EconoPCK モジュール トレンチ / フィールドストップ IGBTand エミッターコントロール diode 内蔵 and NTC サーミスタ EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / VCES = 65V IC nom = / ICRM = 一般応用 Typicalpplications モーター駆動 MotorDrives 電気的特性 ElectricalFeatures 65Vに増加したブロッキング電圧 Increasedblockingvoltagecapabilityto65V 高い短絡電流耐量 自己抑制型短絡電流 High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent トレンチIGBT TrenchIGBT Tvjop=5 C Tvjop=5 C 機械的特性 MechanicalFeatures 内蔵されたNTCサーミスタ IntegratedNTCtemperaturesensor 銅ベースプレート CopperBasePlate 半田接合技術 SolderContactTechnology 標準ハウジング StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit -5 6- -9 - - ULapproved(E85)
IGBT- インバータ /IGBT,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues コレクタ エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage 連続 DC コレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent トータル損失 Totalpowerdissipation ゲート エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VCES 65 V TC = 7 C, Tvj max = 75 C IC nom tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 75 C Ptot 5 W VGES +/- V 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. コレクタ エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage ゲート エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage ゲート電荷量 Gatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance コレクタ エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent ゲート エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent ターンオン遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-ondelaytime,inductiveload ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload ターンオフ遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-offdelaytime,inductiveload ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 短絡電流 SCdata ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V Tvj = 5 C VCE sat,55,7,75,95 V V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth 5, 5,8 6,5 V VGE = -5 V... +5 V QG, µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cies 6, nf f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cres,9 nf VCE = 65 V, VGE = V, ICES, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGon =, Ω IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGon =, Ω IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGoff =, Ω IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGoff =, Ω Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C IC =, VCE = V, LS = nh VGE = ±5 V, di/dt = 5 / (Tvj = 5 C) RGon =, Ω Tvj = 5 C IC =, VCE = V, LS = nh VGE = ±5 V, du/dt = V/ (Tvj = 5 C) RGoff =, Ω Tvj = 5 C VGE 5 V, VCC = V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, tp, Tvj = 5 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC,7,8,8,6,9,,7,7,7,,77,88,5,7,9 IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt RthJC,5 K/W IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,9 K/W Tvj op - 5 C
Diode インバータ /Diode,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 連続 DC 電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value VRRM 65 V IF tp = ms IFRM VR = V, tp = ms, VR = V, tp = ms, Tvj = 5 C 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = 5 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V IF =, - dif/dt = 5 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V IF =, - dif/dt = 5 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C I²t VF IRM Qr Erec 99,55,5,5 5, 8,,,,5,75 ²s ²s,95 V V V /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC, K/W /Diode( 素子当り )/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc µc RthCH, K/W Tvj op - 5 C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance R の偏差 DeviationofR 損失 Powerdissipation B- 定数 B-value B- 定数 B-value B- 定数 B-value 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 9 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/5 75 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ K
モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 保存温度 Storagetemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 質量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL,5 kv Cu 基礎絶縁 ( クラス,IEC) basicinsulation(class,iec) 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal lo CTI > / モジュール /permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K), 7,5 min. typ. max. mm mm RthCH K/W LsCE 9 nh TC=5 C,/ スイッチ /perswitch RCC'+EE', mω Tstg - 5 C 取り付けネジ M5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M, - 6, Nm G g
出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C Tvj = 5 C VGE = 9V VGE = 7V VGE = 5V VGE = V VGE = V VGE = 9V IC [] IC [],,5,,5,,5, VCE [V],,5,,5,,5,,5,,5 5, VCE [V] 伝達特性 IGBT- インバータ (Typical) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=.Ω,RGoff=.Ω,VCE=V Tvj = 5 C 8 7 6 Eon, Eoff, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Tvj = 5 C 5 IC [] E [] 5 6 7 8 9 VGE [V] IC [] 5
スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=,VCE=V 過渡熱インピーダンス IGBT- インバータ transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 7 6 Eon, Eoff, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Tvj = 5 C ZthJC : IGBT 5, E [] ZthJC [K/W], 5 6 7 8 9 5 RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 7,,85,,5,5,,,,, t [s] 逆バイアス安全動作領域 IGBT- インバータ (RBSO)) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=.Ω,Tvj=5 C 順電圧特性 Diode インバータ (typical) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC, Modul IC, Chip Tvj = 5 C IC [] IF [] 5 7 VCE [V],,,8,,6, VF [V] 6
スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.Ω,VCE=V スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=V,,6 Erec, Erec, Tvj = 5 C,,6 Erec, Erec, Tvj = 5 C,,,8,8,, E [], E [],,6,6,,,8,8,,, IF [], 5 5 5 RG [Ω] 過渡熱インピーダンス Diode インバータ transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) NTC- サーミスタ サーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJC : Diode Rtyp, ZthJC [K/W] R[Ω], i: ri[k/w]: τi[s]:,8,,6,56,5,,,,,, t [s] TC [ C] 7
回路図 /circuit_diagram_headline J パッケージ概要 /packageoutlines In fin e o n 8
この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります 利用規約このデータシートに記載されているデータ類は 技術者向けの物です このデバイスを使用される際は 製品が使用されるアプリケーションにて ご評価頂いた上で アプリケーションに適切かご判断願います このデータシートには 保証されている特性が記述されております その他 保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます 保証は アプリケーションやその特性に対しては行いません 実際のアプリケーションでの利用に関しては 必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください 追加の技術的情報 アプリケーションでの使用方法について ご質問がある際には 最寄のセールスオフィスにお問い合わせ願います (www.infineon.com 参照 ) 製品にご興味頂き必要があれば アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります 技術的な要求によっては 当該製品が危険な物になり得る可能性があります この様なことが起こる可能性がある場合は 製品を使用される方の責任にて 弊社セールスオフィスに連絡願います 航空関連 もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は インフィニオンと下記の項目を合意しているか ご確認願います ーリスク及び品質の評価ー品質契約ーアプリケーションの共同評価上記の内容の状況に応じて 製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます 必要に応じて この規約を関係される方々に送付してください インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. 9