2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
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- かずし おなか
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1 2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
2 目次 1. 次世代パワーデバイス評価 解析の背景 はじめに 良品解析とは 良品解析から劣化を考慮した良品解析へ 2. SiC デバイスの劣化を考慮した良品解析 ( 加速試験による劣化を考慮した SiC デバイスの良品解析 ) パワーサイクル試験 非破壊検査 アセンブリ工程検査 3. GaN デバイスの良品解析 ( 良品解析手法確立へ向けて ) ウェハ工程検査 4. まとめ SiC( シリコンカーバイド ) デバイス : エスアイシーデバイス GaN( ガリウムナイトライド ) デバイス : ガンデバイス Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 2
![動作周波数 [Hz] 図.](/docs-images/99/141417077/images/3-3.jpg "パワーデバイスの適用範囲 Ref1: コロナ社ワイドギャップ半導体パワーデバイス山本秀和著 Ref2:https://www.semicon.")
3 1.1 はじめに パワーデバイスは 電力変換用のスイッチング素子として使用されている 現在 パワーデバイスは様々な分野に適用され より効率化 ( 高い出力容量あるいは 高速動作 ) が求められているが 従来の Si( シリコン ) パワーデバイスは物性的な限界が みえてきている 次世代パワーデバイス材料として SiC,GaN が注目され それぞれ期待される適用範囲が異なる 1G8 100M7 Si デバイスの物性的限界 高耐圧 大電流用途のスイッチング素子として期待される 出力容量 [VA] 10M6 1M5 100k 4 10k 3 1k 送変電車両駆動用コンバータ Si デバイス SiC 自動車エアコン用インバータ 高速動作 ( 高周波 ) のスイッチング素子として期待される GaN オーディオ用電源 100 1k 10k 100k 1M 動作周波数 [Hz] 図. パワーデバイスの適用範囲 Ref1: コロナ社ワイドギャップ半導体パワーデバイス山本秀和著 Ref2: Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 3
4 1.2 良品解析とは 良品解析とは 電子部品内部に存在する欠陥や不具合構造から 部品の品質評価を行うもので 最適な手法を用いて欠陥を検出し 欠陥が将来故障に至る可能性と重要度を判定して製造品質を評価する手法である 検出された不具合点を製造工程にフィードバックすることで 信頼性向上につながる セットメーカ 部品選定の判断 ( 品質の判断 信頼性試験の効率化 簡略化等 ) 部品の信頼性確認や改善要求 ( デバイスメーカに ) デバイスメーカ 第三者による客観的な評価 ( 見逃している欠陥 ) 対象の電子部品 LSI, IC, 受動部品, 太陽電池, MEMS, パワーデバイス等 パワーデバイスの良品解析と劣化を考慮した良品解析 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 4
5 1.3.1 良品解析から劣化を考慮した良品解析へ SiC デバイスの良品解析 ( 昨年度に確立 ; 初期品質の評価 ) 電気的特性検査パッケージ構造検査 開封 内部検査 チップ構造検査 データ解析判定 非破壊検査 アセンブリ工程検査 ウェハ工程検査 診断 外観検査透過 X 線検査超音波探査電気特性検査熱抵抗測定 開封 内部検査ワイヤ強度測定ダイシェア強度測定パッケージ断面検査チップ表面検査 チップ断面検査 (SEM) チップ断面検査 (TEM) 接合構造検査チップ平面検査 (TEM) チップ界層検査 発生原因推定故障メカニズム推定危険度ランク対処法提案 高電圧 大電流のスイッチング素子として利用されるパワーデバイスは スイッチング動作時の熱ストレスや 通電時の特性劣化が信頼性に大きな影響を与える 初期品質の評価だけで判断を行うと 見逃してしまう信頼性上の問題がある実使用環境における劣化を考慮した良品解析も必要 加速試験による劣化を考慮した良品解析へ ( 劣化を考慮した良品解析 ) Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 5
6 1.3.2 良品解析から劣化を考慮した良品解析へ SiCデバイスの劣化を考慮した良品解析デバイスの良品解析 ( 昨年度に確立 ;( 初期品質の評価本発表内容 ) ) 電気的特性検査初期品質パッケージ構造検査 未試験品 非破壊検査 外観検査透過 X 線検査超音波探査電気特性検査熱抵抗測定 加速試験 パワーサイクル試験温度サイクル試験高温バイアス試験 対象試料 SiC-MOSFET 電気的特性検査開封パッケージ構造検査 非破壊検査アセンブリ工程検査アセンブリ工程検査ウェハ工程検査ウェハ工程検査 電気的特性検査パッケージ構造検査 非破壊検査 内部検査開封 開封 内部検査ワイヤ強度測定ダイシェア強度測定パッケージ断面検査チップ表面検査 開封 内部検査 アセンブリ工程検査 チップチップ構造検査構造検査 チップ断面検査 (SEM) チップ断面検査 (TEM) 接合構造検査比較検査チップ平面検査 (TEM) チップ界層検査チップ内部検査構造検査 モールド樹脂 ウェハ工程検査 データ解析データ解析判定判定 診断診断 発生原因推定故障メカニズム推定危険度ランク対処法提案 劣化解析判定 劣化箇所の特定劣化原因推定危険度ランク対処法提案 初期品質の評価のみでなく 厳しい実使用環境で生じる劣化を考慮した解析を行い 信頼性上の問題についても考察することが出来る Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 6 SiC Al ゲート 診断 報告
7 2.1 SiC デバイスの信頼性上の問題とその評価方法 SiC デバイスの信頼性上の問題 ( 代表例 ) クラックや剥離 ( ワイヤボンディング部ダイボンド部 ) 劣化モデル 高電流 大電圧のスイッチング動作時の熱ストレス 評価方法 構造解析 / 電気的特性検査 [ オン抵抗 (RDSON)] スレッショルド電圧 1 (Vth) のシフト ( ゲート酸化膜界面 ) オン抵抗 2 (RDSON) の増加 (SiC チップ内部 ) 界面準位のトラップ ボディダイオード 3 の通電劣化によるチップ中の欠陥の成長 電気的特性検査 [ スレッショルド電圧 (Vth)] 電気的特性検査 [ オン抵抗 (RDSON)] 1 スレッショルド電圧 :MOSFETのオン オフ動作を決める電圧 2 オン抵抗 :MOSFETのオン状態におけるチップ内部の抵抗値 3 ボディダイオード :MOSFETの構造上形成される寄生ダイオード Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 7
8 No 検査項目解析結果非破壊検5 超音波探査 アセンブリ工程検ェハ工程検2.2 加速試験における SiC デバイスの劣化 SiC デバイスの良品解析結果 ( 昨年度の解析結果 ; 初期品質評価結果 ) 加速試験による劣化のねらい 査4 透過 X 線検査 1 電気的特性検査 2 熱抵抗検査 3 外観検査 対象試料 SiC-MOSFET スイッチング動作時の温度変化 ( ストレス ) による繰り返し疲労でのクラック 剥離を起こさせる試験 査11 パッケージ樹脂熱分析 6 内部検査 7 ワイヤ強度検査 8 ダイシェア強度検査 9 クレータリング検査 10 パッケージ断面検査 パワーサイクル試験 チップ界層検査 14 接合構造検査 15 チップ断面検査 (TEM) 17 チップ平面検査 (TEM) : 異常なし もしくは軽度異常 : 中度異常 : 重度異常 熱抵抗測定機能付きパワーサイクル試験機 MicReD Power Tester 1500A Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 8
9 2.3 パワーサイクル試験 検査確認事項 パワーサイクル試験における劣化の判定基準 電気特性 ( スレッショルド電圧, オン抵抗など各パラメータの測定 ) の変化を確認 熱抵抗評価の変化を確認 パワーサイクル試験方法 電流の通電 遮断時間を調整して 所定の温度差 規格最大値 ΔTj になるように 接合温度を比較的短時間の周期で 上昇 下降させる試験 80.0 オン抵抗 [mω] 参考目標信頼性水準 (Si パワーデバイスの場合 ) スレッショルド電圧 [V] パワーサイクル試験 目標信頼性水準自動車目標規格最大値産業機器目標 30,000サイクル規格最小値 ΔTj=100 電気的特性検査結果 ( オン抵抗測定結果 ) 15,000 サイクル ΔTj=100 Tj:MOSFET の接合温度 ( ジャンクション温度 ) 対象試料 SiC-MOSFET 初期特性 1000 回 3000 回 5000 回 回 回 パワーサイクル試験数 電気的特性検査結果 ( スレッショルド電圧 ) ΔT j 初期特性 1000 (Ref 回富士電機時報 3000 回 2011) 5000 回 回 回 パワーサイクル試験数 試験条件 ΔTj=175 電気的特性検査通電時間 =1min 熱抵抗検査遮断時間 =1min Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 9 I C T 通電遮断 T j 外観検査 X 線検査 超音波探査 X 線 CT 検査 劣化解析 判定 ΔT j パワーサイクル t T f t
10 No 検査項目検査対象検出される欠陥要因非破壊検6 X 線 CT 検査内部組立構造, チップ取付, ダイボンド リード状態ワイヤ異常 ボイド 異物混入などアセンブリ工程検2.4 SiC デバイスの良品解析検査項目 査1 電気的特性検査 オン抵抗, 耐圧 スペックの確認 ( マージン不足 ) など 2 熱抵抗検査 デバイスパッケージの熱特性 構造関数 3 外観検査 パッケージ表面状態, 捺印, リード 捺印異常 変色 リード曲がりなど 4 透過 X 線検査 内部組立構造, チップ取付, ダイボンド リード状態 ワイヤ異常 ボイド 異物混入など 5 超音波探査パッケージ内部の密着状態境界面の剥離 ボイド クラックなど 7 内部検査 パッケージ内部構造 変色, クラック, ボイド, 異物混入 ワイヤ異常など 8 ワイヤ強度測定 ワイヤ接続強度 接合強度部不足など 9 ダイシェア強度測定 ダイシェア強度 接合強度部不足など 10 パッケージ断面検査パッケージ内部構造ボイド 剥離 異物混入 ワイヤ異常 チップ接合異常など ェハ工程検査パッシベーション膜, 層間膜ボイド,, カバレージ クラック 12 チップ断面検査 (SEM) 配線, ゲート電極, コンタクト等構造要因 ( 膜厚, ゲート長, コンタクト径他 ) 異物の存在などウ11 チップ表面検査パッシベーション, 配線変色, クラック, ボイド, 13 接合構造検査 拡散層 拡散異常 ボイド, 異物, 結晶欠陥, 構造要因 14 チップ断面検査 (TEM) 積層構造, 組成, ゲート酸化膜, コンタクトなど ( 配線構造 ゲート酸化膜厚他 ) PV 膜, 層間絶縁膜, 配線, ゲート電極, 基板ボイド, 異物, マスク不良 アライメント不整合 15 チップ界層検査構造要因 ( 配線幅, 配線ピッチ, ゲートサイズ他 ) 16 チップ平面検査 (TEM) 結晶欠陥結晶欠陥 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 10
11 No 検査項目解析結果備考非破壊検6 X 線 CT 検査 ダイボンド部に異常ありアセンブリ工程検ェハ工程検2.5 SiC デバイスの良品解析結果 ( パワーサイクル試験後 ) 1 電気的特性検査 オン抵抗 (RDSON) 増加 2 熱抵抗検査 劣化なし 3 外観検査 劣化なし 4 透過 X 線検査 劣化なし査 モールド樹脂の剥離 5 超音波探査 ダイパッド部に異常あり パワーサイクル試験における劣化判定基準 7 内部検査 異常なし 8 ワイヤ強度測定 強度低下 ( 規格外 ) 9 ダイシェア強度検査 強度低下 ( 規格内 ) ワイヤボンディング部の剥離 10 パッケージ断面検査 ダイボンド部の一部に溶融痕査ワイヤボンディング部に異常あり 11 チップ表面検査 12 チップ断面検査 (SEM) チップエッジ部に凹凸ありウ劣化なし 13 接合構造検査 劣化なし 14 チップ断面検査 (TEM) 劣化なし査15 チップ界層検査 劣化なし 16 チップ平面検査 (TEM) 劣化なし : 劣化なし もしくは軽度異常 : 劣化あり もしくは中度異常 : 劣化あり もしくは重度異常 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 11
12 2.6 超音波探査 検査確認事項 モールド樹脂中のボイド 樹脂対内部構造の密着性 ダイボンド接続状態 加速試験前後の調査 パワーサイクル試験前 超音波探査像 ( 捺印面 ; 全体 ) 樹脂 ダイボンド 超音波 超音波探査像 ( 裏面 ; 全体 ) 電気的特性検査熱抵抗検査外観検査 チップダイパッド X 線検査 超音波探査 パワーサイクル試験後 X 線 CT 検査 劣化解析 判定 ダイパッドとモールド樹脂界面に剥離 ダイボンド中央に異常あり Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 12
13 2.7 X 線 CT 検査 検査確認事項 パッケージ内部組立状態 ( チップ接続状態 樹脂ボイド 異物混入の有無 ) X 線 CT 像 ( 全体 ) 超音波探査像 ( 裏面 ; 全体 ) 電気的特性検査 熱抵抗検査 外観検査 X 線検査 ダイボンド中央に異常あり 超音波探査 X 線 CT 検査 ダイボンドの一部に溶融箇所あり 劣化解析 判定 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 13
![ワイヤ径より計算 ) : 85[gf] 試験品は未試験品に比較して 強度が低下 チップ表面検査 未試験品パワーサイクル試験品 :42.2[kgf] : 31.](/docs-images/99/141417077/images/14-1.jpg "6[kgf] 規格値 ( チップサイズより計算劣化解析 判定 ) : 2.")
14 2.8 ワイヤ強度測定 ダイシェア強度測定 検査確認事項 ワイヤ強度測定( プル シェア ) ダイシェア強度測定 加速試験前後の強度確認 ワイヤ強度測定 ダイシェア強度測定 開封 内部検査測定方向 ダイシェア試験 ワイヤ強度測定 測定方向 ダイシェア強度測定 パッケージ断面検査 未試験品 : 210[gf] パワーサイクル試験品 : 20[gf] 規格値 ( ワイヤ径より計算 ) : 85[gf] 試験品は未試験品に比較して 強度が低下 チップ表面検査 未試験品パワーサイクル試験品 :42.2[kgf] : 31.6[kgf] 規格値 ( チップサイズより計算劣化解析 判定 ) : 2.5[kgf] 試験品は未試験品に比較して 強度が低下 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 14
15 2.9 パッケージ断面検査 検査確認事項 モールド樹脂の密着性やボイド ダイボンドやワイヤなどの接続状態 リード ダイパッド形成状態( 素材やメッキ ) などの内部構造を評価 電子顕微鏡像超音波探査像 ; 捺印面 ; 裏面 ( 全体 ) モールド樹脂チップダイボンド 電子顕微鏡像 ( チップ接続部 ) チップ ダイボンド ダイボンド部の一部に溶融痕あり 電子顕微鏡像 ( ダイボンド部拡大 ) チップ 開封 内部検査 ダイパッド ダイボンド中央に異常あり アルミワイヤ 1 2 電子顕微鏡像 ( ワイヤボンディング部 ) チップ ダイパッド ワイヤ強度測定ダイボンド ダイシェア強度測定電子顕微鏡像 (1 拡大像 ) 電子顕微鏡像 (2 拡大像 ) ボンディング部に剥離が観察された パッケージ断面検査 ボンディング部に剥離が観察された チップ表面検査 劣化解析 判定 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 15
16 2.10 チップ表面検査 検査確認事項 パッシベーション及びメタライゼーション ( 形成状態 クラック ボイド スクラッチ 汚染 腐食 異物混入 その他欠陥の有無及び差異 ) 電子顕微鏡像 開封 内部検査ワイヤ強度測定ダイシェア強度測定ワイヤ強度測定後パッケージ断面検査チップ表面検査 チップエッジ部に凹凸が観察された ( アルミスライド現象 ) 劣化解析 判定 ワイヤ破断箇所に異常あり Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 16
17 2.11 劣化解析 判定 1 電気的特性検査 オン抵抗 (RDSON) 増加 2 熱抵抗検査 異常なし 3 外観検査 異常なし 4 透過 X 線検査 異常なし査 モールド樹脂の剥離 5 超音波探査 ダイパッド部に異常あり No 検査項目解析結果備考非破壊検6 X 線 CT 検査 ダイボンド部に異常ありアセンブリ工程検7 内部検査 異常なし 8 ワイヤ強度測定 強度低下 ( 規格外 ) 9 ダイシェア強度検査 強度低下 ( 規格内 ) ワイヤボンディング部の剥離 10 パッケージ断面検査 ダイボンド部の一部に溶融痕査11 チップ表面検査 ワイヤボンディング部に異常あり チップエッジ部に凹凸あり : 劣化なし もしくは軽度異常 : 劣化あり もしくは中度異常 : 劣化あり もしくは重度異常 パワーサイクル試験で劣化させた [ オン抵抗が増加した ] ワイヤボンディング部がチップから剥離した状態が観察され ボンディングワイヤの接続強度が低下した状態が観測されたこの不具合が上記の劣化 ( オン抵抗の増加 ) に関連した劣化箇所と判定された ダイボンド部の一部に溶融箇所が観察され 強度が低下した状態が観測された チップ周辺部のモールド樹脂が剥離した状態が観察された樹脂の剥離に伴うアルミスライド現象が観察された Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 17
18 2.12 SiC デバイスのまとめ ( 劣化解析 劣化メカニズム ) パワーサイクル試験で劣化させたSiCデバイスの良品解析結果より 初期品質評価から特定できなかった信頼性上の問題を確認することができた パワーサイクル試験時 ( スイッチング動作時 ) の熱ストレスが ワイヤボンディング部に集中し ワイヤボンディング部の剥離 ワイヤ下ダイボンドの一部溶融 樹脂の剥離が確認された X 線 CT 像 ( 全体 ) 超音波探査像 ( 捺印面 : 全体像 ) 電子顕微鏡像 ( チップ表面 ) ダイボンド部に異常あり 樹脂の剥離あり 電子顕微鏡像 ( チップ接続部 ) チップ 電子顕微鏡像 ( ワイヤボンディング部 ) ワイヤ ダイボンド ダイパッド ダイボンド部の一部に溶融痕あり ボンディング部に剥離あり チップ Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 18
19 3.1 GaN デバイスの良品解析手法確立へ向けて GaN デバイスの劣化を考慮した良品解析 初期品質 未試験品 電気的特性検査パッケージ構造検査 非破壊検査 開封 内部検査 アセンブリ工程検査 チップ構造検査 ウェハ工程検査 データ解析判定 診断 比較検査 報告 加速試験 電気的特性検査パッケージ構造検査 開封 内部検査 チップ構造検査 劣化解析判定 非破壊検査 アセンブリ工程検査 ウェハ工程検査 診断 GaN デバイスでは 良品解析の確立 そして劣化を考慮した良品解析への第一歩として ウェハ工程検査について報告する Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 19
20 3.2 GaN デバイスの特徴 GaN( ガリウムナイトライド ) デバイス 高速応答性, 低損失スイッチング チップは Si 基板の上にバッファ層を作成し GaN on Si 構造が主流 横型素子であり 素子表面のみに電流が集中して流れる Si,SiC デバイスとはチップの構造が全く異なる 先行して ウェハ工程検査を実施した SiC エピ層 SiC 基板 電極 電流の流れ GaN エピ層 バッファ層 Si 基板 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 20
21 ェハ工程検3.3 GaN デバイスの良品解析結果 ( ウェハ工程検査 ) No 検査項目解析結果備考非破壊検査1 電気的特性検査 異常なしウ2 チップ表面検査 異常なし 3 チップ断面検査 (SEM) 異常なし 4 チップ断面検査 (TEM) 軽度異常 ( 貫通転位 ) 5 チップ界層検査 異常なし 対象試料 GaN-MOSFET( チップ ) : 異常なし もしくは軽度異常 : 中度異常 : 重度異常 貫通転位 : GaN on Si 構造の格子定数差からくる歪みに伴う欠陥 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 21
22 3.4 チップ表面検査 検査確認事項 パッシベーション及びメタライゼーション ( 形成状態 クラック ボイド スクラッチ 汚染 腐食 異物混入 その他欠陥の有無及び差異 ) 光学顕微鏡像 電気的特性検査 写真は全て 最表面のポリイミド除去後 チップ表面検査 チップ断面検査 (SEM) チップ断面検査 (TEM) チップ界層検査 データ解析 判定 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 22
23 3.5 チップ断面検査 (SEM: 電子顕微鏡 ) 元素分析 ( 組成情報 ) 検査確認事項 積層構造の形成状態 各部組成情報を取得 電子顕微鏡像 GaNエピ層バッファ層 Si 基板 電極 電流の流れ Al Si Ti W Ga 電子顕微鏡像電気的特性検査 (Al) チップ表面検査チップ断面検査プラグ (W)(SEM) チップ断面検査 1メタル (Ti) (TEM) GaNエピ層チップ界層検査バッファ層データ解析 判定 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 23
24 3.6 チップ断面検査 (TEM: 透過電子顕微鏡 ) 検査確認事項 積層構造の形成状態 結晶欠陥の有無 各部組成情報を取得 透過電子顕微鏡 (TEM) 像 FIB( 集束イオンビーム加工装置 ) JIB-4000 透過電子顕微鏡 (TEM) 拡大像 Ti 系 Al 系 SiN 系 電気的特性検査 チップ表面検査 チップ断面検査 (SEM) Ti 系 ( ゲート ) 矢印部に貫通転位 ( 軽度欠陥 ) が観察された チップ断面検査 (TEM) GaN 系 チップ界層検査 AlGaN 系 データ解析 判定 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 24
25 3.7 チップ界層検査 検査確認事項 各配線層の形成状態 層間膜の形成状態 基板の表面状態 電子顕微鏡像 1Al 2SiO 3SiN 4GaN 透過電子顕微鏡像 1Al 2SiO 電気的特性検査 チップ表面検査 3SiN 4GaN チップ断面検査 (SEM) チップ断面検査 (TEM) チップ界層検査 データ解析 判定 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 25
26 3.8 GaN デバイスのまとめ 良品解析手法確立に向けて ウェハ工程検査を実施した結果 全検査項目共に解析可能であり データ解析が行えることを確認した 今後も更に GaN デバイスの良品解析結果を蓄積し 良品解析手法を確立すると共に劣化を考慮した良品解析の確立を目指していく GaN デバイスの劣化を考慮した良品解析 初期品質 未試験品 電気的特性検査パッケージ構造検査 非破壊検査 開封 内部検査 アセンブリ工程検査 チップ構造検査 ウェハ工程検査 データ解析判定 診断 比較検査 報告 加速試験 電気的特性検査パッケージ構造検査 開封 内部検査 チップ構造検査 劣化解析判定 非破壊検査 アセンブリ工程検査 ウェハ工程検査 診断 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 26
27 4. まとめ SiC デバイスの劣化を考慮した良品解析 ( 良品解析手法を更に発展させて ) パワーサイクル試験で劣化させた SiC デバイスの良品解析より 初期品質の評価から特定できなかった信頼性上の問題を確認できた今後も更に事例を集め 加速試験による劣化およびその解析について評価を確立し 良品解析のみでなく 故障解析についても知見を深めていく GaN デバイスの良品解析 ( 良品解析手法確立に向けて ) GaN デバイスの良品解析手法確立に向けて ウェハ工程検査を実施し その結果を紹介した今後も更に GaN デバイスの良品解析結果を蓄積し 良品解析手法を確立すると共に劣化を考慮した良品解析の確立を目指していく Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 27
28 4. まとめ 今後 高信頼性が要求される次世代パワーデバイスの劣化を考慮した良品解析のご提案 次世代パワーデバイスの良品解析および加速試験を実施することで 初期品質のみでなく 長期信頼性の評価およびその結果に基づく品質向上をご提案 解析結果から 故障解析のデータも蓄積し SiC デバイスおよび GaN デバイスについて評価基準を作成 次世代パワーデバイスの信頼性向上のため本サービスを是非ご活用下さい Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 28
29 ご清聴いただき ありがとうございました お問合せ先 信頼性解析事業部信頼性解析営業グループ TEL: URL: Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 29
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Copyright 2014 Oki Engineering Co., Ltd. 2014 OEG セミナー SiC デバイスの良品構造解析 2014 年 7 月 8 日 信頼性解析事業部 解析センタ 久保田英久 はじめに ~ 市場の動向 ~ カ-エレクトロニクス分野を中心に パワーデバイスのニーズに増加が見られる 弊社の解析実施件数においても パワーデバイスが増加傾向にある 2011 年度解析の比率
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要旨 アプリケーションノート EC-1 R01AN3398JJ0100 Rev.1.00 要旨 EC-1 の動作温度範囲は Tj = -40 ~ 125 としており これらは記載の動作温度範囲内での動作を保証す るものです 但し 半導体デバイスの品質 信頼性は 使用環境に大きく左右されます すなわち 同じ品質の製品でも使用環境が厳しくなると信頼性が低下し 使用環境が緩くなると信頼性が向上します たとえ最大定格内であっても
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第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが
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1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
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劣化診断技術 ビスキャスの開発した水トリー劣化診断技術について紹介します 劣化診断技術の必要性 電力ケーブルは 電力輸送という社会インフラの一端を担っており 絶縁破壊事故による電力輸送の停止は大きな影響を及ぼします 電力ケーブルが使用される環境は様々ですが 長期間 使用環境下において性能を満足する必要があります 電力ケーブルに用いられる絶縁体 (XLPE) は 使用環境にも異なりますが 経年により劣化し
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt
MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
ダイヤモンドパワーデバイスの高速 高温動作を実証 - 次世代半導体材料としての優位性を確認 - 平成 22 年 9 月 8 日独立行政法人産業技術総合研究所国立大学法人大阪大学 ポイント ダイヤモンドダイオードを用いたパワーデバイス用整流素子の動作を世界で初めて確認 高速かつ低損失の動作を確認でき 将来の実用化に期待 将来のパワーデバイスとして省エネルギー効果に期待 概要 独立行政法人産業技術総合研究所
降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント
スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって
入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value
elm1117hh_jp.indd
概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
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相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります
電子部品及びプリント基板実装品の調査事例
IC a1. 端子間イオンマイク レーション a2. チップ /PKG 樹脂剥離 a3.auワイヤー不具合 a4. 過電流破壊 a5. 配線腐食 LED b1. 点灯不具合 チップコンデンサ c1. 内部電極割れ c2. 内部電極間ショート 電解コンデンサ d1. 電解液漏れ d2. 開弁 写真と不具合現象とは関係ありません 実装部不具合 e1. はんだ接合界面劣化 e2. はんだ濡れ不具合 信頼性試験
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
<4D F736F F F696E74202D20824F DA AE89E682CC89E696CA8DED8F9C816A2E >
平成 24 年度製品安全センターセンター製品安全業務報告会 Product Safety Technology Center 基板母材 絶縁材絶縁材のトラッキングのトラッキング痕跡解析技術データのデータの取得取得 蓄積 < 第二報 > 製品安全センター燃焼技術センター今田 修二 説明内容 1. 調査の背景と目的 2.22 年度調査結果 3.23 年度調査調査結果レジストなし基板 (4 種類 ) によるトラッキング発火痕跡作製実験
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
ジャンクション温度 (Tj) の検証方法 (ψjt は既知 ) 次の方法でジャンクション温度 (Tj) をおおよそ見積もることができます 1 始めに IC の消費電力 (P) を求めます 2 次に実際のセット時の環境条件でケース表面温度 Tc 1 を放射温度計や熱電対で測定します 3 求めた Tc
本書では お客様におけます熱設計時のご参考のために 弊社での熱抵抗に関する各パラメータの定義 測定方法などについて解説いたします 背景 一般的に素子のジャンクション温度 (Tj) が 10 上がる毎にデバイスの寿命は約半分になり 故障率は約 2 倍になるといわれています Si 半導体の場合では Tj が約 175 を超えると破壊される可能性があります これより Tj を極力さげて使う必要があり 許容温度
<4D F736F F F696E74202D20335F8F4390B BB956988C A E815B8BC696B195F18D9089EF816994AD955C8E9197BF966B8AD6938C816A3494C52E >
平成 22 年度製品安全センターセンター製品安全業務報告会 Product Safety Technology Center 家電製品の焼残痕跡焼残痕跡によるによる事故原因究明 ~ アルミ電解電解コンデンサのコンデンサの内 外火痕跡 ( 続報 ) について ~ 北関東支所 燃焼技術課並木英夫 発表内容 1. 調査の背景背景と目的 2. 痕跡作製方法 (1) 試料 (2) 痕跡作製条件 3. 発火 燃焼実験
【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端＜第4回＞
企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt
チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
FMKS-2052
V RM = 200 V, IF=5A, 10A, 15A 温度検出機能付き高速整流ダイオード データシート 概要 は 温度検出機能付きの高速整流ダイオードです 高速整流ダイオードと温度検知用ショットキーバリアダイオードを同じチップに搭載しています これにより サーミスタを使用した温度検出よりも高い精度の温度が検出でき 部品削減 省スペース化 取り付け工数の低減に貢献します パッケージ TO220F-3L
報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板を製作することに成功しました 新しい手法は 当研究所半導体工学研究室の青柳克信主任研究員と 北大電子科学研究所の田中悟助教授らのグループで開発
NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ
3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵
半導体デバイスの信頼性
Ⅲ. 1. 光素子の劣化メカニズム 1.1 半導体レーザー (LD) の光学損傷 2.2 受光素子の故障メカニズム 2. 高周波デバイスの劣化メカニズム 2.1 実装後のクラック発生 2.2 H/P FET の熱暴走 2.3 L/N FET の静電気破壊 2.4 AI 配線のエレクトロマイグレーション 12/36 MSRH06-1 光出力 P 光出力 P 1. 光素子の劣化メカニズム 1.1 半導体レーザー
PowerPoint プレゼンテーション
CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2
新高耐久Pbフリーソルダペースト
完全ハロゲンフリー 1 PS48BR-6-LSP -4 +15 3,サイクルの熱衝撃にも耐えるはんだ接合部.5mmP BGAも実装可能な微細印刷性 柔軟な樹脂を配合し フラックス残渣のクラックを抑制 完全ハロゲンフリー化により ウィスカの発生ゼロ 鉛フリーはんだの耐久性不足でお困りではありませんか? 使用環境が厳しくなった 壊れやすい形状の部品が増加した 高密度実装に伴い 十分な量のはんだが供給できなくなった
国土技術政策総合研究所研究資料
(Ⅰ) 一般的性状 損傷の特徴 1 / 11 コンクリート床版 ( 間詰めコンクリートを含む ) からコンクリート塊が抜け落ちることをいう 床版の場合には, 亀甲状のひびわれを伴うことが多い 間詰めコンクリートや張り出し部のコンクリートでは, 周囲に顕著なひびわれを伴うことなく鋼材間でコンクリート塊が抜け落ちることもある 写真番号 9.1.1 説明コンクリート床版が抜け落ちた例 写真番号 9.1.2
TPCP8406_J_
MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa
TLP250
東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流 :
Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです
NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感
特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
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Copyright 2013 Oki Engineering Co., Ltd. All rights reserved 2013 OEG セミナー 電源モジュールの安全性 信頼性評価 異常発熱 発火事故の防止に向けた安全性検証試験の重要性 2013 年 7 月 9 日 デバイス評価事業部 加藤且宏 Copyright 2013 Oki Engineering Co., Ltd. All rights
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006
600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析
[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521
Microsoft PowerPoint - H22パワエレ第3回.ppt
パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第三回サイリスタ位相制御回路逆変換動作 平成 年 月 日月曜日 限目 誘導負荷 位相制御単相全波整流回路 導通期間 ( 点弧角, 消弧角 β) ~β( 正の半波について ) ~ β( 負の半波について ) β> となる時に連続導通となる» この時, 正の半波の導通期間は~» ダイオードでは常に連続導通 連続導通と不連続導通の境界を求める オン状態の微分方程式
プラグイン01_FRL-230（233,236）.indd
FRL-0 FRL-, 6 6 8 6 8 10 VC / NC FRL- N 0 FRL- FRL-0 6 N C C c 6 6 c 6 c c W WE 6c6-0 178 ecember 016 6 6 8 FRL-0 FRL-, 0. W 0 m V 0.1 W m V 8 0VC 0VC 8 10VC 10VC 00VC 6 c 6 W WE 00 m 0 m 0. VC 8 1 C 0
GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
高耐圧 GaN パワーデバイス開発 松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター 上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流
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(2)MEMS- 半導体横方向配線技術の研究開発 (2)-1.MEMS ー半導体横方向配線技術の研究開発 ( 東北大学 ) 1. 研究の概要 344 2. 成果の詳細 MEMS と LSI を高密度に一体化実装する新しい低温積層高密度一体化実装技術を開発することを目的として研究開発を行った 研究開発の内容は 1) セルフアセンブリー機能を利用してフレキシブル配線基板上に LSI チップや MEMS
SSM6J505NU_J_
MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS
基本的なノイズ発生メカニズムとその対策 電源 GND バウンス CMOS デジタル回路におけるスイッチング動作に伴い 駆動 MOS トランジスタのソース / ドレインに過渡的な充放電電流 及び貫通電流が生じます これが電源 GND に流れ込む際 配線の抵抗成分 及びインダクタンス成分によって電源電圧
デジアナ混載 IC ミックスド シグナル IC 設計の留意点 2005 年 5 月初版 2010 年 10 月改訂作成 : アナロジスト社森本浩之 まえがきデジタル アナログ混載 IC の回路本来の実力を引き出すためにはアナログ回路とデジタ ル回路の不要な干渉を抑える必要があり ノウハウを要します ですが十分な理解と注意の元で設 計を行えばさほど混載を恐れる必要もありません 用語 IP: Intellectual
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2015 年 2 月 17 日 ( 火 ) 学士卒業論文発表会 TiC 及び TiSi 2 電極と SiC ショットキーダイオードの電気特性評価 (Electrical Characteristics of SiC Schottky Diodes with TiC and TiSi 2 Electrodes) Iwai and Kakushima Laboratory Tomoyuki Suzuki
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Acceleration / G 2 18 16 14 12 1 8 6 4 2 Damping : 1. Period / s XY.1.1 1. 6533 283 3333 423 155 15 (X) 26.12 Hz 15 12 (Y) 28.32 Hz (Z) 43.98 Hz GS Yuasa Technical Report 211 年 6 月 第8巻 水平方向 X_3G 1.7e+7
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研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?
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集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量
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2014 年 9 月 17 日 ( 水 ) 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 TiC 電極,TiSi 2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価 Schottky diode characteristics of TiC and TiSi 2 electrodes on SiC substrates 東工大フロンティア研 1, 東工大総理工 2, 鈴木智之 1, 岡本真里
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MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5
<4D F736F F F696E74202D D828CF897A64D454D53975A8D8790BB91A28CF68A4A94C22E B8CDD8AB B83685D>
高効率 MEMS 融合製造技術 - 話題提供 : 低ダメージ接合技術 - 独立行政法人産業技術総合研究所 高木秀樹 Youn Sung-Won 栗原一真 松本壮平 高橋正春 2010/05/14 マイクロシステム融合研究会 @ 東北大学 1 融合 MEMS デバイスを効率良く作る 異種デバイス融合プロセスの高効率化 サイズフリー集積化技術 接合技術 高精度 高速 一括アセンブリ技術 デバイスごとの最適化
WEB Series RoHS2 丸形防水 <IP67 対応 > 半田付結線式コネクタ 耐水性 IP67 ロック方式ターンロック安全規格 UL,C-UL 概要 WEB シリーズは 保護構造 IP67 に対応した丸形防水コネクタです コンタクト配列は JM シリーズのインサートを流用しています コネク
RoHS 丸形防水 半田付結線式コネクタ 耐水性 IP67 ロック方式ターンロック安全規格 UL,-UL 概要 WEB シリーズは 保護構造 IP67 に対応した丸形防水コネクタです コンタクト配列は JM シリーズのインサートを流用しています コネクタのロック方式をネジ方式からターンロック方式に変更し結合の信頼性を高めています 特長 ロック方式はコネクタを差し込んで 9 回転し
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
高耐圧SiC MOSFET
エレクトロニクス 高耐圧 S i C M O S F E T 木村錬 * 内田光亮 日吉透酒井光彦 和田圭司 御神村泰樹 SiC High Blocking Voltage Transistor by Ren Kimura, Kousuke Uchida, Toru Hiyoshi, Mitsuhiko Sakai, Keiji Wada and Yasuki Mikamura Recently,
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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic
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項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
<4D F736F F D D CE81408E9F90A291E A82CC93AE8DEC8CB4979D82F08CB48E E71838C B82C589F096BE815B2E646F63>
同時発表 : 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 解禁日時テレビ ラジオ インターネット :12 月 6 日午後 11 時から 現地時間 :6 日午前 9 時 新聞 :12 月 7 日 ( 月 ) 朝刊から 平成 21 年 11 月 30 日筑波大学 次世代メモリの書き込み のメカニズムを原子レベルで解明 概要 1. 筑波大学大学院数理物質研究科の村上浩一研究科長を中心に進めている
UL 規格規UL(Underwriters Laboratories.lnc) は 米国の火災保険業者によって 1894 年に設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っていま
UL 規格規UL(Underwriters Laboratories.lnc) は 米国の火災保険業者によって 1894 年に設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界に特に関係の深いものとして 次の規格があります 規格サブジェクト : プラスチック材料の燃焼試験
Microsoft PowerPoint _DT_Power calculation method_Rev_0_0_J.pptx
Fuji Power MOSFE 電力計算方法 Design ool Cher. 概要 MOSFE を使用する上で許容される損失を超えていないか確認する必要があります しかし MOSFE の損失は電力計などによる測定ができないため オシロスコープなどによりドレイン ソース間電圧 ドレイン電流 D 波形から計算しなくてはなりません 本資料では MOSFE の損失計算方法を提示します また付属として損失計算補助ツールの使用方法も併せて提示します
IGBT モジュール「V シリーズ」の系列化
特集IGBT モジュール V シリーズ の系列化 New Lineup of V-Series IGBT Modules 高橋孝太 Kouta Takahashi 吉渡新一 Shinichi Yoshiwatari 関野裕介 Yusuke Sekino 富士電機では, 最新世代の Ⅴシリーズ IGBT を用いた製品の系列化を進めている Ⅴシリーズ IGBT モジュールは, チップ損失の低減とパッケージ放熱性の改善により,IGBT
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Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm
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MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 モータドライブ用 CCFLインバータ用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 18 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 14 mω (
内 容 1. パワーデバイスの基礎 1) パワーデバイスの仕事 2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ 2.SiC パワーデバイスの最新技術と課題 1) なぜ SiC が注目されているのか 2) 高温動作ができると何がいいのか 3)SiC-MOSFET の課題 4)SiC トレンチ MOSFET
SiC GaN パワー半導体の最新技術 課題 ならびにデバイス評価技術の重要性 2016 年 7 月 12 日 筑波大学数理物質系物理工学域 教授岩室憲幸 1 内 容 1. パワーデバイスの基礎 1) パワーデバイスの仕事 2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ 2.SiC パワーデバイスの最新技術と課題 1) なぜ SiC が注目されているのか 2) 高温動作ができると何がいいのか 3)SiC-MOSFET
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サイリスタのゲート回路設計 サイリスタはパワエレ関係の最初に出てくる素子ですが その駆動用ゲート回路に関する文献が少なく 学 生が使いこなせないでいる ゲート回路の設計例 ( ノイズ対策済み ) をここに記しておく 基本的にサイリス タのゲート信号は電流で ON させるものです 1. ノイズ対策済みゲート回路基本回路の説明 図 1 ノイズ対策済みゲート回路基本回路 1.1 パルストランス パルストランスは
取り外すため 修理業者に依頼したところ 焼 損した制御基板と焼損していない水量サーボモーター ( 設定した湯温と水温に対し 出るお湯の量を調整する装置 ) を交換し 即日 使用可能となったため 水量サーボモーターを交換する理由について説明を求めたところ 耐用年数を超えている とのことであり 制御基板
火災原因調査シリーズ (82) 給湯器火災 ガス給湯器からの出火事例 さいたま市消防局 1 はじめに今回紹介する事例は 現在 広く普及している設置フリータイプの屋外壁掛式ガス給湯器 ( 以下 給湯器 という ) の制御基板から出火しましたが 制御基板の二次側に設けられた焼損のない部品を収去したことで 出火に至る要因を追究することができましたので紹介いたします 2 火災の概要この火災は耐火造 1 階建て共同住宅の3
鉛フリーはんだ実用化ロードマップ
(2014 年 11 月 11 日修正 ) バリスタの安全な使い方 2014 年 10 月 20 日 電子部品部会 / 技術 標準戦略委員会 標準化専門委員会 受動部品標準化 WG/ バリスタ G 渡部修 ( 日本ケミコン ) 1 バリスタとは? バリアブル レジスタ の省略形 Variable Resistor 変化する 抵抗器 2 バリスタの構造 ( 円板型 ) エポキシ樹脂 銀電極 はんだ リード線
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X 線 CT による電源コード短絡痕に生じる 気泡の三次元解析 製品安全センター燃焼技術センター 今田修二 1. 調査の目的 2. 実施内容の概要 3. 短絡痕作製実験及び気泡データの取得 (1) 実験一 二次痕の作製 (2) 実験一 二次痕の作製 (3) 前処理 (4) CT データの取得 (5) 気泡の検出方法 4. データの解析結果 (1) 解析対象サンプル及び計測結果の概要 (2) 最大気泡の体積率による解析
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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
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3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力
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ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機
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バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (
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- 第 11 章 - パワーモジュールの信頼性 目次 ページ 1 信頼性の基礎 11-2 2 信頼性試験 11-4 3 パワーサイクルカーブ 11-6 はじめに パワー半導体モジュールの市場は 汎用インバータ サーボモータ制御 工作機械 エレベータなどにとどまらず 電気自動車や太陽光 風力 燃料電池発電システムなどの実用化に伴い 新たな用途へ広がろうとしています 富士電機はこれまで各種パワーモジュール製品を開発し
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第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
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バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 高電圧スイッチング用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 600 ( 最小 ) (V CE = 2 V, I C = 2 A) (2) ベースエミッタ間に抵抗が内蔵されております 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ 3. エミッタ TO-220SIS 4. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り,
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特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント
DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V
サーマルプリントヘッド
サーマルプリントヘッドモジュール サーマルプリントヘッド CONTENTS ロームの基本技術 P. 14 サーマルプリントヘッドセレクションガイド P. 15 ファクシミリ用 Aシリーズ P. 16 モバイルプリンタ用 Bシリーズ P. 16 アミューズメント ATM 用 C CGシリーズ P. 17 POS 端末用 D DGシリーズ P. 18 チケット 計量器用 DC92 DC72シリーズ P.