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PF 研究会磁性薄膜 多層膜を究めるキャラクタリゼーションから新奇材料の創製へ スピネルフェライトエピタキシャル薄膜の垂直磁気異方性 + マグネタイト /Fe 界面における反強磁性結合 筑波大学 柳原英人 喜多英治 0/0/5 マグネタイト コバルトフェライト Fe 3 O 4 と CoFe O 4 B サイトの Fe が Co に置き換わる a=8.4å, cubic Fe 3+ [Fe 3+,Fe

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

Microsoft PowerPoint - 物構研シンポ

結晶 MgO トンネル障壁の 巨大トンネル磁気抵抗効果 湯浅新治 片山利一 共同研究者およびスポンサー 産総研 福島章雄長浜太郎久保田均 A. A. Tulapurkar 片山利一薬師寺啓安藤功兒 キヤノンアネルバ D. Djayaprawira 恒川孝二前原大樹長嶺佳紀長井基将山形伸二渡辺直樹 大阪大基礎工 鈴木義茂松本利映 A. Deac 東芝 與田グループの方々 新エネルギー 産業技術総合開発機構

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

報道発表資料 2007 年 4 月 12 日 独立行政法人理化学研究所 電流の中の電子スピンの方向を選り分けるスピンホール効果の電気的検出に成功 - 次世代を担うスピントロニクス素子の物質探索が前進 - ポイント 室温でスピン流と電流の間の可逆的な相互変換( スピンホール効果 ) の実現に成功 電流

60 秒でわかるプレスリリース 2007 年 4 月 12 日 独立行政法人理化学研究所 電流の中の電子スピンの方向を選り分けるスピンホール効果の電気的検出に成功 - 次世代を担うスピントロニクス素子の物質探索が前進 - 携帯電話やインターネットが普及した情報化社会は さらに 大容量で高速に情報を処理する素子開発を求めています そのため エレクトロニクス分野では さらに便利な技術革新の必要性が日増しに高まっています

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

PRESS RELEASE (2015/10/23) 北海道大学総務企画部広報課 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL FAX URL:

PRESS RELEASE (2015/10/23) 北海道大学総務企画部広報課 060-0808 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL 011-706-2610 FAX 011-706-2092 E-mail: kouhou@jimu.hokudai.ac.jp URL: http://www.hokudai.ac.jp 室温巨大磁気キャパシタンス効果の観測にはじめて成功 研究成果のポイント

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度

磁性工学特論 第6回 磁気と電気伝導

磁性工学特論 050526 第 6 回磁気と電気伝導 佐藤勝昭 復習コーナー ( 第 5 回の問題 ) 反磁性体は磁界の変化を妨げるように逆向きの磁化を生じる それではなぜ強い静磁界のもとで反磁性体を浮かせることができるのか 単位質量あたりの反磁性磁化率を χ=-χ d とする 磁化 M が磁界 B の中にある時のポテンシャルエネルギーは E=-M B であるから 力は E の距離微分 F=-MdB/dz

2_R_新技術説明会（佐々木）

% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)

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Sprg-8 利用推進協議会第 6 回先端磁性材料研究会 Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の 交換磁気異方性と界面非補償反強磁性スピン 角田匡清 ( 東北大学工学研究科電子工学専攻 ) 共同研究者 : 高橋宏和 小田洋平 三俣千春 佐久間昭正 ( 東北大学 ) 中村哲也 児玉謙司 (JASRI/SPrg-8) 213 年 3 月 11 日東京 Outle 1. はじめに ~ 交換磁気異方性とその応用

IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A

IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2

2005 17 1 19 ( 18:00 20:30 (4 ( ( ( ( 21 30 1. ( 2. 3. ( 4. ( 5. ( 6. ( 7. ( 8. ( ( ( 17 2 ; 17 2 16 (18 20 30 ; ( 2 5F(AB ; ( 21 ( ; 1 (H17.2.16( 2 3 (H17.2.16( 4 16 5 ( 5 ( 6 17 ( ( 1. ( 6,000V 4

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh

スピン流を用いて磁気の揺らぎを高感度に検出することに成功 スピン流を用いた高感度磁気センサへ道 1. 発表者 : 新見康洋 ( 大阪大学大学院理学研究科准教授 研究当時 : 東京大学物性研究所助教 ) 木俣基 ( 東京大学物性研究所助教 ) 大森康智 ( 東京大学新領域創成科学研究科物理学専攻博士課

スピン流を用いて磁気の揺らぎを高感度に検出することに成功 スピン流を用いた高感度磁気センサへ道 1. 発表者 : 新見康洋 ( 大阪大学大学院理学研究科准教授 研究当時 : 東京大学物性研究所助教 ) 木俣基 ( 東京大学物性研究所助教 ) 大森康智 ( 東京大学新領域創成科学研究科物理学専攻博士課程 1 年 ) 顧波 ( 日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター研究員 ) Timothy Ziman

スピントランジスタの基本技術を開発 　 ―　高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体　―

スピン MOS トランジスタの基本技術を開発 高速 低消費電力 不揮発の次世代半導体 本資料は 本年米国ボルチモアで開催の IEDM(International Electron Devices Meeting 2009) における当社講演 Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly Spin-Polarized Ferromagnet/MgO

RAA-05(201604)MRA対応製品ver6

M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構

GJG160842_O.QXD

ディスクメーカーの苦悩

ディスクメーカーを悩ます BPM 2010 年 12 月 17 日西村二郎 1. まえがき HDD は記録密度が指数関数的に伸びていることから Moore の法則が成り立っている製品であると言える 記録密度向上に関しては 業界にコンセンサス的なロードマップがあり 各メーカーはひたすらその路線を突っ走っている したがって 道筋がクリアな限り 路 に迷うことはない 裏を返せば メーカーの独自性は出し難い

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂

コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂夫 ( 東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所教授 ) 2. 発表のポイント : 薄膜のコバルト層とパラジウム層の界面にて

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STRJ WS: March5, 2010, 特別講演 1 電子情報技術産業協会 (JEITA) 半導体技術ロードマップ専門委員会 (STRJ) ワークショップ 2010 年 3 月 5 日コクヨホール スピン流とスピントロニクス 高梨弘毅 東北大学 金属材料研究所 Research 発表構成 1. イントロダクションスピン流とは何かスピントロニクスとスピン流の関係 2. 歴史的経緯 GMR/TMR

スピンの世界へようこそ！

スピンの世界へようこそ! ~ スピントロニクスのための磁性の基礎からスピントロニクスの今後まで ~ 第 2 部 第 3 部 工博佐藤勝昭国立大学法人東京農工大学名誉教授 独立行政法人科学技術振興機構 (JST) さきがけ 次世代デバイス 研究総括 CONTENTS 1. 10:00-12:00 知っていると得をする磁性の基礎 2. 13:00-13:45 コイルなしに磁気を電気に変える 3. 13:50-14:20

重希土類元素ジスプロシウムを使わない高保磁力ネオジム磁石

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 重希土類元素ジスプロシウムを使わない高保磁力ネオジム磁石 概要 平成 22 年 8 月 30 日独立行政法人物質 材料研究機構 1. 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 磁性材料センター ( センター長 : 宝野和博 ) はハイブリッド車の駆動モータに使われるネオジム磁石の高保磁力化に必須の重希土類元素

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研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

Microsoft PowerPoint - 物質の磁性090918配布

物質の磁性 - 計算しないでわかることと計算でわかること - 大阪大学名誉教授山田科学振興財団理事長金森順次郎 1. 元素と磁性 2. 単体 合金 化合物の電子構造 3. 世界最強のネオジム磁石 4.CMDの意義 5. ナノ物質設計の今後 2009 9 18 CMD 1 2 1. 元素と磁性 なぜ 遷移元素でもとくに 3d 元素が磁性の主役を演じるか? なぜ 希土類元素でもとくに 4f 電子は局在しているか?

Microsoft PowerPoint _トポロジー理工学_海住2-upload用.pptx

平成 5 年度大学院共通授業 トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 44 スピントロニクスの基礎とその応用 本日の講義内容 スピントロニクスとは? スピンの発見 ( 世紀前半 磁性の歴史 ( 世紀前半 世紀後半 電荷 S -ee N スピン 北海道大学電子科学研究所海住英生 4 スピントロニクスの誕生とその基礎と応用 巨大磁気抵抗 (GM 効果 トンネル磁気抵抗 (TM 効果 スピン注入磁化反転 磁壁の電流駆動

INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき

総合カタログ 貴金属めっき液 表面処理薬品 不溶性電極 INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき液プロセス / シアン系純銀タイプ 銀めっき液プロセス

研究成果報告書

様式 C-9 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 24 年 4 月 9 日現在 機関番号 :4 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2~2 課題番号 :2276224 研究課題名 ( 和文 ) 強磁性 - 反強磁性型二次元ナノ構造体におけるスピン配列の解明 研究課題名 ( 英文 ) Study on spin arrangement in two dimensional

報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱

報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱電気変換効率が大きく変化することを新発見した 鉄と窒素の組み合わせに限らず 身のまわりにあふれた元素の組み合わせで同様の特性を持つ材料が作れることを示唆

交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテ

交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテクサイエンス 日東光器 ( 株 ) 秋田県産業技術センター 1 従来技術 ( 磁気力顕微鏡 ) とその問題点

互作用によって強磁性が誘起されるとともに 半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます しかし 実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (

スピン自由度を用いた次世代半導体デバイス実現へ大きな進展 ~ 強磁性半導体において大きなスピン分裂をもつ電子のエネルギー状態を初めて観測 ~ 1. 発表者 : レデゥックアイン ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 附属総合研究機構助教 ) ファムナムハイ ( 東京工業大学工学院電気電子系准教授 ) 田中雅明 ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授 スピントロニクス学術連携研究教育センターセンター長

Akita University 氏名 ( 本籍 ) 若林 誉 ( 三重県 ) 専攻分野の名称 博士 ( 工学 ) 学位記番号 工博甲第 209 号 学位授与の日付 平成 26 年 3 月 22 日 学位授与の要件 学位規則第 4 条第 1 項該当 研究科 専攻 工学資源学研究科 ( 機能物質工学

氏名 ( 本籍 ) 若林 誉 ( 三重県 ) 専攻分野の名称 博士 ( 工学 ) 学位記番号 工博甲第 209 号 学位授与の日付 平成 26 年 3 月 22 日 学位授与の要件 学位規則第 4 条第 1 項該当 研究科 専攻 工学資源学研究科 ( 機能物質工学 ) 学位論文題名 省貴金属自動車排ガス浄化触媒の開発研究 論文審査委員 ( 主査 ) 教授菅原勝康 ( 副査 ) 教授進藤隆世志 ( 副査

配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25

配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25 日 東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 (JST) スピン流スイッチの動作原理を発見

SIｻｲｴﾝｽ株式会社 stable isotope metal

12 マグネシウム Magnesium 24 Mg 酸化物 78.99 99.7 12 マグネシウム Magnesium 25 Mg 酸化物 10.0 97.0 12 マグネシウム Magnesium 26 Mg 酸化物 11.01 97.0 12 マグネシウム Potassium 39 K 塩化物 93.11 99.97 12 マグネシウム Potassium 40 K 塩化物 0.011 2.10

体状態を保持したまま 電気伝導の獲得という電荷が担う性質の劇的な変化が起こる すなわ ち電荷とスピンが分離して振る舞うことを示しています そして このような状況で実現して いる金属が通常とは異なる特異な金属であることが 電気伝導度の温度依存性から明らかにされました もともと電子が持っていた電荷やスピ

4. 発表内容 : 電子は電荷とスピンを持っており 電荷は電気伝導の起源 スピンは磁性の起源になって います 電荷同士の反発力が強い物質中では 結晶の格子点上に二つの電荷が同時に存在する ことができません その結果 結晶の格子点の数と電子の数が等しい場合は 電子が一つずつ各格子点上に止まったモット絶縁体と呼ばれる状態になります ( 図 1) モット絶縁体の多く は 隣接する結晶格子点に存在する電子のスピン同士が逆向きになろうとする相互作用の効果

令和元年 6 月 1 3 日 科学技術振興機構 (JST) 日本原子力研究開発機構東北大学金属材料研究所東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 理化学研究所東京大学大学院工学系研究科 スピン流が機械的な動力を運ぶことを実証 ミクロな量子力学からマクロな機械運動を生み出す新手法 ポイント スピン流が

令和元年 6 月 1 3 日 科学技術振興機構 (JST) 日本原子力研究開発機構東北大学金属材料研究所東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 理化学研究所東京大学大学院工学系研究科 スピン流が機械的な動力を運ぶことを実証 ミクロな量子力学からマクロな機械運動を生み出す新手法 ポイント スピン流が運ぶミクロな回転がマクロな動力となることを実証した 磁性体で作製したマイクロデバイスにスピン流を注入した結果

新規な金属抽出剤

新規な金属イオン抽出剤 (MIDA) 貴金属の簡便な回収法に利用 日本原子力研究開発機構 基礎工学研究センター 佐々木祐二 原子力機構では使用済み燃料中の有用金属の回収を目的として 様々な分離技術の開発を行っています 発電前発電後 (An, 含む ) せん断 溶解分離 U, Pu 精製 U 精製 再処理工場へ ウラン燃料 Pu 精製 核変換 高レベル廃液 燃料再処理 (PUREX) 中間貯蔵 U,

概要 東北大学金属材料研究所の周偉男博士研究員 関剛斎准教授および高梨弘毅教授のグループは 産業技術総合研究所スピントロニクス研究センターの荒井礼子博士研究員および今村裕志研究チーム長との共同研究により 外部磁場により容易に磁化スイッチングするソフト磁性材料の Ni-Fe( パーマロイ ) 合金と

報道機関各位 平成 28 年 12 月 08 日 東北大学金属材料研究所産業技術総合研究所 磁気モーメントの渦の運動が可能にする省エネルギー情報記録 - ハードディスクの超高密度化と超低消費電力動作の両立に新たな道 - 発表のポイント 磁石の向きが変化しやすい Ni-Fe 合金層と 磁石の向きが変化しにくい FePt 規則合金層を組み合わせたナノ磁石を作製し 磁気記憶デバイスの情報記録のしくみである

リサイクルデータブック2016

AppendixEU SDGs2159EU 21512UNEPOECD2165G7 2165 213 Appendix 1 EU 2 EU 3 215 i CONTENTS i 1 213 1 213 2 1 4 2 2 6 3 3 6 4 213 7 4 5 9 6 213 9 5 7 1 8 213 1 9 11 1 213 11 11 213 11 6 6.1 12 213 14 6.2 13

磁気ディスク装置

ご利用にあたっての注意 磁気ディスク装置 は 2006 年 ~2009 年当時の情報です 予告なしに更新 あるいは掲載を終了することがあります あらかじめご了承ください 磁気ディスク装置 磁気ディスク装置とはパソコン ( パーソナルコンピュータの略 ) にとって 覚えておくための手帳と記入用のペンの役割をはたしています 手帳に相当するのが磁気ディスクで ペンに相当するのが磁気ヘッドです 目次どんな所で使われているのでしょうかディスクはどのように記録してあるのかな原理

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

1) 放射光による元素選択的磁気測定とそのナノ物質科学への期待 堀秀信 1) 山本良之 北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科, 923-1292 石川県能美市旭台 1-1 2) 秋田大学 工学資源学部, 010-8502 秋田市手形学園町 1-1 2) 1. はじめに最近ナノサイズの科学研究が盛んである 我々は ナノ科学の最大の特徴が イオンなど原子の電子構造が中心となって表現される物性とも

最新フッ素関連トピックス 2018 年 3 月号フッ素系磁性材料 1 はじめにこの 1 年余り フッ素系磁性材料の文献をよく目にする 今回はその目にした文献を紹介し ここ数年の日本特許を合わせて紹介し その動向を最後にまとめてみた 2 文献情報 L.B. Drissi らは 下記のゲルマニウム グラ

最新フッ素関連トピックス 2018 年 3 月号フッ素系磁性材料 1 はじめにこの 1 年余り フッ素系磁性材料の文献をよく目にする 今回はその目にした文献を紹介し ここ数年の日本特許を合わせて紹介し その動向を最後にまとめてみた 2 文献情報 L.B. Drissi らは 下記のゲルマニウム グラフェンハイブリッド体をフッ素化 (3 種類 ) し その磁性特性を調べた 1) フッ素は C よりも

報告されている (8) (11). このことは,L1 0 FePt のサイズを制御することにより,H c を決定している磁化過程を制御できることを意味している. しかしながら, 薄膜成長形態を利用したこれまでの研究では微粒子の形状やサイズの制御が困難であった. 本研究では, 微細加工法を用いることで

高保磁力 FePt 合金の磁化制御 関剛斎. はじめに今日の我々の生活は電子情報機器の高性能化および多機能化の恩恵を大いに受けており, それらの機器は利便性を追求しながら発展してきた. しかしながら, 近年のエネルギー問題や資源枯渇の危惧から, 電子情報産業においても省エネルギー, 環境調和, あるいは低炭素排出といった観点が重要視されるようになってきている. 中でも, 電子情報機器の根幹を成す記憶素子の低消費電力化を進めることが,

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1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

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NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10

36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1

36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 24 年 6 月 11 日現在 機関番号 :13601 研究種目 : 基盤研究 (B) 研究期間 :2009~ 2011 課題番号 :21360148 研究課題名 ( 和文 ) ナノドット構造を有する六方晶フェライト薄膜形成と高密度磁気記録用パターン媒体研究課題名 ( 英文 )Hexagonal ferrite thin

Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]

プレゼン資料 腐食と電気防食 本資料は当社独自の技術情報を含みますが 公開できる範囲としています より詳細な内容をご希望される場合は お問い合わせ よりご連絡願います 腐食とは何か? 金属材料は金や白金などの一部の貴金属を除き, 自然界にそのままの状態で存在するものではありません 多くは酸化物や硫化物の形で存在する鉱石から製造して得られるものです 鉄の場合は鉄鉱石を原料として精錬することにより製造されます

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2015 年 3 月 5 日 18:00 於 : 仙台国際ホテル Nd-Fe-B 薄膜における / 界面組織と保磁力メカニズム 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻 助教松浦昌志 国内生産金額 ( 億円 ) 研究背景 - Nd-Fe-B 系焼結磁石 - 磁石の国内生産額推移 [1] 2000 1500 1000 500 0 2004 希土類磁石フェライト磁石合金磁石 2006 2008 year

背景と経緯 現代の電子機器は電流により動作しています しかし電子の電気的性質 ( 電荷 ) の流れである電流を利用した場合 ジュール熱 ( 注 3) による巨大なエネルギー損失を避けることが原理的に不可能です このため近年は素子の発熱 高電力化が深刻な問題となり この状況を打開する新しい電子技術の開

平成 25 年 5 月 2 日 東北大学金属材料研究所東北大学原子分子材料科学高等研究機構 塗るだけで出来上がる磁気 - 電気変換素子 - プラスチックを使った次世代省エネルギーデバイス開発に向けて大きな進展 - 発表のポイント 電気を流すプラスチックの中で 磁気 ( スピン ) の流れが電気信号に変換されることを発見 この発見により 溶液を塗るだけで磁気 ( スピン )- 電気変換素子が作製可能に

垂直磁化型 MRAM 用高スピン偏極率フルホイスラー合金薄膜の開発 東京工業大学工学院 高村陽太 東京都目黒区大岡山 Development of highly spin-polarized full-heusler alloy thin films for perpendicular

垂直磁化型 MRAM 用高スピン偏極率フルホイスラー合金薄膜の開発 東京工業大学工学院 高村陽太 東京都目黒区大岡山 2-12-1 Development of highly spin-polarized full-heusler alloy thin films for perpendicular magnetoresistive random access memory Yota Takamura

H1-H4

42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg

非磁性体を用いた強磁性体細線中の磁壁移動の検出 Detection of magnetic domain wall motion by using non-magnetic material 1. 序論近年の情報入力端末の市場は情報転送技術の向上により i-phone, i-pad に代表されるよう

1. 序論近年の情報入力端末の市場は情報転送技術の向上により i-phone, i-pad に代表されるような軽量かつ安価なポータブルデバイスへとその主力が移行してきている このようなポータブルデバイスにおいては大型 低速なハードディスク (HDD) より小型 軽量で高速 守谷頼 (Rai MORIYA, Ph. D.) 東京大学生産技術研究所助教 (Assistant professor, Institute

無電解析出

無電解めっきの析出機構 無電解めっきは広い意味では外部電源を用いずに金属めっき膜を成膜する技術と定義される 大別すると 1 素地金属の溶解に伴って遊離する電子によって溶液中の金属イオンが還元されて電極上に析出する置換めっき 2 不均化反応に基づく金属析出 3 溶液中に含まれる還元剤が電極上で酸化される際に遊離する電子によって溶液中の金属イオンが金属皮膜として析出する自己触媒的な無電解めっき がある

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

ƒZƒ~ƒi?ƒX?ƒCƒh0908_Šâfièfinal

磁気と情報 - 磁気記録の進歩 - 1. 磁気記録の先駆者 2. 高密度化の端緒 ( メタルテープ ) 3. 垂直記録の発想 4. 開拓と実用化の道のり 5. 社会への影響 日本学士院会員東北工業大学理事長岩崎俊一 H21.08 1 1. 磁気記録の先駆者 2. 高密度化の端緒 ( メタルテープ ) 3. 垂直記録の発想 4. 開拓と実用化の道のり 5. 社会への影響 2 ポールセンの磁気録音機 1900

hv (%) (nm) 2

HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)

元素分析

: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P

èCò_ï\éÜ.pdf

[Co/Ru] 20 Antiferromagnetic Exchange Coupling Energy in [Co/Ru] 20 19 1...1 1.1...1 1.2...1 1.2.1...1 1.2.2...2 1.3...2 1.4...3 1.4.1...3 1.4.2...5 1.5...5 1.5.1...5 1.5.2 SF...6 1.5.3 TAMR...6 2...8

リサイクルデータブック2017

AppendixEU SDGs2159EU 21512UNEPOECD2165G7 2165 214 Appendix 1 EU 2 EU EU( EU EU EU EU 3 217 i CONTENTS i 1 214 1 214 2 1 4 2 2 6 3 3 6 4 214 7 4 5 9 6 214 9 5 7 1 8 214 1 9 11 1 214 11 11 214 11 6 6.1

氏 名 田 尻 恭 之 学 位 の 種 類 博 学 位 記 番 号 工博甲第２４０号 学位与の日付 平成１８年３月２３日 学位与の要件 学位規則第４条第１項該当 学 位 論 文 題 目 La1-x Sr x MnO 3 ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ 士 工学 効果の研究 論 文 審 査

九州工業大学学術機関リポジトリ Title La1-xSrxMnO3ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ効果の研究 Author(s) 田尻, 恭之 Issue Date 2006-06-30 URL http://hdl.handle.net/10228/815 Rights Kyushu Institute of Technology Academic Re 氏 名 田 尻 恭 之 学 位

MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)

スピントロニクスにおける新原理「磁気スピンホール効果」の発見

スピントロニクスにおける新原理 磁気スピンホール効果 の発見 - 磁化で制御するスピン流 電流相互変換を確立 - 1. 発表者 : 木俣基 ( 研究当時 : 東京大学物性研究所助教 現 : 東北大学金属材料研究所准教授 ) Hua Chen( 研究当時 : テキサス大学オースティン校博士研究員 現 : コロラド大学 Assistant Professor) 近藤浩太 ( 理化学研究所創発物性科学研究センター研究員

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ISSN 1349-1229 No.416 February 2016 2 SPECIAL TOPIC113 SPECIAL TOPIC 113 FACE Mykinso 113 SPECIAL TOPIC IUPAC 11320151231 RI RIBFRILAC 20039Zn30 Bi83 20047113 20054201283 113 1133 Bh107 20082009 113 113

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Simulation of Magnetization Process in Antiferromagnetic Exchange-Coupled Films 19 1...1 1-1...1 1-2...1 1-2-1... 1 1-2-2 HDD...2 1-2-3 ( )...3 1-3 GMR... 4 1-4 ( )...5 1-5 SFMedia...5 1-6 (HAMR)...6 1-6-1...

PRESS RELEASE (2017/6/2) 北海道大学総務企画部広報課 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL FAX URL:

PRESS RELEASE (2017/6/2) 北海道大学総務企画部広報課 060-0808 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL 011-706-2610 FAX 011-706-2092 E-mail: kouhou@jimu.hokudai.ac.jp URL: http://www.hokudai.ac.jp 東北大学多元物質科学研究所広報情報室 980-8577 仙台市青葉区片平二丁目

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

新しい高密度記録技術──高K u 磁性材料──

特 新しい高密度記録技術 高 K u 磁性材料 New High Density Recording Technology: High K u Magnetic Materials 片岡弘康 Hiroyasu Kataoka 小宮山和弥 Kazuya Komiyama 高橋伸幸 Nobuyuki Takahashi 高い磁気異方性定数 K u を持った L1 1 型 CoPt 規則合金膜のスパッタ法での合成に,

材料系物理工学 第１回磁性の基礎(1)

磁性工学特論 第 1 回磁気に親しもう 非常勤講師 佐藤勝昭 ( 東京農工大学 ) シラバス この講義では 磁性学の基礎と応用および磁気光学効果の基礎と応用について学ぶ 以下にシラバスを示す 第 1 部磁性 第 1 回 2005.4.14( 木 ) 磁気に親しもう 磁石 HDD MD モーター 磁場 磁束密度 磁化 磁気モーメントとは何か 磁化曲線 反磁界 ヒステリシス 軟質磁性体 硬質磁性体 第

非磁性原子を置換することで磁性・誘電特性の制御に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 非磁性原子を置換することで磁性 誘電特性の制御に成功 次世代メモリデバイスの開発に新しいアイディア 平成 24 年 8 月 8 日独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 以下 NIMS) 量子ビームユニット ( ユニット長

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前回の復習 医用生体計測磁気共鳴イメージング :2 回目 数理物質科学研究科電子 物理工学専攻巨瀬勝美 203-7-8 NMRとMRI:( 強い ) 静磁場と高周波 ( 磁場 ) を必要とする NMRとMRIの歴史 :952 年と2003 年にノーベル賞 ( 他に2 回 ) 数学的準備 : フーリエ変換 ( 信号の中に, どのような周波数成分が, どれだけ含まれているか ( スペクトル ) を求める方法

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文部科学省 量子ビーム基盤技術開発プログラム シンポジウム 2012 年 12 月 3 日東京秋葉原 UDX ギャラリー NEXT 軟 X 線の高速偏光制御による機能性材料の探究と創製 高エネルギー加速器研究機構雨宮健太 1. プロジェクトの概要 2. これまでの成果 (1) 高速偏光スイッチングの開発 (2) スピントロニクス材料の解析と探索 (3) 表面化学反応のリアルタイム追跡 3. まとめと今後の展開

<4D F736F F D DC58F498D65817A88D98FED837A815B838B8CF889CA5F835E834F974C2E646F63>

2014 年 8 月 13 日独立行政法人理化学研究所国立大学法人東京大学国立大学法人東北大学 異常量子ホール効果の量子化則を実験的に検証 -トポロジカル絶縁体を用いた省電力素子の基礎原理確立へ- 本研究成果のポイント 無磁場でエネルギー損失なく電流が流れる 異常量子ホール効果 を観測 異常量子ホール効果 の量子化則が 整数量子ホール効果 と同様であることを発見 磁場を必要としない省電力素子の実現に向け大きく前進理化学研究所

の実現は この分野の最大の課題となってい (a) た ゲージ中の 酸素イオンを 電子で置換 筆 者 ら の 研 究 グ ル ー プ は 23 年 に 12CaO 7Al2O3 結 晶 以 下 C12A7 を用 い て 安定なエレクトライド C12A7: を実現3) Al3+ O2 Cage wall O2 In cage その電子状態や物性を解明してきた4) 図 1 のように C12A7 の結晶構造は

マスコミへの訃報送信における注意事項

電子のスピンが量子液体状態にある特異な金属の発見 結晶中で独立に振る舞う電荷とスピン 1. 発表者 : 大池広志 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻学術支援専門職員 : 研究当時 ) 鈴木悠司 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻修士課程 1 年生 : 研究当時 ) 谷口弘三 ( 埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門准教授 ) 宮川和也 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

磁性 スピントロニクス材料研究拠点 ゆらぐスピンの舵をとれ 磁力の源 電子スピンを操る磁性材料の挑戦 NIMS NOW 02 ただの金属の塊のようでいて 物にくっついたり反発したりする性質を持つ 磁石 紀元前にさかのぼる磁石の発見は 羅針盤を皮切りとした磁気デバイス開発のはじまりでもあった 20 世

42018 磁性 スピントロニクス材料研究拠点 ゆらぐスピンの舵をとれ 磁力の源 電子スピンを操る磁性材料の挑戦 NIMS NOW 02 ただの金属の塊のようでいて 物にくっついたり反発したりする性質を持つ 磁石 紀元前にさかのぼる磁石の発見は 羅針盤を皮切りとした磁気デバイス開発のはじまりでもあった 20 世紀に入り 日本において世界初の人工磁石が誕生 さらに 磁石の力の正体である電子の スピン

希少金属資源 -新たな段階に入った資源問題-

H 耐用 TMR 占有増大 Li 94.5 4CL 0 Na 56 0 K 800 6CA 99 Rb 0. Cs 0.0 Fr Be.5 86US 4 Mg 5500 0.07 8CN 5 Ca 0.09 7 Sr 0.5 48ES Ba 0.5 47 Ra Sc. Y 6.7 7 (Ln) 800-97CN 6 (An) Center for Strategic Material NIMS,Japan

磁性超入門（3）

長岡技術科学大学セミナー 2013.1.25( 金 ) 磁性超入門 (3) 佐藤勝昭 ( 独 ) 科学技術振興機構 第 5 章弱い磁性も使いよう まぐねの国の探索 この章では通常は非磁性体として扱われる弱い磁性しか示さない材料 ( 反強磁性体 常磁性体 ) について学びます 弱い磁性もそれ自身 あるいは 強磁性体と組み合わせることによって 大きな働きをします 5.1 ほとんどの物質は弱い磁性しか示さない

Microsoft Word - Web掲載用_171002_非散逸電流スイッチ_確定r - コピー.docx

PRESS RELEASE 2017 年 10 月 5 日理化学研究所東京大学東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 トポロジーの変化に伴う巨大磁気抵抗効果を発見 - 非散逸電流のスイッチング原理を確立 - 要旨理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの茂木将孝研修生 ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 1 年 ) 十倉好紀グループディレクター ( 同教授 )

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

PowerPoint プレゼンテーション

研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

スピントロニクス

早稲田大学リーディング理工学博士プログラム エネルギー ネクスト概論 スピントロニクスがもたらすエネルギー革新 佐藤勝昭東京農工大学名誉教授国立研究開発法人科学技術振興機構研究広報主監 CRDS フェロー CONTENTS はじめに 1. 磁性学超入門 1. こんなところにも磁性体が 2. 磁性体をどんどん小さくすると 3. 鉄はなぜ強磁性になるのか 4. 磁気ヒステリシスのなぞ 2. スピントロニクス

新しい高密度記録技術──エネルギーアシスト磁気記録媒体──

富士時報 Vol.83 No.4 2010 新しい高密度記録技術 エネルギーアシスト磁気記録媒体 New High Density Recording Technology: Energy Assisted Recording Media 特 稲葉祐樹 Yuki Inaba 中田仁志 Hitoshi Nakata 井上大輔 Daisuke Inoue 次世代高記録密度技術の一つであるエネルギーアシスト磁気記録方式は,

CPT2L1Z1J154.indd

要点学習化学変化と原子分子 1 1 30 分分解, 物質のしくみ CPT2L1-Z1J1-01 要点 要点を読んで重要なポイントを確認しましょう 分解 1 分解 物質そのものが 性質が異なる別の物質に変わる変化を() といいます 1 種類の物質が2 種類以上の別の物質に分かれる化学変化をといいます 加熱により起こる分解をとくにといい 電流を流すことにより起こる分解をとくに といいます 2 炭酸水素ナトリウムを熱分解する実験

(Microsoft PowerPoint - SPring-8_WS_kondo_\224z\225z\227p [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])

SPring-8 利用推進協議会先端磁性材料研究会第 3 回研究会 パターン媒体の先端技術開発とナノ磁気イメージングからのアプローチ 2010 年 3 月 16 日 顕微 XMCD 法によるパターン媒体の磁気特性評価 近藤祐治, 千葉隆, 田口香, 有明順 本多直樹 鈴木基寛, 河村直己, 高垣昌史 秋田県産業技術総合研究センター 東北工業大学 高輝度光科学研究センター /SPring-8 B. M.

電子材料学特論

平成 21 年 12 月 15 日第 10 回 ( 原担当分第 4 回 ) 電子材料学特論 Advanced Electronic Materials 3. 磁性材料 2009 年度版講義資料 PDF ファイルの URL http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~hara/lectures_2009.htm 3.1 Magnetic Materials for Electronics

とによって電磁石が発生する磁界を移動させ, 磁界に回転子がついていくことで回転します. 永久磁石としては 日本で開発されたネオジム磁石がつかわれています この磁石は レアアースであるネオジム ( N d ) と鉄 ( F e ) の化合物 N d F e 2 B 14 を主成分とするもので 温度特性

第 1 章こんなところにも磁性体が 第 1 章は, 出口からのアプローチです. すなわち, 私がガイドとなって, 身近にある磁性体を見つけながら, そこに潜んでいる 磁気物性 と まぐね語 を一つひとつ解き明かしていく散策に出かけます. さあスタートです. 1.1 クルマと磁性体エコカーとして電気自動車 EV やハイブリッドカー HV が注目されています.E V, H V では動力源にモーターが使われます.EV

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In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 m-matsumoto@jv.jp.nec.com 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の

共同研究グループ 理化学研究所創発物性科学研究センター 量子情報エレクトロニクス部門 量子ナノ磁性研究チーム 研究員 近藤浩太 ( こんどうこうた ) 客員研究員 福間康裕 ( ふくまやすひろ ) ( 九州工業大学大学院情報工学研究院電子情報工学研究系准教授 ) チームリーダー 大谷義近 ( おおた

PRESS RELEASE 2016 年 7 月 25 日理化学研究所東京大学東北大学金属材料研究所九州工業大学 トポロジカル絶縁体表面で高効率スピン流を生成 - 省電力スピントロニクスデバイス応用に期待 - 要旨理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター量子ナノ磁性チームの近藤浩太研究員 福間康裕客員研究員 ( 九州工業大学准教授 ) 大谷義近チームリーダー ( 東京大学物性研究所教授

第 11 回化学概論 酸化と還元 P63 酸化還元反応 酸化数 酸化剤 還元剤 金属のイオン化傾向 酸化される = 酸素と化合する = 水素を奪われる = 電子を失う = 酸化数が増加する 還元される = 水素と化合する = 酸素を奪われる = 電子を得る = 酸化数が減少する 銅の酸化酸化銅の還元

第 11 回化学概論 酸化と還元 P63 酸化還元反応 酸化数 酸化剤 還元剤 金属のイオン化傾向 酸化される = 酸素と化合する = 水素を奪われる = 電子を失う = 酸化数が増加する 還元される = 水素と化合する = 酸素を奪われる = 電子を得る = 酸化数が減少する 銅の酸化酸化銅の還元 2Cu + O 2 2CuO CuO + H 2 Cu + H 2 O Cu Cu 2+ + 2e

新技術説明会　様式例

1 最もポピュラーなセラミックス原料 α- 酸化アルミニウムの ありそうでなかったナノ粒子 岐阜大学大学院自然科学技術研究科物質 ものづくり工学専攻助教吉田道之 遷移アルミナ a-al 2 O 3 O 2- Al 3+ O 2- Al 3+ 欠陥スピネル構造 O 2- : 面心立方格子 Al 3+ : 6 配位および4 配位 ナノ粒子 高比表面積 コランダム構造 O 2- : 六方最密充填 Al 3+

共同研究グループ理化学研究所創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームチームリーダー十倉好紀 ( とくらよしのり ) 基礎科学特別研究員吉見龍太郎 ( よしみりゅうたろう ) 強相関物性研究グループ客員研究員安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 米国マサチューセッツ工科大学ポストドクトラルアソシ

PRESS RELEASE 2018 年 12 月 4 日理化学研究所東京大学東北大学科学技術振興機構 マルチフェロイクス材料における電流誘起磁化反転を実現 - 低消費電力エレクトロニクスへの新原理を構築 - 理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームの吉見龍太郎基礎科学特別研究員 十倉好紀チームリーダー 安田憲司客員研究員( マサチューセッツ工科大学ポストドクトラルアソシエイト

Microsoft PowerPoint - 基礎化学4revPart1b [互換モード]

化学結合と分 の形 なぜ原 と原 はつながるのかなぜ分 はきまった形をしているのか化学結合の本質を理解しよう 分子の形と電子状態には強い相関がある! 原子 分子 基礎化学 ( 化学結合論 構造化学 量子化学 ) 電子配置分子の形強い相関関係 ( 電子状態 ) ( 立体構造 ) 分子の性質 ( 反応性 物性 ) 先端化学 ( 分子設計 機能化学 ) 機能 分子の形と電子配置の基礎的理解 基礎 ( 簡単

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

平成**年*月**日

平成 22 年 9 月 24 日 報道機関 各位 絶縁体からの熱電発電に成功 - グリーン 省エネデバイス開発に道 - 国立大学法人東北大学独立行政法人日本原子力研究開発機構 発表のポイント 絶縁体においても 温度差をつけることで磁気 ( スピン ) の流れが生じることを発見 これまで不可能と考えられていた 絶縁体からの熱電エネルギーの取り出し に成功 熱電材料の選択の幅が大きく広がり 大規模発電から携帯用小型熱電変換素子までの幅広い応用に期待

税関分析25 年の進歩

25 1 25 40 27 25 27 32 25 CeEDTA 10) 11 1) Fe Al Zn EDTA 2) 12) n IR400 2N BT EDTA 14) e 15) 16) 17) 18) 3) Zn Cu 4) Mn 5) 6) 7) 8) 9 13) 2 24) X 56),57) 58) 25) 59) 60) X 61) X X 26) X 27),28),29) 62)