目次第 1 章序論 p1 1.1 本研究の背景 1.2 多段積層 CNT とは 1.3 本研究の目的 1.4 本論文の構成 第 2 章実験装置 p3 2.1 RF マグネトロンスパッタリング装置 2.2 熱 CVD 装置 第 3 章多段積層 CNT 合成 p8 3.1 実験方法 スパッタ
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- みがね こうだ
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1 卒業研究報告 題目 多層積層 AlOx/Fe 触媒を用いた 高密度多段積層 CNT フォレストの作製 報告者 学籍番号 : 氏名 : 上屋慎之介 指導教員 古田寛准教授 八田章光教授 平成 28 年 2 月 10 日 高知工科大学システム工学群光エレクトロニクス専攻
2 目次第 1 章序論 p1 1.1 本研究の背景 1.2 多段積層 CNT とは 1.3 本研究の目的 1.4 本論文の構成 第 2 章実験装置 p3 2.1 RF マグネトロンスパッタリング装置 2.2 熱 CVD 装置 第 3 章多段積層 CNT 合成 p8 3.1 実験方法 スパッタリング法による触媒作製 熱 CVD 法による CNT 合成 使用触媒 3.2 AlOx 触媒膜厚依存性 実験条件 実験結果 3.3 (AlOx/Fe)n 積層触媒積層数依存性 実験条件 実験結果 3.4 Fe 触媒膜厚 AlOx 触媒スパッタリング圧力依存性 XRR による AlOx パラメータ測定 実験条件 実験結果 3.5 考察 3.6 まとめ 第 4 章結論 p31 謝辞 参考文献 ⅰ
3 第 1 章序論 1.1 本研究の背景 近年 2011 年の東日本大震災による原子力発電所の事故や 電力自由化に関する様々な政策等から 人々の電力に対する関心が高まっている その中でも特に電力不足が問題視されており 省エネルギー化や新たな発電方法の開発等 エネルギーの利用 貯蔵の革新が求められている 省エネルギー化に関する課題を解決する手段を支える手段として カーボンナノチューブ (CNT:Carbon Nanotube)[1] に着目した CNT の特徴として 高い熱伝導性 電気伝導性を有すること 高いアスペクト比があり 構造によって異なる光学特性を有することによるエネルギー貯蔵や利用の効率化等が挙げられる [2, 3] これらの優れた特徴から 配線材料や太陽電池等 様々なエネルギーデバイスへの応用が考えられている これらの応用のための性能向上には CNT の本数密度を増加させることが重要な指標のひとつである これまでに酸化アルミニウム (AlOx) 鉄(Fe) を積層触媒として用いた 熱 CVD(Thermal Chemical Vapor Deposition) 法による高密度の CNT 成長 (10 13 本 /cm 2 程度 ) が報告されている [4] 新奇構造として 窒化アルミニウム (AlN) Fe を多層積層触媒として用いた多段積層 CNT フォレストの成長が報告されている [5] 表面積の大きさを利用し 電極材料等のエネルギーデバイス応用が期待できる 他分野では 細胞を CNT に担持させることによる培養など 生物科学応用の基盤のような応用にも期待されている 現状では CNT 本数密度が低い (10 9 ~10 10 本 /cm 2 程度 ) という問題点があり 応用のためには密度を増加させる必要がある 1.2 多段積層 CNT フォレストとは CNT は 炭素原子が蜂の巣状の六員環構造に構成されたグラフェンを円筒状に丸めた構造をとる物質である [1] 本研究室ではスパッタリング装置を用いて基板上に Fe や Ni 等の触媒の薄膜を堆積させ 熱 CVD 法により基板上に CNT の合成を行っている [6, 7, 8] 先行研究 [5] では 触媒層に Fe 触媒の補助層に AlN を用い それらをスパッタリング法により熱酸化シリコン (SiO2) 基板上に交互に数層積層させ ( 図 1.1) 熱 CVD 法により CNT を合成している ( 図 1.2) その際に最上段の Fe 層だけでなく 上下が AlN 層に挟まれた中間の Fe 層からも CNT が成長したと報告している 図 1.2 の構造の CNT を多段積層 CNT フォレストと定義している 1
4 図 1.1 熱酸化 Si 基板上の多層 AlN/Fe 積層触媒 図 1.2 多層 AlN/Fe 積層触媒による多段積層 CNT フォレスト 1.3 本研究の目的 本研究では AlOx Fe を多層積層触媒として用い AlN Fe を多層積層触媒として用いた多段積層 CNT フォレスト [5] と比較して より高密度 (10 12 本 /cm 2 程度 ) の多段積層 CNT フォレストを作製することを目的とした 1.4 本論文の構成 本論文の構成として 第 1 章を序論とし 本研究の背景 多段積層 CNT フォレストについて 本研究の目的を示す 第 2 章で本研究において使用した RF マグネトロンスパッタ装置 熱 CVD 装置について述べる 第 3 章で実験方法 実験条件 実験結果 考察について述べる 第 4 章を結論とする 2
5 第 2 章実験装置 本章では 本研究で使用した RF マグネトロンスパッタリング装置 熱 CVD 装置 について記述する 2.1 RF マグネトロンスパッタリング装置 スパッタリング法とは 薄膜形成方法の一種である 電界をかけることでガスを電離し 加速させ ターゲットと呼ばれる薄膜の原料である薄板に衝突させることで ターゲットから微粒子が飛び出す ( スパッタリング現象 ) 飛び出した微粒子を基板上に堆積させることで基板上に薄膜が形成される [9] 本研究で使用した RF(Radio Frequency : MHz) マグネトロンスパッタリング装置の構造を図 装置外観図を図 に示す この装置の特徴は カソードが 2 本あり ターゲットを 2 個設置できるため 外気に触れずに同一真空内で 2 種類の薄膜を連続して堆積させられることである カソード側には厚さ 0.5 mm の 2 インチ Fe ターゲット ( 純度 99.5%) 厚さ 2 mm の 2 インチ AlOx ターゲット ( 純度 99.99%) を設置した 基板 -ターゲット間距離は 100 mm とした 装置の真空排気にはロータリーポンプ (RP : Rotary Pump) ターボ分子ポンプ(TMP : Turbo Molecular Pump) を用いた 大気圧から 10 Pa 程度までの真空排気は RP により 2 分程度行った 10 Pa 程度からベース真空度 ( ~ Pa 程度 ) までの真空排気は TMP により 90 分程度行った 真空容器内の圧力の監視にはバラトロンゲージ ヌードイオンゲージ シングルイオンゲージを用いた 大気圧からベース真空度までの大まかな真空度をシングルイオンゲージにより監視し ベース真空度付近の真空度をヌードイオンゲージにより監視した スパッタリング時の圧力はバラトロンゲージにより詳細に監視した 雰囲気ガスとしてアルゴン (Ar) を使用し スパッタリング成膜の直前に マスフローコントローラ (MFC) によりガス流量 25 sccm(standard cubic centimeter per minute) に調整し真空容器内に導入した その時の雰囲気圧力は Pa 程度となったため 雰囲気圧力の調整を排気バルブの開閉により行い 0.8~9 Pa の範囲で調整した ターゲット表面は大気に触れる事で自然に酸化されていくため 成膜を行う直前に表面酸化膜を取り除く目的で予備放電を行った 予備放電時間は AlOx ターゲットで 10 分 Fe ターゲットで 5 分とした また 予備放電中にマッチングボックスの値を変更し セルフバイアスの絶対値が最大となるよう調整した 予備放電終了後に熱酸化 Si 基板上に成膜を行った 一方のターゲットにより予備放電 成膜を行っている間 もう一方のターゲットに微粒子が付着するのを防ぐために シャッターによりターゲットを覆った また 予備放電中にターゲットの微粒子が基板に付着することを防ぐために ステージを容器の端に移動させた 3
6 図 RF マグネトロンスパッタリング装置構成図 図 RF マグネトロンスパッタリング装置外観図 4
7 2.2 熱 CVD 装置 熱 CVD 法とは 熱による化学反応等を利用した薄膜等の形成手法の一つである 熱 CVD 法による CNT の合成方法として 炭素原子を含有したメタン (CH4) アセチレン (C2H2) 等のガスを原料に 高温の真空容器内で Fe Ni 等の触媒を担持させた基板と反応させることで 炭素源ガスが分解され 触媒から炭素が CNT として析出する [10] 本研究で使用した熱 CVD 装置の構造を図 装置外観図を図 に示す 装置の真空排気には RP TMP を用いた 大気圧から 10 Pa 程度までの真空排気は RP により 1 分程度行った 10 Pa 程度からベース真空度 ( ~ Pa 程度 ) までの真空排気は TMP により 60 分程度行った 真空容器内の圧力の監視にはバラトロンゲージ B-A ゲージ クリスタルゲージを用いた 大気圧から数 Pa 程度までの大まかな真空度をクリスタルゲージにより監視し 数 Pa 程度からベース真空度 ( ~ Pa) までの真空度の監視には B-A ゲージを用いた 熱 CVD 合成時の圧力の監視をバラトロンゲージにより行った 真空排気時には真空容器の内部温度をヒーターにより 120 にした これは 容器の内壁に付着した水分を除去するために行った 容器内圧力がベース真空度に到達後 ヒーター温度を 120 から合成温度の 730 に 12 分 30 秒程度で昇温した 昇温中 容器内圧力は内壁吸着ガスの脱離により上昇し ヒーター温度 500 付近で Pa 程度となった その後ヒーター温度 730 到達時に容器内圧力は Pa 程度まで減少した ヒーター温度が 730 に到達してから容器内部温度が 730 程度に到達するまでに 3 分 30 秒程度の時間差が生じた [11] そのため ヒーター温度 730 に到達してからヒーター温度を変更せずに アニール時間として 3 分 30 秒待機し その後に熱 CVD 合成を 10 分間行った 合成開始時にバッファタンク [12] 内に原料ガスの C2H2 を貯め バッファタンク内圧力が 160 Pa 程度まで上昇すると自動的にバッファタンク- 真空容器間のバルブが開くよう制御を行った これにより瞬間的に容器内を C2H2 で満たし 容器内圧力を合成圧力の 54 Pa に上昇させて合成した 合成中の C2H2 流量は MFC により 10 sccm に調整した 合成終了後 C2H2 ガスの供給を止め 容器内試料の冷却を容器外側からの空冷により 40 分程度行った 熱 CVD 合成プロセスを図 に示す 5
8 図 熱 CVD 装置構成図 図 熱 CVD 装置外観図 6
9 図 熱 CVD 合成プロセス 7
10 第 3 章多段積層 CNT フォレスト合成 本章では AlOx Fe 触媒のスパッタリング成膜時の各触媒膜厚 AlOx 触媒のスパッタリング圧力 積層数を変更し 多段積層 CNT フォレストが合成される条件を特定する目的で CNT の合成実験を行った 走査型電子顕微鏡 (FE-SEM : Field Emission-Scanning Electron Microscope, JEOL-JSM7401) を用いて CNT フォレストの成長高さ 本数密度の評価を行った また 一部試料において FE-SEM に付属されたエネルギー分散型 X 線 (EDX : Energy Dispersive X-ray Spectrometry) 分析装置により CNT フォレストの断面の元素分析を行った 3.1 実験方法 スパッタリング法による触媒作製スパッタリング法による実験方法について記述する スパッタリング装置の容器中に熱酸化 Si 基板を入れ Pa 以下まで真空排気を行った 真空排気後 雰囲気ガスとして Ar を 25 sccm で導入し 排気バルブの調整により雰囲気圧力を 0.8~9 Pa のスパッタリング圧力にし RF 電源の入射電力 50 W で AlOx ターゲットの予備放電を行った その時のセルフバイアスは-20.0~-16.2V であった 予備放電終了後 続けて基板上に AlOx の成膜を行った AlOx の成膜終了後 RF 電源の入射電力 25 W で Fe ターゲットも同様に予備放電し AlOx を成膜した基板上に成膜を行った その時のセルフバイアスは-15.8~-15.4V であった 同じ手順で AlOx と Fe を交互に 1~5 回成膜を行った 熱 CVD 法による CNT フォレスト合成熱 CVD 法による実験方法について記述する 熱 CVD 装置の容器中に スパッタリング装置により表面に AlOx Fe 触媒を成膜した熱酸化 Si 基板を入れ Pa 以下まで容器内温度 120 にして真空排気を行った 真空排気後 ヒーター温度を 730 まで上昇させ ヒーター温度が 730 に到達後 3 分 30 秒のアニール時間をおいた その後 C2H2 ガスを 10 sccm で導入し 容器内圧力 54 Pa で 10 分間熱 CVD 合成を行った 使用触媒本研究では CNT を合成する際に Fe を触媒として用いた その理由として 高温下で Fe が CNT の原料となる炭素を含んだ CH4 C2H2 等の炭化水素ガスを分解し 炭素のみを CNT として析出させる [13, 14] ため 熱 CVD 法による CNT 合成に適していることが挙げられる また Fe 触媒の補助層として AlOx を用いた その理由として 熱 CVD 法による CNT 合成プロセス中に基板が高温になるが その際に AlOx は Fe 触媒の凝集を抑制する性質を持つ [15] ことが挙げられる CNT フォレストの本数密 8
11 度は Fe 触媒微粒子密度に依存する [12] ため Fe 触媒の凝集による微粒子密度の低下を抑制する AlOx 等の下地層の開発が 高密度の CNT フォレストを作製する上で重要になる これまでに AlOx Fe を積層触媒として用いた 熱 CVD 法による高密度の CNT 成長 (10 13 本 /cm 2 程度 ) が報告されており [4] AlOx Fe を多層積層触媒として用いることで高密度多段積層 CNT フォレストの作製を図った 3.2 AlOx 触媒膜厚依存性 本節では スパッタリング堆積時の AlOx 触媒膜厚を変更した触媒を作製し CNT フォレストの合成を行った結果を示す 実験条件 Fe 触媒 1 層あたりの膜厚を 1 nm で固定とし AlOx 触媒 1 層あたりの膜厚を nm と変更し AlOx 触媒と Fe 触媒を交互に 3 層ずつスパッタリング堆積を行い 熱 CVD 装置を用いて CNT フォレストの合成を行った 表 にスパッタリング堆積条件 表 に熱 CVD 合成条件を示す 上記の Fe AlOx の膜厚は表 の堆積レート 堆積時間より算出した 表 スパッタリング堆積条件 ターゲット Fe AlOx 基板 熱酸化 Si(100 nm) ベース真空度 ~ Pa 雰囲気ガス Ar ガス流量 25 sccm スパッタリング圧力 1.4 Pa 堆積レート 22.8 sec/nm 47.0 sec/nm 1 層あたり堆積時間 22.8 sec 35 sec(0.75 nm) 1 min 11 sec(1.5 nm) 2 min 21 sec(3 nm) 4 min 42 sec(6 nm) 9 min 24 sec(12 nm) 18 min 48 sec(24 nm) AlOx/Fe 触媒積層数 3 層 RF 電源電力 25 W 50 W セルフバイアス -15.8~-15.4 V -16.6~-16.2 V 9
12 表 熱 CVD 合成条件 ベース真空度 Pa 合成温度 730 アニール時間 3.5 min 合成時間 10 min 原料ガスガス流量合成圧力 C2H2 10 sccm 54 Pa 実験結果図 図 にそれぞれ熱 CVD 合成後の CNT フォレストの断面 SEM 像 その拡大図を示す また 図 図 の SEM 像から算出した CNT 高さ CNT の本数密度をそれぞれ図 図 に示す 図 に CNT 密度と CNT 高さの関係を示す 図 CNT フォレストの断面 SEM 像 AlOx 膜厚 (a)0.75 nm (b)1.5 nm (c)3 nm (d)6 nm (e)12 nm (f)24 nm 10
13 図 CNT フォレストの中央高さ付近の断面拡大 SEM 像 AlOx 膜厚 (a)0.75 nm (b)1.5 nm (c)3 nm (d)6 nm (e)12 nm (f)24 nm 図 CNT 高さの AlOx 膜厚依存性 11
14 図 CNT 密度の AlOx 膜厚依存性 図 CNT 高さの CNT 密度依存性 図 より CNT は 1 段のみ形成され 多段積層 CNT の成長は見られなかった 図 より AlOx1 層あたり膜厚を 0.75 nm から 6 nm まで増加させるとともに CNT 高さが増加し AlOx 膜厚 6 nm で最大値 322 µm を得た AlOx 膜厚を 12 nm 以上に増加させても CNT 高さの増加は見られなかった 図 より AlOx1 層あたり膜厚を 0.75 nm から 24 nm まで増加させるにつれ CNT 密度が増加し AlOx 膜厚 24nm で最大値 本 /cm 2 を得た 図 より CNT 密度が増加するに従って CNT 高さが増加する傾向が得られ 一次近似による相関係数は 0.92 となった 12
15 3.3 (AlOx/Fe) n 積層触媒積層数依存性 本節では スパッタリング堆積時の AlOx Fe 触媒の積層回数を変更した触媒を作 製し CNT フォレストの合成を行った結果を示す 実験条件 Fe 触媒 1 層あたりの膜厚を 1nm AlOx 触媒 1 層あたりの膜厚 6 nm で固定し AlOx 触媒と Fe 触媒を交互に 1 層から 5 層まで 5 試料スパッタリング堆積を行い 熱 CVD 装置を用いて CNT フォレストの合成を行った 表 3.3 にスパッタリング堆積条件を示す 熱 CVD 合成条件は上記表 と同じとした 上記の Fe AlOx の膜厚は表 の堆積レート 堆積時間より算出した 表 3.3 スパッタリング堆積条件 ターゲット Fe AlOx 基板 熱酸化 Si(100 nm) ベース真空度 ~ Pa 雰囲気ガス Ar ガス流量 25 sccm スパッタリング圧力 1.4 Pa 堆積レート 22.8 sec/nm 47.0 sec/nm 1 層あたり堆積時間 22.8 sec 4 min 42 sec AlOx/Fe 触媒積層数 1, 2, 3, 4, 5 層 RF 電源電力 25 W 50 W セルフバイアス -15.8~-15.4 V -16.6~-16.2 V 実験結果図 図 にそれぞれ合成後の CNT フォレストの断面 SEM 像 その拡大図を示す また 図 図 の SEM 像から算出した CNT 高さ CNT 密度をそれぞれ図 図 に示す 図 に CNT 密度と CNT 高さの関係を示す 13
16 図 CNT フォレストの断面 SEM 像 積層数 (a) 1 層 (b)2 層 (c)3 層 (d)4 層 (e)5 層 図 CNT フォレストの中央高さ付近の断面拡大 SEM 像 積層数 (a) 1 層 (b)2 層 (c)3 層 (d)4 層 (e)5 層 14
17 図 CNT 高さの AlOx/Fe 積層数依存性 図 CNT 密度の AlOx/Fe 積層数依存性 15
18 図 CNT 高さの CNT 密度依存性図 より CNT フォレストは 1 段のみ形成され 多段積層 CNT フォレストの成長は見られなかった 図 より 1 層から 3 層まで触媒積層数を増加させるにつれ CNT 高さが増加し 3 層で最大値 260 µm を得た 触媒積層数を 4 層以上に増加させても CNT 高さの増加は見られなかった 図 より 1 層から 3 層まで触媒積層数を増加させるにつれ CNT 密度が増加し 3 層で最大値 本 /cm 2 を得た 触媒積層数を 4 層以上に増加させても CNT 密度の増加は見られなかった 図 より CNT 密度が増加するに従って CNT 高さが増加する傾向が得られ 一次近似による相関係数は 0.76 となった 3.4 Fe 膜厚 AlOx 触媒スパッタリング圧力依存性 本節では スパッタリング堆積時の Fe 触媒膜厚 AlOx 触媒のスパッタリング圧力 を変更した触媒を作製し CNT フォレストの合成を行った結果を示す XRR 装置による AlOx パラメータ測定 AlOx 触媒のスパッタリング圧力を変更すると AlOx 堆積レートも変わる そのため Fe 膜厚 AlOx 触媒スパッタリング圧力依存性の実験を行う前に スパッタリング圧力 Pa でそれぞれ 30 分間 スパッタリング圧力 6 9 Pa でそれぞれ 60 分間熱酸化 Si 基板上に成膜し 各圧力での AlOx 膜厚 AlOx 膜密度 AlOx 表面のラフネスを X 線反射率 (XRR : X-ray refrectivity) により測定した 測定結果をそれぞれ図 図 図 に示す 16
19 図 AlOx 膜厚のスパッタリング圧力依存性 図 AlOx 膜密度のスパッタリング圧力依存性 17
20 図 AlOx 表面ラフネスのスパッタリング圧力依存性 図 より 各スパッタリング圧力での AlOx 堆積レートを算出すると Pa でそれぞれ sec/nm となった 図 より スパッタリング圧力 1.6 Pa で AlOx 膜密度が最大値 3.30 g/cm 3 となり 1.6Pa より圧力が小さく 又は大きくなると膜密度も小さくなった 最小値は 9 Pa で 2.98 g/cm 3 であった 図 より 表面ラフネスは 0.8 Pa で最小値 0.39 nm となり 0.8 Pa から 6 Pa まで圧力の増加に従って大きくなり 6 Pa で最大値 1.24 nm となった 6 Pa から 9 Pa ではラフネスは 1.00 nm に減少した 実験条件 AlOx 触媒 1 層あたりの膜厚を 6 nm で固定し Fe 触媒 1 層あたりの膜厚を 0.5, 1, 2.5 nm AlOx のスパッタリング圧力を 0.8, 1.6, 3, 6, 9 Pa と変更し AlOx 触媒と Fe 触媒を交互に 3 層ずつスパッタリング堆積を行い 熱 CVD 装置を用いて基板上に CNT フォレストの合成を行った 表 3.4 にスパッタリング堆積条件を示す 熱 CVD 合成条件は上記表 と同じとした 上記の Fe AlOx の膜厚は表 3.4 の堆積レート 堆積時間より算出した 18
21 表 3.4 スパッタリング堆積条件 ターゲット Fe AlOx 基板 熱酸化 Si(100nm) ベース真空度 ~ Pa 雰囲気ガス Ar ガス流量 25 sccm スパッタリング圧力 1.4 Pa 0.8, 1.6, 3, 6, 9 Pa 堆積レート 22.8 sec/nm 52.3 sec/nm(0.8pa) 49.5 sec/nm(1.6pa) 43.1 sec/nm(3pa) 45.6 sec/nm(6pa) 61.9 sec/nm(9pa) 1 層あたり堆積時間 11.4 sec(0.5 nm) 22.8 sec(1 nm) 57sec(2.5 nm) 5 min 14 sec(0.8pa) 4 min 57 sec(1.6pa) 4 min 19 sec(3pa) 4 min 34 sec(6pa) 6 min 12 sec(9pa) AlOx/Fe 触媒積層数 3 層 RF 電源電力 25 W 50 W セルフバイアス -15.8~-15.4 V -20.0~-16.2 V 実験結果図 に熱 CVD 合成後の CNT フォレストの断面 SEM 像 図 に Fe 膜厚 0.5nm AlOx スパッタ圧力 0.8, 1.6, 3, 9 Pa の条件 Fe 膜厚 1 nm AlOx スパッタ圧力 9 Pa の条件の 5 条件における拡大図を示す また 図 の SEM 像から算出した CNT 高さを図 図 図 に 図 の SEM 像から算出した CNT 密度を図 に示す 図 図 に Fe 膜厚 0.5nm AlOx スパッタ圧力 1.6 Pa の条件における EDX による CNT 断面の元素分析結果を示す 19
22 図 CNT フォレストの断面 SEM 像 Fe 膜厚 -AlOx スパッタリング圧力 (a)0.5 nm-0.8 Pa (b)1 nm-0.8 Pa (c)2.5 nm-0.8 Pa (d)0.5 nm-1.6 Pa (e)1 nm-1.6 Pa (f)2.5 nm-1.6 Pa (g)0.5 nm-3 Pa (h)1 nm-3 Pa (i)2.5 nm-3 Pa (j)0.5 nm-6 Pa (k)1 nm-6 Pa (l)2.5 nm-6 Pa (m)0.5 nm-9 Pa (n)1 nm-9 Pa (o)2.5 nm-9 Pa 20
23 図 CNT フォレストの断面の拡大 SEM 像 Fe 膜厚 -AlOx スパッタリング圧力 (a) (b) (c) 0.5 nm-0.8 Pa (d) (e) (f) 0.5 nm-1.6 Pa (g) (h) (i) 0.5 nm-3 Pa (j) (k) (l) 0.5 nm-9 Pa (m) (n) (o) 1 nm-9 Pa 21
24 図 Fe 膜厚 0.5 nm における CNT 高さのスパッタリング圧力依存性 図 Fe 膜厚 1 nm における CNT 高さのスパッタリング圧力依存性 図 Fe 膜厚 2.5 nm における CNT 高さのスパッタリング圧力依存性 22
25 図 境界が見られた CNT における CNT 密度の Fe 膜厚 スパ ッタリング圧力依存性 図 境界が見られた CNT フォレストの断面概略図 23
26 図 EDS による CNT フォレスト断面の元素分析結果 (a)cnt の断面 SEM 像 (b-f)edx 画像 (b)c 原子 (c)o 原子 (d)al 原子 (e)fe 原子 (f)si 原子 図 CNT フォレスト断面の EDX スペクトル 24
27 図 図 より CNT フォレストは Fe 膜厚 0.5 nm AlOx スパッタリング圧力 0.8, 1.6, 3, 9 Pa の条件 Fe 膜厚 1 nm AlOx スパッタリング圧力 9 Pa の条件の 5 条件 ( 図 3.4.4(a) (d) (g) (m) (n)) で 基板付近に CNT フォレストが途切れた または折れ曲がったような構造 ( 以下境界という ) が基板に平行に CNT フォレスト全体に形成されていた その他の条件では CNT フォレストは 1 段のみ形成され 多段積層 CNT フォレストの成長は見られなかった 図 に Fe 膜厚 0.5 nm の条件の CNT 高さ 境界高さを示す CNT 高さはスパッタリング圧力 0.8 Pa で最大値 279 µm を得た Fe 膜厚 0.5 nm では スパッタリング圧力を 0.8 Pa から 6 Pa まで増加させると CNT 高さが小さくなり 6 Pa で最も小さくなった 6 Pa から 9 Pa では CNT 高さの増加が見られた 境界高さはスパッタリング圧力 9 Pa で最大値 66 µm を得た 図 に Fe 膜厚 1 nm の条件の CNT 高さ 境界高さを示す CNT 高さはスパッタリング圧力 1.6 Pa で最大値 146 µm を得た Fe 膜厚 1 nm では スパッタリング圧力 3 Pa 6 Pa で CNT の成長がほぼ見られなかった 境界高さはスパッタリング圧力 9 Pa で 10 µm を得た 図 に Fe 膜厚 2.5 nm の条件の CNT 高さを示す スパッタリング圧力を変更しても CNT 成長がほぼ見られず CNT 高さは 3 Pa で最大値 18.4 µm を得た 図 に図 の拡大図から算出した CNT 密度を示す いずれの条件においても 境界上部の CNT 密度が境界下部と比較し大きくなった CNT 密度が最大値をとったのは 境界上部 下部で共に Fe 膜厚 0.5 nm AlOx スパッタリング圧力 9 Pa の条件で それぞれ 本 /cm 本 /cm 2 を得た 図 において最も境界上部と下部の密度差が大きい Fe 膜厚 0.5 nm AlOx スパッタリング圧力 1.6 Pa の条件 ( 図 3.4.4(d)) で EDS により Fe Al O C Si の 5 原子の元素分析を行った結果を図 図 に示す 分析結果からは境界付近に触媒として用いた Fe Al O 原子の強い強度は確認できなかったが C 原子は境界付近に若干強い強度が見られた なお Si 原子において画像下部に強い強度が見られるのは 基板付近で分析を行ったためである 3.5 考察 CNT フォレスト中に境界が形成された CNT フォレストの成長モデルについて考察する 図 図 (b) による CNT 境界付近のモデルを図 図 に示す 図 の拡大 SEM 像において いずれの条件でも 境界付近で CNT フォレストが途切れた または折れ曲がったような構造が見られた また 図 (b) の C 原子分析結果より CNT フォレスト境界付近で C 原子の強い強度が得られた これは 境界付近で CNT フォレストが高密度化した または CNT フォレストが境界付近で基板と垂直でなく斜めに成長したため C 原子が多く検出されたと考えられる 図 か 25
28 ら図 1.2 で示した多段積層 CNT フォレストと同様の CNT 構造が得られたと仮定すると 図 のように上段 CNT フォレストと下段 CNT フォレストの先端が重なることで高密度の境界が見られたと考えられる 図 1.2 の CNT 構造が得られなかったと仮定すると 図 のように境界付近で CNT が折れ曲がったような構造が得られたと考えられる 図 図 図 (b) による CNT の成長モデル 1 図 図 図 (b) による CNT の成長モデル 2 図 図 (d) (e) による CNT フォレスト中の触媒の分布モデルを図 に示す 図 の拡大 SEM 像中に微粒子が点在しており 微粒子上下から CNT が成長していた 図 (d) (e) より Fe AlOx 触媒微粒子は基板付近を除き一様に 26
29 分布していた これらより SEM 像中の微粒子は Fe または AlOx 触媒と考えられる また 触媒が図 1.2 のような完全な膜構造をとらず 図 のように CNT フォレスト中に点在することで 元素分析結果では図 1.2 の多段積層 CNT フォレストで見られたような膜が出来なかったと考えられる 図 図 図 (d) (e) による CNT フォレスト中の触媒モデル 図 図 図 図 より 境界が形成された CNT フォレストの境界上部 下部でそれぞれ CNT 本数密度 CNT 高さの差が得られたことから CNT の成長モデルを図 に示す 図 (a) (d) (g) (m) (n) の 5 試料の全てで境界上部の CNT 密度 高さが境界下部と比較して大きくなった これは 熱 CVD 合成中に基板の最上段の Fe 層により C2H2 ガスが分解され C 原子が AlOx 層に挟まれた下段の Fe 層まで拡散することで下段の Fe 層からも CNT が成長したが 最上段 Fe 層と比較し C 原子供給量が少なかったために 境界下部では上部と比較し CNT 高さが低く 低密度に成長した可能性が考えられる 27
30 図 図 3.4.6~ 図 による CNT 成長モデル 図 3.5.1~ 図 のモデルを総合して考えられるモデルを図 に示す AlOx 触媒層が膜構造を維持せず 図 1.2 の多層積層 CNT フォレストと同じ構造は得られなかったと考えられる これより 多段積層 CNT フォレストの作製には熱 CVD 合成後に AlOx 触媒が膜構造を維持できる膜厚を確保しつつ 熱 CVD 合成中に C 原子が AlOx 層中を十分に拡散し 下段 Fe 層に C 原子を供給できる膜厚での AlOx 触媒の成膜が重要であると考えた 図 図 3.5.1~ 図 による CNT の成長モデル 28
31 3.6 まとめ 触媒の成膜時に AlOx 膜厚 触媒積層数 Fe 膜厚 AlOx スパッタリング圧力を変更し それぞれの条件下で多段積層 CNT フォレストが形成されるか また CNT 高さ 密度について評価した AlOx 膜厚 触媒積層数を変更した実験では CNT フォレストは 1 段のみ形成され多段積層 CNT フォレストは形成されなかった Fe 膜厚 AlOx スパッタリング圧力を変更した実験では Fe 膜厚 0.5 nm AlOx スパッタリング圧力 Pa の条件 Fe 膜厚 1 nm AlOx スパッタリング圧力 9 Pa の条件の 5 条件で CNT フォレスト中に境界の形成が見られた その他の条件では CNT フォレストは 1 段のみ形成され 多段積層 CNT フォレストは形成されなかった Fe 膜厚 0.5 nm AlOx スパッタリング圧力 1.6 Pa の条件で作製した CNT フォレストを EDS により元素分析した結果 境界が形成された部分に C 原子の強い強度が見られた Fe Al 原子は CNT フォレスト中に一様に見られた Fe 膜厚 AlOx スパッタリング圧力を変更した実験結果から CNT フォレストの境界形成 触媒分布に関する成長モデルを立てた 29
32 第 4 章結論 近年問題視されているエネルギー問題の解決 新エネルギーデバイス開発のための一手段として 新奇構造である 基板上に多層積層させた触媒から CNT フォレストが数段成長する多段積層 CNT フォレストについて 触媒として AlOx Fe を用いることで高密度化を図る研究を行った Fe 膜厚 AlOx スパッタリング圧力を変更した実験において 一部 CNT フォレスト中に 1 段のみだが境界が形成された CNT 密度については 目標としていた 本 /cm 2 には達しなかった SEM EDS による分析結果からはこれらの CNT フォレストが多段積層 CNT フォレストであることの確認はできなかったが 通常の CNT フォレストでは見られない構造であり 先行研究の多段積層 CNT フォレストの密度改良への重要な足がかりであると考える その他の実験条件では CNT フォレスト中に境界の形成は見られなかった また 各実験条件による CNT 高さ CNT 本数密度の傾向を発見することができた 謝辞本研究を進めるにあたりまして 1 年半に渡り丁寧なご指導を頂きました古田寛准教授 八田章光教授 呉準席助教に心より御礼申し上げます 学会や卒業研究発表等で様々な手厚いサポートをしていただいた石本光輝様 楠本雄司様 本郷知紀様をはじめ 博士課程 修士課程の皆様には大変お世話になりました 皆様のおかげで論文を書き上げることができました 同期の伊藤さつき様 岡村鷹様 角田舞人様 藤岡光様 宮地弘樹様 皆様のおかげで有意義な学生生活を送ることができました 家族には大学生活を送る上で様々な面でサポートをしていただきました 皆様に深く感謝申し上げます 30
33 参考文献 [1] S.Iijma, Nature, 354 (1991) [2] Kohei Mizuno, Juntaro Ishii, Hideo Kishida, Yuhei Hayamizu, Satoshi Yasuda, Don N. Futaba, Motoo Yumura, Kenji Hata, PNAS 106 (2009) [3] Erik Einarsson, T. Edamura, Y. Murakami, Y. Igarashi, S. Maruyama, NATIONAL HEAT TRANSFER SYMPOSIUM OF JAPAN, 1 (2004) [4] Guofang Zhong, Jamie H. Warner, Martin Fouquet, Alex W. Robertson, Bingan Chen, John Robertson, ACS NANO 6(4), (2012) [5] H. Furuta, H. Koji, T. Harigai, A. Hatta, Tech. Proc NSTI Nanotech. Conf. & Expo, NSTI-Nanotech (2012) [6] 西森俊作高知工科大学学士論文 Ni 触媒を用いたナノカーボンの合成と構造評価 (2015) [7] 今井久里高知工科大学学士論文 初期成長に着目した CNT フォレスト構造制御 (2015) [8] 石本光輝高知工科大学学士論文 ラマン分光法によるカーボン系材料構造評価 (2014) [9] 畠山力三 飯塚哲 金子俊郎電気 電子工基礎シリーズ 11 プラズマ理工学基礎朝倉書店 p131 [10] Nakayama et al., Jpn. J. Appl. Phys., 45(1A) (2006) [11] 小路紘史修士論文 CNT 成長における Ni 積層 Fe/Al 触媒微粒子の制御 (2013) [12] 関家一樹学士論文 垂直配向多層カーボンナノチューブフォレストの初期成長と光学特性 (2013) [13] F. Ding, K. Bolton, and A.Rosen; J.Phys. Chem.B 108 (2004) [14] A.R.Harutyunyan, E.Mora and T.Tokune, Appl. Phys. Lett., 90 (2007) [15] M. Tanemura et al. : Dia.Rel.Mat. 20(7) (2011) 31
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
1. 序論 p1 1.1 本研究の背景 1.2 本研究の目的 2. カーボンナノチューブ (CNT) とダイヤモ
特別研究報告 題目 ダイヤモンドナノ構造体からの カーボンナノチューブの成長 Cabon Nanotube Growth on Diamond Nanostructures 報告者 学生番号 :117556 氏名 : 角田拓也 指導教員 八田章光教授 古田寛准教授 平成 27 年 2 月 17 日 高知工科大学大学院基盤工学専攻電子 光システム工学コース 1. 序論 ----------------------------------------------------------------------------------------------p1
化学結合が推定できる表面分析 Ｘ線光電子分光法
1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子
e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1
Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5
京都大学博士 ( 工学 ) 氏名宮口克一 論文題目 塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用した断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( 論文内容の要旨 ) 本論文は, 塩害を受けたコンクリート構造物の対策として一般的な対策のひとつである, 断面修復工法を検討の対象とし, その耐久性をより
塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用し Titleた断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 宮口, 克一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2015-01-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k18 Right Type Thesis
学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or
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SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
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AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au
Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.
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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO
<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>
技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering
Akita University 氏名 ( 本籍 ) 若林 誉 ( 三重県 ) 専攻分野の名称 博士 ( 工学 ) 学位記番号 工博甲第 209 号 学位授与の日付 平成 26 年 3 月 22 日 学位授与の要件 学位規則第 4 条第 1 項該当 研究科 専攻 工学資源学研究科 ( 機能物質工学
氏名 ( 本籍 ) 若林 誉 ( 三重県 ) 専攻分野の名称 博士 ( 工学 ) 学位記番号 工博甲第 209 号 学位授与の日付 平成 26 年 3 月 22 日 学位授与の要件 学位規則第 4 条第 1 項該当 研究科 専攻 工学資源学研究科 ( 機能物質工学 ) 学位論文題名 省貴金属自動車排ガス浄化触媒の開発研究 論文審査委員 ( 主査 ) 教授菅原勝康 ( 副査 ) 教授進藤隆世志 ( 副査
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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
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核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University
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博士学位論文要旨等の公表 学位規則 ( 昭和 28 年 4 月 1 日文部省令第 9 号 ) 第 8 条に基づき 当該博士の学位の授与に係る論文の内容の要旨及び論文審査の結果の要旨を公表する 氏名 清野裕司 学位の種類博士 ( 理工学 ) 報告番号 甲第 17 号 学位授与の要件学位規程第 4 条第 2 項該当 学位授与年月日平成 25 年 3 月 16 日 学位論文題目 高分子の自己組織化現象によるメゾスコピック構造
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GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
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![C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni](/thumbs/89/99121913.jpg "C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni")
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
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反応速度 触媒 速度定数 反応次数について. 化学反応の速さの表し方 速さとは単位時間あたりの変化の大きさである 大きさの値は 0 以上ですから, 速さは 0 以上の値をとる 化学反応の速さは単位時間あたりの物質のモル濃度変化の大きさで表すのが一般的 たとえば, a + bb c (, B, は物質, a, b, c は係数 ) という反応において,, B, それぞれの反応の速さを, B, とし,
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別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
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LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった
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Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】
報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
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世界初! 次世代電池内部のリチウムイオンの動きを充放電中に可視化 ~ 次世代電池の実用化に向けて大きく前進 ~ 名古屋大学 パナソニック株式会社 ( 以下 パナソニック ) および一般財団法人ファインセラミックスセンター ( 以下 ファインセラミックスセンター ) は共同で 走査型透過電子顕微鏡 (STEM:Scanning Transmission Electron Microscope) 注 1)
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早稲田大学大学院日本語教育研究科 修士論文概要書 論文題目 ネパール人日本語学習者による日本語のリズム生成 大熊伊宗 2018 年 3 月 本研究は ネパール人日本語学習者 ( 以下 NPLS) のリズム生成の特徴を明らかにし NPLS に対する発音学習支援 リズム習得研究に示唆を与えるものである 以下 本論文 の流れに沿って 概要を記述する 第一章序論 第一章では 本研究の問題意識 意義 目的 本論文の構成を記した
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反応工学 Raction Enginring 講義時間 ( 場所 : 火曜 限 (8-A 木曜 限 (S-A 担当 : 山村 火 限 8-A 期末試験中間試験以降 /7( 木 まで持ち込みなし要電卓 /4( 木 質問受付日講義なし 授業アンケート (li campus の入力をお願いします 晶析 (crystallization ( 教科書 p. 濃度 溶解度曲線 C C s A 安定 液 ( 気
5 シリコンの熱酸化
5. シリコンの熱酸化 5.1 熱酸化の目的 Siウェーハは大気中で自然酸化して表面に非常に薄いがSiO 2 の膜で被覆されている Siとその上に生じたSiO 2 膜の密着性は強力である 酸化を高温で行なうと厚い緻密で安定な膜が生じる Siの融点は 1412 であるが SiO 2 の融点は 1732 であり被膜は非常に高い耐熱性をもつ 全ての金属や半導体が密着性の高い緻密な酸化膜により容易に被覆される特性を持つ訳ではなく
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加速度センサーを作ってみよう 茨城工業高等専門学校専攻科 山越好太 1. 加速度センサー? 最近話題のセンサーに 加速度センサー というものがあります これは文字通り 加速度 を測るセンサーで 主に動きの検出に使われたり 地球から受ける重力加速度を測定することで傾きを測ることなどにも使われています 最近ではゲーム機をはじめ携帯電話などにも搭載されるようになってきています 2. 加速度センサーの仕組み加速度センサーにも様々な種類があります
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平成 30 年度機械振興補助事業 研究成果報告 ( ステンレス材料への応用 ) 生体に対する高潤滑性炭素コーティングの技術開発 ~ 上半期研究成果 ~ 東京電機大学工学部電気電子工学科平栗健二 TDU 東京電機大学 1 ダイヤモンド状炭素薄膜 (DLC) グラファイト ダイヤモンド DLC 背景 + = 特性 ~ 応用先 ~ 低摩擦性化学的安定性生体適合性ガスバリア性 工業分野 医療分野 TDU 東京電機大学
PRESS RELEASE (2012/9/27) 北海道大学総務企画部広報課 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL FAX URL:
PRESS RELEASE (2012/9/27) 北海道大学総務企画部広報課 060-0808 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL 011-706-2610 FAX 011-706-4870 E-mail: kouhou@jimu.hokudai.ac.jp URL: http://www.hokudai.ac.jp ナノ秒パルス電場による細胞内機能の制御 : アポトーシス誘導を蛍光寿命イメージングを用いて観測することに成功
(Microsoft PowerPoint - \216R\223c\221\262\230_2011 [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])
![(Microsoft PowerPoint - \216R\223c\221\262\230_2011 [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])](/thumbs/101/151190149.jpg "(Microsoft PowerPoint - \216R\223c\221\262\230_2011 [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])")
発電所建屋を対象とした 室内温熱環境の実態把握と 数値流体解析に関する研究 T07K712E 山田丈指導教員赤林伸一教授 研究背景 発電所建屋 ( タービン建屋 ) などの施設では 室内に蒸気タービン本体や熱交換器等の巨大な発熱機器が存在するため 作業環境の悪化や制御用の電子機器に対する影響が懸念される 今後の電力需要の変動や突発的な機器の不具合等により特に高温となる夏場に点検が行われることも考えられ
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
Xamﾃｽﾄ作成用ﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ
気体の性質 1 1990 年度本試験化学第 2 問 問 1 次の問い (a b) に答えよ a 一定質量の理想気体の温度を T 1 [K] または T 2 [K] に保ったまま, 圧力 P を変える このときの気体の体積 V[L] と圧力 P[atm] との関係を表すグラフとして, 最も適当なものを, 次の1~6のうちから一つ選べ ただし,T 1 >T 2 とする b 理想気体 1mol がある 圧力を
Microsoft PowerPoint - １．プロセス制御の概要.pptx
プロセス制御工学 1. プロセス制御の概要 京都大学 加納学 Division of Process Control & Process Systems Engineering Department of Chemical Engineering, Kyoto University manabu@cheme.kyoto-u.ac.jp http://www-pse.cheme.kyoto-u.ac.jp/~kano/
の後 マイクロピペットで配位子兼溶媒であるオレイルアミン 1.5ml とオレイン酸 1.6ml を取り 加えた オレイン酸の発火点が 363 C と低く危険なため酸素を取り除く必要がある そこで三つ口フラスコに栓をしてロータリーポンプを用いて三つ口フラスコ内部を排気し 酸素を取り除き 窒素置換した
還流法を用いて作製した触媒微粒子による 単層カーボンナノチューブの成長 竹下弘毅 本研究では SWNT の直径を均一に小さくすることでカイラリティの種類を減らし 制御を容易にすることを目標とした その為に直径の均一な粒子の作製を試みた 金属前駆体として白金 (Ⅲ) アセチルアセトナト 鉄 (Ⅱ) アセチルアセトナトを用い配位子により金属表面を保護することで粒径を制御した その結果 直径 5 nm の均一なナノ粒子の作製に成功した
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt
チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
<4D F736F F D A C5817A8E59918D8CA B8BBB89BB8A778D488BC B8BBB F A2E646F63>
凝集しにくい粒径約 20 nm のコアシェル型ナノ粒子を開発 - 光学フィルムへの応用に期待 - 平成 25 年 1 月 29 日独立行政法人産業技術総合研究所北興化学工業株式会社 ポイント 酸化セリウムとポリマーからなるナノ粒子の粒径を従来の 2 分の 1 以下に このナノ粒子を高濃度に含有させて樹脂フィルムに透明性を維持したまま高屈折率を付与 ナノ粒子の量産化の研究開発を推進し サンプル提供を開始
プラズマ バブルの到達高度に関する研究 西岡未知 齊藤昭則 ( 京都大学理学研究科 ) 概要 TIMED 衛星搭載の GUVI によって観測された赤道異常のピーク位置と 地上 GPS 受信機網によって観測されたプラズマ バブルの出現率や到達率の関係を調べた 高太陽活動時と低太陽活動時について アジア
プラズマ バブルの到達高度に関する研究 西岡未知 齊藤昭則 ( 京都大学理学研究科 ) 概要 TIMED 衛星搭載の GUVI によって観測された赤道異常のピーク位置と 地上 GPS 受信機網によって観測されたプラズマ バブルの出現率や到達率の関係を調べた 高太陽活動時と低太陽活動時について アジア地域とアメリカ地域においてそれらの関係を調べたところ 赤道異常高度とプラズマ バブルの出現頻度に強い相関が見られたのは
2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している
1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(
報道関係者各位 平成 24 年 4 月 13 日 筑波大学 ナノ材料で Cs( セシウム ) イオンを結晶中に捕獲 研究成果のポイント : 放射性セシウム除染の切り札になりうる成果セシウムイオンを効率的にナノ空間 ナノの檻にぴったり収容して捕獲 除去 国立大学法人筑波大学 学長山田信博 ( 以下 筑
報道関係者各位 平成 24 年 4 月 13 日 筑波大学 ナノ材料で Cs( セシウム ) イオンを結晶中に捕獲 研究成果のポイント : 放射性セシウム除染の切り札になりうる成果セシウムイオンを効率的にナノ空間 ナノの檻にぴったり収容して捕獲 除去 国立大学法人筑波大学 学長山田信博 ( 以下 筑波大学 という ) 数理物質系 系長三明康郎 守友浩教授は プルシャンブルー類似体を用いて 水溶液中に溶けている
1/8 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.40 p2 (2005) 1. はじめに 電子顕微鏡のはなし 今村直樹 ( 技術部試験一課 ) 物質表面の物性を知る方法として その表面構造を拡大観察するのが一つの手段となる 一般的には光学顕微鏡 (Optical Microscope) が使用されているがより高倍率な像が必要な場合には電子顕微鏡が用いられる 光学顕微鏡と電子顕微鏡の違いは 前者が光 (
< 開発の社会的背景 > 化石燃料の枯渇に伴うエネルギー問題 大量のエネルギー消費による環境汚染問題を解決するため 燃焼後に水しか出ない水素がクリーンエネルギー源として期待されています 常温では気体である水素は その効率的な貯蔵 輸送技術の開発が大きな課題となってきました 常温 10 気圧程度の条件
平成 30 年 10 月 11 日大陽日酸株式会社国立大学法人広島大学国立研究開発法人科学技術振興機構 (JST) アンモニア分解ガスから燃料電池自動車の燃料水素を 高効率で回収する水素精製装置を開発 注 1) アンモニア分解ガスから燃料電池自動車用高純度水素を高効率で回収する水素精製装置を 10Nm 3 /h の規模で開発し 水素回収率注 2) 90% を初めて達成しました また 10% のオフガスをアンモニア分解用熱供給装置に供給することができ
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt
MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト
電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ
第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが
Microsoft Word 後藤佑介.doc
課題アプローチ技法 Ⅲ 73070310 後藤佑介テーマ 住宅用太陽光発電システムの利用効果 1. はじめに近年 地球温暖化問題に関心が集まっている その要因である二酸化炭素は私たちの生活を支える電力利用から排出される 二酸化炭素の排出を削減するためには再生可能エネルギー利用の技術が必要である その技術の一つである太陽光発電システム (PV システム ) はクリーンで無公害なエネルギーとして大きな期待が寄せられている
プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (
プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
<4D F736F F F696E74202D20824F DA AE89E682CC89E696CA8DED8F9C816A2E >
平成 24 年度製品安全センターセンター製品安全業務報告会 Product Safety Technology Center 基板母材 絶縁材絶縁材のトラッキングのトラッキング痕跡解析技術データのデータの取得取得 蓄積 < 第二報 > 製品安全センター燃焼技術センター今田 修二 説明内容 1. 調査の背景と目的 2.22 年度調査結果 3.23 年度調査調査結果レジストなし基板 (4 種類 ) によるトラッキング発火痕跡作製実験
Japanese nuclear policy and its effect on EAGLE project
2018 年 8 月 23 日 JASMiRT 第 2 回国内ワークショップ 3 既往研究で取得された関連材料特性データの現状 - オーステナイト系ステンレス鋼の超高温材料特性式の開発 - 鬼澤高志 下村健太 加藤章一 若井隆純 日本原子力研究開発機構 背景 目的 (1/2) 福島第一原子力発電所の事故以降 シビアアクシデント時の構造健全性評価が求められている 構造材料の超高温までの材料特性が必要
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射
Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]
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プレゼン資料 腐食と電気防食 本資料は当社独自の技術情報を含みますが 公開できる範囲としています より詳細な内容をご希望される場合は お問い合わせ よりご連絡願います 腐食とは何か? 金属材料は金や白金などの一部の貴金属を除き, 自然界にそのままの状態で存在するものではありません 多くは酸化物や硫化物の形で存在する鉱石から製造して得られるものです 鉄の場合は鉄鉱石を原料として精錬することにより製造されます
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
１
演習 :3. 気体の絶縁破壊 (16.11.17) ( レポート課題 3 の解答例 ) ( 問題 3-4) タウンゼントは平行平板電極間に直流電圧を印加し, 陰極に紫外線を照射して電流 I とギ ャップ長 d の関係を調べ, 直線領域 I と直線から外れる領域 II( 図 ) を見出し, 破壊前前駆電流を理論的 に導出した 以下の問いに答えよ (1) 領域 I における電流 I が I I expd
() 実験 Ⅱ. 太陽の寿命を計算する 秒あたりに太陽が放出している全エネルギー量を計測データをもとに求める 太陽の放出エネルギーの起源は, 水素の原子核 4 個が核融合しヘリウムになるときのエネルギーと仮定し, 質量とエネルギーの等価性から 回の核融合で放出される全放射エネルギーを求める 3.から
55 要旨 水温上昇から太陽の寿命を算出する 53 町野友哉 636 山口裕也 私たちは, 地球環境に大きな影響を与えている太陽がいつまで今のままであり続けるのかと疑問をもちました そこで私たちは太陽の寿命を求めました 太陽がどのように燃えているのかを調べたら水素原子がヘリウム原子に変化する核融合反応によってエネルギーが発生していることが分かった そこで, この反応が終わるのを寿命と考えて算出した
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水素製造システム ( 第 7 回 ) 熱化学水素製造 松本 第 3 回 2 本日の講義の目的 水の熱分解 熱化学水素製造の考え方 エネルギー効率 実際の熱化学水素製造プロセス UT-3 IS 本スライドには以下の資料を参考にした : 吉田 エクセルギー工学 - 理論と実際 原子力辞典 ATOMICA http://www.rist.or.jp/atomica/index.html 再生可能エネルギーを利用した水素製造
厚生労働省委託事業 「 平成25年度 適切な石綿含有建材の分析の実施支援事業 」アスベスト分析マニュアル1.00版
クリソタイル標準試料 UICC A 1 走査型電子顕微鏡形態 測定条件等 :S-3400N( 日立ハイテクノロジーズ )/BRUKER-AXS Xflash 4010) 倍率 2000 倍 加速電圧 5kv 162 クリソタイル標準試料 UICC A 2 走査型電子顕微鏡元素組成 cps/ev 25 20 15 C O Fe Mg Si Fe 10 5 0 2 4 6 8 10 12 14 kev
新技術説明会 様式例
1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf
Microsoft PowerPoint - 遮蔽コーティングの必要性 [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - 遮蔽コーティングの必要性 [互換モード]](/thumbs/93/112209622.jpg "Microsoft PowerPoint - 遮蔽コーティングの必要性 [互換モード]")
窓ガラスの省エネルギー対策 遮蔽対策の必要性 建物の屋根 壁などの断熱対策は検討されますが 意外に見落とされていたのが窓ガラスの省エネルギー対策 遮蔽対策です 最近では 窓ガラスの省エネルギー対策は重要なテーマとして位置付けられており 検討 対策がおこなわれています ゼロコン株式会社 建物室内が暑くなる原因 建物内に侵入する熱の割合 効果的な省エネ対策をするには? 建物室内が暑くなる原因 建物内に侵入する熱の割合
Microsoft PowerPoint - 熱力学Ⅱ2FreeEnergy2012HP.ppt [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - 熱力学Ⅱ2FreeEnergy2012HP.ppt [互換モード]](/thumbs/79/80168709.jpg "Microsoft PowerPoint - 熱力学Ⅱ2FreeEnergy2012HP.ppt [互換モード]")
熱力学 Ⅱ 第 章自由エネルギー システム情報工学研究科 構造エネルギー工学専攻 金子暁子 問題 ( 解答 ). 熱量 Q をある系に与えたところ, 系の体積は膨張し, 温度は上昇した. () 熱量 Q は何に変化したか. () またこのとき系の体積がV よりV に変化した.( 圧力は変化無し.) 内部エネルギーはどのように表されるか. また, このときのp-V 線図を示しなさい.. 不可逆過程の例を
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電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで
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ダイコレット & ピックアップツール先端形状 3600 シリーズ 4 面ダイコレット 3700 シリーズ 2 面ダイコレット 3800 シリーズ先端長方形のフラットピックアップツール 3900 シリーズ先端円錐形のフラットピックアップツール 3300 & 3300-ETE シリーズ垂直 4 面コレット 3200-ETE シリーズ垂直 2 面コレット 特殊形状 ( カスタム ) コレット片面の一部に切り込み
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教
0 スペクトル 時系列データの前処理 法 平滑化 ( スムージング ) と微分 明治大学理 学部応用化学科 データ化学 学研究室 弘昌
0 スペクトル 時系列データの前処理 法 平滑化 ( スムージング ) と微分 明治大学理 学部応用化学科 データ化学 学研究室 弘昌 スペクトルデータの特徴 1 波 ( 波数 ) が近いと 吸光度 ( 強度 ) の値も似ている ノイズが含まれる 吸光度 ( 強度 ) の極大値 ( ピーク ) 以外のデータも重要 時系列データの特徴 2 時刻が近いと プロセス変数の値も似ている ノイズが含まれる プロセス変数の極大値
Microsoft Word - 実験テキスト2005.doc
7. プロセスの動特性 [Ⅰ] 目的液レベル制御実験および同シミュレーションを通して ステップ応答に基づくプロセス伝達関数の同定方法 ステップ応答法による PI 制御パラメータの調整方法 および PI 制御パラメータが制御性能へ与える影響について習熟する さらに 制御シミュレーションを通して むだ時間を有するプロセスに対するスミス補償型制御の有効性を確認する [Ⅱ] 理論 2.1 ステップ応答実験による伝達関数の同定
els05.pdf
Web で学ぶ 平滑表面上に形成された高分子電解質積層膜のゼータ電位 本資料の掲載情報は, 著作権により保護されています 本情報を商業利用を目的として, 販売, 複製または改ざんして利用することはできません 540-0021 1 2 TEL.(06)6910-6522 192-0082 1-6 LK TEL.(042)644-4951 980-0021 TEL.(022)208-9645 460-0008
JUSE-StatWorks/V5 活用ガイドブック
4.6 薄膜金属材料の表面加工 ( 直積法 ) 直積法では, 内側に直交配列表または要因配置計画の M 個の実験, 外側に直交配列表または要因配置計画の N 個の実験をわりつけ, その組み合わせの M N のデータを解析します. 直積法を用いることにより, 内側計画の各列と全ての外側因子との交互作用を求めることができます. よって, 環境条件や使用条件のように制御が難しい ( 水準を指定できない )
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反応工学 Reacio Egieerig 講義時間 場所 : 火曜 限 8- 木曜 限 S- 担当 : 山村 補講 /3 木 限 S- ジメチルエーテルの気相熱分解 CH 3 O CH 4 H CO 設計仕様 処理量 v =4.8 m 3 /h 原料は DME のみ 777K 反応率 =.95 まで熱分解 管型反応器の体積 V[m 3 ] を決定せよ ただし反応速度式反応速度定数 ラボ実験は自由に行ってよい
(2) JP A 特許請求の範囲 請求項 1 鉄を主成分とする金属材の表面に 希硫酸を塗布する第 1 工程と 第 1 工程の後に 金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下でCO CO 2 およ び有機ガスからなる群から選ばれる少なくとも一種とともに金
JP 2012 233221 A 2012.11.29 (57) 要約 課題 硫化水素ガスを用いることなく 金属材の表面にナノカーボン類を含む炭素膜を形成する 解決手段 鉄を主成分とする金属材の表面に 希硫酸を塗布する第 1 工程と 第 1 工程の後に 金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下でCO CO 2 および有機ガスからなる群から選ばれる少なくとも一種とともに金属材を熱処理することによって
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第 12 回 PCB 講演会 蒸留の基礎と溶剤回収 平成 28 年 8 月 8 日 名古屋工業大学大学院工学研究科ながれ領域生命 応用化学専攻森秀樹 No.1 らんびき (Alambique) 消毒用蒸留酒の製造 (16 世紀後半 ) No.2 蒸留の原理 成分の沸点の差を利用する エタノール 78.2 水 100 < 蒸気 > エタノール :100 % 水 :0 % < 液 > エタノール :10
Microsoft PowerPoint - ICS修士論文発表会資料.ppt
2011 年 9 月 28 日 ICS 修士論文発表会 我が国の年齢階級別 リスク資産保有比率に関する研究 2011 年 3 月修了生元利大輔 研究の動機 我が国では, 若年層のリスク資産保有比率が低いと言われている. 一方,FP の一般的なアドバイスでは, 若年層ほどリスクを積極的にとり, 株式等へ投資すべきと言われている. 高齢層は本来リスク資産の保有を少なくすべきかを考察したい. Sep 28,
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
木村の理論化学小ネタ 理想気体と実在気体 A. 標準状態における気体 1mol の体積 標準状態における気体 1mol の体積は気体の種類に関係なく 22.4L のはずである しかし, 実際には, その体積が 22.4L より明らかに小さい
理想気体と実在気体 A. 標準状態における気体 1mol の体積 標準状態における気体 1mol の体積は気体の種類に関係なく.4L のはずである しかし, 実際には, その体積が.4L より明らかに小さい気体も存在する このような気体には, 気体分子に, 分子量が大きい, 極性が大きいなどの特徴がある そのため, 分子間力が大きく, 体積が.4L より小さくなる.4L とみなせる実在気体 H :.449
<4D F736F F F696E74202D A957A A8A438FE E089B C68AC888D D82CC8C9F93A22E B8CDD8AB B83685D>
Techno Forum 2011 海上コンテナ内温度と簡易防熱の検討 - フィールド試験に基づく簡易施工法の開発 - 2011 年 11 月 29 日 株式会社 MTI 技術戦略グループ研究員近藤美樹 1 ドライコンテナ 2 高温に弱い貨物 ワイン 精密機器 食品原料 化学品 電気製品 3 目次 1) 輸送経路におけるコンテナ内の温度変化 2) コンテナ内の温度分布 3) 高温対策 ( 簡易防熱法
Microsoft Word - 第５章.doc
第 5 章表面ひび割れ幅法 5-1 解析対象 ( 表面ひび割れ幅法 ) 表面ひび割れ幅法は 図 5-1 に示すように コンクリート表面より生じるひび割れを対象とした解析方法である. すなわち コンクリートの弾性係数が断面で一様に変化し 特に方向性を持たない表面にひび割れを解析の対象とする. スラブ状構造物の場合には地盤を拘束体とみなし また壁状構造物の場合にはフーチングを拘束体として それぞれ外部拘束係数を定める.
title
ナノ量子フォトニクス 資料2-1 科学技術 学術審議会 研究計画 評価分科会 第10期ナノテクノロジー 材料科学技術委員会 第3回 未来の量子通信技術に向けた光デバイスの研究 理化学研究所 開拓研究本部 加藤ナノ量子フォトニクス研究室 光量子工学研究センター 量子オプトエレクトロニクス研究チーム 加藤雄一郎 Nanoscale Quantum Photonics Laboratory, RIKEN
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
NEDO 省エネルギー技術フォーラム 2014 太陽熱エネルギー活用型住宅の技術開発高性能断熱材の開発高耐久超断熱材に関する研究開発 ( 株 )LIXIL 研究開発期間 : 平成 24 年 4 月 ~ 平成 25 年 12 月 1. 研究開発の背景 目的 目標 2 1.1. 背景 我が国のエネルギー消費の節約は今後の最も大きな課題の一つである 住宅やビルなどの冷暖房および家電製品 輸送機器 エネルギー貯蔵などにおける大幅な省エネ
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デンドリマー構造を持つアクリルオリゴマー 大阪有機化学工業 ( 株 ) 猿渡欣幸 < はじめに > アクリル材料の開発は 1970 年ごろから UV 硬化システムの確立とともに急速に加速した 現在 UV 硬化システムは電子材料において欠かせないものとなっており その用途はコーティング 接着 封止 パターニングなど多岐にわたっている アクリル材料による UV 硬化システムは下記に示す長所と短所がある
Kumamoto University Center for Multimedia and Information Technologies Lab. 熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI 宮崎県美郷
熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI プロジェクト @ 宮崎県美郷町 熊本大学副島慶人川村諒 1 実験の目的 従来 信号の受信電波強度 (RSSI:RecevedSgnal StrengthIndcator) により 対象の位置を推定する手法として 無線 LAN の AP(AccessPont) から受信する信号の減衰量をもとに位置を推定する手法が多く検討されている
機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現
機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現 ~ 環境発電への貢献に期待 ~ 1. 発表者 : 山脇柾 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻修士課程 2 年生 ) 大西正人 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 鞠生宏 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 塩見淳一郎 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻教授 物質 材料研究機構情報統合型物質
Application Note 光束の評価方法に関して Light Emitting Diode 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ This document contains tentative information; the contents may chang
光束の評価方法に関して 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ 1/6 1. 概要 本書では 日亜化学工業株式会社製 LED について積分球にて光束を評価する上での評価方法と注意事項を示します 2. 評価方法 通常 LED の光束を評価する際は積分球を用いて評価を行います 積分球のサイズも数 inch クラスのものから 1inch クラスまでの様々なサイズのものがありますが
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断面積 (A) を使わずに, 間隙率を使う透水係数の算定 図に示したような 本の孔を掘って, 上流側から食塩を投入した 食塩を投入してから,7 時間後に下流側に食塩が到達したことが分かった この地盤の透水係数を求めよ 地盤の間隙比は e=0.77, 水位差は 0 cmであった なお, この方法はトレーサ法の中の食塩法と呼ばれている Nacl 計測器 0 cm 0.0 m 断面積 (A) を使わずに,
酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質
02.参考資料標準試料データ
参考資料 標準試料データ目次 クリソタイル標準試料 JAWE111 108 アモサイト標準試料 JAWE211 113 クロシドライト標準試料 JAWE311 118 クリソタイル標準試料 JAWE121 123 アモサイト標準試料 JAWE221 131 クロシドライト標準試料 JAWE321 139 アンソフィライト標準試料 JAWE411 147 トレモライト標準試料 JAWE511 155
IB-B
FIB による TEM 試料作製法 2 バルクピックアップ法 1. はじめにピックアップ法を用いた FIB による TEM 試料作製法は事前の素材加工が不要であり 試料の損失を無くすなど利点は多いが 磁性材料は観察不可能であること 薄膜加工終了後 再度 FIB に戻して追加工をすることができないこと 平面方向の観察試料作製が難しいことなど欠点もある 本解説ではこれらの欠点を克服するバルクピックアップ法を紹介する
STRUCTUAL ANALYSIS OF DAMAGED HAIR UNDER STRETCHING CONDITION BY MICROBEAM X-RAY DIFFRACTION
マイクロビーム X 線を用いた 毛髪微細構造の研究 ( 株 ) 資生堂 新成長領域研究開発センター 柿澤みのり マイクロビーム X 線を用いた 毛髪微細構造の研究 利用ビームライン BL40XU: 高フラックスビームラインビーム径が小さく ( 約 5μm) 強度の高い X 線が得られる 毛髪の構造 キューティクル コルテックス メデュラ 80-120μm 毛髪の部位ごとの構造が測定可能 今回の発表内容