Vol. 66, 12, 特集 : 最新の表面界面分析回折格子を利用した小角 X 線散乱イメージング - 表面界面構造解析へ向けて - 矢代航 a,b a 東北大学多元物質科学研究所 ( 宮城県仙台市青葉区片平 2 1 1) b JST ERATO( 98

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あきおむこやま
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1 Vol. 66, 1, 特集 : 最新の表面界面分析 - 表面界面構造解析へ向けて - 矢代航 a,b a 東北大学多元物質科学研究所 ( 宮城県仙台市青葉区片平 1 1) b JST ERATO( 宮城県仙台市青葉区片平 1 1) Small-Angle X-ray Scattering Imaging Using Gratings - Towards Surface and Interface Structure Analysis - Wataru YASHIRO a,b a Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials(IMRAM), Tohoku University(-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi ) b JST-ERATO(-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi ) Keywords : X-ray Imaging, Small-Angle X-ray Scattering, Grating Interferometry, Surface and Interface, X-ray Reflectivity 1. はじめに X 線は 1895 年にレントゲンにより発見されて以来, 多くの計測技術に応用されてきた X 線は波長が Å(10 m) 程度の電磁波であり, 原子間距離と同程度であるため, 小さい方は原子スケールから, 大きい方はマイクロメートルスケールに至る広いスケールの構造解析に利用されてきた (X 線回折 ( X-ray Diffraction(XRD)), 小角 X 線散乱 (Small-Angle X-ray Scattering(SAXS)) など ) また, 物質との相互作用が小さいため, 透過力が高く, 物体内部のイメージングにも広く用いられてきた (X 線ラジオグラフィ,X 線トモグラフィなど ) 表面計測技術については,X 線の屈折率が 1 よりわずかに小さいため, 微小角入射配置で全反射させることによって侵入深さを抑制する方法がよく用いられる ( 微小角入射 X 線回折 (Grazing-Incidence X-ray Diffraction(GIXD)), 全反射蛍光 X 線分析 (Total Reflection X-ray Fluorescence(TXRF)) など ) 鏡面反射を利用した X 線反射率法 (X-ray Reflectivity(XRR)), 微小角入射配置で小角 X 線散乱強度を計測する微小角入射小角 X 線散乱法 (Grazing-Incidence Small-Angle X-ray Scattering (GISAXS)), 結晶の二次元周期性に起因する散乱を利用する CTR(Crystal Truncation Rod) 散乱法などの代表的な構造解析法が知られているこれらの手法は主に回折散乱 X 線の振幅を計測するものであるが, 近年,X 線の位相に着目した計測手法の開発が盛んに行われている X 線は電磁波であるため, 振幅と位相の情報を持っている振幅の絶対値の二乗が測定される強度に対応するため, 通常は位相の情報は失われてしまうが, 数値計算により, あるいは実験的に位相の情報を得ることが可能である X 線回折における位相回復の利点は, 電子密度分布をモデルフリーに推定することができるようになることで 53 ある回折 X 線の位相は, オーバーサンプリングされたデータに対して反復的位相回復のアルゴリズムを適用することで, 計算によって求めることができる一方で,X 線イメージングにおいて位相を利用する利点は, 高感度化が実現できることにあるすなわち,X 線の吸収の断面積は, 位相のそれに比べて数桁 ( 軽元素に対しては 3 桁 ) 大きいことが知られているため, 非常に高感度なイメージングが可能となる X 線イメージングにおいて,X 線が試料を透過したときの位相の変化 ( 位相シフト ) を利用するには, 主に干渉計が用いられるしたがって, 干渉性の高い, すなわちコヒーレンス度 ( 特に空間コヒーレンス度 ) の高い第三世代の高輝度シンクロトロン放射光源が利用できるようになった 1990 年代半ばから, X 線位相イメージングの研究が盛んに行われるようになった当初は, シンクロトロン放射光源を利用した方法が主であったが, 今世紀に入って, 回折格子を利用した X 線干渉計 (X 線回折格子干渉計 ) が相次いで提案されたこの方法は, 低輝度の実験室 X 線源でも実現できるため, 医療応用や非破壊検査など, 汎用機器の研究開発競争が世界的に盛んに行われている本稿では, 最近我々が開発を進めている X 線回折格子干渉計を利用した新しい表面計測手法について紹介する本手法は,X 線回折格子干渉法の位相計測技術と, 従来からある X 線反射率法の技術を融合したものであり,X 線反射率の実空間分布だけでなく, 微小角入射小角 X 線散乱に対応する, 表面に平行な方向の微小構造の実空間分布が可視化できる優れた方法である実験室の通常フォーカス低輝度 X 線源の利用や, 白色シンクロトロン放射光による高速動画の撮影も原理的に可能であり, 将来有望な手法と期待される

604 トックス表面技術.1 X 線回折格子干渉計. 原理図 1 に X 線回折格子干渉計の実験配置の例を示すこの光学系は X 線 Talbot 干渉計と呼ばれており, 光源, 試料, 二枚の回折格子から構成される X 線回折格子干渉計においては, いわゆる Talbot 効果と呼ばれる現象を利用するこの現象は 19 世紀にイギリスの H. F.

この自己像の変形を何らかの方法によって検出すれば, 試料による X 線の位相シフトを画像として求めることができる自己像を直接解像して, この変形を検出することも可能であるが, 通常は大面積のイメージングをハイスペックの画像検出器を用いずに実現するために, 自己像に吸収型回折格子を重ねて, モアレ縞として検出する X-rays G1 G Δx 0 th order 1 st order

2 604 トックス表面技術.1 X 線回折格子干渉計. 原理図 1 に X 線回折格子干渉計の実験配置の例を示すこの光学系は X 線 Talbot 干渉計と呼ばれており, 光源, 試料, 二枚の回折格子から構成される X 線回折格子干渉計においては, いわゆる Talbot 効果と呼ばれる現象を利用するこの現象は 19 世紀にイギリスの H. F. Talbot により発見された現象で, 周期的な物体に空間的に可干渉な光を照射すると, 下流側の特定の距離にこの物体の像 ( 自己像と呼ばれる ) が形成される現象である X 線回折格子干渉計では, 空間的に可干渉な X 線を回折格子に照射するその結果生じた回折格子の自己像は, 試料による X 線の屈折, すなわち試料による X 線の位相シフトに伴う伝播方向の変化に非常に敏感である従って, この自己像の変形を何らかの方法によって検出すれば, 試料による X 線の位相シフトを画像として求めることができる自己像を直接解像して, この変形を検出することも可能であるが, 通常は大面積のイメージングをハイスペックの画像検出器を用いずに実現するために, 自己像に吸収型回折格子を重ねて, モアレ縞として検出する X-rays G1 G Δx 0 th order 1 st order Detector pixel 図 1 X 線回折格子干渉計の一つである X 線 Talbot 干渉計の光学系の例 X 線回折格子干渉法は, 低輝度実験室 X 線源でも機能するなど多くの特長を有するが, マルチモダリティも特長の一つであるすなわち, 一回の撮影で複数枚の独立な情報を有する画像を取得することができる通常, これらの画像は縞走査法か, あるいは Fourier 変換法により求める図に縞走査法の例を示す縞走査法においては, 回折格子 (Talbot 干渉計の場合は, 二枚の回折格子のうちの一枚 ) を周期より細かいステップで平行移動することを繰り返して, 複数の画像を得るこれらの画像から離散 Fourier 変換の計算によって, 図 (c),( d),( e) のような三枚の画像が得られるすなわち, 回折格子を走査したときの, 画像検出器のある 1 画素における強度は, 図のように近似的にサイン関数的に変化するこのサイン関数の平均値を画像化すれば, すなわち試料があるときのサイン関数の平均値の画像を試料がない場合の画像で除することによって, 透過率像 (c) が求まるまた, 試料を挿入したことによるサイン関数の位相の変化を画像化すれば,X 線の屈折による伝播方向の変化に比例する ( 位相シフトの微分 ( 微分位相 ) に比例する ) 画像 ( モアレ位相像, 微分位相像 ; 図 (d)) が求まるさらに, 近年注目されているのが, 図 (e) のビジビリティコントラスト像 ( ダークフィールド像, 小角 X 線散乱コントラスト像などとも呼ばれる ) であるこの画像は, サイン関数の振幅を平均で除したビジビリティと呼ばれる量 ( 図において (I max - I min )/ (I max + I min ) で計算される値 ) を画像化に用いたものであり, 試料がある場合のビジビリティの画像を試料がない場合の画像で除することによって求められる図 (c),( d),( e) はミニトマトを撮像した例であるが, 図 (c),( d) では描出できていない内部の繊維状の構造が図 (e) では描出できているのが分かるこのように, ビジビリティコントラスト像は, 透過率像, 微分位相像では描出できない構造が画像化できることから, 医療診断や非破壊検査など, 多くの応用が期待されている I ( x, y) I max I min Image number (c) (d) (e) 図縞走査法による三枚の独立な画像の取得 (5 ステップの場合の例 ) Talbot 干渉計で得られるモアレ縞 ( b) モアレ縞に対して縞走査法を適用したときの, 画像検出器 1 画素における強度変化縞走査法によって得られたミニトマトの (c) 透過率像,(d) モアレ位相像 ( 微分位相像に比例 ), および (e) ビジビリティコントラスト像 ( ただし (c),( e) は, それぞれ透過率, 規格化ビジビリティの -ln の画像となっている ) 54

3 Vol. 66, 1, 表面界面構造解析へ向けて小角 X 線散乱イメージング図 (e) のビジビリティコントラスト画像は,008 年に Pfeiffer らによってはじめて報告されたしかしながら, コントラストの起源についての理論的な説明がなく, コントラストがどのように試料内部の構造と関係しているのか明らかでなかったその後の我々の理論的実験的研究により, コントラストが試料内の解像できないスケールのランダムな微小構造によって生じることを証明したまたランダムな微小構造とコントラストの関係を定量的に明らかにし, さらに小角 X 線散乱強度の散乱角依存性との関係も明らかにした詳細な計算により, 回折格子の間の距離, あるいは試料位置を変えてビジビリティを測定することにより, 小角 X 線散乱強度の散乱角依存性の Fourier 変換に対応する情報が得られることが分かったすなわち, ビジビリティコントラストは, 微小構造によってランダムに乱された波面の自己相関関数で表すことができる式で表すと, 試料がないときのビジビリティを V, 試料があるときのビジビリティを V として, 規格化ビジビリティ V/V は, V exp(iδφ (Δx)) f (1) V0 と与えられるただし, ここでは簡単のため, 解像できないランダムな微小構造による吸収は無視できるとした式 (1) のΔx は, 図 1のように 0 次回折波と 1 次回折波により幾何学的に決まるパラメータで, 回折格子間の距離を変えると, それに比例して変化するまたΔφ f は, 解像できない微小構造によって生じる波面の位相のフラクチュエーションの成分に対して定義されており, 距離 Δx だけ離れた二点の位相差を表しているすなわち, 規格化ビジビリティは, 試料透過後のランダムな波面成分の自己相関関数として与えられる図 3,( b) に回折格子の間の距離を変化させて規格化ビジビリティ (V/V ) を測定した例を示す図 3 は直径が既知の微小ポリスチレン球をグリセリン液中に分散させた試料の例 ( 図中のプロットが実験データ ) で,Δx の増加とともに V/V が減少 (-ln(v/v ) が増加 ) しているのが分かる式 (1) には Sinha のモデルがうまく適用できて, 相関長 ξ,hurst 指数 H, 分散 σ の三つのパラメータによる最小二乗フィッティングが可能となる ( 図中の曲線は最小二乗フィッティングの結果 ) ここでξ は,-ln(V/V ) の曲線の幅を特長づけるパラメータで, 微小構造の平均サイズ ( 微粒子が互いに相関なく分散している系に対しては微粒子の平均サイズ ) と解釈することができる特に, 微粒子が球の場合には,ξ は球の半径と一致することが解析的計算および数値計算により示されたまた H は,-ln(V/V ) の Δx 依存性の関数形を決定するパラメータで, 微小構造の平均形状と関係づけることができる数値計算により, 微小構造が球に近い場合には H が 1 に近い値となることが示されたこのとき-ln(V/V ) の Δx 依存性は,Δx が小さい領域で近似的にガウス関数のようになる ( 小角 X 線散乱における Guinier 近似に対応 ) 微小構造の縦横比が 1 から離れるにつれて H の値は減少していき, 特に H が0.5 のとき,Δx が小さい領域の-ln(V/V ) は指数関数で近似できるようになるさらにσ は, ランダムな微小構造で乱された波面の位相の分散であり, 小角 X 線散乱の散乱能に比例する ( すなわち, マトリクスとの電子密度差, 濃度, 厚さなどに依存する ) 表 1に, 図 3 の実験データに対して最小二乗フィッティングを行って求めた相関長 ξ,hurst 指数 H, 分散 σ をまとめる相関長 ξは, ポリスチレン球のサイズが大きいときには, ほぼ球の半径と一致することが確認されたサイズが小さいときには, 球どうしが凝集して,ξ が半径よりも大きくなっていると考えられるこのことは, 独立に行った小角 X 線散乱強度の散乱角依存性の測定によっても確認された一方で,Hurst 指数 H については, ほぼ 1 となったこれは, 微小構造の縦横比が 1 に近いことを示しており, 数値計算の表 1 図 3,( b) の実験データに対して最小二乗フィッティングを行った結果, 求められた相関長 ξ,hurst 指数 H, および ( 波面の ) 分散 σ (a は球の半径,λ は X 線の波長 ) Sample ξ[μm] H σ [rad ] PS microsphere(a =.5 μm).3 ± ± ±0.3 PS microsphere(a =4.4 μm) 3.3 ± ±0.1.1 ±0.05 PS microsphere(a =6.3 μm) 3.8 ± ±0.1.1 ±0. PS microsphere(a = 10.0 μm) 4.9 ± 1.0 ± ±0.6 Melamine sponge(λ= 0.50 A ) 5. ± ± ±0.03 Melamine sponge(λ= 0.73 A ) 5.7 ± ± ±0.0 Melamine sponge(λ= 1.0 A ) 5.8 ± ± ± , : a =.5 µm, : a = 4.4 µm, : a = 6.3 µm, : a = 10.3 µm 1., : λ = 1.0 Å, d = 5.3 µm (SPring-8) : λ = 0.73 Å, d = 5.3 µm (Photon Factory), : λ = 0.73 Å, d = 8.0 µm (Photon Factory), : λ = 0.50 Å, d = 5.3 µm (SPring-8) ln(v/v 0 ) ln(v/v 0 ) μm Δx (µm) Δx (µm) 6 8 図 3 規格化ビジビリティ (V/V ) の Δx( 図 1 中に定義 ) 依存性 ( プロット : 実験結果, 曲線 : 最小二乗フィッティングの結果 ) ( a) 直径が既知のポリスチレン球をグリセリン中に分散させた試料の場合 (a は球の半径 ) メラミンスポンジ 55

606 トックス表面技術結果と一致したメラミンスポンジを試料として, 同様に-ln(V/V ) の Δx 依存性を測定した結果を図 3 に示すこの試料は, 光学顕微鏡写真が示すように ( 図 3 のインセット ), 細長い形状の微小構造を有しているしたがって,Hurst 指数 H が小さい値になることが予想された実際, 表 1に示すように, 最小二乗フィッティングで求められた H

節で述べた小角 X 線散乱イメージングを, 試料表面構造の評価に利用できないか試みた X 線を小さい視斜角で試料表面に入射し, 鏡面反射強度の視斜角依存性を測定すれば, よく知られている X 線反射率測定が実現できるこの場合, 散乱ベクトルは表面に垂直であるため, 深さ方向の平均的な ( 表面に垂直な軸に投影された ) 密度分布の情報が, 実験データに対するフィッティングなどで求まることになる

4 606 トックス表面技術結果と一致したメラミンスポンジを試料として, 同様に-ln(V/V ) の Δx 依存性を測定した結果を図 3 に示すこの試料は, 光学顕微鏡写真が示すように ( 図 3 のインセット ), 細長い形状の微小構造を有しているしたがって,Hurst 指数 H が小さい値になることが予想された実際, 表 1に示すように, 最小二乗フィッティングで求められた H は約 0.7 であり, 数値計算の結果と矛盾のないものであった 3.X 線回折格子干渉計による GISAXS イメージング 3.1 小角 X 線散乱イメージングの微小角入射配置への応用我々は. 節で述べた小角 X 線散乱イメージングを, 試料表面構造の評価に利用できないか試みた X 線を小さい視斜角で試料表面に入射し, 鏡面反射強度の視斜角依存性を測定すれば, よく知られている X 線反射率測定が実現できるこの場合, 散乱ベクトルは表面に垂直であるため, 深さ方向の平均的な ( 表面に垂直な軸に投影された ) 密度分布の情報が, 実験データに対するフィッティングなどで求まることになるシート状の X 線ビームを用いれば, 実空間分布を一次元的な画像として可視化することが可能であり, トモグラフィができることも既に報告されているしかしながら, よく知られているように,X 線反射率の測定だけでは, 表面に平行な散乱ベクトル成分をもつ散乱強度の情報を得ることができないすなわち, 表面に平行な方向の構造の違いを区別することができない ( 例えば,X 線反射率測定では, 表面のラフネスと, 深さ方向にグラデーション状に分布する電子密度を区別できないことが知られている ) そこで微小角入射小角 X 線散乱法 (GISAXS) が用いられるこの方法は,1989 年に Levine と Cohen によって提案された方法で, 平行度の高い X 線マイクロビームを小さい視斜角で試料表面に照射し, ダイレクトビームの周辺に生じる小角 X 線散乱の強度から, 表面に垂直な方向だけでなく, 平行な方向の構造の情報も取得するというものであるしかしながら, 実空間の分布を画像として可視化するには, 試料を微小ビームに対して走査する必要があるしかしながら,X 線回折格子干渉計のビジビリティコントラスト像を利用すれば, 小角 X 線散乱強度の散乱角依存性を Fourier 変換した情報を実験的に得ることができるこの方法を用いれば, 試料をマイクロビームに対して走査することなしに, シート状の X 線ビームを用いて, 通常の GISAXS で取得できる表面に平行な方向の構造情報の実空間分布を画像として取得可能である本稿では, この画像を GISAXS コントラスト像と呼ぶことにする以下では, そのような着想に基づいて行った実験の結果について紹介する 3. 実験本稿では, シンクロトロン放射光施設で行った単色 X 線による実験について紹介する実験は SPring-8 の BL0XU( 中尺ビームライン ) で行ったこのビームラインでは, 光源から約 40 m 下流に実験ステーションがあり, 空間コヒーレンス度が高く, かつ, 通常のビームラインよりも大きいサイズ ( mm 4 mm) の X 線ビームが利用できる図 4 に実験配置を示す X 線のエネルギーは 9 kev とした空間コヒーレンス度の高い X 線ビームを有効利用するために, 周期の大きい (34.7 μm) の π/ 位相型回折格子 (G1) を用いた X 線検出器には, 有効画素サイズ 4.3 μm のレンズカップル π/ phase grating (G1) with a pitch of 34.7 μm Sample X-rays 9 kev m X-ray image detector Reflected X-rays (self-image of G1) 10 nm 400 nm Line & Space SiO 00 nm Si (c) (d) (e) log Phase of Contrast arising from unresolvable line & space 図 4 回折格子を用いた微小角入射 X 線散乱 (GISAXS) イメージングの実験配置実験で用いた試料 (c)x 線反射率像,(d) 反射 X 線ビームの波面の微分像, および (e)gisaxs コントラスト像の視斜角依存性 56

5 Vol. 66, 1, 表面界面構造解析へ向けて式 X 線画像検出器 (10 μm 厚シンチレータ (P43:Gd O S:Tb ) に可視光用の scmos カメラ ( 浜松ホトニクス社製 ORCA Flash 4.0) をレンズカップリングさせたもの ) を使用した今回使用した画像検出器の空間分解能は 10 μm 程度であるため, 本実験では Talbot 効果によって生じた G1 の自己像を直接解像して, 縞走査法を適用した図 4 に今回の実験で用いた試料を示す Si ウェハの表面を 00 nm の深さまで酸化し, 電子ビーム描画装置などにより表面に 400 nm ラインアンドスペース ( 周期 800 nm), 深さ 10 nm の格子パターンを形成したスリットで成形したシート状の X 線ビームをこの試料の表面にすれすれに入射し ( 視斜角 θ in 1), 反射 X 線に対して縞走査法を適用したシート状のビームを用いているため, 得られる画像は一次元的な実空間分布のデータであり, 図 (c),( d),( e) に対応する画像は, それぞれ X 線反射率像, 反射 X 線の波面 ( 位相 ) の微分像,GISAXS コントラスト像となる GISAXS コントラスト像は, 図 3の例のように, 表面に平行な方向の波面の自己相関関数 ( 小角 X 線散乱強度の散乱角依存性の Fourier 変換 ) の情報を含むすなわち, これらの画像から, 通常の X 線反射率測定で得られる深さ方向の構造情報だけでなく, 表面の湾曲や, 表面に平行な方向の構造情報の実空間分布が画像として可視化できる図 4(c),( d),( e) はそれぞれ, 縞走査法によって求めた三枚の画像から,X 線反射率像, 反射 X 線ビームの位相の微分像,GISAXS コントラスト像の視斜角依存性を三次元的に表示したものであるここでは, 試料表面の格子パターンのラインがθ in = 0 において X 線ビームに平行になるように配置したまた, 格子パターンがある領域とない領域の境界を意図的に視野内に含めた図 4(c) は, 通常の X 線反射率の挙動を示しており, 視斜角が臨界角を超えると反射率が急激に減少しているのがみられるしかしながら, 格子パターンあり / なしの境界はこの結果からはほとんど判別できない一方で, 図 4(e) では, 格子パターンあり / なしの境界をはっきりみることができる規格化ビジビリティの振動は, 視斜角の変化に伴って, 格子ライン上面部と溝底面部からの反射波の位相差が周期的に変化することに起因するものであり, この振動の周期は, 格子パターンの溝の深さが 10 nm であることから説明されたまた, 試料を G1 の下流で, 光軸に沿って移動して, 同様の視斜角依存性の測定を繰り返すことにより, 図 3のΔx 依存性 ( 通常の二枚回折格子の Talbot 干渉計において, 回折格子間の距離を変える測定で得られる結果 ) と等価な情報を得ることができるその結果, 図 4(e) の視斜角依存性が 800 nm 周期で変化することが確認されたすなわち, 図 4(e) のコントラストは, 確かに表面に平行な方向の解像できない微小構造による小角 X 線散乱によって生じていることが示された 4. おわりに本稿では, 近年世界的に注目を集めている X 線回折格子干渉計の表面界面構造解析 ( イメージング ) への応用について紹介したこの方法は,X 線の強度のみの測定に止まっていた従来法に, 波面計測 ( 位相計測 ) という新しい概念を取り入れたものであり, シート状のビームで,GISAXS イメージングが実現できる画期的なものであるすなわち,X 線による構造解析は, 波面計測による実空間イメージングという新時代を迎えつつあると言っても過言ではないであろうまた, X 線回折格子干渉計による通常の透過 X 線イメージングと比べても, 透過 X 線イメージングで得られる空間スケールは, 画像検出器や光源サイズの制約から, 高くてもサブμm オーダーであるが,, 本稿で紹介した方法は, 逆空間の情報も含んでいるため,nm スケールの構造情報を容易に引き出すことができる大型のシンクロトロン放射光施設ではなく, 実験室の通常フォーカス X 線源でも実現できることから, 将来汎用性のある手法に発展すると期待されるさらに, 広いエネルギーバンド幅でも機能することから, 非常に強力な白色シンクロトロン放射光や, アンジュレータからの準単色光の利用も可能で, マイクロ秒 ~ミリ秒の高速実空間分布測定も近い将来には実現できるであろう (Received September 10, 015) 文献 ₁)J. Miao, P. Charalambous, J. Kirz, D Sayre ; Nature, 400, 34(1999). ₂)R. Fitzgerald ; Phys. Today, 53, 3(000). ₃)J. Als-Nielsen, D. McMorrow 著, 篠原佑也, 白澤徹郎, 矢代航訳, 雨宮慶幸, 高橋敏男, 百生敦監修 ; X 線物理学の基礎, 第 9 章 ( 講談社, 01). ₄)F. Pfeiffer, T. Weitkamp, O. Bunk, C. David ; Nature Physics,, 58 (006). ₅)A. Momose, W. Yashiro, H. Maikusa, Y. Takeda ; Opt. Express, 17, 1540(009); A. Momose, W. Yashiro, S. Harasse, H. Kuwabara ; Opt. Express, 19, 843(011). ₆)H. Schreiber, J. H. Bruning(D. Malacara ed.); Optical Shop Testing, p.547(wiley Interscience, 007). ₇)M. Takeda, H. Ina, S. Kobayashi ; J. Opt. Soc. Am., 7, 156(198). ₈)F. Pfeiffer, T. Weitkamp, O. Bunk, C. David ; Nature Materials, 7, 134 (008). ₉)W. Yashiro, Y. Terui, K. Kawabata, A. Momose ; Opt. Express, 18, 16890(010). 10)S. K. Sinha, E. B. Sirota, S. Garoff, H. B. Stanley ; Phys. Rev. B, 38, 97(1988). 11)V. A. Innis-Samson, M. Mizusawa, K. Sakurai ; Anal. Chem., 83, 7600 (011). 1)Y. Ito, K. Inaba, K. Omote, Y. Wada, S. Ikeda ; Jpn. J. Appl. Phys., 46, L773(007). 13)W. Yashiro, Y. Takeda, A. Takeuchi, Y. Suzuki, A. Momose ; Phys. Rev. Lett., 103, (009); W. Yashiro, S. Harasse, A. Takeuchi, Y. Suzuki, A. Momose ; Phys. Rev. A, 8, 0438(010). 57

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SPring-8ワークショップ_リガク伊藤 GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8

Vol. 66, 12, 特集 : 最新の表面 界面分析 回折格子を利用した小角 X 線散乱イメージング - 表面 界面構造解析へ向けて - 矢代 航 a,b a 東北大学多元物質科学研究所 ( 宮城県仙台市青葉区片平 2 1 1) b JST ERATO( 98

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