図 3 滴下量 20 l 回転数 4000rpm の光学顕微鏡像図 6 希釈前の PL 発光図 4 滴下量 20 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 7 希釈後の PL 発光図 5 滴下量 30 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 6 に滴下量 30 l 回転数 300

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ゆうりゅうくぬぎ
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スピンコート法による低分子有機エレクトロルミネッセンス積層膜の作製と評価 Preparation and Evolution of low molecular Organic Thin Film by spin coating 日本大学大学院理工学研究科電子工学専攻 ( 山本研究室 ) 0031 中條妃奈 Master s program, Electronics Technology,

) Graduate College of Science & Technology, Nihon University, M2, Hina Chujo Abstract:CNT(Carbon Nanotube) を用いた弾道電子放出デバイス (Ballistic electron Surface-emitting Display:BSD) の蛍光膜を有機 EL 薄膜に置き換えた

をドープした試料を光学顕微鏡で観察したどのポイントからも凝集体及び斑は確認できなかったまた I-V 測定や発光確認の際に金属電極に直接接地し金属電極を傷つけないための構造を考案した CNT-BSD では CNT をガラスペーストにいれた際にもペースト状態を維持できるようにガラスペーストの量を増加させたガラスペーストの量を変えることで塗布した際に表面をガラスペーストが覆うようになった

1 スピンコート法による低分子有機エレクトロルミネッセンス積層膜の作製と評価 Preparation and Evolution of low molecular Organic Thin Film by spin coating 日本大学大学院理工学研究科電子工学専攻 ( 山本研究室 ) 0031 中條妃奈 Master s program, Electronics Technology, (Yamamoto lab.) Graduate College of Science & Technology, Nihon University, M2, Hina Chujo Abstract:CNT(Carbon Nanotube) を用いた弾道電子放出デバイス (Ballistic electron Surface-emitting Display:BSD) の蛍光膜を有機 EL 薄膜に置き換えた低消費電力の新規ディスプレイの研究を行っている有機 EL 薄膜の作製では蛍光量子収率の向上のため Alq 3 に coumarin6 をドープした CNT-BSD の作製ではスクリーン印刷法を用いることで既存の装置での作製を可能にしたまた試料を研磨することで CNT の露出率を上げ効率の良い電界集中を起こさせようと考えた Alq 3 の coumarin6 をドープした試料を光学顕微鏡で観察したどのポイントからも凝集体及び斑は確認できなかったまた I-V 測定や発光確認の際に金属電極に直接接地し金属電極を傷つけないための構造を考案した CNT-BSD では CNT をガラスペーストにいれた際にもペースト状態を維持できるようにガラスペーストの量を増加させたガラスペーストの量を変えることで塗布した際に表面をガラスペーストが覆うようになったその後 #15000 のやすりで 200 回研磨することで表面のガラスペーストを削り取り CNT を露出させた研磨前では 1,2 本しか CNT が表面に確認できなかったが研磨後では 10~30 本確認できた 1. 背景電界放出ディスプレイ (Field Emission Display:FED) は電子線から発生した電子を蛍光体に照射して電子励起発光を行う図 1 に FED の代表である Spindt 型の構造を示す FED はブラウン管 (Cathode Ray Tube:CRT) ディスプレイと同じ発光原理を用いているが 1 個の電子源から発生する電子線を画面上に順次走査して画像を描く CRT とは異なり画面ごとに対応した複数の平面状電子源を用いることが特徴である電子線の走査が不要となることから奥行きが必要なく薄型ディスプレイとなるまた電子源及び走査系での消費電力が小さく蛍光体での発光効率も高いので液晶ディスプレイ (Liquid Crystal Display:LCD) やプラズマディスプレイ (Plasma Display Panel:PDP) に比べ低消費電力となる図 1 Spindt 型の構造図 2 に有機 EL ディスプレイ (Organic Electron Luminescence Display:OELD) の構造を示す OELD は軽量薄型低消費電力高画質といった特徴がある近年では携帯電話等のディスプレイとして利用されているまた面発光であることを利用し照明器具である蛍光灯白熱灯発光ダイオードに変わる新しいタイプの光源としても期待されている私たちは FED の蛍光体を有機 EL 薄膜とした新規デバイスの研究を行っている有機 EL 薄膜の材料には大きく分けて低分子材料と高分子材料の 2 種類がある低分子材料を用いた有機 EL 薄膜は一般的に真空蒸着法で作製する低分子材料は成膜性が高い発光輝度効率が高い長寿命といった特徴があるしかし真空蒸着法を用いることで材料の使用効率が低くなり装置コストが高くなる高分子材料を用いた有機 EL 薄膜は一般的にウェットプロセスで作製する高分子材料は低分子材料に比べ輝度寿命が比較的低い材料であるウェットプロセスは低コスト基板の大型化が容易簡易な製造プロセス材料の使用効率が高いといった特徴があるウェットプロセスにはディップコート法とスピンコート法があるディップコート法とは基板を垂直あるいは一定の角度を持たせて溶液に浸漬し任意の一定速度で上方に引き上げ基板付着の塗膜を乾燥させ成膜する方法であるスピンコート法は高速回転する基板に塗布液を垂らし遠心力で塗布液を基板全体に広げて均一な膜を形成する方法である長時間浸漬させないため積層膜の成膜も可能であるスピンコート法による成膜の際の重要なパラメータとして滴下量溶液濃度回転数滴下した溶液の蒸発速度が挙げられる本実験ではスピンコート法を用いて作製を行うこれまで発光層および電子輸送層としてトリス (8- ヒドロキシキノリナト ) アルミニウム (tris(8-hydroxyquinoline)aluminum:alq 3 )1wt% をクロロホルム (CHCl 3 )99wt% に溶解させた溶液を用いてきた [1][2] 図 3,4,5 にこれまで作製した試料の光学顕微鏡 (Optical Microscope:OM) 像を示す図 3 は滴下量 20 l 回転数 4000rpm 図 4 は滴下量 20 l 回転数 3000rpm で成膜した図 3 では回転数を尐なくすることで凝集体の数は尐なくなったが凝集体の大きさが大きくなった図 5 は滴下量 30 l 回転数 3000rpm で成膜した図 4 に対して滴下量を増やすことで凝集体がなくなった図 2 有機 EL ディスプレイの構造

図 3 滴下量 20 l 回転数 4000rpm の光学顕微鏡像図 6 希釈前の PL 発光図 4 滴下量 20 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 7 希釈後の PL 発光図 5 滴下量 30 l

溶液の粘性が強く回転方向への溶液の広がりが十分でないことが原因であると考えたそこでクロロホルムと相性の良いアセトンで溶液を希釈した図 7 に Alq 3 溶液 (50vol%) をアセトン (50vol%)

電極を大きくすることでジュール熱によるセルフアニールが起こってしまうこのため電極を蒸着する際に使用するメタルマスクの見直しが必要である I-V 特性や発光確認を行う際に直接金属電極にプローブ等を接地することで

ホスト材料に蛍光色素を微量添加すると蛍光色素間の分子間相互作用が抑制され希薄溶液中と類似した分子状態を実現できるこのときホストゲスト系材料の組み合わせを適切に行えば

-benzothiazolyl)-7-diethylaminocoumarin3-(2 -benz othiazolyl)-7-diethylaminocoumarin)

ryl)-4h-pyran) がある [3] FED の代表的な型として Spindt 型がある Spindt 型では真空度は 1 10-7 torr 必要駆動電圧は 30~80V 程度である

2 図 3 滴下量 20 l 回転数 4000rpm の光学顕微鏡像図 6 希釈前の PL 発光図 4 滴下量 20 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 7 希釈後の PL 発光図 5 滴下量 30 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 6 に滴下量 30 l 回転数 3000rpm で成膜した試料の PL(Photo Luminescence) 発光の結果を示す基板外側において放射状の斑を確認したこれは溶液の粘性が強く回転方向への溶液の広がりが十分でないことが原因であると考えたそこでクロロホルムと相性の良いアセトンで溶液を希釈した図 7 に Alq 3 溶液 (50vol%) をアセトン (50vol%) で希釈した溶液を滴下量 30 l 回転数 3000rpm で成膜した試料の PL 発光の結果を示す希釈前と異なり基板外側に放射状の斑は確認できなかったしかし EL 発光を確認することはできなかった電極を大きくすることでジュール熱によるセルフアニールが起こってしまうこのため電極を蒸着する際に使用するメタルマスクの見直しが必要である I-V 特性や発光確認を行う際に直接金属電極にプローブ等を接地することで金属電極を傷つけてしまうことがあるそのため直接金属電極に接地せずに測定を行えるような構造にすることが必要であるまたホスト系材料にゲスト系材料である蛍光色素をドープすることで蛍光量子収率を向上させることができるホスト材料に蛍光色素を微量添加すると蛍光色素間の分子間相互作用が抑制され希薄溶液中と類似した分子状態を実現できるこのときホストゲスト系材料の組み合わせを適切に行えばホスト分子の励起エネルギーがゲスト分子へ無放射的に移動しゲスト分子に起因した発光と蛍光量子収率の飛躍的な向上が観測される Alq 3 のゲスト材料としては coumarin6(3-(2 -benzothiazolyl)-7-diethylaminocoumarin3-(2 -benz othiazolyl)-7-diethylaminocoumarin) rubrene(5,6,11,12-tetraphenylnapthacene) や DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminosty ryl)-4h-pyran) がある [3] FED の代表的な型として Spindt 型がある Spindt 型では真空度は torr 必要駆動電圧は 30~80V 程度であるそれに対して弾道電子放出デバイス (Ballistic electron Surface-emitting Display:BSD) では真空度が torr で安定し 15~30V で駆動する [4][5] BSD 型の構造を図 8 に示すしかし BSD の作製にあたって陽極酸化処理を行うため既存の装置では作製できないそこで CNT(Carbon Nanotube) ペーストを用いた CNT-BSD

の作製を提案した CNT-BSD の構造を図 9 に示す CNT ペーストをスクリーン印刷法により塗布することで既存の装置での作製を可能にしたまた作製した試料を研磨することで BSD 型と同じ構造にしさらに表面に露出する CNT の数を増やし効率的な電界集中を起こすことができると考えた図 10 研磨前の SEM 像図 8 BSD

763 図 10 にスクリーン印刷法で作製した試料の走査型電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope:SEM) 像を図 11 に #1500 のやすり上で 5 周研磨を行った試料の SEM 像の結果を示します図 10 よりガラスペーストが CNT に絡んでいることが確認できた図 10 と図 11

がガラスペーストに包まれること -terpineol の量を増やし粘度を調整することが必要であるまた #1500 のやすりでは粗く研磨回数を増やすことができないためより細かいやすりを用いる必要がある 2.

直接接地することのない構造にする CNT-BSD においては CNT がガラスペーストに包まれるようにするためガラスペースト -terpineol の量を変えるまた研磨回数を増やすためより細かいやすりを用いて研磨を行う 3. 実験方法条件 3.1.

3 の作製を提案した CNT-BSD の構造を図 9 に示す CNT ペーストをスクリーン印刷法により塗布することで既存の装置での作製を可能にしたまた作製した試料を研磨することで BSD 型と同じ構造にしさらに表面に露出する CNT の数を増やし効率的な電界集中を起こすことができると考えた図 10 研磨前の SEM 像図 8 BSD の構造図 9 CNT-BSD の構造図 11 研磨後の SEM 像これまで作製していた CNT ペーストの条件を表 1 に示す表 1 CNT ペーストの条件 [g] CNT 0.01 Glass 0.3 a-terpineol 図 10 にスクリーン印刷法で作製した試料の走査型電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope:SEM) 像を図 11 に #1500 のやすり上で 5 周研磨を行った試料の SEM 像の結果を示します図 10 よりガラスペーストが CNT に絡んでいることが確認できた図 10 と図 11 では大きな違いが見られなかったこれはペーストを作製する際にガラスペーストの量が十分ではなかったことスクリーン印刷に適した粘度よりもペーストの粘度が高かったことで研磨によってガラスペーストが削られるのではなく表面に露出した CNT ごと削り取られてしまったことが原因であると考えたガラスペーストの量を増やし多くの CNT がガラスペーストに包まれること -terpineol の量を増やし粘度を調整することが必要であるまた #1500 のやすりでは粗く研磨回数を増やすことができないためより細かいやすりを用いる必要がある 2. 目的有機 EL 薄膜については蛍光量子収率を向上させるため及び分子間相互作用をより抑制させるために Alq 3 のゲスト系材料である coumarin6 をドープし成膜を行うジュール熱によるセルフアニールを起こさないため蒸着の際に用いるメタルマスクのパターンを見直し作製する金属電極に直接接地し電極を傷つけることを避けるため直接接地することのない構造にする CNT-BSD においては CNT がガラスペーストに包まれるようにするためガラスペースト -terpineol の量を変えるまた研磨回数を増やすためより細かいやすりを用いて研磨を行う 3. 実験方法条件 3.1. 有機 EL 薄膜 [1] 基板カット 1P ET/ITO(Polyethylene Terephthalate/Indium Tin Oxide) 基板 ( シート膜厚 125 m ITO 膜厚 25nm シート抵抗 250Ω/sq 東洋紡株式会社製 ) を紙で挟む 2ITO 面を下にした状態でペーパーカッターにセットする mm 2 にカットする [2]ITO 膜のエッチング図 12 に今回設計した構造図を示す ITO と金属電極が交わっている箇所が発光するこうぞうとなっているまた基板外側の ITO 部分を用いることで直接金属電極に触れることなく I-V 特性や発光確認ができるようになっている図 13 にエッチングのマスクのパターン図 14 に蒸着用のメタルマスクのパターンを示す

図 12 作製した有機 EL の構造図 41st を 500rpm,5s 2nd を 5000rpm,30s に設定する 5 レジスト液 (OFPR-800: エチルセロソルブアセテート ) を 6 滴基板上に滴下し Start を押して成膜する 6

5s 照射する 9 ビーカーに現像液を入れ 1 分間浸す 10 純水で約 1 分間リンスする 11100 C に設定した恒温槽で 15 分間乾燥させる 12 塩酸 ( 関東化学株式会社, 18078-00,HCl, 35.

Lot#MKBB0290, C 20 H 18 N 2 O 2 S) を表 2 の通り電子天秤で秤量しクロロホルム ( 関東化学株式会社, 07278-00,CHCl 3, 99.

分超音波洗浄する 2UV オゾンクリーナー (ProCleanerTM110 BIOFORCE NANOSCIENCES 社製 ) で 20 分間オゾン処理を行う 3 基板周囲から幅 3mm 分カプトンテープを貼りこの個所に成膜されないようにする 4

CNT-BSD [1] 基板カット 1Glass/ITO(Indium Tin Oxide) 基板 ( 膜厚 1500A シート抵抗 10Ω/sq ジオマティック株式会社製 ) をダイアモンドカッターで 10 20 にカットする [2]CNT ペーストの作製

4 図 12 作製した有機 EL の構造図 41st を 500rpm,5s 2nd を 5000rpm,30s に設定する 5 レジスト液 (OFPR-800: エチルセロソルブアセテート ) を 6 滴基板上に滴下し Start を押して成膜する 6 基板をシャーレに入れ 90 C に設定した恒温槽で 20 分間乾燥させる 7 紫外線フォトリソグラフィ装置 ( ミカサ株式会社製 : マニプレーター MA-1s 型 ) にマスクと基板を接地する 8 紫外線を 2.5s 照射する 9 ビーカーに現像液を入れ 1 分間浸す 10 純水で約 1 分間リンスする C に設定した恒温槽で 15 分間乾燥させる 12 塩酸 ( 関東化学株式会社, ,HCl, 35.0%)1N(1L 中に 1mol の酸 ) に基板を 2 分間浸しエッチングする 13 純水で 2 回リンスする 14 剥離液に基板を入れ 2 分間超音波洗浄する 15 純水でリンスする [3]Alq 3 溶液の作製表 2 に作製条件を示す表 2 Alq 3 溶液の条件 Alq mol% coumarin6 0.5mol% 1wt% クロロホルム 99wt% 50vol% アセトン 50vol% 図 13 エッチング用マスク 1Alq 3 (ALDRICH,MKBD4383V, C 27 H 18 AlN 3 O 3 ) と coumarin6(aldrich, Lot#MKBB0290, C 20 H 18 N 2 O 2 S) を表 2 の通り電子天秤で秤量しクロロホルム ( 関東化学株式会社, ,CHCl 3, 99.0%) にと溶解させ 20 分間超音波分散を行う 21 で作製した Alq 3 溶液にアセトンを加え更に 20 分間超音波分散を行う [4] 成膜 1 エッチングした PET/ITO 基板をアセトンアセトンエタノールで 5 分 15 分 5 分超音波洗浄する 2UV オゾンクリーナー (ProCleanerTM110 BIOFORCE NANOSCIENCES 社製 ) で 20 分間オゾン処理を行う 3 基板周囲から幅 3mm 分カプトンテープを貼りこの個所に成膜されないようにする 4 スピンコーターに両面テープを貼りその上に基板を固定する 53000rpm で回転している基板の中心に 30 l 溶液を滴下し 10s 後に回転を止める 3.2.CNT-BSD [1] 基板カット 1Glass/ITO(Indium Tin Oxide) 基板 ( 膜厚 1500A シート抵抗 10Ω/sq ジオマティック株式会社製 ) をダイアモンドカッターでにカットする [2]CNT ペーストの作製 CNT ペーストの条件を表 3 に示す表 1 CNT ペーストの条件 [g] CNT 0.01 Glass 0.6 -terpineol 図 14 蒸着のメタルマスク 1PET/ITO 基板を ITO 面が上になるようにビーカーに入れる 2 アセトンアセトンエタノールで 5 分 15 分 5 分超音波洗浄を行う 3 スピンコーターのヘッドに基板を乗せる 1 有機溶媒の -terpineol( 関東化学株式会社, , CH3C6H8C(CH3)2OH, 95.0%) に CNT( 昭和電工株式会社製 ) を加え 30 分間超音波分散を行う 2 硝子ペースト ( ハイブリット IC 用オーバーコートペースト : 旭硝子株式会社製 ) を加えスターラーを用いて 30 分間撹拌する

[3] スクリーン印刷 1 基板にメッシュ ( メッシュ株式会社 :#250) を乗せメッシュ上からペーストを垂らす 220 秒後メッシュ上に残ったペーストをスパチュラで数回にわたって拭い去った 3

に示す 1 研磨器具内側の底に両面テープで試料を固定する 2#15000 のやすりの上に研磨器具を置き図 16 のように円運動で元の位置に戻ることを 1 周 (10πcm) とし,200 周研磨する

評価方法条件 [1] 光学顕微鏡 (Optical Microscope:OM) 光学顕微鏡 ( カイザー社製の HoloLab5000R) を用いて有機 EL 薄膜の凝集体の有無を確認した

株式会社日立ハイテクフィールディング, S-4500) を用いて CNT の分散の程度や研磨後の CNF の切断面の存在を観察した観察する際に導電性を得るために Pt-Pd をスパッタした 5.

5 [3] スクリーン印刷 1 基板にメッシュ ( メッシュ株式会社 :#250) を乗せメッシュ上からペーストを垂らす 220 秒後メッシュ上に残ったペーストをスパチュラで数回にわたって拭い去った 3 電気炉を用いて 150 で 10min 乾燥させ,510 で 5min アニールを行う [4] 研磨研磨に用いた研磨器具 ( アルミニウム製内側 40g) を図 15 に示す研磨イメージを図 16 に示す 1 研磨器具内側の底に両面テープで試料を固定する 2#15000 のやすりの上に研磨器具を置き図 16 のように円運動で元の位置に戻ることを 1 周 (10πcm) とし,200 周研磨する図 17 基板上の各点図 15 研磨器具 (a)1 の光学顕微鏡像図 16 研磨イメージ 4. 評価方法条件 [1] 光学顕微鏡 (Optical Microscope:OM) 光学顕微鏡 ( カイザー社製の HoloLab5000R) を用いて有機 EL 薄膜の凝集体の有無を確認した対物レンズは 10 倍のレンズを用いた (b)2 の光学顕微鏡像 [2] 走査型電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope: SEM) SEM( 株式会社日立ハイテクフィールディング, S-4500) を用いて CNT の分散の程度や研磨後の CNF の切断面の存在を観察した観察する際に導電性を得るために Pt-Pd をスパッタした 5. 結果 5.1. 有機 EL 薄膜基板上の各点の光学顕微鏡像を観察した各点の場所を図 17 に示す図 18 に各点の光学顕微鏡像を示す図 18 において 10~15 m 程度の円状の斑点が (a) では 1 カ所 (c) では 10 カ所 (e) では 2 カ所確認できた (b),(d) からは円状の斑点は確認できなかった (c)3 の光学顕微鏡像

6 (d)4 の光学顕微鏡像 (a)1 の SEM 像 (b)2 の SEM 像 (e)5 の光学顕微鏡像図 18 有機 EL 薄膜の光学顕微鏡像 5.2.CNT-BSD 研磨前の CNT-BSD の SEM 像の結果を図 19 に示すまた図 19 の図中の各点の拡大図を図 20 に示す図 20 より CNT はそれぞれ 1,2 本しか確認できず全体がガラスペーストに覆われていた研磨後の CNT-BSD の 2 カ所の SEM 像の結果を図 21,23 に示す図 21 の図中の各点の拡大図を図 22 に図 23 の各点の拡大図を図 24 に示す図 22 では 20~30 本程度の CNT が図 24 では 10~20 本程度の CNT が確認できたまた 1 m 以上のガラスペーストの塊が数個確認できた (c)3 の SEM 像図 20 図 19 の各点を拡大した SEM 像図 19 研磨前の SEM 像図 21 研磨前の SEM 像

7 (a)1 の SEM 像 (a)1 の SEM 像 (b)2 の SEM 像 (b)2 の SEM 像 (c)3 の SEM 像図 22 図 21 の各点を拡大した SEM 像 (c)3 の SEM 像図 24 図 23 の各点を拡大した SEM 像 6. 考察 6.1. 有機 EL 薄膜図 18 で確認した円状の斑点は図 3,4 で確認したような凝集体とは異なるため基板の下に設置していたガラスプレートの光学顕微鏡像を観察したガラスプレートの光学顕微鏡像を図 25 に示す図 25 より 5~15 m 程度の円状の斑点が確認できた図 18 の (a),(c),(e) で確認した円状の斑点はガラスプレートのものであると考える図 23 研磨前の SEM 像

8 を増加させたガラスペーストの量を変えることで塗布した際に表面をガラスペーストが覆うようになったその後 #15000 のやすりで 200 回研磨することで表面のガラスペーストを削り取り CNT を露出させた研磨前では 1,2 本しか CNT が表面に確認できなかったが研磨後では 10~30 本確認できた研磨後の CNT の本数が観察する箇所によって違いが出ていた今後は CNT の分散液を用いることを考え分散液が希釈液としても作用する絶縁ペーストを探す必要があるまた表面を平坦にするためには #15000 のやすりでは粗いそのため切断する方法も検討する図 25 ガラスプレートの光学顕微鏡像 6.2.CNT-BSD 研磨前では全体をガラスペーストが覆っていたガラスペーストの量を増やすことで CNT を含んだペースト状にすることができたためである研磨前では CNT が 1,2 本しか確認できなかったが研磨することで CNT の露出量が増えたこれは研磨することで表面を覆っていたガラスを削り取り CNT が露出したと考える 9. 参考文献 [1] Tik H. Leea, K.M. Laia and Louis M. Leung: Polymer 50 (2009) [2] C.W.Tang and S.A.VanSlyke,Appl. Phys. Lett.,51, 913,1987 [3] X. Zhou, J. Blochwitz-Nimoth, M. Pfeiffer, B. Maennig, J. Drechsel, A. Werner, K. Leo: Synthetic Metals 138 (2003) [4] 斉藤弥八, フィールドエミッションディスプレイ技術, シーエムシー出版 2004 年 [5] Tsutomu Ichiharaa,*, Yoshiaki Hondaa, Koichi Aizawaa, Takuya Komodaa, NobuyoshiKoshida, Journal of Crystal Growth (2002) 課題と解決方法 7.1. 有機 EL 薄膜 ITO 膜のエッチングを行ったが I-V 測定を行っていないため全てのパターンがマスク通りにエッチングできているか確認できていない今後 I-V 測定を行い全てがパターン通り途切れずにエッチングできているか確認する 7.2.CNT-BSD 研磨を行うことで CNT の露出量が増えたが観察する箇所によって本数に違いがあったガラスペーストの希釈液と CNT の分散液どちらの役割も果たすことのできる溶液がないため CNT を分散させることができていないそこでガラスペーストではない絶縁ペーストを探す必要があるまた表面を平坦にするためには #15000 のやすりでは粗いそのため切断する方法も検討する 8. まとめ CNT を用いた BSD の蛍光膜を有機 EL 薄膜に置き換えた低消費電力の新規ディスプレイの研究を行っている有機 EL 薄膜の作製では蛍光量子収率の向上のため Alq 3 に coumarin6 をドープした CNT-BSD の作製ではスクリーン印刷法を用いることで既存の装置での作製を可能にしたまた試料を研磨することで CNT の露出率を上げ効率の良い電界集中を起こさせようと考えた Alq 3 の coumarin6 をドープした試料を光学顕微鏡で観察したどのポイントからも凝集体及び斑は確認できなかったまた I-V 測定や発光確認の際に金属電極に直接接地し金属電極を傷つけないための構造を考案した ITO 膜のエッチングを行ったが全てのパターンが途切れることなくエッチングできているか I-V 測定を行って確認する必要がある CNT-BSD では CNT をガラスペーストにいれた際にもペースト状態を維持できるようにガラスペーストの量

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←ちゃんとしたロゴに変更解禁時間 ( テレヒラシオ WEB): 平成 26 年 12 月 18 日 ( 木 ) 午後 7 時 ( 日本時間 ) ( 新聞 ) : 平成 26 年 12 月 19 日 ( 金 ) 付朝刊平成 26 年 12 月日科学技術振興機構 ( JST) Tel:03-5214-84( 広報課 ) 山形大学 Tel:0238-26-3419( 山形大学工学部広報室 ) 多層構造を持つ低分子塗布型有機

図 3 滴下量 20 l 回転数 4000rpm の光学顕微鏡像 図 6 希釈前の PL 発光 図 4 滴下量 20 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像 図 7 希釈後の PL 発光 図 5 滴下量 30 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像 図 6 に滴下量 30 l 回転数 300

図 3 滴下量 20 l 回転数 4000rpm の光学顕微鏡像図 6 希釈前の PL 発光図 4 滴下量 20 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 7 希釈後の PL 発光図 5 滴下量 30 l 回転数 3000rpm の光学顕微鏡像図 6 に滴下量 30 l 回転数 300