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- ゆあ ひのと
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1 Sprg-8 利用推進協議会第 6 回先端磁性材料研究会 Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の 交換磁気異方性と界面非補償反強磁性スピン 角田匡清 ( 東北大学工学研究科電子工学専攻 ) 共同研究者 : 高橋宏和 小田洋平 三俣千春 佐久間昭正 ( 東北大学 ) 中村哲也 児玉謙司 (JASRI/SPrg-8) 213 年 3 月 11 日東京
2 Outle 1. はじめに ~ 交換磁気異方性とその応用 ~ 2. Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の交換磁気異方性 ~ 強磁性層材料依存性 ~ 3. Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の非補償反強磁性スピン ~ XMCD 計測とシミュレーション ~ 4. まとめ
3 面記録密度 ( ビット / 平方インチ ) ハードディスクの面記録密度の推移 1 T 1 T 1 G 1 G 1 G 1 M 1 M 1 M 1 K 1 K 1956 年 IBM (RAMAC) 5 MB 5 年で 1 億倍の性能向上! 213 年 ~1 兆ビット / 平方インチ 交換磁気異方性の利用 (AMR/GMR/TMR ヘッド ) IBM (Microdrive) 34 MB 1 K 西暦年 1998 年
4 N S N N S N S N S S N N 1 Tbit/ch 2 の HDD 7 nm CoFe MnIr 2 nm 1 nm 2 nm CoFe MgO 平行配列で低抵抗 反平行配列で高抵抗 トンネル磁気抵抗効果 1 Tbit/ch 2 用の再生ヘッドを作るためには... S N 基準の磁気モーメントを確実に固定する 磁気抵抗変化率を増大させる 再生ヘッド 記録媒体 記録ヘッド 浮上量 1 nm 2 nm 4 nm
5 交換磁気異方性の誘導 ~ 磁界中熱処理 ~ B Magnetization, M d F d AF > AF 磁場中熱処理 H ex as-depo. M S Applied field, H AF sps FM sp B 交換磁気異方性 (Exchange anisotropy) 一方向磁気異方性定数 : ブロッキング温度 : 臨界膜厚 : J M K S d T B AF F H ex K AF axis AF gra *Sgle Sp Ensemble Model M. Tsunoda et al., J. Appl. Phys. 87, 4957 (2). 交換磁気異方性のミクロスコピックな起源は完全には明らかにされていない
6 J K (erg/cm 2 ) 1..5 交換磁気異方性の反強磁性材料依存性 Mn-Ir (Fuke) Mn 3 Ir Mn-Ir (Tsunoda,APL) Mn-Ir (Tsunoda,JMMM) Mn-Ir (Hoshiya) Fe-Mn T1 3Q PtMn NiMn NiO AF layer thickness, d AF (nm) 材料的観点 1. Mn-Ir, Ir = 2 at.% K.Hosho, JJAP 35, 67 (1996), H. Fuke, JAP 81, 44 (1997). 2. Large J K with CoFe, Fe = 25~3 at.% M. Tsunoda, JMMM 239, 182 (22). 3. L1 2 -Mn 3 Ir brgs giant J K & high T B K. Imakita, APL 85, 3812 (24). 4. L1 2 -Mn 3 Ir, best matchg with MgO-MTJs K. Komagaki, IEEE Trans. Mag 43, 3535 (27). 5. -Mn alloy is the most promisg AF material to reduce critical thickness C. Mitsumata, JPSJ 77, 4462 (27). 薄膜組織依存性 6. Large AF gras for high T B (& large J K ) M. Takahashi, JMSJ 23, 1841 (1999). 7. (111) orientation is better for directional control M. Takahashi, JPD 35, 2365 (22). プロセス依存性 8. Long-time annealg enhances J K M. Tsunoda, APL 84, 5222 (24). AF 材料依存性 HDD 応用には Mn-Ir が最適
7 交換磁気異方性の強磁性材料依存性 H.S.Jung, JAP (24) J K ( M C) s Mn-Ir FeMn FeMn S.J.Yuan, APL (22) S.M.Zhou, PRB (2)
8 本研究の目的 -Mn-Ir / Fe-Co FM FM 層の磁気特性結晶構造 界面のスピン構造 AF AF 層のスピン構造 J K は強磁性材料によって大きく変化 -Mn-Ir / bcc-fe 3 Co 7 で極大 M. Tsunoda et al., JMMM, 239, 182 (22) 交換磁気異方性との関係は理解されていない FM 層材料を積極的に変化 交換磁気異方性と FM 層の構造,AF 界面 内部のスピン構造との関係を理解
9 成膜条件 実験方法 成膜 : RF & DC マグネトロンスパッタリング FM 層成膜 : 複数ターゲットからの同時スパッタリング 熱処理条件 T a = 28 ºC 1 hr, 3 koe 測定方法 構造解析 : XRD (Cu-K ) 組成分析 : 蛍光 X 線分析磁気特性 : VSM, XMCD(BL25SU@SPrg-8) H anneal Ta (1 nm) Ru (1) FM=Fe-Co-Ni (4) -Mn-Ir (1) Ru (5) Ta (4) Si/SiO 2, SiN membrane(15) (111) or bcc(11) (111) Circular polarization Si-C Si-C ±.96 membrane Sample membrane V/F conv. Soft X-ray Counter 1 Hz helicity switchg na A Electromagnet na A I signal PC I monitor
10 J K & M s as a function of FM composition 1. +hcp bcc 2 J K (erg/cm 2 ).5 1 M s (emu/cc) Ni Co Fe Ni M. Tsunoda et al., IEEE Trans. Magn., 45, 3877 (29).
11 Correlation between M s and J K.6 J K (erg/cm 2 ) J K ( M C) s Fe Co Ni 1 2 M s (emu/cc)
12 2 ) (erg/cm J K J K of -Mn-Ir / Fe-Co-Ni bilayers Ni H. Takahashi et al., J. Magn. Soc. Jpn. 34, 285 (21) J K (erg/cm 2 ).1 Mn-Ir / bcc-fm で大きな J K (>.3 erg/cm 2 ) bcc 領域では Co に向かって J K が増大 hcp Co Co +hcp.2.5 bcc bcc Fe Fe.5 J K (erg/cm 2 ) bcc Ni content, x (at.%) bcc Ni content, x (at.%) bcc Ni content, x (at.%) 1
13 垂直交換磁気異方性の界面 Co-Fe 組成依存性 Ru 5 nm Co-Fe 4 3Q.6 J K Mn-Ir 5 Pt 1 Ta 1 Si / SiO 2 annealg: 2 x 1h, 3 koe () Ru 5 nm Pt 1. x4 Co.6 Pt 1. Co-Fe 1.2 Mn-Ir 5 Pt 1 Ta 1 Ru 5 nm Pd 1. x4 Co.4 Pd 1. Co-Fe 1. Mn-Ir 5 Pd 1 Ta 1 Si / SiO 2 Si / SiO 2 annealg: 2 x 1h, 3 koe (perp.) J K perp and JK (erg/cm 2 ) Co J K perp (Co/Pd) J K perp (Co/Pt) bcc Fe-content Co 1-x Fe x, x (at.%) Fe FM=Co 7 Fe 3 で極大 : J perp K >.4 erg/cm 2 垂直, 面内交換磁気異方性のメカニズムは同じ? H. Takahashi et al., IEEE Trans. Magn. 48, 4347(212)
14 Uncompensated AFM sps: A clue to vestigate the microscopic orig of E.B. M FM H AFM W.H.Meiklejohn and C.P.Bean, PR 12 (1956) A.P.Malozemoff, PRB 35 (1987) N.C.Koon, PRL 78 (1997) Observations of UC-AFM sps K. Takano et al., PRL 79 (1997) 113; [CoO/MgO] 15, SQUID A. Hoffmann et al., PRB 66 (22) 2246; LaFeO 3 /Co, polarized neutron W.J. Antel Jr. et al., PRL 83 (1999) 1439; FeMn/Co, XMCD (TEY) T.P.A. Hase et al., APL 79 (21) 985; IrMn/Co, XMCD (scatter) H. Ohldag et al., PRL 87 (21) 24721; NiO/Co, XMCD (TEY) H. Ohldag et al., PRL 91 (23) 1723; NiO/Co, IrMn/Co, PtMn/CoFe, XMCD (TEY)
15 XMCD による非補償スピンの検出 TEY FM Magnetization Mn-Ir (111) X 線磁気円二色性 X-ray Magnetic Circular Dichroism, 元素選択性, 高感度 1) T.P.A. Hase et al., Appl. Phys. Lett. 79, 985 (21). 2) H. Ohldag et al., Phys. Rev. Lett. 91, 1723 (23). 3) M. Tsunoda et al., Appl. Phys. Lett. 89, (26). 4) M. Tsunoda et al., J. Appl. Phys. 11, 9E51 (27). 5) S. Brück et al., Phys. Rev. Lett. 11, (28). 6) I. Schmid, EuroPhys. Lett. 81, 171 (28). 7) S. Doi et al. Appl. Phys. Lett. 94, (29). Mn-Ir / FM 積層膜に非補償スピンが存在 非補償スピンに pned, rotatable 成分が存在. Pned 成分の割合と J K に相関 2,6). Pned 成分は存在せず, J K と対応しない 3). 非補償スピンは AF 界面だけでなく内部にも存在 5,7). 非補償スピンは AF/FM の界面数層に存在 4) ミクロスコピックな起源が不明 Roughness, Cantg,... 2M rot Mn-Ir/Co 2M p -Mn-Ir/Co 7 Fe 3 L1 2 -Mn 3 Ir/Co 7 Fe 3 J K =.55 erg/cm 2 J K = 1.18 erg/cm 2 Pned 成分 ( vertical offset) は存在しない. M p :.4 ML M rot :.52 ML 反強磁性非補償スピン中の pned 成分 ( vertical offset) が J K に比例 Mn XMCD (a.u.) -1 1 H (koe) -1 1 H (koe)
16 Absorption, -ln(i/i ) (a.u.) XMCD (a.u.) AFM layer thickness dependence of XMCD Mn.5 Co d AF : d AF : 2 nm 15 nm 1 nm 5 nm 2 nm.5 nm 2 nm 15 nm 1 nm 5 nm 2 nm Absorption, -ln(i/i ) (a.u.) XMCD / absorption (a.u.) XMCD (a.u.) d AF (ML) nm 15 nm 1 nm 5 nm 2 nm.5 nm Abs. 264 nm nm 1 nm 5 nm 2 nm XMCD BL25SU SPrg-8 3º X-ray Ta 1 nm Ru 1 nm Co-Fe 2.5 nm Mn-Ir d AF Ru 5 nm Ta 4 nm SiN membrane.5 nm Photon energy (ev).5 nm d AF (nm) Photon energy (ev) M. Tsunoda et al., J. Appl. Phys., 11, 9E51 (27).
17 Transmission XMCD of Mn-Ir / Fe-Co-Ni Mn-Ir / Ni 1-x Co x Mn-Ir / Co 1-y Fe y Mn-Ir / Fe 1-z Ni z.6 Mn L 3 Mn L 2 XMCD, (arb. unit) x x (at.%) Photon energy, h (ev) y (at.%) Photon energy, h (ev) 63 z (at.%) Photon energy, h (ev) ピーク強度変化 ピーク強度, 符号変化 ピーク強度, 符号変化
18 Mn 非補償スピンの FM 層組成依存性 Normalized XMCD XMCD at Mn at Mn-L L 3 edge 3 (%) Ni Calc. Exp. bcc hcp Co FM content (at.%) Fe Ni UC moment of Mn ( B ) Ir FM Mn AF スピンが傾くことで非補償スピンが生成 (calc.) 非補償スピンは界面の極数層にのみ存在 (calc.) bcc- の相境界で Mn MCD が変化 FM 層の結晶構造が非補償スピンに影響 FM 組成で非補償スピンの符号が変化 Mn 非補償スピンと Fe moment は反平行結合 Co, Ni moment は平行結合 L1 2 -Mn 3 Ir / -FM L1 2 -Mn 3 Ir / bcc-fm 第一原理計算 H. Takahashi et al., JAP 11, (211)
19 Fe structure of Mn-MCD spectrum 19 XMCD, ln(i/i ) Mn-Ir / Co 1-x Fe x Fe-orig Co-orig E ~.25 ev Photon energy (ev) x = 個の Fe 原子 1 個の Co 原子と接触 Fe Co 1 個の Fe 原子 2 個の Co 原子と接触 有効 UC-AF スピン MCD/Abs L1 2 -Mn 3 Ir / -Co 2 Fe 2 2 (MCD/Abs) Fe-orig Mn Ir 2 (MCD/Abs) Co-orig
20 非補償反強磁性スピンと J K の比較 Exp..6.5 Exp. bcc J K (erg/cm 2 ) XMCD/Abs (arb. unit) bcc-fm: Co 組成増加に伴い有効非補償スピン増加 J K と有効非補償スピンに正の相関 -FM: J K と有効非補償スピンは対応しない MCD (~ 界面スピン構造 ) が等しくても J K が大きく異なる FM 結晶構造で変化する他の要素が交換磁気異方性を決めている 古典的ハイゼンベルグモデルによる AFM / FM 積層膜のスピン構造計算
21 Mn-Ir / FM 積層膜の反強磁性層のスピン構造と交換磁気異方性 ( 計算モデル ) Model Hamiltonian bcc-fm (11) [111] -FM (111) H J S S i, j D S i 1ij i i i n i j 2 i, k g H B i J 2ik S app i S S i k [111] [11] J 1ij, J 2ik :Exchange constants (1st or 2nd nearest) *FM-AF sp 間の交換結合 J 1 terface : ~ J 1 J 2 terface : ~ J 2 [111] [11] D i H app : Sgle sp anisotropy energy : Applied field [11] 3Q-AFM (111) FM layer thickness : 9 MLs AFM layer thickness : 6 MLs bcc-fm (11) -AF (111) -FM (111) -AF (111) C. Mitsumata et al., EPL 99, 476 (212).
22 -Mn-Ir/FM 界面の交換積分と非補償反強磁性スピン Exp..6.5 Exp. bcc J K (erg/cm 2 ) 非補償スピン Co 組成.1 Uncompensated sp ( S / S) Calc. 非補償スピン J terface bcc J 1 terface / J1.6 g B H ex / J 1 J K XMCD/Abs (arb. unit).15 Calc..1.5 bcc..1.2 UC moment, S / S.3 Co 組成増加 (bcc) J terface 増加 UC sp 増加 C. Mitsumata et al., EPL 99, 476 (212).
23 -Mn-Ir/FM 積層膜の反強磁性層スピン構造 External Field J terface 1 /J 1 =.6 -FM bcc-fm (1 層毎 ) bcc-fm: FM スピンの方向によって AFM のスピン構造が大きく変化 AF 内部までスピンのねじれが誘導される C. Mitsumata et al., EPL 99, 476 (212).
24 まとめ L1 2 -Mn 3 Ir bcc Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の交換磁気異方性 FM 層の結晶構造 組成が交換磁気異方性に影響 Co-rich bcc-fm で大きな J K Jk (erg/cm 2 ) Mn 77 Ir 23 Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層界面の非補償スピン 非補償スピンは AFM / FM 極界面数層にのみ存在 非補償スピンは AF スピンが傾くことで生じる FM 層の結晶構造 組成が非補償スピンの大きさ 符号に影響 非補償スピンと面内交換磁気異方性の相関 bcc-fm: J K と XMCD/Abs. との間に正の相関 -FM: 単純な相関は認められない Ir Mn Fe content Co-Fe layer (at.%) Co, Ni 3Q-AFM / bcc-fm, -FM 積層膜のスピン構造計算 非補償スピンの大きさは界面の交換積分 J terface に対応 bcc-fm: FMスピン反転で大きなAFM スピンのねじれ構造 -FM: 界面付近にわずかなAFM スピンのねじれが誘起
1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L
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C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T
C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10
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C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
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M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
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コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂夫 ( 東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所教授 ) 2. 発表のポイント : 薄膜のコバルト層とパラジウム層の界面にて
C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid
C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,
(Microsoft PowerPoint - SPring-8_WS_kondo_\224z\225z\227p [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])
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E 7, 8, 9 E-1 A, B B A, A, A,, [Novoselov, et al., Science 306, 666, (2004)].,,,.,,,.,. (t a, t b, t c ), [PRB.74, 033413, (2006)],.,, t b /t a t c /t a 0.5., [Ni, etal., ACS, Nano2, 2301, (2008)],, [Zhou
15
15 1...1 1-1...1 1-1-1...1 1-1-2...3 1-1-3...4 1-1-4...5 1-2...5 1-2-1...5 1-2-2...6 1-3...6 1-3-1...6 1-3-2...7 1-3-3...8 1-3-4...8 1.4 Co-Pt...9 1.5...9 2...10 2-1...10 2-1-1...10 2-1-2...10 2-2...11
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2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している
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D-2 Co(S,Se) 2 A A, A, A Co(S 1 x Se x ) 2 S Se x.5 [1] CoS 2 Co(S 1 x Se x ) 2 SQUID FC-7 FC-77 1:1 CoS 2 S Se [1]H. Wada et al, Phys. Rev. B 74 (26)
![D-2 Co(S,Se) 2 A A, A, A Co(S 1 x Se x ) 2 S Se x.5 [1] CoS 2 Co(S 1 x Se x ) 2 SQUID FC-7 FC-77 1:1 CoS 2 S Se [1]H. Wada et al, Phys. Rev. B 74 (26)](/thumbs/88/114637481.jpg "D-2 Co(S,Se) 2 A A, A, A Co(S 1 x Se x ) 2 S Se x.5 [1] CoS 2 Co(S 1 x Se x ) 2 SQUID FC-7 FC-77 1:1 CoS 2 S Se [1]H. Wada et al, Phys. Rev. B 74 (26)")
D 3 D-1 Fe/Cr GMR A, B, C A, A, A, A, B, B, C, C, C Fe/Cr (Giant magnetoresistance:gmr) Fe Cr GMR, GMR [Fe(2 )/Cr(8 )] 2 3MeV C 4+ 1 15 /cm 2 GMR GPa P 2. GPa, -3 T B 3 T, T=, 77.4K Fig.1 [Fe(2 )/Cr(8
untitled
/, S=1/2 S=0 S=1/2 - S// m H m H = S G e + + G Z (t) 1 0 t G Z (t) 1 0 t G Z (t) 1 0 t SR G Z (t) = 1/3 + (2/3)(1-2 t 2 )exp(- 2 t 2 /2) G Z (t) 1-1/3 1/3 0 3/ 3/ t G Z (t)
CoPt 17
CoPt 17 1...1 1.1...1 1.2...1 1.2.1...1 1.2.2...1 1.2.3...2 1.3...3 1.4 CoPt...3 1.5...4 2...6 2.1...6 2.1.1...6 2.1.2...6 2.2...7 2.2.1 X...7 2.2.2...7 2.3...8 2.3.1...8 2.3.2...9 3 CoPt...10 3.1...10
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc
研究成果報告書
様式 C-9 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 24 年 4 月 9 日現在 機関番号 :4 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2~2 課題番号 :2276224 研究課題名 ( 和文 ) 強磁性 - 反強磁性型二次元ナノ構造体におけるスピン配列の解明 研究課題名 ( 英文 ) Study on spin arrangement in two dimensional
36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1
36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic
研究成果報告書
., SUS34 Inconel6, Cr,.,, Cr,. Cr Cr,., Cr,,,.,,,,.,.,,,.,,.,,., SUS34, Inconel6,. (). CoZrNb, -2 m.,., 9. Cu, 2 m. SUS34, Inconel6 SUS34, Inconel6, 5mm mmmm.,,,. (2) (HP8752A).,. - MHz, -2 dbm.,. (3)
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
磁性工学特論 第6回 磁気と電気伝導
磁性工学特論 050526 第 6 回磁気と電気伝導 佐藤勝昭 復習コーナー ( 第 5 回の問題 ) 反磁性体は磁界の変化を妨げるように逆向きの磁化を生じる それではなぜ強い静磁界のもとで反磁性体を浮かせることができるのか 単位質量あたりの反磁性磁化率を χ=-χ d とする 磁化 M が磁界 B の中にある時のポテンシャルエネルギーは E=-M B であるから 力は E の距離微分 F=-MdB/dz
PowerPoint Presentation
/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control
SPring-8_seminar_
X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)
èCémò_ï (1Å`4èÕ).pdf
Simulation of Magnetization Process in Antiferromagnetic Exchange-Coupled Films 19 1...1 1-1...1 1-2...1 1-2-1... 1 1-2-2 HDD...2 1-2-3 ( )...3 1-3 GMR... 4 1-4 ( )...5 1-5 SFMedia...5 1-6 (HAMR)...6 1-6-1...
03J_sources.key
Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
カイラル秩序をもつ磁性体のスピンダイナミクス
発表の流れ カイラル秩序をもつ磁性体 LiCuVO4 本研究の目的 一次元モデル 三次元モデル スピン フロップ転移の発現機構 三方向印加磁場に対するスピンの振る舞い LiCuVO4 の豊かな物性 1 スピンフラストレート鎖 Cu 2+ CuO2 chin J 1 =-1.6meV( 強磁性 ) J 2 =3.8meV( 反強磁性 ) LiCuVO4 結晶構造 [1] カイラル秩序 90 低磁場 (
スライド 1
研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立
untitled
1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm
新しい高密度記録技術──エネルギーアシスト磁気記録媒体──
富士時報 Vol.83 No.4 2010 新しい高密度記録技術 エネルギーアシスト磁気記録媒体 New High Density Recording Technology: Energy Assisted Recording Media 特 稲葉祐樹 Yuki Inaba 中田仁志 Hitoshi Nakata 井上大輔 Daisuke Inoue 次世代高記録密度技術の一つであるエネルギーアシスト磁気記録方式は,
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2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,
1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e
No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh
Microsoft PowerPoint - S-17.ppt
In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 m-matsumoto@jv.jp.nec.com 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の
様式 C-19 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 25 年 5 月 4 日現在 機関番号 :32641 研究種目 : 基盤研究 (C) 研究期間 :2010~2012 課題番号 :22560302 研究課題名 ( 和文 ) 磁気力顕微鏡による記録媒体磁化状態変化の高分解能観察およびデータ解析に関する研究研究課題名 ( 英文 ) Research on high-resolution
Microsoft PowerPoint - PF研究会-KEK (提出) [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - PF研究会-KEK (提出) [互換モード]](/thumbs/81/82851139.jpg "Microsoft PowerPoint - PF研究会-KEK (提出) [互換モード]")
ナノ構造の磁気異方性と電界効果 Magnetic anisotropy and its electric field effects in nano structures 小田竜樹 Tatsuki Oda Institute of Science and Engineering, Kanazawa University, Kanazawa, 90 119, Japan PF 研究会 磁性薄膜 多層膜を究める
untitled
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb
Microsoft PowerPoint - 物構研シンポ09（岡本-misumi）.ppt
物構研シンポジウム : 放射光 中性子 ミュオンを用いた表面 界面科学の最前線 共鳴軟 X 線散乱による 薄膜電子状態の研究 KEK 物構研 岡本 淳 2009. 11. 17 つくば国際会議場 共同研究者共鳴軟 x 線散乱および硬 x 線散乱測定 D. J. Huang C.-H. Hsu C. T. Chen (NSRRC, Taiwan) K. S. Chao S. W. Huang (National
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2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO
研究成果報告書
Fe 4 N (1) 3d MBE (2) AMR (3) BiFeO 3 150 C/cm 2 Fe 4 N > 400 Fe 0 0.7 M MTJ T TMR (4) MTJ Fe 4 4N Fe 4 N BiFeO 3 Fe 4 4N Fe N N Fe 4 N Mn 4 N Fe 4 N MTJ J Co x Fe 4-x N, Ni x Fe 4-x N x = 0 T TMR ~ 4,
1 1 1 1-1 1 1-9 1-3 1-1 13-17 -3 6-4 6 3 3-1 35 3-37 3-3 38 4 4-1 39 4- Fe C TEM 41 4-3 C TEM 44 4-4 Fe TEM 46 4-5 5 4-6 5 5 51 6 5 1 1-1 1991 1,1 multiwall nanotube 1993 singlewall nanotube ( 1,) sp 7.4eV
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
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1 2011.9.30 マルチスケールモデリングによる材料科学 研究会 Fe-Ni-S 鋼の粒界脆化機構 の第一原理計算 新日本製鐵 ( 株 ) 先端技術研究所 澤田英明 2 鉄鋼において粒界偏析が係わる事象 割れ スラブ表面割れ耐熱鋼再熱脆化 IF 鋼二次加工脆性 変態制御 Solute drag 効果 ( 粒成長抑制 ) 変態核生成抑制 ( 変態抑制 ) 強度 靭性 焼入れ性 3 粒界偏析に対する当社の取り組み
d > 2 α B(y) y (5.1) s 2 = c z = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u) c z y 1 d 2 + α c z y t y y t- s 2 2 s 2 > d > 2 T c y T c y = T t c = T c /T 1 (3.
![d > 2 α B(y) y (5.1) s 2 = c z = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u) c z y 1 d 2 + α c z y t y y t- s 2 2 s 2 > d > 2 T c y T c y = T t c = T c /T 1 (3.](/thumbs/92/109966568.jpg "d > 2 α B(y) y (5.1) s 2 = c z = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u) c z y 1 d 2 + α c z y t y y t- s 2 2 s 2 > d > 2 T c y T c y = T t c = T c /T 1 (3.")
5 S 2 tot = S 2 T (y, t) + S 2 (y) = const. Z 2 (4.22) σ 2 /4 y = y z y t = T/T 1 2 (3.9) (3.15) s 2 = A(y, t) B(y) (5.1) A(y, t) = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u), u = x(y + x 2 )/t s 2 T A 3T d S 2 tot S
untitled
NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10
SP8WS
GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ
rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD
新しい高密度記録技術──高K u 磁性材料──
特 新しい高密度記録技術 高 K u 磁性材料 New High Density Recording Technology: High K u Magnetic Materials 片岡弘康 Hiroyasu Kataoka 小宮山和弥 Kazuya Komiyama 高橋伸幸 Nobuyuki Takahashi 高い磁気異方性定数 K u を持った L1 1 型 CoPt 規則合金膜のスパッタ法での合成に,
2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4
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立命館 SR センター公開シンポジウム 軟 X 線分光を用いた二次電池研究の最先端 016.11.11 Li MnO 正極材料の酸素による電荷補償の 直接観察 大石昌嗣 / Masatsugu Oishi 徳島大学大学院理工学研究部機械科学系エネルギーシステム分野 1 Energy 次世代 LIB: 高電位, 高容量の理解 V (V) W (Wh/kg) Q (Ah/kg) V : 高電位での電気化学
磁気測定によるオーステンパ ダクタイル鋳鉄の残留オーステナイト定量
33 Non-destructive Measurement of Retained Austenite Content in Austempered Ductile Iron Yoshio Kato, Sen-ichi Yamada, Takayuki Kato, Takeshi Uno Austempered Ductile Iron (ADI) 100kg/mm 2 10 ADI 10 X ADI
報告されている (8) (11). このことは,L1 0 FePt のサイズを制御することにより,H c を決定している磁化過程を制御できることを意味している. しかしながら, 薄膜成長形態を利用したこれまでの研究では微粒子の形状やサイズの制御が困難であった. 本研究では, 微細加工法を用いることで
高保磁力 FePt 合金の磁化制御 関剛斎. はじめに今日の我々の生活は電子情報機器の高性能化および多機能化の恩恵を大いに受けており, それらの機器は利便性を追求しながら発展してきた. しかしながら, 近年のエネルギー問題や資源枯渇の危惧から, 電子情報産業においても省エネルギー, 環境調和, あるいは低炭素排出といった観点が重要視されるようになってきている. 中でも, 電子情報機器の根幹を成す記憶素子の低消費電力化を進めることが,
DiovNT
Co/Pt 磁性膜の Pt 層に誘起された磁気モーメントとその異方性鈴木基寛財団法人高輝度光科学研究センター 679 5198 兵庫県佐用郡三日月町光都 1 1 1 村岡裕明東北大学電気通信研究所 980 8577 宮城県仙台市青葉区片平 2 1 1 要旨 Co 膜上に積まれた数原子層の Pt 膜の磁性を,X 線磁気円二色性 (XMCD) 測定によって調べた Pt 膜に誘起された磁気モーメントの90
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
Microsoft PowerPoint _トポロジー理工学_海住2-upload用.pptx
平成 5 年度大学院共通授業 トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 44 スピントロニクスの基礎とその応用 本日の講義内容 スピントロニクスとは? スピンの発見 ( 世紀前半 磁性の歴史 ( 世紀前半 世紀後半 電荷 S -ee N スピン 北海道大学電子科学研究所海住英生 4 スピントロニクスの誕生とその基礎と応用 巨大磁気抵抗 (GM 効果 トンネル磁気抵抗 (TM 効果 スピン注入磁化反転 磁壁の電流駆動
(Jackson model) Ziman) (fluidity) (viscosity) (Free v
1) 16 6 10 1) e-mail: nishitani@ksc.kwansei.ac.jp 0. 1 2 0. 1. 1 2 0. 1. 2 3 0. 1. 3 4 0. 1. 4 5 0. 1. 5 6 0. 1. 6 (Jackson model) 8 0. 1. 7 10. 1 10 0. 1 0. 1. 1 Ziman) (fluidity) (viscosity) (Free volume)(
T c T>Tc T 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
日本磁気学会雛形（JP）
5aC 7 一軸異方性膜の異方性磁場と強磁性共鳴式 * 河本修, 松島康 ( レゾナ技研, * 岡山大学 ) Anisotropy field and ferromagnetic resonance equation of in-plane uniaxial anisotropy film O. Kohmoto, Y. Matsushima* (Resona Lab. *Okayama Univ.)
42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =
![42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =](/thumbs/73/68712188.jpg "42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =")
3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u
スライド 1
Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC
text_0821.dvi
Team DIANA 2007 8 21 2 ( ) ( ) Team DIANA 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 Janosfalvi Zsuzsa 1 1 3 1 5 1.1.................................. 5 1.2................................. 5 1.3.....................................
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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
着色斜め蒸着膜の光学的性質～無機偏光膜への応用
Anisotropy in the Optical Absorption of Metal-insulator Obliquely Deposited Thin Films The Application for an Inorganic Polarizer Motofumi Suzuki, Yasunori Taga Abstract An attempt has been made to clarify
元素分析
: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P
untitled
2011 02/25 Principle Application JST-CREST (Kotsugi Masato) MRAM High-k ReRAM MRAM CNT ReRAM Li-ion PEEM nm // Rapid increase of areal density in electro-devices Scanning electron microscope Spatial information
研究室ガイダンス(H28)福山研.pdf
1 2 3 4 5 4 He M. Roger et al., JLTP 112, 45 (1998) A.F. Andreev and I.M. Lifshitz, Sov. Phys. JETP 29, 1107 (1969) Born in 2004 (hcp 4 He) E. Kim and M.H.W. Chan, Nature 427, 225 (2004); Science 305,
スライド 1
STRJ WS: March5, 2010, 特別講演 1 電子情報技術産業協会 (JEITA) 半導体技術ロードマップ専門委員会 (STRJ) ワークショップ 2010 年 3 月 5 日コクヨホール スピン流とスピントロニクス 高梨弘毅 東北大学 金属材料研究所 Research 発表構成 1. イントロダクションスピン流とは何かスピントロニクスとスピン流の関係 2. 歴史的経緯 GMR/TMR
F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右
3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり
X線分析の進歩36 別刷
X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group
RAA-05(201604)MRA対応製品ver6
M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構
1 d 6 L S p p p p-d d 10Dq 1 ev p-d d 70 % 1: NiO [3] a b CI c [5] NiO Ni [ 1(a)] Ni 2+ d 8 d 7 d 8 + hν d 7 + e d 7 1(b) d 7 p Ni 2+ t 3 2g t3 2g e2
![1 d 6 L S p p p p-d d 10Dq 1 ev p-d d 70 % 1: NiO [3] a b CI c [5] NiO Ni [ 1(a)] Ni 2+ d 8 d 7 d 8 + hν d 7 + e d 7 1(b) d 7 p Ni 2+ t 3 2g t3 2g e2](/thumbs/93/111390883.jpg "1 d 6 L S p p p p-d d 10Dq 1 ev p-d d 70 % 1: NiO [3] a b CI c [5] NiO Ni [ 1(a)] Ni 2+ d 8 d 7 d 8 + hν d 7 + e d 7 1(b) d 7 p Ni 2+ t 3 2g t3 2g e2")
3 3.1 3.1.1 - d s p d 3d d d d d d d 10 23 d d 1954 [1] d d 1970 I-II-VI 2 II-VI II 1:1 I III CuAlS 2 Al 3+ d 5 Fe 3+ d 5 S 3p d 6 L L [2] configuration interaction: CI d 5 1 1 d 6 L S p p p p-d d 10Dq
Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6
NMR ESR NMR 5 Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6 Fig. (a) Na O-B -Si Na O-B Si Fig. (b) Na O-CaO-SiO Na O-CaO-B -Si. Na O-. CaO-. Si -. Al O
垂直磁化型 MRAM 用高スピン偏極率フルホイスラー合金薄膜の開発 東京工業大学工学院 高村陽太 東京都目黒区大岡山 Development of highly spin-polarized full-heusler alloy thin films for perpendicular
垂直磁化型 MRAM 用高スピン偏極率フルホイスラー合金薄膜の開発 東京工業大学工学院 高村陽太 東京都目黒区大岡山 2-12-1 Development of highly spin-polarized full-heusler alloy thin films for perpendicular magnetoresistive random access memory Yota Takamura
2
Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................
P 和佐田.indd
Gaussian 03 Q Gaussian 03 [1,2] Q U S 1 2 k B 1.38054 10 23 JK 1 T 1 2 Q el Q trans Q rot Q vib 3 Q Q el Q trans Q rot Q vib 1 24 5 U E el E trans E rot E vib S S el S trans S rot S vib 6 3 4 5 6 R R 1.987
PFニュース indd
最近の研究から Ｘ線回折法による Si(111) 表面における Ag の超構造および薄膜結晶配向性の研究 高橋敏男 1 * 田尻寛男 1 隅谷和嗣 1 秋本晃一 2 1 東京大学物性研究所 2 名古屋大学大学院工学研究科 Structural studies on superstructures and thin films of Ag on Si(111) by X-ray diffraction
PRESS RELEASE (2015/10/23) 北海道大学総務企画部広報課 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL FAX URL:
PRESS RELEASE (2015/10/23) 北海道大学総務企画部広報課 060-0808 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL 011-706-2610 FAX 011-706-2092 E-mail: kouhou@jimu.hokudai.ac.jp URL: http://www.hokudai.ac.jp 室温巨大磁気キャパシタンス効果の観測にはじめて成功 研究成果のポイント
スケーリング理論とはなにか? - --尺度を変えて見えること--
? URL: http://maildbs.c.u-tokyo.ac.jp/ fukushima mailto:hukusima@phys.c.u-tokyo.ac.jp DEX-SMI @ 2006 12 17 ( ) What is scaling theory? DEX-SMI 1 / 40 Outline Outline 1 2 3 4 ( ) What is scaling theory?
34_173
J. Magn. Soc. Jpn., 34, 73-77 (2) Influence of a Master Pattern Shape on Magnetic Printing Characteristi stics K. Tanabe, T. Saito, N. Sheeda, T. Komine, and R. Sugita Ibaraki University, 4-2-
研究室ガイダンス(H29)福山研v2.pdf
J.M. Kosterlitz and D.J. Thouless, Phys. 5, L124 (1972); ibid. 6, 1181 (1973) David J. Thouless J. Michael Kosterlitz + ρ T s KT D.J. Bishop and J.D. Reppy, PRL 40, 1727 (1978) ( ) = 2k B m2 T KT π 2 T
SPring8菅野印刷.PDF
20021219Spring-8 Ah/kg Ah/dm 3 Li -3.01 540 3860 2090 Na -2.71 970 1160 1140 Al -1.66 2690 2980 8100 Zn -0.76 7140 820 5800 Fe -0.44 7850 960 7500 Cd -0.40 8650 480 4100 Pb -0.13 11340 260 2900 H 2 0
SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
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email: takahash@sci.u-hyogo.ac.jp Spring semester, 2012 Outline 1. 2 / 26 Introduction : (d ) : 4f 1970 ZrZn 2, MnSi, Ni 3 Al, Sc 3 In Stoner-Wohlfarth Moriya-Kawabata (1973) 3 / 26 Properties of Weak
CRA3689A
AVIC-DRZ90 AVIC-DRZ80 2 3 4 5 66 7 88 9 10 10 10 11 12 13 14 15 1 1 0 OPEN ANGLE REMOTE WIDE SET UP AVIC-DRZ90 SOURCE OFF AV CONTROL MIC 2 16 17 1 2 0 0 1 AVIC-DRZ90 2 3 4 OPEN ANGLE REMOTE SOURCE OFF
名称未設定-2
Contents 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 2 21 22 i 23 24 25 26 27 28 29 3 31 32 33 34 35 36 37 38 39 4 41 42 43 44 45 46 47 48 49 5 51 52 53 54 55 56 57 ii 58 59 6 61 62 63 64 65 66 67 68
スライド 1
High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various
銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果
トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved
1.7 D D 2 100m 10 9 ev f(x) xf(x) = c(s)x (s 1) (x + 1) (s 4.5) (1) s age parameter x f(x) ev 10 9 ev 2
2005 1 3 5.0 10 15 7.5 10 15 ev 300 12 40 Mrk421 Mrk421 1 3.7 4 20 [1] Grassberger-Procaccia [2] Wolf [3] 11 11 11 11 300 289 11 11 1 1.7 D D 2 100m 10 9 ev f(x) xf(x) = c(s)x (s 1) (x + 1) (s 4.5) (1)
4 1 Ampère 4 2 Ampere 31
4. 2 2 Coulomb 2 2 2 ( ) electricity 2 30 4 1 Ampère 4 2 Ampere 31 NS 2 Fleming 4 3 B I r 4 1 0 1.257 10-2 Gm/A µ 0I B = 2πr 4 1 32 4 4 A A A A 4 4 10 9 1 2 12 13 14 4 1 16 4 1 CH 2 =CH 2 28.0313 28 2
第2章 スパッタ堆積条件と薄膜微細構造
2.1 緒言第 1 章で述べたように 垂直磁気記録媒体に限らず 記録媒体の磁気特性や記録再生特性は その薄膜微細構造に大きく影響される そのために記録層だけではなく 下地層や軟磁性裏打ち層といった 媒体を構成する各層の微細構造を制御する必要がある 本章では 一般に記録媒体を作製する手法として多用され 本研究においても用いているスパッタリング法により その成膜条件と作製された薄膜の微細構造並びに磁気特性
JAJP
Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12
EOS: 材料データシート(アルミニウム)
EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job