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1 これが PCB 測定の極意! ガスクロマトグラフ分析 1 PCB およびダイオキシン簡易分析法高速化 自動化 省力化のノウハウ アジレント テクノロジーアプリケーションセンター中村貞夫 Page 1

2 内容 1. 環境省絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) のトピックス 2. 第 2 版追加測定法の紹介 ( 一部 ) 3. 最新技術を用いた負イオン化学イオン化オ (negative ion chemical ionization, NICI) 法の紹介 4. GC/MS/MS によるダイオキシン簡易分析法の紹介 Page 2

3 絶縁油中の微量 PCB 測定法 (1) 精密分析法 高コスト 長時間 (2) (1) とほぼ同等の精度の簡易法 迅速判定法 : 下限値以下を迅速に判定出典 : 絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 1 版 ) ( 環境省廃棄物 リサイクル対策部産業廃棄物課 ) Page 3

4 迅速判定法の活用 分析対象となる機器等の数が多い微量 PCB 汚染は 約 120 万台微量 PCB 混入の可能性は 約 650 万台 迅速判定法による短時間での選別不検出 PCB 廃棄物に該当せず検出 簡易定量法で PCB 廃棄物 (0.5mg/kg 超 ) に該当するか否かを判定 大幅な工数 費用の削減 Page 4

5 簡易定量法 1. ガスクロマトグラフ / 電子捕獲型検出器 (GC/ECD) 2. ガスクロマトグラフ / 高分解能質量分析計 (GC/HRMS) 3. トリプルステージ型ガスクロマトグラフ質量分析計 (GC/MS/MS) 4. ガスクロマトグラフ / 四重極型質量分析計 (GC/QMS) 5. 負イオン化学イオン化質量分析計 (GC/NICI-MS) 6. PCB の一部の化合物濃度から全 PCB 濃度を計算する簡易定量法 7. 生物学的方法 環境省サイト : p _ view.php?serial=15923&hou p _ id= Page 5

6 迅速判定法 1. ガスクロマトグラフ / 電子捕獲型検出器 (GC/ECD) 2. ガスクロマトグラフ / 負イオン化学イオン化質量分析計 (GC/NICI-MS) 3. 生物学的方法 環境省サイト : p _ view.php?serial=15923&hou p _ id= Page 6

7 検出器の選択性およびクリーンアップ 1. 検出器選択性 HRMS>ECD>LRMS 2. クリーンアップ LRMS>ECD>HRMS の順に多段の組み合わせが必要 測定機器に応じたクリーンアップの選択が重要 PCBと油成分の性状が類似 DMSO/ ヘキサン分配 (PCB は DMSO 側へ移行 ) 濃硫酸処理( 油成分を分解 ) シリカゲルカラムクロマトグラフ( 僅かに油成分の炭化水素類が早く溶出 ) GPC 固相への吸着剤 Page 7

8 簡易定量法の前処理 1. GC/ECD 高濃度硫酸処理/ シリカゲルカラム分画 油種により測定フローが3つ 加熱多層シリカゲルカラム/ アルミナカラム 測定フローは1つ 硫酸処理 / ジビニルベンゼン - メタクリレートポリマーカラム分画 測定フローは 1つ ゲルパーミエーションクロマトグラフ/ 多層シリカゲルカラム トランス油 (JIS1 種及び7 種 ) 限定 2. GC/HRMS 溶媒希釈 硫酸シリカゲルカラムの追加精製が必要な場合あり 3. GC/MS/MS 加熱多層シリカゲルカラム / アルミナカラム 4. GC/QMS 加熱多層シリカゲルカラム / アルミナカラム 5. GC/NICI-MS スルホキシドカートリッジ 6. 生物学的方法 加熱多層シリカゲルカラム / アルミナカラム Page 8

9 迅速判定法の前処理 1. GC/ECD SO3 添加濃硫酸多層シリカゲル処理 代表的な 14ピークから全 PCB 濃度を算出 2. GC/NICI-MS ヘキサン希釈 3. 生物学的方法 高濃度硫酸シリカゲルカラムカ 油種により測定フローが 3つ 硫酸処理/DMSO 抽出 / 硝酸銀カラム精製 油種により測定フローが2つ 加熱多層シリカゲルカラム/ アルミナカラム Page 9

10 内容 1. 環境省絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) のトピックス 2. 第 2 版追加測定法の紹介 ( 一部 ) 3. 最新技術を用いた負イオン化学イオン化オ (negative ion chemical ionization, NICI) 法の紹介 4. GC/MS/MS によるダイオキシン簡易分析法の紹介 Page 10

11 第 2 版追加測定法の紹介 ( 一部 ) 1. 迅速判定法 1-1 GC/NICI-MS( ヘキサン希釈 ) 2. 簡易定量法 2-1 GC/NICI-MS( スルホキシドカートリッジ ) 2-2 GC/ECD( 硫酸処理 / ジビニルベンゼン-メタクリレートポリマーカラム分画 ) 環境省サイト : p _ view.php?serial=15923&hou p _ id= Page 11

12 ンス 選択性 NICI vs. ECD, MS/MS(EI) トランスオイル中 PCB NICI オイル 50 倍希釈 PCB 添加 (0.004ppm) イオン (34.70 ~ 35.70): pcb114.d\data.ms 前処理 : ヘキサン希釈のみ ECD オイル 50 倍希釈 PCB 添加 (0.004ppm) QQQ(MRM) ( ) オイル 20 倍希釈 PCB 添加 (0.01ppm) Page 12

13 GC/NICI-MS( 迅速判定法 ) 1. クリーンアップヘキサンによる 100 倍希釈 2. 内標準物質 1,4- ジブロモナフタレン 3. 標準物質カネクロール等量混合 4. PCB 標準溶液 PCB を含まない未使用の電気絶縁油 1% を含む 5. 検出感度 KC 混合標準溶液 0.003mg/L ピーク番号 60 番 S/N 3 以上 81 本のピークを確認できる 絶縁油中 PCB 濃度 0.5mg/kg 5 回以上測定 10σ 0.3mg/kg 以下 Page 13

14 GC/NICI-MS( 迅速判定法 ) 6. 定量法検量線 0.3, 0.5, 1.0, 5.0, 10, 50mg/kg( 一例 ) 81ピークのCB% を用いる Page 14

15 GC/NICI-MS 法のフロー図 出典 : 絶縁油中の微量 PCBに関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) ( 環境省廃棄物 リサイクル対策部産業廃棄物課 ) Page 15

16 GC/NICI-MS( 迅速判定法 ) 例 カラム注入量注入法注入口温度オーブンカラム流量インターフェイス温度溶媒待ち時間イオン源温度イオン化モード SIMイオン : HP-5MS 30m, 0.25mm, 0.25µm :1~3µl : パルスドスプリットレス (25psi, 2min) : 300 : 70 (2min)-30 /min-185 (0min)-6 /min-300 (0min) ( ) ( ) : 1.0ml/min( 定流量モード ) : 280 : 5min : 250 : NICI( 試薬ガス : メタン ) : m/z 35( 塩素 ), 81( 臭素 ) Page 16

17 GC/NICI-MS 標準溶液 (KC-mix 0.003ppm) ) ンス KC-mix 0.3 mg/kg(0.003 ppm) イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms m/z ンス イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms KC-mix mg/kg(0.003 g(0 003pp ppm) ) 絶縁油 1% 含む m/z > Page 17

18 GC/NICI-MS 繰り返し再現性 (n=7) 標準溶液絶縁油 1% 含む (KC-mix 0.3mg/kg) g) アバンダンス イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms アバンダンス 0 アバンダンス 時間 --> 時間 --> イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms イオン (80.70 ~ 81.70): D\data.ms ,4- ジブロモナフタレン m/z 81 イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms KC-mix 0.3 mg/kg (0.003 ppm) アバンダンス 時間 --> イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms 1050 イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms 1000 イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms 950 イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms m/z PCB 濃度 平均 標準偏差 RSD 検出下限定量下限 mg/kg σ % 3σ 10σ 時間 --> Page 18

19 GC/NICI-MS 繰り返し再現性 (n=7) 標準溶液絶縁油 1% 含む (KC-mix 0.5mg/kg) g) アバンダンス イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms 時間 --> PCB 濃度 平均 標準偏差 RSD 検出下限定量下限 mg/kg σ % 3σ 10σ Page 19

20 GC/NICI-MS サンプル測定例 アバンダンス イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms mg/kg g m/z 時間アバンダンス --> イオン (34.70 ~ 35.70): D\data.ms mg/kg m/z 時間 --> Page 20

21 GC/NICI-MS( 簡易定量法 ) 1. クリーンアップ硫酸処理 (1% 発煙硫酸含有 ) スルホキシドカラムカートリッジヘキサンによる 100 倍希釈 2. クリーンアップスパイク標準物質 235 2,3,5- トリクロロビフェニル (IUPAC No.23) 2,4,6-トリクロロビフェニル (IUPAC No.30) 2,3,3,4-テトラクロロビフェニル (IUPAC No.55) ,2,3,3,4,4,5,6,6 - ノナクロロビフェニル (IUPAC No.207) Page 21

22 GC/NICI-MS( 簡易定量法 ) 3. シリンジスパイク標準物質 2-モノブロモビフェニル 2,4-ジブロモビフェニル 2,4,6-トリブロモビフェニル 3,3,5,5 -,, テトラブロモビフェニル 2,2,4,4,6,6 -ヘキサブロモビフェニル 4. 標準物質カネクロール等量混合 5. 検出感度絶縁油中総 PCB 濃度 0.15mg/kg 以下 6. 定量法検量線 0.5, 1.0, 5.0, 10mg/kg( 一例 ) CB% を用いる Page 22

23 GC/NICI-MS( 簡易定量法 ) 硫酸処理の省略 以下の現象がない場合 1 臭素化ビフェニルのピーク形状の変化 ( 高さ比 1/3 以下のブロード化 ) 2 臭素化ビフェニルのピーク形状の変化 ( 高さ比 1/5 以下のブロード化 ) m/z 35のクロマトグラムの異常 ( ベースラインの上昇 ピーク分離の変化 ピークのブロード化ピクのブロ ) 特定の時間帯でのピーク感度低下 Page 23

24 GC/NICI-MS( 簡易定量法 ) 前処理フロー 1 出典 : 絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) ( 環境省廃棄物 リサイクル対策部産業廃棄物課 ) Page 24

25 GC/NICI-MS( 簡易定量法 ) 前処理フロー 2 出典 : 絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) ( 環境省廃棄物 リサイクル対策部産業廃棄物課 ) Page 25

26 GC/NICI-MS( 簡易定量法 ) 例 カラム注入量注入法注入口温度オーブンカラム流量インターフェイス温度溶媒待ち時間イオン源温度イオン化モード SIMイオン : HP-5MS 30m, 0.25mm, 0.25µm :1~3µl : パルスドスプリットレス (25psi, 2min) : 300 : 70 (1.5min)-30 /min-185 (0min)-6 /min-300 (0min) ( ) ( ) : 1.0ml/min( 定流量モード ) : 280 : 5min : 250 : NICI( 試薬ガス : メタン ) : m/z 35( 塩素 ), 81( 臭素 ) Page 26

27 硫酸処理 / ジビニルベンゼン-メタクリレートポリマーカラム分画 /GC/ECD( 簡易定量法 ) 1. クリーンアップ硫酸処理 2 回固相抽出 ( ジビニルベンゼン / メタクリレートポリマー 3g) 硫酸処理 1 回硫酸処理の追加が必要な場合ありヘキサンで10 倍希釈 2. クリーンアップスパイク標準物質 2,3,3,4,4,5,5 -H7CB(IUPAC No.189) Page 27

28 硫酸処理 / ジビニルベンゼン-メタクリレートポリマーカラム分画 /GC/ECD( 簡易定量法 ) 3. シリンジスパイク標準物質 D10CB(IUPAC No.209) 4. 標準物質カネクロール等量混合 5. 検出感度 PCB 標準溶液 5ng/mLが検出できるピーク番号 43のピーク S/N 3 以上 ( 総 PCB 濃度 80% の境目 ) 6. 定量法 CB% を用いる Page 28

29 硫酸処理 / ジビニルベンゼン-メタクリレートポリマーカラム分画 /GC/ECD( 簡易定量法 ) ジビニルベンゼン / メタクリレート共重合体 ( メタクリレートにジオール基を導入 ) 3g をガラス製オープンカラムに湿式充填 低廉な前処理 0-16ml 画分 : 絶縁油 16-31ml 画分 :PCB Page 29

30 硫酸処理 / ジビニルベンゼン - メタクリレートポリマーカラム分画 /GC/ECD( 簡易定量法 ) 前処理フロー 1 出典 : 絶縁油中の微量 PCBに関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) ( 環境省廃棄物 リサイクル対策部産業廃棄物課 ) Page 30

31 硫酸処理 / ジビニルベンゼン - メタクリレートポリマーカラム分画 /GC/ECD( 簡易定量法 ) 前処理フロー 2 出典 : 絶縁油中の微量 PCBに関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) ( 環境省廃棄物 リサイクル対策部産業廃棄物課 ) Page 31

32 内容 1. 環境省絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) のトピックス 2. 第 2 版追加測定法の紹介 ( 一部 ) 3. 最新技術を用いた負イオン化学イオン化オ (negative ion chemical ionization, NICI) 法の紹介 4. GC/MS/MS によるダイオキシン簡易分析法の紹介 Page 32

33 Agilent 負イオン化学イオン化 (NICI) の特長 *AutoCI 機能 (2 種類の試薬ガス接続口 / ガス流量制御システム ) 化学イオン化 (CI) の複雑なセットアップ 試薬ガスの調節 イオンソースのチューニングを自動化ングを自動化 省力化 試薬ガス流量などすべてのパラメーターを保存可能 測定条件の再現が可能 試薬ガス流量 Page 33

34 Agilent 負イオン化学イオン化 (NICI) の特長 *EI-CI CI イオン源による EI 測定が可能 エアリークのチェックに利用可能 省力化 簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) p.116, 181 装置の調整 EI での水と空気のチェック Page 34

35 CIイオン源によるEI 測定 PCB 標準溶液 8ppm アバンダンス ~ min の平均 : PCB003.D\data.ms (-) アバンダンス TIC: PCB003.D\data.ms m/z--> 時間 --> Page 35

36 Agilent 負イオン化学イオン化 (NICI) の特長 イオン源タイプの判別が容易イオン源を 350 に上げ クリーニング メンテナンス頻度を低減 レンズ系の後端は 四重極の中に挿入端電場による影響が抑えられる余分なプリロッドが不要 クォーツ製熱による伸縮が小さく 200 まで四重極の加熱が可能 Page 36

37 NICI 1. 電子捕獲 AB + e - AB - ( 共鳴電子捕獲 ) AB + e - A - + B ( 解離性共鳴電子捕獲 ) AB + e - A + + B - + e - ( イオン対生成 ) 2. イオン- 分子反応 M + X - [M H] - + XH ( プロトン移動 ) M + X - M - + X ( 電荷交換 ) M + X - MX - ( 求核付加 ) AB + X - BX + A - ( 求核置換 ) Page 37

38 Page 38 PCBのNICIマススペクトル Cl - [M-H] - M -

39 NICI パラメータの最適化 絶縁油中 PCB 測定では 解離共鳴捕獲反応から 生じる m/z 35 Cl - をモニター エミッション電流 イオン源温度 メタン流量 ( 圧力 ) の最適化が重要 参考文献 [1] 待井泰人, 熊崎脩, 水野賢二, 永野貢, 早坂孝雄, 長谷良悦, 近藤博信, 出口武志, 環境化学, 13, 959 (2003) Page 39

40 NICI エミッション電流の影響 PCB window definers 100 pg each, m/z 35 アバンダンス Emission: 50uA イオン (34.70 ~ 35.70): PCB05.D\data.ms 時間 --> アバンダンス イオン (34.70 ~ 35.70): PCB06.D\data.ms Emission: 300uA 2Cl 5Cl 6Cl 7Cl 8Cl 10Cl 500 時間 --> Page 40

41 NICI イオン源温度の影響 PCB window definers 100 pg each, m/z 35 アバンダンス 時間 --> アバンダンス イオン源温度 :150 イオン (34.70 ~ 35.70): PCB06.D\data.ms イオン源温度 : イオン (34.70 ~ 35.70): PCB07.D\data.ms 時間 --> アバンダンス 時間 --> イオン源温度 :250 イオン (34.70 ~ 35.70): PCB08.D\data.ms Page 41

42 NICI メタン流量の影響 PCB window definers 100 pg each, m/z 35 アバンダンス イオン (34.70 ~ 35.70): PCB09.D\data.ms Flow: 40% 5000 時間 --> アバンダンス Flow: 50% イオン (34.70 ~ 35.70): PCB10.D\data.ms 時間 --> アバンダンス イオン (34.70 ~ 35.70): PCB11.D\data.ms Flow: 60% 時間 --> Page 42

43 GC/NICI-MS 希釈倍率の比較 いずれもトランスオイル中では 0.2ppmに相当 注入量は 2μl アバンダンス 時間 --> アバンダンス 時間 --> アバンダンス時間 --> Page イオン (34.70 ~ 35.70): pcb044.d\data.ms オイル 20 倍希釈 +PCB 添加 (0.01ppm) イオン (34.70 ~ 35.70): pcb046.d\data.ms (*) オイル 50 倍希釈 +PCB 添加 (0.004ppm) イオン (34.70 ~ 35.70): pcb048.d\data.ms (*) オイル 100 倍希釈 +PCB 添加 (0.002ppm)

44 簡易定量法 (GC) 比較 1 装置 ECD 感度 選択性 コスト ( 導入時 ) 標準試薬 (KC-mix IUPAC 189 IUPAC 209) データ解析 (PCB Analyst) 前処理 硫酸処理 / シリカケ ル 加熱固相 硫酸処理 / ホ リマー GPC/ シリカケ ル 硫酸処理 有 (1% 発煙硫酸 ) 無 有 無 要不要要不要油種の判別 ( フローが3つ ) ( 硫酸処理の追加 ) (1 種 7 種に限定 ) 固相多層多層単層多層 煩雑 精製効果高い 廉価 Page 44

45 簡易定量法 (GC) 比較 2 装置 HRMS MS/MS QMS NICI * 感度 選択性 コスト ( 導入時 ) (KC-mix 標準試薬 ( 主要 PCB 及び 13 C 12 ラベル化 PCB) 主要 PCB 及びブロモビフェニル ) データ解析 ( 主要 13 異性体 ) (MS Powered) 前処理溶媒希釈加熱固相加熱固相スルホキシド固相硫酸処理油種の判別固相無多層多層単層無要無不要無不要有 (1% 発煙硫酸 ) 不要 ( 硫酸シリカゲルの追加 ) ( 省略可能な場合あり ) * NICI 法は中部電力の特許あり Page 45

46 迅速判定法 (GC) 比較 装置 ECD NICI * 感度 選択性 コスト ( 導入時 ) (KC-mix 標準試薬 (KC-mix IUPAC 189 IUPAC 207) 1,4-ジブロモナフタレン ) データ解析 ( 代表ピーク 14 本 ) (MS Powered) 前処理 SO 3 添加濃硫酸多層シリカゲルヘキサン希釈硫酸処理無無油種の判別不要不要固相多層無 * NICI 法は中部電力の特許あり 最も簡便な前処理 ( 省力化 ) Page 46

47 省力化及び費用の削減 廉価 内径 0.18mm カラムによる高速化 PCB Analyst が解析をサポート ( 省力化 ) 2 1 (ECD) (QMS NICI) (MS/MS) (ECD) (NICI) 希釈のみの前処理 ( 省力化 ) NICI チューニングの自動化 Page 47

48 KC mix 0.8ppm クロマトグラム1 ( 検出器 :μecd) オリジナル 絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 1 版 ) 付表 の測定条件例 倍さらに 2.37 倍の高速化 高速分析 1 DB-5 20m 0.18mm 0.18μm 18μm を用いて高速化しかも 測定条件 1 のクロマトパターンと同じに設定 1.67 倍 高速分析 2 さらにキャリアに水素を用いて高速化しかも 測定条件 1 のクロマトパターンと同じに設定 2.37 倍 Page 48

49 KC mix 0.8ppm クロマトグラム2 ( 検出器 :μecd) オリジナル クロマトパターンは同じ 分 高速分析 分 高速分析 分 Page 49

50 PCB Analyst Ver.2.01(ECD 用 ) Agilent GCケミステーションに PCB Analystを追加 Page 50

51 KC-MIX から係数テーブルを作成 30m 0.25mm(He) m 0.18mm(H2) KC-MIX のクロマトグラムから 係数テーブルを作る -RT R.T. レスポンスは自動取り込み - 初回のみCB0% を設定 -テーブルは名前を付けて保存可能 -2 回目からは RT とレスポンスを自動更新 -RRFは計算値を取込 ~ ~ ~ ~

52 PCB ピークを確実に同定 標準データと比較でき 確実に PCB ピークを同定マニュアル積分 / マニュアル再同定もマウス操作で可能 ブラウザ PCBのピークリストを表示 サンプル 標準 CB2% 油種選択回収率 PCB 濃度を計算 Page 52

53 内容 1. 環境省絶縁油中の微量 PCB に関する簡易測定法マニュアル ( 第 2 版 ) のトピックス 2. 第 2 版追加測定法の紹介 ( 一部 ) 3. 最新技術を用いた負イオン化学イオン化オ (negative ion chemical ionization, NICI) 法の紹介 4. GC/MS/MS によるダイオキシン簡易分析法の紹介 Page 53

54 測定条件 PCDD( ポリクロロジベンゾ -p- ジオキシン )&PCDF( ポリクロロジベンゾフラン ) Column: HP-5MS UI 30m, 0.25mm-id, 0.25 film Carrier: He - 10ml/minconstantflow 1.0 Oven Table: Ramp o C / min T o f C Hold (min) Inject: 1 μl, pulsed splitless: 25 ml / min for 0.5 min Inject T: Aux 2: o 300 o C 310 o C Source T: 300 o C ev: 70 Q1 = Q2: 150 o C Page 54

55 MRM(multiple ( reaction monitoring) 条件 Compound Window Transition Fragment 1 Ion type Ion Ratio Parent TCDF > M/M+2 < 1 M+2 TCDD > M/M+2 < 1 M+2 P 5CDF > M+2/M+4 > 1 M+2 P 5 CDD > M+2/M+4 > 1 M+2 H 6 CDF > M+2/M+4 > 1 M+2 H 6 CDD > M+2/M+4 > 1 M+2 H 7 CDD* > M+2/M+4 ~ 1 M+4 H 7 CDF* > M+2/M+4 ~ 1 M+4 OCDF* > M+2/M+4 < 1 M+4 OCDD > M+2/M+4 <1 M+4 *Predicted values based on table trends Page 55

56 TCDD & TCDF: 250 fg/µl µ each TCDD TCDF Page 56

57 P 5 5C CDD & P 5 CDF: 500 fg/µl each x MRM ( > 293.0) CS-1_102908_MRM_1ul.D Smooth (1) Noise (RMS) = 0.56; SNR (17.241min) = * P 5 CDD x * MRM ( > 277.0) CS-1_102908_MRM_1ul.D Smooth (1) Noise (RMS) = 0.22; SNR (16.296min) = P 5 CDF 2 isomers Counts vs. Acquisition Time (min) Page 57

58 P5CDD & P5CDF: 1000 fg & 250 fg x MRM ( > 277.0) CS-2_102908_MRM_1ul.D Smooth (1) P 5 CDF 2 isomers P 5 CDD Counts vs. Acquisition Time (min) 58 Page 58 October 30, 2008

59 H 6CDD & H 6CDF: 500 fg/µl µ each x MRM ( > 327.0) CS-1_102908_MRM_1ul.D Smooth (1) Noise (RMS) = 0.28; SNR (19.282min) = * H 6 CDD, 3 isomers * x MRM ( > 311.0) CS-1_102908_MRM_1ul.D Smooth (1) Noise (RMS) = 0.28; SNR (18.762min) = * * H 6 CDF, 4 isomers Counts vs. Acquisition Time (min) Page 59

60 H7CDD, 500 fg/µl µ x MRM ( > 361.0) CS-1_102908_MRM_1ul.D Smooth (1) Noise (RMS) = 0.29; SNR (20.037min) = H 7 CDD Counts vs. Acquisition Time (min) Page 60

61 OCDD, OCDF & H 7 CDF: 1000 fg/µl & 1000 fg/µl & 500 fg/µl, respectively e OCDD OCDF H 7 CDF, co-elution of 2 isomers Page 61

62 感度 Compound Window Transition Injection V (µl) Conc. (fg/µl) r.t. (min) S/N TCDD > TCDF > P 5 CDF > P 5 CDF > P 5 CDD > H 6 CDF > H 6 CDF > H 6 CDF > H 6 CDF > H 6 CDD > H 6 CDD > H 6 CDD > H 7 CDD > H 7 CDF > H 7 CDF > OCDF > OCDD > Page 62

63 ぜひアジレント テクノロジーのブースへお立ち寄りください ご清聴ありがとうございました Page 63

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