無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発パナソニック株式会社富士通株式会社独立行政法人情報通信研究機構

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1 無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発パナソニック株式会社富士通株式会社独立行政法人情報通信研究機構

HEMT(HFET) 構造技術 GaN 系 HEMT を用いた高出力ミリ波増幅器等の MMIC 技術等の研究開発を行う (a) 離島間通信距離 : 数十 km

2 電波資源拡大のための研究開発無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発研究開発概要 3 GHz 以下の周波数帯を利用している無線アクセス用伝送システムを未利用周波数帯へ移行するためミリ波帯において高耐圧特性を有する窒化ガリウム (GaN) 系 HEMT(HFET) 構造技術 GaN 系 HEMT を用いた高出力ミリ波増幅器等の MMIC 技術等の研究開発を行う (a) 離島間通信距離 : 数十 km 以上 (b) ビル間通信 3 GHz 以上のミリ波帯で動作する高出力増幅器 (PA) の開発が必須距離 : 数 ~ 数十 km 以上成果目標 GaN 系 HFET を用いたミリ波無線通信用送受信装置の実現

3 電波資源拡大のための研究開発力電力動作周波数出無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発研究開発内容 1 成果目標 GaN 系 HFET を用いたミリ波無線通信用送受信装置の実現 2 研究開発体系と研究開発手法ア ) イ ) 研究開発体系低コスト基板技術を用いた GaN 系 HFET の高周波化高出力化に関する研究開発高出力 GaN 系 HEMT の超高周波化 (7-9GHz) に関する研究開発研究開発手法低コストサファイア Si 基板を用いた GaN 結晶成長デバイス集積化技術開発高放熱 SiC 基板を用いた結晶成長絶縁ゲートデバイス開発 SiC 上集積化技術開発ウ ) GaN 系 HFET の超高周波化技術に関する先行研究開発超高周波化のための結晶成長における組成制御極微細ゲートデバイスプロセス開発実施体制研究責任者 : 田中毅ア ) 低コスト基板技術を用いた GaN 系 HFET の高周波化高出力化に関する研究開発担当 ( パナソニック ): 研究リーダー ( 上田酒井按田 ) 研究者 ( 西嶋他 5 名 ) 1W 1W 3GHz ア ) 低コストイ ) 高出力高周波ウ ) 超高周波化 1GHz イ ) 高出力 GaN 系 HEMT の超高周波化 (7-9GHz) に関する研究開発担当 ( 富士通 ): 研究リーダー ( 吉川 ) 研究者 ( 常信今西牧山他 11 名 ) ウ )GaN 系 HFET の超高周波化技術に関する先行研究開発担当 (NICT): 研究リーダー ( 広瀬 ) 研究者 ( 松井渡邊遠藤山下 ) 運営委員会野島俊雄 ( 北大 ) 江川孝志 ( 名工大 ) 葛原正明 ( 福井大 ) 田中毅 ( 松下 ) 吉川俊英 ( 富士通 ) 松井敏明 (NICT)

4 総務省無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発ア ) 低コスト基板技術を用いた GaN 系 HFET の高周波化高出力化に関する研究開発パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

結晶成長技術 GaN 系 HFET 構造の結晶成長に関する研究開発カテゴリー結晶成長技術成果 6インチ低コスト基板上で全面鏡面

4%) Si 基板上で業界トップレベルの移動度 1653cm 2 /Vs 実現 6インチ基板を多数枚同時成長可能な独自仕様 MOCVD 装置を導入し

サファイア基板上で検討 6 インチ GaN 結晶ウエハの外観写真 Si 基板上シート抵抗 ±6.

μ(cm2/vsec) 2 18 16 14 12 1 8 6 4 2 Si 上 6 インチ結晶の電気的特性 1653cm 2 /Vsec 1.

5 結晶成長技術 GaN 系 HFET 構造の結晶成長に関する研究開発カテゴリー結晶成長技術成果 6インチ低コスト基板上で全面鏡面クラックフリー成長及び良好な面内均一性を確認 ( シート抵抗面内分布 :Si 上 6.4% サファイア上 8.4%) Si 基板上で業界トップレベルの移動度 1653cm 2 /Vs 実現 6インチ基板を多数枚同時成長可能な独自仕様 MOCVD 装置を導入し良好な均一性再現性を確認低コスト GaN デバイスを用いたミリ波送受信システム IF/BB 変調器発振器復調器 LNA PA Si 基板上で検討サファイア基板上で検討 6 インチ GaN 結晶ウエハの外観写真 Si 基板上シート抵抗 ±6.4% サファイア基板上 Si 上 GaN 結晶構造シート抵抗 ±8.4% エシート抵抗 ( 規格化 ) μ(cm2/vsec) Si 上 6 インチ結晶の電気的特性 1653cm 2 /Vsec 1.E ウエハ A ウエハ B ウエハ C インチウェハ内位置 (mm) 中心からの距離 (mm) 1.3E E+13 9.E+12 7.E+12 5.E+12 3.E+12 6 インチ多数枚 MOCVD 成長時面内均一性 Ns(cm-2)

6 デバイス技術 GaN 系 HFET の高周波化高出力化に関する研究開発カテゴリーデバイス技術成果 MOCVD 成長装置にて結晶成長後に単結晶 SiN 膜を成長する In situ SiN 膜を用いた MIS 型 HFET を提案短ゲート長デバイスにおいて業界最高レベルの fmax 23GHz と高耐圧動作を実現多結晶 AlN 膜による表面熱放散パッシベーションを提案熱抵抗の低減高周波出力の増加を確認 Si 基板上の送信用 GaN デバイスにおいて 26.5GHz で最大出力 1.7W を確認 In-situ SiN 膜を用いた MIS-HFET 構造と高周波特性ソースゲート AlGaN GaN In situ SiN ドレイン AlN パッシベーションによる放熱改善スパッタ法による AlN ( 熱伝導率 SiN の約 2 倍 ) ソース AlGaN GaN ゲートドレイン Si 基板上 GaN HFET 及びパワー特性 Pout (dbm) 45 Pout 4 Gain 35 3 Psat=1.7W Gain (db) 利得 (db) V G =-3.9V, V D =2V I d =19mA/mm MSG/MAG f max =23GHz f T =71GHz h 21 2 熱抵抗 Rth ( /W) SiN SiN の約 1/2 AlN 25 f=26.5ghz Vd=55V Vg pulse Id=166mA/mm Pin (dbm) GaN-HFET 周波数 (GHz) AlN 膜厚 (µm) 入力整合出力整合

集積化技術 GaN 系 HFET の集積化に関する研究開発カテゴリー集積化技術成果

サファイア基板上にマイクロストリップ線路を集積化した GaN MMIC の高利得動作を確認 (28 年 6

MIM 線路キャパシタ信号線ビアを用いた新しい GaN チップサイズパッケージ (CSP) サファイア基板

1 24 26 28 3 3 段増幅器 MMC のチップ写真増幅器利得の周波数特性 25 2 15 提案する

7 集積化技術 GaN 系 HFET の集積化に関する研究開発カテゴリー集積化技術成果低損失伝送線路を集積化するために高出力短パルスレーザを用いたサファイア基板へのビアホール形成技術を提案サファイア基板上にマイクロストリップ線路を集積化した GaN MMIC の高利得動作を確認 (28 年 6 月新聞発表 ) サファイア基板をパッケージの一部として使用し寄生インダクタンス低減接地面安定化が可能なチップサイズパッケージ技術を新たに提案その高利得動作を確認サファイア基板上のビアホールを有する GaN-MMIC ビアホール短ゲート MIS-HFET マイクロストリッフ MIM 線路キャパシタ信号線ビアを用いた新しい GaN チップサイズパッケージ (CSP) サファイア基板 5μm ビアホール 28 年 6 月新聞発表 :26GHz 帯で業界最高利得 22dB 実現 Gain (db) 段増幅器 MMC のチップ写真増幅器利得の周波数特性提案する GaN CSP の構造図 GaN CSP の実装写真 Gain (db) GaN 1 段増幅器 CSPのチップ写真 1 Si キャップなし 8 6 Si キャップあり増幅器利得の周波数特性

GaN 増幅器搭載のブースターモジュール実証実験機通信中の様子 (TV 電話 ) 実用化技術 GaN 系 HFET を用いた長距離送受信実証実験カテゴリー実用化技術成果 25GHz 帯小電力データ通信装置 ( パナソニック既存商品 ) をベースにし GaN 電力増幅回路を含むブースタモジュールを付加した実証実験機を作製情報通信研究機構と共同で東京都庁 - 田無タワー間 16.

Amp DC 電源 VG VD VG VD Driver PA スペアナブースター Iso CPL WR42 項目小電力データ通信システム ( メガビットエアー ) 今回の実証実験装置送信電力 1mW (± dbm).5w (+27dBm) 伝送方式周波数伝送速度直交周波数分割多重 (OFDM) 方式 (1 次変調 : BPSK / QPSK / 16-QAM) 24.85 ~ 25.

8 GaN 増幅器搭載のブースターモジュール実証実験機通信中の様子 (TV 電話 ) 実用化技術 GaN 系 HFET を用いた長距離送受信実証実験カテゴリー実用化技術成果 25GHz 帯小電力データ通信装置 ( パナソニック既存商品 ) をベースにし GaN 電力増幅回路を含むブースタモジュールを付加した実証実験機を作製情報通信研究機構と共同で東京都庁 - 田無タワー間 16.1km で無線伝送実験を実施 GaN デバイスによる準ミリ波長距離伝送を実証通信方式の制限なく晴天時には 1W 出力デバイスにより最大で 84km の長距離通信が可能実証実験機の基本構成実証実験機の主要諸元送受信機本体 WR42 Coax/ WG CIRC WG V-ATT Drv. Amp DC 電源 VG VD VG VD Driver PA スペアナブースター Iso CPL WR42 項目小電力データ通信システム ( メガビットエアー ) 今回の実証実験装置送信電力 1mW (± dbm).5w (+27dBm) 伝送方式周波数伝送速度直交周波数分割多重 (OFDM) 方式 (1 次変調 : BPSK / QPSK / 16-QAM) ~ GHz (2MHz 間隔の 12 チャンネル ) 36, 24, 18, 12, 9, 6 Mbps 25.7 GHz 36, 24, 18, 12, 9, 6 Mbps VG1 VD1 VG2 VD2 (VG3) (VD3) DC 電源 GaN PA モジュール 5Ω(WG) Fun DC 電源 or LNA 水冷ポンプ WR28 ビス位置変換用治具最大伝送距離約 3 km 約 2 km (*) 受信感度 -66 dbm -75 dbm アンテナ利得アンテナ半値幅 32 dbi 約 4 度送信 32 dbi 受信 36 dbi 送信約 4 度受信約 3 度

9 総務省無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発イ ) 高出力 GaN 系 HEMT の超高周波化 (7-9GHz) に関する研究開発富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

最終目標開発成果 1 高 fmax 化に関する研究開発 GaN 系 HEMT で Fmax >2 GHz 以上で 7-9 GHz で動作可能な Fmax を得る MMIC 化に向けて高歩留まり化技術の開発を行う (1) Y 型ゲート構造を開発し ( 図 2-1) さらに改良を加えてゲート長 6 nm において MSG=12 db@7 GHz ( 図 2-2) 同時に f MAX =25-3

10 最終目標開発成果 1 高 fmax 化に関する研究開発 GaN 系 HEMT で Fmax >2 GHz 以上で 7-9 GHz で動作可能な Fmax を得る MMIC 化に向けて高歩留まり化技術の開発を行う (1) Y 型ゲート構造を開発し ( 図 2-1) さらに改良を加えてゲート長 6 nm において MSG=12 db@7 GHz ( 図 2-2) 同時に f MAX =25-3 GHz と世界最高性能を得た ( 図 2-2) 7-9 GHz で動作可能な性能を実証 (2) ショットキーリセスゲート構造のミリ波への適用技術を開発しオン抵抗を 2% 低減し gm25% 増加 ( 図 2-3) (3) MMIC の高歩留まり化に向けて面内分布を検討し MMIC 試作可能な Vth 分布を得た ( 図 2-4) n-gan n-algan i-gan S.I. SiC Sub. Gain (db) H 21 2 MSG, MAG (G amax ) V ds = 1 V G u V gs = -1, -1.2V 改良 Y 型ゲート (L g =.6µm) 従来 Y 型ゲート (L g =.8µm) 12 db@7 GHz f max =25-3 GHz gm (ms/mm) 従来 3 層 Cap リセスケート gm 25% 増加 V gs (V) 図 2-3 リセスゲート構造の特性図 2-1 Y 型ゲートの構造 f T >1 GHz 図 2-2 Y 型ゲート構造の高周波性能発振図 2-4 MMIC プロセスの Vth 面内分布特性

最終目標開発成果 2 高耐圧化に関する研究開発 MIS 型ゲート電極構造で短ゲート化を行い耐圧 1 V 以上を実証 MMIC 化に向けて高信頼度化を実証する (1) MIS 型短ゲートデバイスを開発し目標の耐圧 1 V を達成 ( 図 2-5) (2) high-k 絶縁膜をミリ波で使用可能であることを実証 ( 図 2-6) (3) NiO をゲートエッジに用いた新規ゲート側面構造 ( 図

11 最終目標開発成果 2 高耐圧化に関する研究開発 MIS 型ゲート電極構造で短ゲート化を行い耐圧 1 V 以上を実証 MMIC 化に向けて高信頼度化を実証する (1) MIS 型短ゲートデバイスを開発し目標の耐圧 1 V を達成 ( 図 2-5) (2) high-k 絶縁膜をミリ波で使用可能であることを実証 ( 図 2-6) (3) NiO をゲートエッジに用いた新規ゲート側面構造 ( 図 2-7) を開発 (4) 簡易信頼度試験を行い劣化のないことを実証 ( 図 2-8) Lg =.1 µm 図 2-5 ALD を用いた high-k 絶縁膜の短ゲートデバイスの耐圧性能 Gain (db) Lg=.1µm U Gamax H f T =7GHz 図 2-6 ALD を用いた短ゲートデバイスの高周波性能 f max =16GHz ソースゲートドレイン酸化物窒化珪素 n 型窒化ガリウム n 型窒化アルミニウムガリウム窒化ガリウム NiO バリア 2 次元電子ガス g m (ms/mm) 通電前通電後 L g =.12µm V ds =2V 半絶縁性炭化珪素基板 V gs (V) 図 2-7 NiOバリア構造図 2-8 通電試験結果

最終目標開発成果 3 ミリ波設計技術に関する研究開発 7GHz 帯で出力電力 1W 程度の高出力増幅器 MMIC 及び出力電力 2mW 程度の電圧制御発振器 MMIC を設計し高帯域化する (1) 接地コプレーナ型 1 W 級 MMIC ( 図 2-9,2-1) と 2 mw 電圧制御発振器 (VCO) ( 図 2-11,2-12) の設計完了 (2) 受信側に適用可能な低雑音高利得増幅器

572 plot_vs(gain, RFpower)=1.572 Output Power(dBm) & Gain(dB) 35 3 25 2 15 1 5 Output Power 図 2-1 高出力増幅器の出力予測 @3 V Gain -1-5 5 1 15 2 25-15 3 RFpower P.A.E. m14 indep(m14)= 3. plot_vs(pae1, RFpower)=.

12 最終目標開発成果 3 ミリ波設計技術に関する研究開発 7GHz 帯で出力電力 1W 程度の高出力増幅器 MMIC 及び出力電力 2mW 程度の電圧制御発振器 MMIC を設計し高帯域化する (1) 接地コプレーナ型 1 W 級 MMIC ( 図 2-9,2-1) と 2 mw 電圧制御発振器 (VCO) ( 図 2-11,2-12) の設計完了 (2) 受信側に適用可能な低雑音高利得増幅器 ( 図 2-13) を設計 Vd1 Vd2 Vg1 Vd3 Vg2 Vd4 Vg3 Vd5 Vg4 Vd6 Vg1 Vd1 Vg2 Vd2 Vg3 Vd3 IN 図 2-9 設計した高出力増幅器のレイアウト例 m13 m15 indep(m13)= 3. indep(m15)= 3. plot_vs(dbm(vout[::,1],zload), RFpower)= plot_vs(gain, RFpower)=1.572 Output Power(dBm) & Gain(dB) Output Power 図 2-1 V Gain RFpower P.A.E. m14 indep(m14)= 3. plot_vs(pae1, RFpower)= m m141 m15 power-added efficiency (%) OUT 図 2-11 設計した VCO のレイアウト例 Pout[dBm] VCO 予想出力電力 ( 理想時 ) dbm GHz freq[ghz] 図 2-12 VCO V OUT S パラメータ (db) S21 m6 freq= 76.5GHz m6 db(s(2,1))= 周波数 (GHz) S11 S 図 2-13 低雑音高利得増幅器の周波数特性予測

最終目標開発成果 K-factor 1 9 8 7 6 5 4 3 2 1 4 MMIC 作製と評価に関する研究開発図 2-14 基板厚 1 µm の Via

基板厚 1 µm の 3 インチ Via プロセスを確立し Ls=2 ph の性能を得た ( 図 2-14) (2) 4 段 MMIC を試作し Via による安定化 ( 図

8 db@8 GHz ( 図 2-16) を GaN-HEMT で初めて実証目標の受信側 MMIC の性能を実証した (3) 高出力 3 段 MMIC を試作し ( 図 2-17)

5GHz の出力の世界最高性能を確認した ( 図 2-18 2-19) 目標の 1W を上回る成果であり送信側 MMIC の性能を実証した Via で安定化 With via

8 db@8 GHz 周波数 (GHz) 図 2-16 試作した受信側 MMIC の雑音性能図 2-17 接地コプレーナ型高出力 3 段 MMIC 写真出力 (dbm), 利得

13 最終目標開発成果 K-factor MMIC 作製と評価に関する研究開発図 2-14 基板厚 1 µm の Via プロセス後のウェハ写真周波数 (GHz) 7GHz 帯で出力電力 1W 程度の高出力増幅器 MMIC を試作する送受信可能な MMIC を試作する (1) 基板厚 1 µm の 3 インチ Via プロセスを確立し Ls=2 ph の性能を得た ( 図 2-14) (2) 4 段 MMIC を試作し Via による安定化 ( 図 2-15) と利得 25.5 db@76.5 GHz の世界最高性能を確認 N F =3.8 db@8 GHz ( 図 2-16) を GaN-HEMT で初めて実証目標の受信側 MMIC の性能を実証した (3) 高出力 3 段 MMIC を試作し ( 図 2-17) 1.3W@76.5GHz の出力の世界最高性能を確認した ( 図 ) 目標の 1W を上回る成果であり送信側 MMIC の性能を実証した Via で安定化 With via Without via 図 2-15 Via による W 帯動作安定化不安定領域 N F =3.8 db@8 GHz 周波数 (GHz) 図 2-16 試作した受信側 MMIC の雑音性能図 2-17 接地コプレーナ型高出力 3 段 MMIC 写真出力 (dbm), 利得 (db) 実線シミュレーション 16 4 破線測定値 Input Power(dBm) 図 2-18 試作した高出力 MMIC の出力特性 Psat (W) 入力電力 (dbm) This work GaN HEMT GaAs HEMT InP (m)hemt 周波数 (GHz) P out =1.3 GHz 図 2-19 試作した MMIC のベンチマーク効率 (%)

14 最終目標開発成果 4 MMIC 作製と評価に関する研究開発 7GHz 帯で 2mW 程度の電圧制御発振器 (VCO)MMIC を試作する MMIC を高帯域化する (4) VCO は出力 65 mw@71.1 GHz を得た ( 図 2-2,2-21,2-22) 最終目標の 2 mw を上回る性能であり送信側 MMIC の性能を実証した (5) 送信側 MMIC の帯域として 1GHz を確認した ( 図 2-23) 4 図 2-2 設計した VCO の写真拡大 Output power (dbm) 発振周波数 =71.1 GHz 出力 =18.13 dbm(65 mw) 消費電力 =1.23 W GaN HEMT GaAs HEMT/HBT InP (m)hemt/hbt CMOS/SiGe 今回の成果バッファ付図 2-22 試作した VCO のベンチマーク Pout(dBm) 周波数 (GHz) 1 大信号周波数特性 GHz 以上 Gain(dB),P.A.E.(%) 周波数 (GHz) 図 2-21 試作した Via の性能周波数 (GHz) 15 1 :Psat :Gain :P.A.E. :offset Linear Gain Pin(dBm) 図 2-23 帯域 1 GHz 以上の確認 3

15 総務省無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発ウ )GaN 系 HFET の超高周波化技術に関する先行研究開発独立行政法人情報通信研究機構

GaN 系 HFET の超高周波化技術に関する先行研究開発 (1) 1 分子線エピタキシー法 (MBE) による新規 HFET 構造の実現 RF プラズマ MBE により高 Al 組成障壁層を有する AlGaN/GaN 系 HFET 構造の作製に成功 2 超高周波化に向けたデバイスプロセスの開発触媒化学気相堆積法 (Cat-CVD) による窒化シリコン SiN 表面保護膜

16 GaN 系 HFET の超高周波化技術に関する先行研究開発 (1) 1 分子線エピタキシー法 (MBE) による新規 HFET 構造の実現 RF プラズマ MBE により高 Al 組成障壁層を有する AlGaN/GaN 系 HFET 構造の作製に成功 2 超高周波化に向けたデバイスプロセスの開発触媒化学気相堆積法 (Cat-CVD) による窒化シリコン SiN 表面保護膜絶縁膜形成技術の開発電子ビームリソグラフィ技術およびデバイスプロセスを改良ゲート長 Lg を 25 nm まで微細化 Gain (db) H 21 MSG U g D モード f max (MSG) = 16 GHz f max (U g ) = 133 GHz MSG/ MAG U g H 21 Eモード f max (MSG/MAG) = 149 GHz f max (U g ) = 123 GHz Gain (db) h 21 2 V D = 4 V V G = -3.8 V MSG V D = 1 V V G = -3.8 V f max (MSG) = 227 GHz 1 f T = 17 GHz f T = 87 GHz D E モード AlN(2.5 nm)/gan 系 HFET 構造およびデバイス特性 H-SiC 基板上 6 nm ゲート AlGaN/GaN 系 MIS-HFET 構造およびデバイス特性世界最高水準の遮断周波数 f T = 19 GHz 最大発振周波数 f max = 227 GHz を実現 1 f T = 19 GHz 1 1 1

17 GaN 系 HFET の超高周波化技術に関する先行研究開発 (2) 3 ミリ波帯域における高出力特性の実現ソースドレイン間距離 L SD を.5 μm まで短縮低抵抗化高出力化を実現 Lg = 45 nm Wg = 1 μm L SD = 1. μm の MIS-HEMT において f T = 188 GHz を達成 GaN 系 MIS-HEMT において 1.7 W/mm ( 周波数 6 GHz).22 W/mm ( 同 85 GHz).16 W/mm( 同 9 GHz) を達成論文等で報告されている値を超える出力特性を実現 Output power density (W/mm) V W 帯入出力特性評価システム GaN デバイス H2 SiC GaN Si Sapphire poly SiC H 周波数 6 GHz 以上のミリ波帯において高出力電力密度を達成 GaN 系トランジスタの出力電力密度の周波数依存性

18 本プロジェクト研究開発成果のインパクトミリ波で初めて GaN を用いた長距離通信を実証開発した実証実験機従来の進行波管システム従来パナソニック製品 3km GaN モジュール進行波管 GaN デバイスでの最大可能距離 84km 1W 出力デバイスで最大 84km の通信が可能 (25GHz) 196 9cm 3 cm 3 送信モジュールの体積を 1/2 以下に送信システムを MMIC 化し小型化低消費電力化従来の W 帯増幅器開発した W 帯 GaN-MMIC 従来技術品と同等性能を GaN MMIC 1 個で実現サイズは約 1 分の 1 重量は 1, 分の 1 以下消費電力は 7% 以上減

GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject

高耐圧 GaN パワーデバイス開発松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection

無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発 パナソニック株式会社富士通株式会社独立行政法人情報通信研究機構

無線アクセス用ミリ波帯無線伝送システムの実現のための基盤技術の研究開発パナソニック株式会社富士通株式会社独立行政法人情報通信研究機構