基礎から学ぶ光物性 第9回 蛍光から何がわかるか

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. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は

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パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

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年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

diode_revise

2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式

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4. 半導体の発光 conduction band 半導体の発光は通常 蛍光 ( ルミネッセンス :luminescence) と呼ばれている これは励起状態から基底 n=2 n=1 D-A 状態への電子遷移によるもので 状 pair 態間に相当するエネルギーを光子と して放出する valence band 半導体の発光には図示するような band to band free to bound free

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半導体の数理モデル 龍谷大学理工学部数理情報学科 T070059 田中元基 T070117 吉田朱里 指導教授 飯田晋司 目次第 5 章半導体に流れる電流 5-1: ドリフト電流 5-: 拡散電流 5-3: ホール効果第 1 章はじめに第 6 章接合の物理第 章数理モデルとは? 6-1: 接合第 3 章半導体の性質 6-: ショットキー接合とオーミック接触 3-1: 半導体とは第 7 章ダイオードとトランジスタ

電子物性工学基礎

電子物性工学で何を学ぶか? エネルギーバンドの概念 半導体の基礎物性 半導体 ( 接合 素子の基礎 電子の波束とは何であったか? 量子力学における電子波 電子の波動 波動関数 確率波として シュレディンガー方程式 シュレディンガー波動方程式の導出 } ( e{ } ( e{ z k y k k wt i A t i A z y kr ( V m k H V m ( エネルギーバンドの概念 (1 自由電子

予定　（川口担当分）

予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体

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2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大

2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】

報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授

Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学

207 年 2 月 8 日 ( 月 ) 限 8:45~0:5 I05 第 回半導体工学天野浩項目 8 章半導体の光学的性質 /24 光る半導体 ( 直接遷移型 ) と光らない半導体 ( 間接遷移型 ) * 原理的に良く光る半導体 :GaAs GaN IP ZSe など * 原理的に殆ど光らない半導体 ( 不純物を入れると少し光る ):Si Ge GaP SiCなど結晶構造とバンド構造 E E 伝導帯

金色の石に魅せられて －光で探る新しい 機能性材料－ Part2

金色の石に魅せられて - 光で探る新しい機能性材料 - Part2 東京農工大学工学部佐藤勝昭 5. 光エレクトロニクス材料 光ファイバ通信 発光素子 受光素子 伝送路 光増幅器 アイソレータ 光ストレージ 媒体 光磁気 相変化 光ピックアップ ディスプレイ 光発電 ( 太陽電池 ) 東京農工大学工学部佐藤勝昭 撮像 :CCD 素子 CMOS 素子 光ファイバー通信システム 光ファイバー 長距離にわたって光が減衰せずにすすむ

Microsoft Word - 第９章発光デバイス＿

第 9 章発光デバイス 半導体デバイスを専門としない方たちでも EL( エレクトロルミネッセンス ) という言葉はよく耳にするのではないだろうか これは電界発光の意味で ディスプレイや LED 電球の基本的な動作原理を表す言葉でもある 半導体は我々の高度情報社会の基盤であることは言うまでもないが 情報端末と人間とのインターフェースとなるディスプレイおいても 今や半導体の技術範疇にある この章では 光を電荷注入により発することができる直接遷移半導体について学び

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

2018/6/12 表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位 1. ショックレー状態 ( 準位 ) 2. タム状態 ( 準位 ) 3. 鏡像状態 ( 準位 ) 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテン

表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位. ショックレー状態 ( 準位. タム状態 ( 準位 3. 鏡像状態 ( 準位 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテンシャル e F z ( z z e V ( z ( Fz dz 4z e V ( z 4z ( z > ( z < のときの電子の運動を考える

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白色発光ダイオード 2015.11.14 日亜化学工業株式会社 E50 森口敏生 1/22 目次 1. 日亜化学工業について 1.1 拠点 1.2 主力製品 2. 光の基本 2.1 光と人の目 2.2 色度図 2.3 黒体輻射 ( 標準光源 ) 2.4 演色性 3. 光源 3.1 種類 3.2 白い光のスペクトル 3.3LED の発光原理 4. 日亜 LED 4.1 発光層 4.2 発光スペクトルと色度図

物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように 2つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右の2つ

物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右のつの物質の間に電位差を設けて左から右に向かって電流を流すことを行った場合に接点を通って流れる電流を求めるためには

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 小川 電気電子工学科 真人 10/06/'10 半導体電子工学 II 1 他講義との関連 ( 積み重ねが大事 積み残すと後が大変 ) 2008 2009 2010 2011 10/06/'10 半導体電子工学 II 2 量子物理工学 Ⅰ 10/06/'10 半導体電子工学 II 3 IC の素子を小さくする利点 このくらいのだったらなぁ 素子の微細化が必要 (C)

Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学

17 年 1 月 16 日 月 1 限 8:5~1:15 IB15 第 回半導体工学 * バンド構造と遷移確率 天野浩 項目 1 章量子論入門 何故 Si は光らず GN は良く光るのか? *MOSFET ゲート SiO / チャネル Si 界面の量子輸送過程 MOSFET には どのようなゲート材料が必要なのか? http://www.iue.tuwien.c.t/ph/vsicek/noe3.html

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

6 太陽電池のための半導体デバイス入門 ( 上級編 ) 太陽電池は pn 接合ダイオードという半導体デバイスが基本です そのため 太陽電池をきちんと理解するには 半導体デバイスの基礎知識が必要になります ここでは 第 5 章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして 半導体デバイスの基礎を手ほどきします 第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

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0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

背景光触媒材料として利用される二酸化チタン (TiO2) には, ルチル型とアナターゼ型がある このうちアナターゼ型はルチル型より触媒活性が高いことが知られているが, その違いを生み出す要因は不明だった 光触媒活性は, 光吸収により形成されたキャリアが結晶表面に到達して分子と相互作用する過程と, キ

二酸化チタンの光触媒活性を決める因子を発見 - 高効率光触媒開発に新たな指針 - 要点 二酸化チタン結晶表面での光励起キャリアのダイナミクスをリアルタイムで観測することに成功し, 光触媒活性を決める因子を発見 未解明であったアナターゼ型とルチル型二酸化チタンの触媒活性の違いが, 光励起キャリアの結晶表面に固有な寿命に起因することを証明 光触媒活性を簡便に制御する方法を提案 概要 東京大学物性研究所の松田巌准教授と山本達助教,

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

8.1 有機シンチレータ 有機物質中のシンチレーション機構 有機物質の蛍光過程 単一分子のエネルギー準位の励起によって生じる 分子の種類にのみよる ( 物理的状態には関係ない 気体でも固体でも 溶液の一部でも同様の蛍光が観測できる * 無機物質では規則的な格子結晶が過程の元になっているの

6 月 6 日発表範囲 P227~P232 発表者救仁郷 シンチレーションとは? シンチレーション 蛍光物質に放射線などの荷電粒子が当たると発光する現象 材料 有機の溶液 プラスチック 無機ヨウ化ナトリウム 硫化亜鉛 など 例えば以下のように用いる 電離性放射線 シンチレータ 蛍光 光電子増倍管 電子アンプなど シンチレーションの光によって電離性放射線を検出することは非常に古くから行われてきた放射線測定法で

基礎から学ぶ光物性 第8回　物質と光の相互作用（3） 　電子分極の量子論

基礎から学ぶ光物性第 8 回物質と光の相互作用 (3-1) 第 1 部 : 光スペクトルを量子論で考える 東京農工大学特任教授 佐藤勝昭 第 8 回のはじめに これまでは 光学現象を古典力学の運動方程式で説明してきました この場合 束縛電子系の光学現象は古典的な振動子モデルで扱っていました しかし それでは 光吸収スペクトルの選択則などが説明できません また 半導体や金属のバンド間遷移も扱うことができません

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低温科学 A レーザーによる希薄原子気体の冷却と ボース アインシュタイン凝縮 物理第一教室量子光学研究室 http://yagura.scphys.kyoto-u.ac.jp 高橋義朗 yitk@scphys.kyoto-u.ac.jp 5 号館 203 号室 講義予定 1. イントロダクションレーザー冷却からボース アインシュタイン凝縮へ 2. 光と原子の相互作用 3. レーザー冷却 トラップの原理

半導体工学の試験範囲

練習問題 1. 半導体の基礎的性質問 1 n 形半導体について 以下の問いに答えよ (1) エネルギーバンド図を描け 必ず 価電子帯 ( E ) フェルミ準位( E ) 伝導帯( E ) を示す こと () 電子密度 ( n ) を 伝導帯の有効状態密度 ( ) を用いた式で表せ (3) シリコン半導体を n 形にする元素を挙げ その理由を述べよ F 問 型半導体について 以下の問いに答えよ (1)

( 全体 ) 年 1 月 8 日,2017/1/8 戸田昭彦 ( 参考 1G) 温度計の種類 1 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k B T を

( 全体 htt://home.hiroshima-u.ac.j/atoda/thermodnamics/ 9 年 月 8 日,7//8 戸田昭彦 ( 参考 G 温度計の種類 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k T を単位として決められている 9 年 月 日 ( 世界計量記念日 から, 熱力学温度 T/K の定義も熱エネルギー k T/J に基づく. 定積気体温度計

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

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8 年度冬学期 量子化学 Ⅲ 章量子化学の応用.6. 溶液反応 9 年 1 月 6 日 担当 : 常田貴夫准教授 溶液中の反応 溶液反応の特徴は 反応する分子の周囲に常に溶媒分子が存在していること 反応過程が遅い 反応自体の化学的効果が重要 遷移状態理論の熱力学表示が適用できる反応過程が速い 反応物が相互に接近したり 生成物が離れていく拡散過程が律速 溶媒効果は拡散現象 溶液中の反応では 分子は周囲の溶媒分子のケージ内で衝突を繰り返す可能性が高い

ＬＥＤの光度調整について

光測定と単位について 目次 1. 概要 2. 色とは 3. 放射量と測光量 4. 放射束 5. 視感度 6. 放射束と光束の関係 7. 光度と立体角 8. 照度 9. 照度と光束の関係 10. 各単位の関係 11. まとめ 1/6 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです

の実現は この分野の最大の課題となってい (a) た ゲージ中の 酸素イオンを 電子で置換 筆 者 ら の 研 究 グ ル ー プ は 23 年 に 12CaO 7Al2O3 結 晶 以 下 C12A7 を用 い て 安定なエレクトライド C12A7: を実現3) Al3+ O2 Cage wall O2 In cage その電子状態や物性を解明してきた4) 図 1 のように C12A7 の結晶構造は

1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し

2014 年 8 月 1 日 独立行政法人理化学研究所 国立大学法人東京大学 太陽電池の接合界面に相競合状態を持たせ光電変換効率を向上 - 多重キャリア生成により光電流が増幅 強相関太陽電池の実現へ前進 - 本研究成果のポイント 光照射で相転移を起こす強相関電子系酸化物と半導体を接合した太陽電池を作製 金属と絶縁体の相競合状態をヘテロ接合界面のごく近くで誘起することに成功 界面での相競合状態を磁場を使うことで観測可能に

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

6 太陽電池のための半導体デバイス入門 ( 上級編 ) 太陽電池は pn 接合ダイオードという半導体デバイスが基本です そのため 太陽電池をきちんと理解するには 半導体デバイスの基礎知識が必要になります ここでは 第 5 章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして 半導体デバイスの基礎を手ほどきします 第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門

Microsoft PowerPoint - siryo7

. 化学反応と溶液 - 遷移状態理論と溶液論 -.. 遷移状態理論 と溶液論 7 年 5 月 5 日 衝突論と遷移状態理論の比較 + 生成物 原子どうしの反応 活性錯体 ( 遷移状態 ) は 3つの並進 つの回転の自由度をもつ (1つの振動モードは分解に相当 ) 3/ [ ( m m) T] 8 IT q q π + π tansqot 3 h h との並進分配関数 [ πmt] 3/ [ ] 3/

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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

金属イオンのイオンの濃度濃度を調べるべる試薬中村博 私たちの身の回りには様々な物質があふれています 物の量を測るということは 環境を評価する上で重要な事です しかし 色々な物の量を測るにはどういう方法があるのでしょうか 純粋なもので kg や g mg のオーダーなら 直接 はかりで重量を測ることが

金属イオンのイオンの濃度濃度を調べるべる試薬中村博 私たちの身の回りには様々な物質があふれています 物の量を測るということは 環境を評価する上で重要な事です しかし 色々な物の量を測るにはどういう方法があるのでしょうか 純粋なもので kg や g mg のオーダーなら 直接 はかりで重量を測ることが出来ます しかし 環境中の化学物質 ( 有害なものもあれば有用なものもある ) は ほとんどが水に溶けている状態であり

平成 30 年 6 月 21 日 報道機関各位 東北大学多元物質科学研究所 カドミウムや鉛を含まない量子ドット緑色蛍光体を開発 - スーパーハイビジョン放送に適合した広色域ディスプレイに最適 - 発表のポイント カドミウムや鉛を含まない量子ドットで単色性の高い緑色発光を世界で初めて実現した 量子ドッ

平成 30 年 6 月 21 日 報道機関各位 東北大学多元物質科学研究所 カドミウムや鉛を含まない量子ドット緑色蛍光体を開発 - スーパーハイビジョン放送に適合した広色域ディスプレイに最適 - 発表のポイント カドミウムや鉛を含まない量子ドットで単色性の高い緑色発光を世界で初めて実現した 量子ドット蛍光体は 次世代の広色域ディスプレイに最適の蛍光体だが セレン化カドミウムや鉛を含有する材料が使用されていた

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11 Application Note 光測定と単位について 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです しかし 測定の方法は多種存在し 何をどのような測定器で測定するかにより 測定結果が異なってきます 本書では光測定とその単位について説明していきます 2. 色とは

１

演習 :3. 気体の絶縁破壊 (16.11.17) ( レポート課題 3 の解答例 ) ( 問題 3-4) タウンゼントは平行平板電極間に直流電圧を印加し, 陰極に紫外線を照射して電流 I とギ ャップ長 d の関係を調べ, 直線領域 I と直線から外れる領域 II( 図 ) を見出し, 破壊前前駆電流を理論的 に導出した 以下の問いに答えよ (1) 領域 I における電流 I が I I expd

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基礎から学ぶ光物性第 8 回物質と光の相互作用 (3-2) 第 2 部 : バンド間遷移と半導体光物性 佐藤勝昭 第 8 回物質と光の相互作用 (3) 第 2 部バンド電子系の光学現象 第 1 部量子論で考える 1. 原子のスペクトル 2. 分子のスペクトル 3. 電気分極と光吸収の量子論 4. 誘電率の量子論 5. 光学遷移の選択則 6. 電子分極の量子論イメージ 7. 分子軌道と光学遷移 付録

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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

13 2 9

13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

055 金属の光電効果は太陽電池に使えない 光電管と光電子増倍管 高電圧を加えないと光電流が取りだせない 光を電気に変換する現象として有名な光電効果 ( 外部光電効果と内部光電効果 ) は 光センサーに利用されています しかし この現象では光からエネルギーを取りだすことはできません 金属も光電効果を

5 太陽電池のための半導体入門 ( 上級編 ) これまでの各章では 太陽電池に使われる半導体の物理やデバイス動作の概略を理解することに重点を置いてきました 本章では 太陽電池を理解するための半導体の基礎について これから本格的に学習したい人への指針を提供したいと思います 055 金属の光電効果は太陽電池に使えない 光電管と光電子増倍管 高電圧を加えないと光電流が取りだせない 光を電気に変換する現象として有名な光電効果

物性物理学I_2.pptx

The University of Tokyo, Komaba Graduate School of Arts and Sciences I 凝縮系 固体 をデザインする 銅()面上の鉄原子の 量子珊瑚礁 IBM Almaden 許可を得て掲載 www.almaden.ibm.com/vis/stm/imagesstm5.jpg&imgrefurl=http://www.almaden.ibm.com/vis/

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

スライド 1

暫定版修正 加筆の可能性あり ( 付録 ) 屈折率と誘電率 : 金属. 復習. 電気伝導度 3. アンペールの法則の修正 4. 表皮効果 表皮深さ 5. 鏡の反射 6. 整理 : 電子振動子模型 注意 : 整理しましょう! 前回 : 付録 (4) のアプローチ. 屈折率と損失について記述するために分極振動 ( 電気双極子の集団運動 ) による電気双極子放射を考慮. 誘電率は 真空中の値 を採用 オリジナル光

「物性なんでもQ&A」第8回

質問コーナー 物性なんでも Q&A 第 14 回バンドギャップと物性佐藤勝昭科学技術振興機構 このコーナーでは 小生のホームページの 物性なんでも Q&A コーナーに寄せられた質問と回答の中から 結晶工学関係者にご関心のありそうなものをピックアップしてご紹介しています ここでは第 14 回として 学生を中心に質問が多いバンドギャップに関する質問をご紹介します 分類 番号 質問内容 所属 光物性 295

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

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( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続

ﾚｰｻﾞｰ発振の原理

第 6 章光と原子との相互作用光の吸収と放出前章では 光と相互作用する原子の束縛電子状態は定常状態とは異なるが 定常状態の状態ベクトルで展開して表現できることが示された 原子 個の微視的双極子モーメントの期待値から 巨視的な物質分極が導かれ 我々の観測できるマクロ的な光学定数が関連付けられた 本章では 状態の変化と それに伴う光の吸収と放出について議論する 6. 量子論に基づく A 係数と B 係数分散理論では

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同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 超高輝度 ハイパワー白色光源に適した YAG 単結晶蛍光体を開発 - レーザーヘッドライトなど LED 光源では困難な超高輝度製品への応用に期待 - 配布日時 : 平成 27 年 4 月 13 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構株式会社タムラ製作所株式会社光波 概要 1.

平成22年11月15日

広島大学 産総研共同プレス発表資料解禁日時 (Web): 平成 24 年 7 月 28 日 0 時 ( 日本時間 ) 報道関係者各位 平成 24 年 7 月 26 日国立大学法人広島大学独立行政法人産業技術総合研究所 ポイント 金属酸化物デバイス材料の新機能探索に新たな指針 - 金属酸化物における電子同士の避け合いの効果を解明 - 放射光を利用した光電子分光実験により 金属酸化物中の電子同士の避け合いの効果が明らかに

プランクの公式と量子化

Planck の公式と量子化 埼玉大学理学部物理学科 久保宗弘 序論 一般に 量子力学 と表現すると Schrödinger の量子力学などの 後期量子力学 を指すことが多い 本当の量子概念 には どうアプローチ? 何故 エネルギーが量子化されるか という根本的な問いにどうこたえるか? どのように 量子 の扉は叩かれたのか? 序論 統計力学 熱力学 がことの始まり 総括的な動き を表現するための学問である

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第 9 回工学基礎ミニマム物理試験問題.. 日立 水戸 正解は各問の選択肢 (,, ) の中からつだけ選び, その番号をマークシートにマークせよ この際,HBまたはBの鉛筆またはシャープペンシルを使うこと ボールペンは不可 正解が数値の場合には, 選択肢の中から最も近い値を選ぶこと 正解が選択肢の中に無い場合には, 番号ゼロを選択せよ 学生番号, 氏名を指定された方法でマークシートの所定の欄に記入せよ

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第一原理計算法の基礎 固体物理からのアプローチを中心に 第一原理計算法とは 原子レベルやナノスケールレベルにおける物質の基本法則である量子力学 ( 第一原理 ) に基づいて, 原子番号だけを入力パラメーターとして, 非経験的に物理機構の解明や物性予測を行う計算手法である. 計算可能な物性値 第一原理計算により, 計算セル ( 原子番号と空間座標既知の原子を含むモデル ) の全エネルギーと電子のエネルギーバンド構造が求まる.

機器分析問題解答 No. 2 核磁気共鳴スペクトル 1 ラジオ波領域の電磁波を利用している 2 5 スペクトル はシグナルが 2 つ スペクトル B はシグナルが 3 つ スペクトル C はシグナルが 3 つである これに対して化合物アは水素が 3 種 化合物イは水素が 4 種 化合物ウは水素が 3

機器分析問題解答 No. 1 電磁波 1 電磁波は 波動性と粒子性の両方の性質を有する 5 紫外線 > 可視光線 > 赤外線の順に エネルギーは小さくなる 6 エネルギーの大きい電磁波は 波数が大きいといえる 7 8 赤外線 可視光線 紫外線の順に 波長は小さくなり エネルギーは大きくなる 9 真空中において波長の大小に関係なく電磁波の速度は同じである 10 真空中において 電磁波は 波長に関係なく同じ速度である

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研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

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1. 光伝導効果と光伝導素子 2. 光起電力効果と太陽電池 3. 通信用フォトダイオード 1 1. 光伝導効果と光伝導素子半導体に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光子が入射した場合 価電子帯の電子が伝導帯に励起される この結果 価電子帯に正孔が伝導帯に電子が一対光生成される 光生成したキャリアは 半導体の外部から電界をかけることにより移動し 電流として寄与する これを光導電効果 ( あるいは内部光電効果

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (

平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) の菅原克明助教 一杉太郎教授 高 橋隆教授 同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは

銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果

トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r 2 e = (e 2 mc 2 ) 2 で表される為

Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments.. Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r e = (e mc ) で表される為 質量に大きく依存する Ex) 電子の次に質量の小さいミューオンの制動放射によるエネルギー損失 m e 0.5 MeV, m

「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」

NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型

055 金属の光電効果は太陽電池に使えない 光電管と光電子増倍管 高電圧を加えないと光電流が取りだせない 光を電気に変換する現象として有名な光電効果 ( 外部光電効果と内部光電効果 ) は 光センサーに利用されています しかし この現象では光からエネルギーを取りだすことはできません 金属も光電効果を

5 太陽電池のための半導体入門 ( 上級編 ) これまでの各章では 太陽電池に使われる半導体の物理やデバイス動作の概略を理解することに重点を置いてきました 本章では 太陽電池を理解するための半導体の基礎について これから本格的に学習したい人への指針を提供したいと思います 055 金属の光電効果は太陽電池に使えない 光電管と光電子増倍管 高電圧を加えないと光電流が取りだせない 光を電気に変換する現象として有名な光電効果

Microsoft Word - planck定数.doc

. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h

15K17900 研究成果報告書

様式 C-19 F-19-1 Z-19 CK-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景蛍光体に電界を印加すると発光する現象をエレクトロルミネセンス (Electroluminescence, EL) と呼ぶ 有機 EL は有機材料の示す EL を利用して電気を光に変換する素子であり これまでにスマートフォンやタブレット 薄型テレビのディスプレイとして用いられてきた 最近では 電子ペーパーなどに応用が期待されるフレキシブルディスプレイや次世代の固体照明用光源としても

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

Microsoft Word - IPhO2007実験問題Green問題.doc

実験問題 半導体薄膜のエネルギーバンドギャップの決定 I. はじめに半導体は導体と絶縁体の中間の電気的性質をもつものとして特徴づけられる 半導体の電気的性質を理解するために, よく知られている 光電効果 から始めよう 光電効果は量子的電子現象である 光電子 ( 光を吸収して飛び出した電子 ) は照射光 ( 光子 ) から十分なエネルギーを吸収することにより, 物質から放出される 金属から光照射によって電子

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低温科学 A レーザーによる希薄原子気体の冷却と ボース アインシュタイン凝縮 物理第一教室量子光学研究室 http://yagura.scphys.kyoto-u.ac.jp 高橋義朗 yitk@scphys.kyoto-u.ac.jp 5 号館 203 号室 講義予定 1. イントロダクションレーザー冷却からボース アインシュタイン凝縮へ 2. 光と原子の相互作用 3. レーザー冷却 トラップの原理

講談社教科書原稿

はじめに 第 4 章光機能 現代は光エレクトロニクスの時代である 光機能材料や光デバイスは テレビジョン 光ファイバー通信 光記録というようなさまざまな分野で現代の情報化社会を支えているばかりではなく マルチメディア時代を担うキーテクノロジーであると言われている また 一歩進んで 動画像のような 2 次元の大量の情報を一挙に処理する能力をもつ光コンピュータを実現しようという研究や 画像の入力機能と脳の情報処理機能を同時に持つ人工網膜素子も試作されている

半導体物理講義ノート 2017 年 0823 版 目次バンド構造概論 金属の自由電子模型 電子の状態密度 フェルミ (Fermi) エネルギー フェルミ球 確率の保存則 バンド理論 結晶の格子ベクトル--

半導体物理講義ノート 7 年 8 版 目次バンド構造概論 ------ 金属の自由電子模型 ------- 電子の状態密度 -----4 フェルミ エネルギー フェルミ球 -----5 確率の保存則 -------5 バンド理論 ------7 結晶の格子ベクトル-----7 逆格子ベクトル------7 結晶中の 電子のハミルトニアンの空間的構造 -------8 lo の定理 -----8 波数

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

エネルギー ついて説明します 2. 研究手法 成果上で述べたような熱輻射パワーの高速変化を実現するためには 物体から熱輻射が生じる過程をミクロな視点から考える必要があります 一般に 物体の温度を上昇させると 物体内の電子の動きが活発になり 光 ( 電磁波 ) を放出するようになります こうして電子か

平成 26 年 7 月 2 3 日 物体からの熱輻射を超高速に制御することに世界で初めて成功 概要京都大学大学院工学研究科電子工学専攻野田進教授 ( 兼 光 電子理工学教育研究センター長 ) 同専攻浅野卓准教授および同専攻井上卓也博士課程学生等は 物体からの熱輻射 1 を超高速に制御することに 世界で初めて成功しました 一般に 物体を加熱すると 物体と光の相互作用に基づいた熱輻射と呼ばれる現象が生じ

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

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相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります

光で絶縁体を未知の金属相へと相転移させることに成功

光で絶縁体を未知の金属相へと相転移させることに成功 １ 発表者 岡﨑浩三 東京大学物性研究所 特任准教授 小川 優 東京大学大学院新領域創成科学研究科 修士課程 研究当時 辛 埴 東京大学物性研究所 教授 ２ 発表のポイント 励起子絶縁体の Ta2NiSe5 とバンド絶縁体の Ta2NiS5 という物質が 超短パルスレーザーを照 射することで金属になることを発見しました 実現された金属相は 熱平衡状態では実現できない未知の金属相であることを解明しました

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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

はじめに

γ 線 1. はじめに γ 線は α 線 β 線に次いで より透過力の高い放射線としてフランス人 Paul Villard が発見し Ernest Rutherford が命名したとされる γ 線は 励起状態の原子核が他の励起状態を経て基底状態に遷移する過程で放出される電磁波と定義され 原子核のα 壊変 β 壊変 自発核分裂 中性子捕獲 1) などの原子核反応によって励起された原子核を起源とする 元素から放出される電磁波には

記者発表資料

平成 26 年 9 月 5 日 報道機関各位 国立大学法人東北大学多元物質科学研究所 青色光励起により強い赤色発光を示す新規シリケート系酸化物蛍光体の開発 < 概要 > 国立大学法人東北大学 多元物質科学研究所 ( 所長 : 河村純一 ) の垣花眞人教授の研究グループは 青色光励起により強い赤色発光を示すシリケート系酸化物蛍光体 ( 注 1) を開発しました 本研究では これまで緑色蛍光体として知られてきた

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光が作る周期構造 : 光格子 λ/2 光格子の中を運動する原子 左図のように レーザー光を鏡で反射させると 光の強度が周期的に変化した 定在波 ができます 原子にとっては これは周期的なポテンシャルと感じます これが 光格子 です 固体 : 結晶格子の中を運動する電子 隣の格子へ 格子の中を運動する粒子集団 Quantum Simulation ( ハバードモデル ) J ( トンネル ) 移動粒子間の

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1/1 平成 23 年 3 月 24 日午後 6 時 52 分 6 ガウスの定理 : 面積分と体積分 6 ガウスの定理 : 面積分と体積分 Ⅰ. 直交座標系 ガウスの定理は 微分して すぐに積分すると元に戻るというルールを 3 次元積分に適用した定理になります よく知っているのは 簡単化のため 変数が1つの場合は dj ( d ( ににします全微分 = 偏微分 d = d = J ( + C d です

体状態を保持したまま 電気伝導の獲得という電荷が担う性質の劇的な変化が起こる すなわ ち電荷とスピンが分離して振る舞うことを示しています そして このような状況で実現して いる金属が通常とは異なる特異な金属であることが 電気伝導度の温度依存性から明らかにされました もともと電子が持っていた電荷やスピ

4. 発表内容 : 電子は電荷とスピンを持っており 電荷は電気伝導の起源 スピンは磁性の起源になって います 電荷同士の反発力が強い物質中では 結晶の格子点上に二つの電荷が同時に存在する ことができません その結果 結晶の格子点の数と電子の数が等しい場合は 電子が一つずつ各格子点上に止まったモット絶縁体と呼ばれる状態になります ( 図 1) モット絶縁体の多く は 隣接する結晶格子点に存在する電子のスピン同士が逆向きになろうとする相互作用の効果

木村の理論化学小ネタ 理想気体と実在気体 A. 標準状態における気体 1mol の体積 標準状態における気体 1mol の体積は気体の種類に関係なく 22.4L のはずである しかし, 実際には, その体積が 22.4L より明らかに小さい

理想気体と実在気体 A. 標準状態における気体 1mol の体積 標準状態における気体 1mol の体積は気体の種類に関係なく.4L のはずである しかし, 実際には, その体積が.4L より明らかに小さい気体も存在する このような気体には, 気体分子に, 分子量が大きい, 極性が大きいなどの特徴がある そのため, 分子間力が大きく, 体積が.4L より小さくなる.4L とみなせる実在気体 H :.449

人工光合成の実現に大きく一歩前進 高活性光触媒材料を発見

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( レク ) 文部科学記者会 ( 資料配付 ) 科学記者会 ( 資料配付 ) 人工光合成の実現に大きく一歩前進高活性光触媒材料を発見 - 可視光での量子収率およそ 90% リン酸銀の画期的な酸化特性を発見 - 概要 解禁日 : 平成 22 年 6 月 7 日 ( 月 ) AM2:00 独立行政法人物質 材料研究機構 1. 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長

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折戸の物理 演習プリント N.15 43. 目的 : 電磁誘導は, 基本を理解すれば問題はそれほど難しくない! ということを学ぶ 問 1 の [ ] に適切な数値または数式を入れ, 問 に答えよ 図 1 のように, 紙面に垂直で一様な磁界が 0 の領域だけにある場合について考える 磁束密度は Wb/m で, 磁界は紙面の表から裏へ向かっている 図のように,1 辺の長さが m の正方形のコイル を,

領域シンポ発表

1 次元の減衰運動の中の強制振動 ) ( f d d d d d e f e ce ) ( si ) ( 1 ) ( cos ω =ω -γ とおくと 一般解は 外力 f()=f siω の場合 f d d d d si f ce f ce si ) cos( cos si ) cos( この一般解は 1 φ は外力と変位との間の位相差で a 時間が経つと 第 1 項は無視できる この場合の振幅を

Xamﾃｽﾄ作成用ﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ

気体の性質 1 1990 年度本試験化学第 2 問 問 1 次の問い (a b) に答えよ a 一定質量の理想気体の温度を T 1 [K] または T 2 [K] に保ったまま, 圧力 P を変える このときの気体の体積 V[L] と圧力 P[atm] との関係を表すグラフとして, 最も適当なものを, 次の1~6のうちから一つ選べ ただし,T 1 >T 2 とする b 理想気体 1mol がある 圧力を

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

スライド 1

電子デバイス工学 9 電界効果トランジスタ () MO T (-1) MOキャパシタ 金属 - 絶縁体 - 半導体 電界効果トランジスタ 金属 Metal 絶縁体 Isulator 半導体 emcouctor 金属 Metal 酸化物 Oxe 半導体 emcouctor Gate wth, Z MI T MO T Polslco or metal 半導体として を用い, その酸化物 O を絶縁体として用いたものが主流であったため,

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LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった

ポリトロープ、対流と輻射、時間尺度

宇宙物理学 ( 概論 ) 6/6/ 大阪大学大学院理学研究科林田清 ポリトロープ関係式 1+(1/) 圧力と密度の間にP=Kρ という関係が成り立っていると仮定する K とは定数でをポリトロープ指数と呼ぶ 5 = : 非相対論的ガス dlnp 3 断熱変化の場合 断熱指数 γ, と dlnρ 4 = : 相対論的ガス 3 1 = の関係にある γ 1 等温変化の場合は= に相当 一様密度の球は=に相当