V V µa µa 47.5 5 52.5 mv 55 65 75 mv V HGATE(PG) Gate-Source Votage for Power Good 3.6 4.2 4.8 V 4.8 1 7 12 14 14 V V 3
電 気 的 特 性 T A = 25 C V IN = SYMBOL PARAMETER CONITIONS MIN TYP MAX UNITS I HGATE(UP) Externa N-Channe Gate Pu-Up Current Gate rive On, HGATE = V -7-1 -13 µa I HGATE(N) Externa N-Channe Gate Pu-own Current Gate rive Off, OUT =, HGATE = OUT 5V I HGATE(FP) t PHL(SENSE) t OFF(HGATE) t (HGATE) Externa N-Channe Gate Fast Pu-own Current Sense Votage (INn SENSEn) High to HGATEn Low ENn High to HGATEn Low ONn Low to HGATEn Low INn Low to HGATEn Low ONn High, ENn Low to HGATEn Turn-On eay Fast Turn-Off, OUT =, HGATE = OUT 5V 15 3 5 µa 1 2 3 ma V SENSE = 3mV, C HGATE = 1nF.5 1 µs 2 1 1 4 2 2 µs µs µs 5 1 15 ms t P(HGATE) ONn to HGATEn Propagation eay ON = Step.8V to 2V 1 2 µs / I SENSE SENSEn Input Current SENSE = 1 5 1 µa V ON(TH) ONn Threshod Votage ON Rising 1.21 1.235 1.26 V V ON(HYST) ONn Hysteresis 4 8 14 mv V ON(RESET) ONn Faut Reset Threshod Votage ON Faing.55.6.63 V I ON(LEAK) ONn Input Leakage Current ON = 5V ±1 µa V EN(TH) ENn Threshod Votage EN Rising 1.185 1.235 1.284 V VEN (HYST) ENn Hysteresis 4 13 2 mv I EN(UP) ENn Pu-Up Current EN = 1V -7-1 -13 µa V TMR(TH) TMRn Threshod Votage TMR Rising TMR Faing I TMR(UP) TMRn Pu-Up Current TMR = 1V, In Faut Mode -75-1 -125 µa I TMR(N) TMRn Pu-own Current TMR = 2V, No Fauts 1.4 2 2.6 µa I TMR(RATIO) TMRn Current Ratio I TMR(N) /I TMR(UP) 1.4 2 2.7 % I OUT OUTn Current OUT = 11V, IN =, ON = 2V OUT = 13V, IN =, ON = 2V V OL Output Low Votage (FAULTn, PWRGn) I = 1mA.15.4 V V OH Output High Votage (FAULTn, PWRGn) I = 1µA 1.5 V I OH Input Leakage Current (FAULTn, PWRGn) V = 18V ±1 µa I PU Output Pu-Up Current (FAULTn, PWRGn) 1.198.15 1.235.2 5 2.2 1.272.25 V = 1.5V -7-1 -13 µa t RST(ON) ONn Low to FAULTn High 2 4 µs 12 4 V V µa ma Note 1 絶 対 最 大 定 格 に 記 載 された 値 を 超 えるストレスはデバイスに 永 続 的 損 傷 を 与 える 可 能 性 がある 長 期 にわたって 絶 対 最 大 定 格 条 件 に 曝 すと デバイスの 信 頼 性 と 寿 命 に 悪 影 響 を 与 える 可 能 性 がある Note 2:デバイスのピンに 流 れ 込 む 電 流 は 全 て 正 デバイスのピンから 流 れ 出 す 電 流 は 全 て 負 注 記 がない 限 り 全 ての 電 圧 はGNを 基 準 にしている Note 3: 内 部 クランプにより GATEピンとCPOピンは INを 基 準 に 最 小 1V 高 い 電 圧 およびダ イオード1 個 だけ 低 い 電 圧 に 制 限 される これらのピンをクランプより 高 い 電 圧 にドライブす るとデバイスを 損 傷 するおそれがある Note 4: 内 部 クランプにより HGATEピンは OUTを 基 準 に 最 小 1V 高 い 電 圧 およびダイオード 1 個 だけ 低 い 電 圧 に 制 限 される このピンをクランプ 電 圧 より 高 い 電 圧 にドライブするとデバ イスを 損 傷 するおそれがある 4
標 準 的 性 能 特 性 T A = 25 C, V IN = I IN (ma) 4 3 2 1 IN CPO (V) 6 V IN = 5 4 3 V IN = 3.3V 2 1 V CPO V IN ( V CPO ) (V) 12 1 8 V IN = 18V 6 4 V IN = 2.9V 2 3 6 9 12 V IN (V) 15 18 2 4 6 8 I LOA (ma) 1 2 2 4 6 8 1 12 I CPO (µa) 422512 G1 422512 G2 422512 G3 V GATE V IN ( V GATE ) (V) 12 1 8 6 4 2 Hot Swap OUT V OUT = V IN.1V V IN = 18V V IN = 2.9V GATE RIVE ( V HGATE ) (V) 14 V OUT = V IN 12 V IN = 1 8 6 V IN = 2.9V 4 2 I OUT (ma) 2.5 V IN = 2. 1.5 1..5 2 2 4 6 8 1 12 I GATE (µa) 2 4 6 8 1 12 I HGATE (µa).5 3 6 9 12 V OUT (V) 15 18 422512 G4 422712 G5 422512 G6 CIRCUIT BREAKER TRIP VOLTAGE (mv) 52 51 5 49 48 5 25 25 5 TEMPERATURE ( C) 75 1 ACTIVE CURRENT LIMIT SENSE VOLTAGE (mv) 67 66 65 64 63 5 25 25 5 TEMPERATURE ( C) 75 1 ACTIVE CURRENT LIMIT ELAY (µs) 1 C HGATE = 1nF 1 1.1 5 1 15 2 25 3 SENSE VOLTAGE (V IN V SENSE ) (mv) 422512 G7 422512 G8 422512 G9 5
標 準 的 性 能 特 性 T A = 25 C V IN = 11. HGATE 13 TMR.8 PWRG FAULT L HGATE PULL-UP CURRENT (µa) 1.5 1. 9.5 TMR PULL-UP CURRENT (µa) 12 11 1 99 98 OUTPUT LOW VOLTAGE (V).6.4.2 9. 5 25 25 5 TEMPERATURE ( C) 75 1 97 5 25 25 5 TEMPERATURE ( C) 75 1 1 2 3 4 5 CURRENT (ma) 422512 G1 422512 G11 422512 G12 ピン 機 能 CPO1 CPO2 CPO1 CPO2 IN2 MOSFET (C ISS ) 1 GATE1 GATE2 MOSFET N MOSFET IN 1.5A CPO GATE 1.5A GATE IN EN1 EN2 Hot Swap H MOSFET 1μA 1 ON H EN L 1ms (UF ) FAULT1 FAULT2 1μA H 1 L GN HGATE1 HGATE2 Hot Swap MOSFET Hot Swap N MOSFET 1μA MOSFET OUT 1 3μA HGATE 2mA HGATE OUT IN2 MOSFET 5V OR IN2 GATE GATE 6
ピン 機 能 5V.1μF 5μA ON1 ON2 1.235V Hot Swap MOSFET 1.155V IN ON.6V OUT1 OUT2 MOSFET MOSFET GATE HGATE SENSE1 SENSE2 HGATE IN SENSE 65mV TMR 5mV TMR1 TMR2 Hot Swap MOSFET 12ms/μF 617ms/μF 2 PWRG1 PWRG2 1μA H 1 HGATE OUT MOSFET 4.2V - L 7
LTC4225-1/LTC4225-2 ブロック 図 HGATE1 A1 SENSE1 SENSE2 IN2 65mV 5mV 5mV 65mV ECB1 ECB2 A2 HGATE2 1µA 1µA CPO1 1µA CHARGE PUMP 1 CHARGE PUMP 2 1µA CPO2 GATE1 OUT1 GATE RIVER 1 GA1 25mV 2.2V 5V LO 25mV GA2 GATE RIVER 2 GATE2 OUT2 UV3 1.9V UV1 UV2 IN2 1.9V ON1 1µA 1.235V.6V CP1 CP2 HGATE1 ON FAULT1 RESET HGATE2 ON FAULT2 RESET CP3 CP4 1.235V ON2.6V 1µA EN1 1.235V CP5 CAR1 PRESENCE ETECT CAR2 PRESENCE ETECT CP6 1.235V EN2 TMR1 1µA 1.235V.2V 2µA CP7 CP8 LOGIC CP9 CP1 1.235V.2V 1µA 2µA TMR2 1µA 1µA 1µA 1µA FAULT1 FAULT2 PWRG1 GN PWRG2 EXPOSE PA* *UF PACKAGE ONLY 422512 B 8
動 作 LTC4225 N MOSFET M M H µtca LTC4225 2 Hot Swap 2 LTC4225 MOSFET L (GA1 GA2) IN OUT GATE GATE MOSFET CPO IN MOSFET GATE CPO IN GN ON H EN L 1ms 1μA HGATE Hot Swap MOSFET IN SENSE (R S ) (A1 A2) 65mV MOSFET HGATE GN MOSFET HGATE OUT 4.2V PWRG L MOSFET GATE MOSFET (V IN V OUT ) 25mV 25mV MOSFET MOSFET MOSFET 2 MOSFET I LOA R S(ON) MOSFET GATE MOSFET 65mV/ R S TMR 1μA HGATE L Hot Swap MOSFET FAULT L GATE H GATE IN CPO IN CPO GATE IN HGATE OUT HGATE OUT LTC4225 (LO) OR IN OUT LO 5V LTC4225 9
アプリケーション 情 報 OR LTC4225 N MOSFET MOSFET MOSFET 2 MOSFET LTC4225 1 V CC LTC4225 IN 2.9V 18V (LO) 5V OR IN OUT LO OR IN OUT 2.2V MOSFET.1μF GN LO 5μA OUT 2 N MOSFET M M H MOSFET M M H Hot Swap (R S ) HGATE (C HG ) C HG R HG R H Hot Swap MOSFET V R2 137k R4 137k V IN2 R1 2k R3 2k C F1 1nF C F2 1nF BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR C1 CPO1 ON1 GN BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR C CP1 EN2 PWRG2 ON2 FAULT2 CPO2 IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2 C CP2 R S1.4Ω R S2.4Ω M 1 Si7336AP SENSE1 GATE1 LTC4225 M 2 Si7336AP M H1 Si7336AP R H1 1Ω HGATE1 R H2 1Ω M H2 Si7336AP R HG1 47Ω C HG1 15nF R HG2 47Ω C HG2 15nF OUT1 FAULT1 PWRG1 EN1 TMR1 TMR2 R5 1k C T2 47nF R7 1k V V IN2 R6 1k R8 1k C T1 47nF BACKPLANE PLUG-IN CAR 1 PLUG-IN CAR 2 422512 F1 7.6A C L1 16µF C L2 16µF 7.6A 1 1 2 μtca μtca
アプリケーション 情 報 MOSFET ( ) 2.2V CPO Hot Swap MOSFET OUT IN OUT GATE CPO Hot Swap MOSFET 1ms EN L ON H Hot Swap MOSFET 1μA HGATE HGATE 1µA/C HG (C L ) I INRUSH = C L C HG 1µA Hot Swap MOSFET OUT HGATE (R S ) MOSFET 4.2V PWRG L OUT HGATE HGATE OUT MOSFET MOSFET R S M M H 25mV 25mV MOSFET MOSFET I LOA R S(ON) GATE Hot Swap MOSFET ON 1.155V ON 8mV EN IN 1V/IV CPO 1V/IV GATE 1V/IV OUT 1V/IV ON 5V/IV HGATE 1V/IV OUT 1V/IV PWRG 1V/IV 2ms/IV 2 5ms/IV 422512 F2 422512 F3 3 Hot Swap 1.235V Hot Swap MOSFET LTC4225 3μA HGATE MOSFET (2.2V) MOSFET GATE 1μA IN 1 HGATE 2mA OUT MOSFET OUT IN OUT 2mV MOSFET MOSFET OUT IN 25mV 11
アプリケーション 情 報 EN EN L ON H LTC4225 1ms EN 1ms EN L HGATE 1μA Hot Swap MOSFET EN H 2μs HGATE 3μA Hot Swap MOSFET LTC4225 MOSFET (R S1 R S2 ) (ECB) (ACL) TMR V SENSE(CB) (5mV) HGATE OUT 2mA Hot Swap MOSFET (LTC4225-2) HGATE MOSFET 4 5 LTC4225 1μs HGATE OUT R HG C HG Hot Swap MOSFET 2 Z1 R SNUB1 C SNUB1 Z2 R SNUB2 C SNUB2 11 OUT 1V/IV HGATE 1V/IV ECB V SENSE(CB) 1.3 ACL V SENSE(ACL) (65mV) Hot Swap MOSFET ACL ACL TMR 1μA TMR (1.235V) HGATE 3μA MOSFET FAULT L Hot Swap MOSFET TMR.2V TMR 2μA TMR 14 (LTC4225-1) ON L EN H L HGATE I LOA 4A/IV OUT 1V/IV HGATE 1V/IV I LOA 4A/IV 1µs/IV 4 2µs/IV 5 422512 F4 422512 F5 12
アプリケーション 情 報 HGATE N MOSFET C ISS 2nF MOSFET HGATE R HG C HG C HG C HG (R HG ) MOSFET C HG 1nF R HG 1Ω 1Ω TMR TMR GN (C T ) (5mV) TMR 1μA 2μA 1.235V TMR FAULT L tcb = CT 12[ms/µF] TMR 1.235V TMR.2V 2μA TMR 1μA 2μA.2V 14 HGATE FAULT H MOSFET t COOL = C T 11[s/µF] (LTC42251) HGATE (LTC4225-2) HGATE (LTC4225-1) (LTC4225-1) FAULT L LTC4225 2 MOSFET Hot Swap MOSFET ON 1μs.6V 1.235V ON FAULT ON H HGATE 1ms EN H L FAULT 1ms H HGATE (2.2V) MOSFET UVLO 1ms (LTC4225-2) (LTC4225-2) TMR FAULT H HGATE Hot Swap MOSFET FAULT L 2μA TMR t CB t COOL TMR (C T ) C T.1% 6 13
アプリケーション 情 報 TMR 1V/IV FAULT 1V/IV HGATE 5V/IV I LOA 2A/IV 5ms/IV 6 422512 F6 ( ) 2.2V UVLO IN MOSFET UVLO ON 1μs (C F ) ON RC ON ON ( IN2) GN V IN(UVTH) = 1 R TOP R BOTTOM V ON( TH) V ON(TH) ON (1.235V) 2μs FAULT L ON 1.155V.6V HGATE 3μA Hot Swap MOSFET Hot Swap MOSFET 1ms ON.6V Hot Swap MOSFET Hot Swap MOSFET 1ms MOSFET MOSFET HGATE OUT PWRG1 PWRG2 1μA H HGATE 4.2V L L ON L EN L H HGATE L HGATE L H CPO GATE CPO GATE IN 1 7μs CPO 4μs GATE CPO CPO CPO GATE CPO CPO IN GATE IN GATE 14
アプリケーション 情 報 MOSFET LTC4225 N MOSFET MOSFET (R S(ON) ) - (BV SS ) MOSFET Hot Swap MOSFET IN2 2.9V 7V 5V 4.8V IN2 7V 1V 14V N MOSFET 7V N MOSFET 14V MOSFET 14V MOSFET - (BV SS ) MOSFET R S(ON) MOSFET CPO CPO IN (C CP ) MOSFET (C ISS ) 1 MOSFET IN OUT 24V 1μF.1μF (Z1 Z2) 1Ω.1μF 11 2 7.6A 1 (R S1 R S2 ) I LOA(MAX) I TRIP(MIN) V SENSE(CB)(MIN) I TRIP(MIN) /I LOA(MAX) 1.5 I TRIP(MIN) = 1.5 I LOA(MAX) = 1.5 7.6A = 11.4A R S = V SENSE(CB)(MIN) I TRIP(MIN) = 47.5mV 11.4A = 4.16mΩ 1% 4mΩ MOSFET R S(ON) 2 MOSFET ( V FW ) 6mV R S(ON,TOTAL) V FW I LOA(MAX) = 6mV 7.6A = 7.9mΩ Si7336AP V GS = 1V R S(ON) 3mΩ 2 MOSFET 6mΩ Si7336AP (C ISS ) 56pF 1 CPO C CP1 C CP2.1μF 15
アプリケーション 情 報 MOSFET (i7336ap) (C L ) MOSFET MOSFET E CL = 1 2 C L V IN 2 C L = 16µF C L t CHARGE = C L V IN 16µF = = 19ms I INRUSH 1A Hot Swap MOSFET (C HG ) 1A C HG = C L I HGATE(UP) I INRUSH = 16µF 1µA = 16nF 1A C HG 15nF MOSFET P AVG = E CL = 1 t CHARGE 2 16µF ( )2 = 6W 19ms MOSFET 19ms 6W Si7336AP SOA 1ms 3V 1.5A 45W MOSFET T = P AVG Zth JC Zth JC Si7336AP Zth JC =.8 C/W 4.8 C TMR (C T ) LTC4225 C T =.47µF C T 12[ms/µF] =.56ms V SENSE(ACL)(MAX) R S I SHORT(MAX) = V SENSE( ACL)(MAX) R S(MIN) = 75mV 3.96mΩ = 18.9A MOSFET.56ms 18.9A = 227W Si7336AP Zth JC =.1 C/W 22.7 C C T =.47µF MOSFET Si7336AP SOA 1ms 3V 15A 45W ON1 ON2 9.6V 2k (R1 R3) R2 R4 R TOP = V IN(UVTH) 1 R V BOTTOM ON( TH) 9.6V R TOP = 1.235V 1 2k = 135k R2 R4 1% 137k.1μF (C1) ON 1nF (C F ) Hot Swap MOSFET PCB LTC4225 PCB MOSFET PCB PCB 7 16
アプリケーション 情 報 IN OUT MOSFET MOSFET MOSFET PCB PCB 1 1A C.3 1.5 Ω/ C1 GN CPO1 C CP1 CPO2 IN2 C CP2 (Z1 Z2) LTC4225 CURRENT FLOW TO LOA M 1 PowerPAK SO-8 M H1 PowerPAK SO-8 CURRENT FLOW TO LOA R S1 S G W S S S S W OUT1 G S R H1 TRACK WITH W:.3" PER AMPERE ON 1oz Cu FOIL C CP1 Z1 24 23 22 21 2 VIAS TO GN PLANE C1 1 2 3 4 5 LTC4225UF 19 18 17 16 15 6 7 14 13 Z2 8 9 1 11 12 C CP2 R H2 S G IN2 W S S W S S R S2 G S OUT2 422512 F7 CURRENT FLOW TO LOA M 2 PowerPAK SO-8 M H2 PowerPAK SO-8 CURRENT FLOW TO LOA 7 MOSFET PCB 17
アプリケーション 情 報 2 8 5V (INPUT 1) (INPUT 2) ON1 R1-R2 4.3V UV INPUT 1 M H1 INPUT 1 M H1 PWRG1 L ON2 L M H2 IN2 INPUT 1 4.3V ON1 M H1 PWRG1 H ON2 M H2 INPUT 2 1 ON2.6V ON2 H 1ms M H2 INPUT 1 M H1 M H2 MOSFET M 1 M 2 MOSFET MOSFET MOSFET Hot Swap MOSFET Hot Swap MOSFET 9 Hot Swap MOSFET MOSFET LTC4225 GATE IN HGATE OUT MOSFET - MOSFET GATE SOURCE 24V - 25V MOSFET - MOSFET 9 MOSFET GATE SOURCE 5V PRIMARY SUPPLY INPUT 1 Z1 SMAJ13A C CP1 R S1.6Ω M 1 SiR466P M H1 SiR466P R H1 1Ω R HG1 47Ω C HG1 33nF C L 47µF V OUT 5A R2 49.9k CPO1 EN1 SENSE1 GATE1 HGATE1 OUT1 FAULT1 R1 2k C F1 C1 R4 41.2k ON1 GN LTC4225 PWRG1 TMR1 TMR2 C T2 47nF C T1 47nF ON2 EN2 PWRG2 FAULT2 CPO2 IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2 BACKUP SUPPLY INPUT 2 Z2 SMAJ13A R3 3.92k C CP2 R S2.6Ω 1 LS4148 M 2 SiR466P M H2 SiR466P 422512 F8 18 8 2
アプリケーション 情 報 V BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR C CP1 R S1.6Ω M H1 SiR466P R H1 1Ω Z H1 Z 1 R HG1 47Ω C HG1 15nF M 1 SiR466P PLUG-IN CAR 1 5A C L1 1µF PWREN1 PWREN2 C1 CPO1 ON1 GN SENSE1 HGATE1 LTC4225 GATE1 OUT1 FAULT1 PWRG1 EN1 TMR1 TMR2 ON2 EN2 PWRG2 FAULT2 CPO2 IN2 SENSE2 HGATE2 GATE2 OUT2 C T2 47nF C T1 47nF PLUG-IN CAR 2 C CP2 R H2 1Ω R HG2 47Ω C HG2 15nF C L2 1µF V IN2 BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR R S2.6Ω M H2 SiR466P Z H2 Z 2 Z H1, Z 1, Z H2, Z 2 : CMHZ476 M 2 SiR466P BACKPLANE 422512 F9 5A 9 Hot Swap MOSFET MOSFET V R2 137k R1 2k R3 2k R4 28k C F1 C F2 Z1 SMAJ13A C1 CPO1 EN1 ON1 GN C CP1 R S1.3Ω M 1 SiR158P SENSE1 GATE1 LTC4225 M H1 SiR158P R H1 1Ω HGATE1 R HG1 47Ω C HG1 15nF OUT1 FAULT1 PWRG1 TMR1 TMR2 PWRG2 ON2 FAULT2 EN2 CPO2 IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2 C L1 1µF R5 2.7k 2 C T2 1A V R6 2.7k 1 C T1 22nF R7 2.7k 1 1: GREEN LE LN1351C 2: RE LE LN1261CAL V IN2 R8 2.7k 2 C CP2 V IN2 3.3V BACKPLANE CONNECTOR CAR CONNECTOR Z2 SMAJ13A R S2.15Ω M 2 SiR468P M H2 SiR468P C L2 1µF 422512 F1 3.3V 2A 1 3.3V 19
アプリケーション 情 報 V Z1 SMAJ13A R SNUB1 1Ω C SNUB1 C CP1 R S1.6Ω M 1 SiR466P M H1 SiR466P R H1 1Ω R HG1 47Ω C HG1 15nF V C L 1µF 5A R2 137k R1 2k R3 2k R4 137k C F1 C F2 C1 CPO1 EN1 ON1 GN SENSE1 GATE1 LTC4225 HGATE1 OUT1 FAULT1 PWRG1 TMR1 TMR2 PWRG2 ON2 FAULT2 EN2 CPO2 IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2 R5 1k C T2 47nF R6 1k C T1 47nF R7 1k V IN2 R8 1k C CP2 R H2 1Ω R HG2 47Ω C HG2 15nF V IN2 BACKPLANE CONNECTOR CAR CONNECTOR Z2 SMAJ13A R SNUB2 R S2 1Ω.6Ω C SNUB2 M 2 SiR466P M H2 SiR466P 422512 F11 11 2
アプリケーション 情 報 POWER MOULE #1 BACKPLANE AMC #1 SENSE1 GATE1 HGATE1 OUT1 LTC4225* IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2 AMC #2 8x (12 AMCs, 2 CUs, 2 MCHs) 16x MCH #1 IN2 SENSE1 GATE1 HGATE1 LTC4225* SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT1 OUT2 MCH #2 POWER MOULE #2 SENSE1 GATE1 HGATE1 OUT1 LTC4225* IN2 SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT2 8x IN2 SENSE1 GATE1 HGATE1 LTC4225* SENSE2 GATE2 HGATE2 OUT1 OUT2 422512 F12 *AITIONAL ETAILS OMITTE FOR CLARITY 12 µtca 21
パッケージ UF 24 QFN 4mm 5mm (Reference LTC WG # 5-8-1696 Rev A).7 ±.5 4.5 ±.5 3.1 ±.5 2. REF 2.65 ±.5 3.65 ±.5.25 ±.5.5 BSC 3. REF 4.1 ±.5 5.5 ±.5 4. ±.1 (2 SIES).75 ±.5 R =.5 TYP 2. REF R =.115 TYP 23 24 1 R =.2 C =.35 1 Note 6.4 ±.1 1 2 5. ±.1 (2 SIES) 3. REF 3.65 ±.1 2.65 ±.1 (UF24) QFN 56 REV A.2 REF.25 ±.5..5.5 BSC NOTE: 1. JEEC MO-22 (WXXX-X) 2. 3. 4..15mm 5. 6. 1 22
パッケージ 寸 法 GN 24 SSOP(.15 ) (Reference LTC WG # 5-8-1641).45 ±.5.337.344* (8.56 8.738) 24 23 22 21 2 19 18 17 16 15 1413.33 (.838) REF.254 MIN.15.165.229.244 (5.817 6.198).15.157** (3.81 3.988) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 11 12.165 ±.15.25 BSC 半 田 パッド レイア ト.75.98 (.19.25).15 ±.4 (.38 ±.1) 45 8 TYP.532.688 (1.35 1.75).4.98 (.12.249).16.5 (.46 1.27) NOTE: 1. 標 準 インチ インチ 2. は ( リ ートル) 3. は とは なる * には ールドのバリを まない ールドのバリは サイドで.6"(.152mm)を 超 えないこと ** にはリード のバリを まない リード のバリは サイドで.1"(.254mm)を 超 えないこと.8.12 (.23.35) TYP.25 (.635) BSC GN24 (SSOP) 24 23
標 準 的 応 用 例 Hot SwapOR V 5V Z1 SMAJ7A C CP1 R S1.6Ω M H1 Si779P M 1 Si779P C L 1µF 5V 5A PWREN R1 1k C1 CPO1 EN1 ON1 GN SENSE1 HGATE1 LTC4225 GATE1 OUT1 FAULT1 PWRG1 TMR1 TMR2 C T2 C T1 PWRG2 ON2 FAULT2 EN2 CPO2 IN2 SENSE2 HGATE2 GATE2 OUT2 C CP2 V IN2 5V BACKPLANE CONNECTOR CAR CONNECTOR Z2 SMAJ7A R S2.6Ω M H2 Si779P M 2 Si779P 422512 TA2 関 連 製 品 LTC1421 Hot Swap 3V SSOP-24 LTC1645 Hot Swap 3V SSOP-8 SO-14 LTC1647-1/LTC1647-2/ LTC1647-3 24 Hot Swap 2.7V 16.5V SO-8 SSOP-16 4 LTC421 Hot Swap 2.7V 16.5V SOT23-6 LTC4211 Hot Swap 2.7V 16.5V MSOP-8 MSOP-1 LTC4215 Hot Swap 2.9V 15V I 2 C SSOP-16 QFN-24 LTC4216 Hot Swap V 6V MSOP-1 FN-12 LTC4218 Hot Swap 2.9V 26.5V SSOP-16 FN-16 LTC4221 Hot Swap 1V 13.5V SSOP-16 LTC4222 Hot Swap 2.9V 29V I 2 C SSOP-36 QFN-32 LTC4223 3.3V SSOP-16 FN-16 LTC4224 Hot Swap 2.7V 6V MSOP-1 FN-1 LTC4352 2.9V 18V N MSOP-12 FN-12 LTC4354 OR 8V 2 N SO-8 FN-8 LTC4355 OR 9V 8V 2 N SO-16 FN-14 LTC4357 9V 8V N MSOP-8 FN-6 LTC4358 5A 9V 26.5V N MSOP-16 FN-14 12-94 東 京 都 千 代 田 区 紀 尾 井 町 3-6 紀 尾 井 町 パークビル8F TEL 3-5226-7291 FAX 3-5226-268 www.inear-tech.co.jp LT 211 PRINTE IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 211