光学
|
|
|
- ともあき はぎにわ
- 7 years ago
- Views:
Transcription
1 InGaAs Quantum Dot Superlattices for High E ciency Solar Cells Takeyoshi SUGAYA We report ultra-high stacked InGaAs/GaAs quantum dot QD superlattice solar cells fabricated using molecular beam epitaxy. We obtain a 400-stack In 0.4 Ga 0.6 As QD structure and a 20-stack QD superlattice without using a strain balancing technique. Photoluminescence PL and scanning transmission electron microscope measurements indicate that the In 0.4 Ga 0.6 As QD structure exhibits no dislocations and no crystal defects even after the stacking of 400 QD layers. Moreover, we confirm a miniband formation in a 20-stack QD superlattice by the excitation power dependence in PL measurements. The external quantum e ciency EQE and the short-circuit current density of multistacked QD solar cells increase as the number of stacked layers is increased to 150, and the interdot spacing is reduced to 3.5 nm. From the temperature dependence of the EQE for QD solar cells with di erent interdot spacings, we observe the tunnel current through a miniband in QD superlattices with an interdot spacing of 3.5 nm. Key words: quantum dot, solar cell, ultra-high stack, miniband, tunnel current, superlattice 10 PV /kwh 40 Si pn t.sugaya@aist.go.jp
2 2. InGaAs MBE InAs 2 ML GaAs S-K InAs InAs InAs GaAs InAs E E 13 E 12 E 23 E ev E ev E ev V oc 60 3 MBE S-K Stranski- Krastanov In Ga As hole electron Band 3:Conduc on band E 23 E 12 Band 1:Valence band 2 Band 2: Intermediate band (QD superla ce) Poten al for QDs InAs GaAs 20 nm InAs GaAs GaNAs GaP InAs 5 7 InGaAs GaAs InGaAs 1.3 mm In 0.4 Ga 0.6 As/ GaAs 8 nm 28.3 ML 14 GaAs InAs 1.7 ML InGaAs InAs InGaAs In 0.3 InAs GaAs S-K InGaAs 2 nm 7 ML 12 8 nm InGaAs GaAs InAs 3 a In 0.4 Ga 0.6 As nm TEM 12 b c SEM
3 (a) [001] [1-10] [110] top [1-10] [001] 13 nm QP (c) QP 図 3 50 層積層した In0.4Ga0.6 As 量ドット a 断面 TEM 写真 b 拡大図 c 表面 SEM 写真 (c) middle 償層は用いていない 成長速度は 1 m m/h である また (a) 300 layers 通常の MBE で用いられる As4 をクラッキングし As2 分子 線を用いて成長している 従来 高品質量子ドットの作製 には 0.01 m m/h 程度の低成長速度が必要であると考えら (d)bottom れてきた しかしながら本量子ドットは 1 m m/h という高 図 層積層した In0.4Ga0.6 As 量ドットの断面 TEM 写真とその拡大図 成長速度で成長している 高速成長の場合 As2 分子線を 用いたほうがドットの結晶性がよくなることがわかってい る15 16 太陽電池のように多積層が必要なデバイスの作製 400 QD 300 QD 200 QD 20 QD 30 QD には As2 分子線による高速成長は非常に重要な技術であ る 図 3 からわかるように 歪み補償層を用いていないに もかかわらず 成長方向に規則正しく整列した 50 層の多 積層化に成功している 前述のように InAs ドットの場合 はたった 4 層で結晶欠陥や転位が形成されるが InGaAs ドットの場合は 50 層成長してもそれが観察されていない このように In0.4Ga0.6 As 量子ドットの場合 歪み補償層が. なくてもかなりの多積層化が可能となる また図 3 c か らわかるように 50 層成長後の表面構造は [1-10] 方向に ドッドが整列する傾向にあることがみてとれる 単層の量 900 子ドットの場合はランダムにドットが形成され このよう な現象は観察されなかった これは 面内でも量子ドット 図 5 超多積層 In0.4Ga0.6 As 量ドット構造の低 温 PL スペクトル が整列し 三次元の量子ドット超格子作製の可能性を示唆 するものである 最近 さらに積層数を増加しても 良好な超多積層量 た 400 層積層構造の非対称 X 線プロファイルを測定した 子ドット層が得られることがわかってきた 図 4 に 300 ところ 400 層量子ドット構造は格子緩和せず 歪みを保 層積層した構造の断面 TEM 写真を示す 300 層積層し 持したまま成長していることもわかった これは この超 て も 結 晶 中 に 転 位 や 欠 陥 は 観 察 さ れ な い 図 5 は 多積層構造が臨界膜厚以内であることを示唆している In0.4Ga0.6 As 量子ドット超多積層構造のフォトルミネセンス PL 発光強度を低温で比較したものである 400 層まで 3. InGaAs 量子ドット超格子の作製 多積層化した構造を 20 層および 30 層のものと比較して 上述の多積層構造はバリア層が 20 nm であり 図 3 の いる 層のほうが発光強度は強く 400 層 TEM 写真から 規則正しく整列しているのがみてとれる 積層しても良好な特性が得られることがわかる 発光ピー しかしながら超格子という観点からはまだバリア層が厚 ク波長の違いはドットサイズの違いによるものである ま く 上下のドット同士は電子的に結合していない 各量子 41 巻 6 号
4 (a) [001] [1-10] [110] (a) 35 W/cm W/cm W/cm x 10-1 /cm x 10-2 /cm x 10-2 /cm 2 60 nm 30 nm (c) (c) 20 nm 6 20 In 0.4 Ga 0.6 As 3.5 nm 4 mev mev In 0.4 Ga 0.6 As PL 2 3 nm 6 InGaAs nm 20 TEM a 5 nm b c 3.5 nm nm nm 7 6 PL W/cm 2 PL 40 mev 7 15 nm PL 6.5 nm 3.5 nm 3.5 nm 8 mev PL InGaAs PL 60 mev mev 7 40 mev 7 a 15 nm 7 c 8 mev 17 2 nm 10 mev PL PL 4. InGaAs In 0.4 Ga 0.6 As/GaAs nm nm nm
5 QUANTUM EFFICIENCY QD 100 QD 50 QD 30 QD 20 QD 10 QD GaAs ref In 0.4 Ga 0.6 As CURRENT (A) VOLTAGE (V) 150 QD 100 QD 50 QD 30 QD 20 QD 10 QD GaAs ref. 9 In 0.4 Ga 0.6 As GaAs PIN GaAs 900 nm 900 nm InAs 1000 nm InGaAs GaAs - AM 1.5 G, 100 mw/cm 2 25 C 1 J sc Current Density (ma/cm 2 ) Interdot spacing: 3.5 nm Interdot spacing: 6.5 nm Interdot spacing: 15 nm Interdot spacing: 35 nm GaAs reference Voltage (V) In 0.4 Ga 0.6 As - 8 V oc In 0.4 Ga 0.6 As QD layers E ciency V oc V J sc ma/cm Fill factor GaAs. ref
6 2 10 In 0.4 Ga 0.6 As Interdot spacing nm E ciency V oc V J sc ma/cm Fill factor GaAs ref QUANTUM EFFICIENCY QUANTUM EFFICIENCY nm nm GaAs - 7 InGaAs 3.5 nm J sc Interdot: 35 nm RT 200 K 160 K 120 K 100 K 84 K Interdot: 3.5 nm (a) RT 200K 160K 120K 100K 84K In 0.4 Ga 0.6 As 11 a 35 nm b 3.5 nm 84K 1000 nm 11 a 35 nm 3.5 nm 10 J sc E 23 V oc 20 In Ga As/GaAs GaAs E 23
7 400 3 NEDO 1 S. Wojtczuk, P. Chiu, X. Zhang, D. Derkacs, C. Harris, D. Pulver and M. Timmons: InGaP/GaAs/InGaAs 41 concentrator cells using bi-facial epigrowth, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference Honolulu, 2010 pp A. Yoshida, T. Agui, K. Nakaido, K. Murasawa, H. Juso, K. Sasaki and T. Takamoto: Development of InGaP/GaAs/ InGaAs inverted triple junction solar cells for concentrator application, Technical Digest of 21st Int. Photovoltaic Science and Engineering Conference Fukuoka, B-4O A. Luque and A. Marti: Increasing the e ciency of ideal solar cells by photon induced transitions at intermediate levels, Phys. Rev. Lett L. Marti, N. Lopez, E. Antolin, E. Canovas, A. Luque, C. Stanley, C. Farmer and P. Diaz: Emitter degradation in quantum dot intermediate band solar cells, Appl. Phys. Lett., V. Popescu, G. Bester, M. C. Hanna, A. G. Norman and A. Zunger: Theoretical and experimental examination of the intermediate-band concept for strain-balanced In,Ga As/Ga As,P quantum dot solar cells, Phys. Rev. B, S. M. Hubbard, C. D. Cress, C. G. Bailey, R. P. Ra aelle, S. G. Bailey and D. M. Wilt: E ect of strain compensation on quantum dot enhanced GaAs solar cells, Appl. Phys. Lett., Y. Okada, R. Oshima and A. Takata: Characteristics of InAs/GaNAs strain-compensated quantum dot solar cell, J. App. Phys., T. Sugaya, Y. Kamikawa, S. Furue, T. Amano, M. Mori and S. Niki: Multi-stacked quantum dot solar cells fabricated by intermittent deposition of InGaAs, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, T. Sugaya, S. Furue, H. Komaki, T. Amano, M. Mori, K. Komori, S. Niki, O. Numakami and Y. Okano: Highly stacked and well-aligned In 0.4 Ga 0.6 As quantum dot solar cells with In 0.2 Ga 0.8 As cap layer, Appl. Phys. Lett., T. Sugaya, O. Numakami, S. Furue, H. Komaki, T. Amano, K. Matsubara, Y. Okano, S. Niki: Tunnel current through a miniband in InGaAs quantum dot superlattice solar cells, Sol. Energ. Mat. Sol. Cells, T. Sugaya, T. Amano, M. Mori, S. Niki and M. Kondo: Highly stacked and high quality quantum dots fabricated by intermittent deposition of InGaAs, Jpn. J. Appl. Phys., K. Akahane, N. Ohtani, Y. Okada and M. Kawabe: Fabrication of ultra-high density InAs-stacked quantum dots by straincontrolled growth on InP 311 B substrate, J. Cryst. Growth, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. B. Chen, M. Kawaguchi, T. Kondo, E. Gouardes, F. Koyama and K. Iga: Critical layer thickness of 1.2 mm highly strained GaInAs/GaAs quantum wells, J. Cryst. Growth, T. Sugaya, T. Amano, M. Mori and S. Niki: Highly stacked InGaAs quantum dot structures grown with two species of As, J. Vac. Sci. Technol. B, C3C4 C3C8. 16 T. Sugaya, T. Amano and K. Komori: Suppressed bimodal size distribution of InAs quantum dots grown with an As 2 source using molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys T. Sugaya, T. Amano, M. Mori and S. Niki: Miniband formation in InGaAs quantum dot superlattice, Appl. Phys. Lett., A. Takata, R. Oshima, Y. Shoji, K. Akahane and Y. Okada Fabrication of 100 layer-stacked InAs/GaNAs strain-compensated quantum dots on GaAs 001 for application to intermediate band solar cell, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference Honolulu, 2010 pp S. M. Hubbard, C. Plourde, C. Bailey, Z. Bittner, M. Harris, T. Bald, M. Bennett, D. Forbes and R. Ra aelle: InAs quantum dot enhancement of GaAs solar cells, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference Honolulu, 2010 pp Y. Okada, T. Morioka, K. Yoshida, R. Oshima, Y. Shoji, T. Inoue and T. Kita: Increase in photocurrent by optical transitions via intermediate quantum states in direct-doped InAs/GaNAs strain-compensated quantum dot solar cell, J. Appl. Phys.,
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
研究成果報告書
様式 C-19 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 25 年 6 月 1 日現在 機関番号 :12601 研究種目 : 基盤研究 (A) 研究期間 :2010~2012 課題番号 :22241035 研究課題名 ( 和文 ) 3 次元自己組織化量子ドット超格子の物性制御と太陽電池応用 研究課題名 ( 英文 ) Properties of 3-dimensional quantum
ナノテクノロジ
Nanotechnology 10 1 HEMT 201 2000 12 Abstract Since former President Clinton announced the National Nanotechnology Initiative, nanotechnology has become a well-known field. It has attracted much attention
研究成果報告書
EL EL 17% 1.5 (F. Li, et al. Org. Elect., Vol. 8, 635, 2007 ) (S.Hore, et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, pp. Vol. 90, 1176, 2006) (C. Haase et al., Proc. of SPIE, Vol. 6645, 66450W, 2007) (T. Fukuda
量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発
第 106 回研究開発セミナー クリーンテック 水素社会への挑戦 (2016.10.11) 量子ドットデバイス と最先端太陽電池開発 電気通信大学基盤理工学専攻山口浩一 < クリーンテック > 再生可能エネルギーを利用した安定な電力供給 太陽光 水の電気分解 水素生成 貯蔵 水素と酸素の化学反応 電気, 水 ( 光エネルギー ) ( 電気エネルギー ) ( 化学エネルギー ) ( 化学エネルギー )
スライド 1
Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC
untitled
Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~
Fig.2 Optical-microscope image of the Y face-cross sec- tion of the bulk domain structure of a 0.4-mm-thick MgO-LiNbO3 crystal after chemical etching.
Blue EGreen Solid State Lasers Using MgO-LiNbO3 Periodic Domain Inverted Bulk Crystal and Their Applications Koji KAMIYAMA, Yoji OKAZAKI, and Akinori HARADA Fuji Photo Film. Co., Ltd., Miyanodai Technology
スライド 1
基 礎 から 徹 底 解 説 : 高 効 率 太 陽 電 池 に 向 けた 研 究 開 発 超 高 効 率 III/V 太 陽 電 池 www.solarsystems.com.au 杉 山 正 和 東 京 大 学 大 学 院 工 学 系 研 究 科 太 陽 電 池 の 効 率 記 録 2 集 光 型 太 陽 電 池 Puertollano and Seville (Spain) www.concentrix-solar.de
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)
Estimation of Photovoltaic Module Temperature Rise Motonobu Yukawa, Member, Masahisa Asaoka, Non-member (Mitsubishi Electric Corp.) Keigi Takahara, Me
Estimation of Photovoltaic Module Temperature Rise Motonobu Yukawa, Member, Masahisa Asaoka, Non-member (Mitsubishi Electric Corp.) Keigi Takahara, Member (Okinawa Electric Power Co.,Inc.) Toshimitsu Ohshiro,
在, 累 積 導 入 量 の 9 割 以 上 を 占 める Si 太 陽 電 池 の 場 合 は 約 29 が 非 集 光 時 の 最 大 値 である. 半 導 体 のバンドギャップ より 小 さいエネルギーの 太 陽 光 は, 半 導 体 中 で 吸 収 されずに 透 過 してしまい,Si セルの
解 説 量 子 ドット 太 陽 電 池 の 現 状 と 将 来 展 望 岡 田 至 崇 1 Recent Progress and Future Prospects for Quantum Dot Solar Cell Technology Yoshitaka OKADA 1 1 Research Center for Advanced Science and Technology, The University
研 究 紹 介 ため, 量 子 ドット 内 の 電 子 は 原 子 のような 完 全 に 離 散 化 したエネルギー 状 態 を 有 する.このような 量 子 ドットを 高 密 度 に 規 則 配 列 させると, 量 子 ドット 間 が 電 子 的 に 結 合 してバンドを 形 成 する.すなわち,
中 間 バンド 型 量 子 ドット 太 陽 電 池 理 論 集 光 効 率 63% InAs 量 子 ドットを 利 用 した 高 効 率 太 陽 電 池 現 在, 最 も 普 及 している Si 材 料 を 主 体 とした 単 接 合 型 太 陽 電 池 では, 太 陽 光 のうちバンドギャップ 以 上 のエ ネルギーを 有 する 光 子 は, 吸 収 した 後 そのエネルギーが 熱 に 変 換 される.
1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ
rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD
Fig. la PL spectra of PSL prepared on Si specimen (p = 1 k Q m) with electrochemical etching in HF solution (26wt %) under galvanostatic conditions of
Vol.47,No.11,1996 Influence of Electrochemical Etching Current Density on Porous Si Luminescence Properties and Microstructure Kazuhiro SHIGYO *, Masahiro SEO *, Kazuhlsa AZUMI * and Hideaki TAKAHASHI
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
2. 研 究 実 施 内 容 (1) 研 究 のねらい 太 陽 電 池 の 薄 膜 化 と 高 効 率 化 を 同 時 に 実 現 するためには 薄 膜 の 光 吸 収 効 率 を 増 加 させる 必 要 がある 本 研 究 では 吸 収 効 率 の 高 い 材 料 を 実 現 する 手 段 として
太 陽 光 を 利 用 した 独 創 的 クリーンエネルギー 生 成 技 術 の 創 出 平 成 21 年 度 採 択 研 究 代 表 者 H24 年 度 実 績 報 告 堀 越 佳 治 早 稲 田 大 学 先 進 理 工 学 部 教 授 励 起 子 吸 収 による 増 感 を 利 用 した 高 効 率 太 陽 電 池 の 研 究 1. 研 究 実 施 体 制 (1) 堀 越 グループ( 早 稲 田
食糧 その科学と技術 No.43( )
17 DNA SEM, Scanning electron microscope TEM, transmission electron microscope X NMR AFM, atomic force microscopy SPM, scanning probe microscopy 1 SPM SPM AFM SNOM NSOM, Scanning near-field optical microscope
特-4.indd
1 000 Ni-Cr Tribological Characteristics of Ni-Cr Alloy at 1 000 C in Air R&D 1 000 Ni-Cr 1 000 Ni-Cr alloy sliding tests in atmosphere at 1 000 C were carried out and the process in which a glazed oxide
42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index
MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application
Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes
Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative
資料２ 次世代太陽電池における計測機器
第 9 回 先 端 計 測 分 析 技 術 機 器 開 発 小 委 員 会 2010 年 11 月 24 日 次 世 代 太 陽 電 池 における 計 測 機 器 韓 礼 元 次 世 代 太 陽 電 池 センター 1 太 陽 電 池 の 分 類 太 陽 電 池 シリコン 化 合 物 単 結 晶 結 晶 系 多 結 晶 薄 膜 系 (アモルファス マイクロクリスタル 等 ) 単 結 晶 ( GaAs
PowerPoint Presentation
/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control
1
4 Nano Device Technologies From New Functions of Extreme Substances to Telecommunication Technologies 4-1 Controlling Intermolecular Interactions using Nano- Structural Molecules OTOMO Akira, YOKOYAMA
untitled
213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
G-GREENパンフ2016-外-J
G R E A T E R GREEN Center for Green Research on Energy and Environmental Materials (B) (A) Science, 350, 944 (2015) (A) (B) GaAs QD Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 134, 108 (2015) Operando Analysis High
藤村氏(論文1).indd
Nano-pattern profile control technology using reactive ion etching Megumi Fujimura, Yasuo Hosoda, Masahiro Katsumura, Masaki Kobayashi, Hiroaki Kitahara Kazunobu Hashimoto, Osamu Kasono, Tetsuya Iida,
Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 590nm 2200nm 0 1.739 1.713 5 1.708 1.682 10 1.678 1.652 0-10 0.061061 0.061061 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 1.0 x1.0 0.5 x0.5 0.2 x0.2 0.1 x0.1 bg/30ms
untitled
1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)
PowerPoint プレゼンテーション
加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
X X 1. 1 X 2 X 195 3, 4 Ungár modified Williamson-Hall/Warren-Averbach 5-7 modified modified Rietveld Convolutional Multiple Whole Profile CMWP 8 CMWP
X X a a b b c Characterization of dislocation evolution during work hardening of stainless steels by using XRD line-profile analysis Tomoaki KATO a, Shigeo SATO a, Yoichi SAITO b, Hidekazu TODOROKI b and
<8B5A8F70985F95B632936EE7B22E696E6464>
47 Electrical Discharge Truing for Electroplated Diamond Tools Koji Watanabe Hisashi Minami Hatsumi Hiramatsu Kiyonori Masui (211 7 8 ) Electroplated diamond tools are widely used for grinding because
1
2-2 Atom Optics and Atom Lithography OHMUKAI Ryuzo and WATANABE Masayoshi High-resolution atomic channeling using velocity-selected atoms may be able to overcome precision limitations of the conventional
1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L
表紙
Akira Fujishima 2005.Vo.3 1 Kiyoshi kanamura kanamura-kiyoshi@c.metro-u.ac.jp 2 2005.Vol.3 Rechargeable Lithium Ion-Battery Active Material Liquid Electrolyte σ = 10-2 10-3 S cm -1 3D Interface of Solid
SPring-8_seminar_
X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)
Table 1. Reluctance equalization design. Fig. 2. Voltage vector of LSynRM. Fig. 4. Analytical model. Table 2. Specifications of analytical models. Fig
Mover Design and Performance Analysis of Linear Synchronous Reluctance Motor with Multi-flux Barrier Masayuki Sanada, Member, Mitsutoshi Asano, Student Member, Shigeo Morimoto, Member, Yoji Takeda, Member
X線分析の進歩36 別刷
X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group
16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di
![16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di](/thumbs/82/84964999.jpg "16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di")
(15) 15 ELA により形成された poly-si 結晶成長様式 - グレイン形状と水素の関係 - Crystal Growth Mode of Poly-Si Prepared by ELA -Relationship between the Grain Morphology and ydrogens- Naoya KAWAMOTO (Dept. of Electrical and Electronic
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
薄膜結晶成長の基礎3.dvi
3 464-8602 1 [1] 2 3 (epitaxy) (homoepitaxy) (heteroepitaxy) 1 Makio Uwaha. E-mail:uwaha@nagoya-u.jp; http://slab.phys.nagoya-u.ac.jp/uwaha/ 2 3.1 [2] (strain) r u(r) ɛ αγ (r) = 1 ( uα + u ) γ (3.1) 2
Terahertz Color Scanner Takeshi YASUI Terahertz THz spectroscopic imaging is an interesting new tool for nondestructive testing, security screening, b
Terahertz Color Scanner Takeshi YASUI Terahertz THz spectroscopic imaging is an interesting new tool for nondestructive testing, security screening, biological imaging, and other applications because of
1
3 Photonics Technologies 3-1 Optical Modulators for Photonic Sideband Management KAWANISHI Tetsuya and IZUTSU Masayuki In this paper, we presented our recent works on development of optical modulators
着色斜め蒸着膜の光学的性質～無機偏光膜への応用
Anisotropy in the Optical Absorption of Metal-insulator Obliquely Deposited Thin Films The Application for an Inorganic Polarizer Motofumi Suzuki, Yasunori Taga Abstract An attempt has been made to clarify
PowerPoint プレゼンテーション
第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則
Fig. 1. Relation between fatigue crack propagation rate and stress intensity factor range. Fig. 2. Effect of stress ratio on fatigue crack opening rat
Fatigue Crack Propagation and Fracture Surface in Polyvinyl Chloride by Tetsuro SHIRAISHI The fatigue crack propagation behavior and the fracture surface appearance under several load conditions in polyvinyl
PowerPoint プレゼンテーション
Drain Voltage (mv) 4 2 0-2 -4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Gate Voltage (V) Vds [V] 0.2 0.1 0.0-0.1-0.2-10 -8-6 -4-2 0 Vgs [V] 10 1000 1000 1000 1000 (LSI) Fe Catalyst Fe Catalyst Carbon nanotube 1~2 nm
2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å
MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]
Natural Convection Heat Transfer in a Horizontal Porous Enclosure with High Porosity Yasuaki SHIINA*4, Kota ISHIKAWA and Makoto HISHIDA Nuclear Applie
Natural Convection Heat Transfer in a Horizontal Porous Enclosure with High Porosity Yasuaki SHIINA*4, Kota ISHIKAWA and Makoto HISHIDA Nuclear Applied Heat Technology Division, Japan Atomic Energy Agency,
Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6
NMR ESR NMR 5 Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6 Fig. (a) Na O-B -Si Na O-B Si Fig. (b) Na O-CaO-SiO Na O-CaO-B -Si. Na O-. CaO-. Si -. Al O
Optical Lenses CCD Camera Laser Sheet Wind Turbine with med Diffuser Pitot Tube PC Fig.1 Experimental facility. Transparent Diffuser Double Pulsed Nd:
*1 *2 *3 PIV Measurement of Field of the Wind Turbine with a med Diffuser Kazuhiko TOSHIMITSU *4, Koutarou NISHIKAWA and Yuji OHYA *4 Department of Mechanical Engineering, Matsue National Collage of Technology,
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
untitled
2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,
世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長
20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au
Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.
untitled
Vol. 1 (2005) pp. 91-103 * ( 17 1 27 ) Approach from Bioelectronics to Bio-Interface Masashi YAOITA * Our studies for approach to bio-interface were fabrication of a needle type glucose sensor for continuous
Laser Ablation Dynamics of Amorphous Film of a Cu-Phthalocyanine Derivative Masahiro HOSODA*,**, Hiroshi FURUTANI*,**. Hiroshi FUKUMURA*,** Hiroshi MASUHARA*, Masanobu NISHII*** Nobuyuki ICHINOSE**,***,
GaAsInP SiC 1),2) /cm 2 In LED LED 3) LD ),6) 2001 Void-Assisted-Separation: VAS 7) 12) Threading dislocation density: TDD10 6 /cm 2 L
Development of Single-Crystal Substrates SCIOCS Co., Ltd. Hajime FUJIKURA Toshihisa INOUE Toshio KITAMURA Taichiro KONNO Takayuki SUZUKI Tetsuji FUJIMOTO Takehiro YOSHIDA Masatomo SHIBATA Toshiya SAITO
Vol. 21, No. 2 (2014) W 3 mm SUS304 Ni 650 HV 810 HV Ni Ni Table1 Ni Ni μm SUS mm w 50 mm l 3 mm t 2.2 Fig. 1 XY Fig. 3 Sch
110 : 565-0871 2-1 567-0871 11-1 660-0811 1-9 - 1 tanigawa@jwri.osaka - u.ac.jp Influence of Laser Beam Profile on Cladding Layer TANIGAWA Daichi, ABE Nobuyuki, TSUKAMOTO Masahiro, HAYASHI Yoshihiko, YAMAZAKI
技術創造の社会的条件
1999 10 21 21 i ... 1 1... 3 1-1. 20...3 1900 1945 3 1945 198x 4 198x 1999 5 1-2....7 1945 198x 7 HEMT 8 198x 1999 9 9 1-3....11 11 12 13 18 2 New Institutions... 21 2-1....21 22 24 26 2-2....27 28 29
untitled
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb
ポイント: 多 波 長 励 起 光 電 流 分 光 によるアップコンバージョン 光 電 流 生 成 機 構 の 解 明 半 導 体 ナノ 構 造 を 利 用 した 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 の 効 率 を 支 配 するプロセスを 究 明 キャリア 多 体 効 果 を 利 用 することによる
平 成 26 年 2 月 1 8 日 量 子 ナノ 構 造 を 利 用 した 太 陽 電 池 の 光 キャリアの 振 る 舞 いを 解 明 - 高 効 率 太 陽 電 池 の 実 現 に 前 進 - 概 要 金 光 義 彦 化 学 研 究 所 教 授 ディビット テックス (David M. Tex) CREST 研 究 員 は 異 なる 三 種 類 の 波 長 のレーザー 光 を 用 いた 分 光
Microsoft PowerPoint - 21.齋修正.pptx
薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO
µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)
1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37
1
5-3 Photonic Antennas and its Application to Radio-over-Fiber Wireless Communication Systems LI Keren, MATSUI Toshiaki, and IZUTSU Masayuki In this paper, we presented our recent works on development of
10 nm SThM Fig.1 AFM 6) AFM 7) Fig.1 AFM 0.1 N/m 100 pn 10 nn 8) SThM STM AFM RTD Resistance Temperature Device SNOM Scanning Near-field Optical Micro
@@@@@@@@@@@@@@ @@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@
二二工学博士荒川泰彦氏の 量子ドットとその光素子応用に関する研究 に対する授賞審査要旨電子の量子力学的波長である一〇ナノメートル程度の厚さの半導体薄膜を用いた電子の運動制御の研究は 一九六九年の江崎玲於奈博士による超格子 量子井戸の提案から始まった この研究は 二次元電子系の物理の進展とともに 量子
二二工学博士荒川泰彦氏の 量子ドットとその光素子応用に関する研究 に対する授賞審査要旨電子の量子力学的波長である一〇ナノメートル程度の厚さの半導体薄膜を用いた電子の運動制御の研究は 一九六九年の江崎玲於奈博士による超格子 量子井戸の提案から始まった この研究は 二次元電子系の物理の進展とともに 量子井戸レーザーなど新規素子をもたらし IT社会の発展に大きく貢献した 量子ドットは 超格子 量子井戸の新たな展開として一九八二年に荒川泰彦氏らが提案した究極の半導体ナノ構造である
untitled
( ) ( ) 1 MEMS : MEMS ( +13% / ) 2 3 ISFET ph,co 2 (K.Shimada, M.Esashi, Med.& Biol.Eng.& Comp.,18 (1980) p.741) (M.Esashi T.Matsuo, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343) 4 5 (Y.Matsumoto, S.Shoji,
AUTOMATIC MEASUREMENTS OF STREAM FLOW USING FLUVIAL ACOUSTIC TOMOGRAPHY SYSTEM Kiyosi KAWANISI, Arata, KANEKO Noriaki GOHDA and Shinya
2010 9 AUTOMATIC MEASUREMENTS OF STREAM FLOW USING FLUVIAL ACOUSTIC TOMOGRAPHY SYSTEM 1 2 3 4 Kiyosi KAWANISI, Arata, KANEKO Noriaki GOHDA and Shinya NIGO 1 739-8527 1-4-1 2 739-8527 1-4-1 3 723-0047 12-2
*1 *2 *1 JIS A X TEM 950 TEM JIS Development and Research of the Equipment for Conversion to Harmless Substances and Recycle of Asbe
*1 *2 *1 JIS A 14812008X TEM 950 TEM 1 2 3 4 JIS Development and Research of the Equipment for Conversion to Harmless Substances and Recycle of Asbestos with Superheated Steam Part 3 An evaluation with
Evaluation of Anisotropy and Preferred Orientation of Carbon and Graphite Materials Yoshihiro Hishiyama Fig.1 Diffraction condition in Fourier space.
Evaluation of Anisotropy and Preferred Orientation of Carbon and Graphite Materials Yoshihiro Hishiyama Fig.1 Diffraction condition in Fourier space. Corresponding Author, E-mail: yhishiya@eng.musashi-tech.ac.jp
(1) 2
- - 1 2 34 5 1192-0397 1-1 E-mail:oda-yoshiya@c.metro-u.ac.jp 2270-1194 1646 E-mail:y-aoyagi@criepi.denken.or.jp 2270-1194 1646 E-mail: higashi@criepi.denken.or.jp 4270-1194 1646 E-mail: shintaro@criepi.denken.or.jp
PowerPoint プレゼンテーション
CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2
PowerPoint プレゼンテーション
1 45nm 2 2004 2007 2010 90* 65 45 4 10 25 * 100 10001 H16 45 2001-2003 2004-2007 65 45 MIRAI 3 Cu n+ n+ p+ p+ p n nmos pmos ITRS 2004 2007 2010 2013 2016 3.5 k 3.0 2.5 2.0 ITRS2001 ITRS2003 Low-k 1.5 1.0
Journal of the Combustion Society of Japan Vol.58 No.185 (2016) ORIGINAL PAPER 火災旋風近傍の流れに関する研究 Flow Around a Fire Whirl *
58 185 2016 167-171 Journal of the Combustion Society of Japan Vol.58 No.185 (2016) 167-171 ORIGINAL PAPER 火災旋風近傍の流れに関する研究 Flow Around a Fire Whirl * ONISHI, Hiroyuki and KUWANA, Kazunori 992-8510 4-3-16
Temperature Rise in a Birefringent Substrate by RF Discharge Plasma Koichi Takaki, Member, Kunioh Sayama, Student Member, Atsushi Takahashi, Student M
Temperature Rise in a Birefringent Substrate by RF Discharge Plasma Koichi Takaki, Member, Kunioh Sayama, Student Member, Atsushi Takahashi, Student Member, Tamiya Fujiwara, Member (Iwate University),
untitled
20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit
8 (2006 ) X ( ) 1. X X X 2. ( ) ( ) ( 1) X (a) (b) 1: (a) (b)
8 (2006 ) X ( ) 1. X X X 2. ( ) ( ) ( 1) X (a) (b) 1: (a) (b) X hkl 2θ ω 000 2: ω X 2θ X 3: X 2 X ω X 2θ X θ-2θ X X 2-1. ( ) ( 3) X 2θ ω 4 Si GaAs Si/Si GaAs/GaAs X 2θ : 2 2θ 000 ω 000 ω ω = θ 4: 2θ ω
Time and Temperature Dependence of Recovery Behavior of Residual Strains in Largely Deformed Glassy Poly (Methyl Methacrylate) by Shin'ya YOSHIOKA*, Ryoji NAKAGAWA** and Yukuo NANZAI* Time and temperature
27_708.pdf
Vol. 27, No. 12, pp. 708714, 2006 ZnO 5608531 13 5670047 81 2006 9 12 Growth Morphologies and Lattice Defects in Wide-gap Semiconductor ZnO Films Hiroaki MATSUI and Hitoshi TABATA Center for the Promotion
1611 原著 論文受付 2009 年 6 月 2 日 論文受理 2009 年 9 月 18 日 Code No. 733 ピクセル開口率の向上による医用画像表示用カラー液晶モニタの物理特性の変化 澤田道人 石川晃則 1) 松永沙代子 1) 1) 石川陽子 有限会社ムツダ商会 1) 安城更生病院放射
1611 原著 論文受付 2009 年 6 月 2 日 論文受理 2009 年 9 月 18 日 Code No. 733 ピクセル開口率の向上による医用画像表示用カラー液晶モニタの物理特性の変化 澤田道人 石川晃則 1) 松永沙代子 1) 1) 石川陽子 有限会社ムツダ商会 1) 安城更生病院放射線技術科 緒言 3D PET/CT Fusion 1 liquid crystal display:
1., 1 COOKPAD 2, Web.,,,,,,.,, [1]., 5.,, [2].,,.,.,, 5, [3].,,,.,, [4], 33,.,,.,,.. 2.,, 3.., 4., 5., ,. 1.,,., 2.,. 1,,
![1., 1 COOKPAD 2, Web.,,,,,,.,, [1]., 5.,, [2].,,.,.,, 5, [3].,,,.,, [4], 33,.,,.,,.. 2.,, 3.., 4., 5., ,. 1.,,., 2.,. 1,,](/thumbs/50/25936361.jpg "1., 1 COOKPAD 2, Web.,,,,,,.,, [1]., 5.,, [2].,,.,.,, 5, [3].,,,.,, [4], 33,.,,.,,.. 2.,, 3.., 4., 5., ,. 1.,,., 2.,. 1,,")
THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS TECHNICAL REPORT OF IEICE.,, 464 8601 470 0393 101 464 8601 E-mail: matsunagah@murase.m.is.nagoya-u.ac.jp, {ide,murase,hirayama}@is.nagoya-u.ac.jp,
untitled
254nm UV TiO 2 20nm :Sr 5 Ta 4 O 15 3 4 KEY-1 KEY-2 (Ti,Nb,Ta) 5 KEY-1 KEY-2 6 7 NiO/ Sr 2 Ta 2 O 7 mmol h -1 g -1 20 15 10 5 H 2 O 2 H 2 O 2 0 0 2 4 6 8 10 12 NiO/Sr 2 Ta 2 O 7 The synthesis of photocatalysts
75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4)
3 * 35 (3), 7 Analysis of Local Magnetic Properties and Acoustic Noise in Three-Phase Stacked Transformer Core Model Masayoshi Ishida Kenichi Sadahiro Seiji Okabe 3.7 T 5 Hz..4 3 Synopsis: Methods of local
Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University Vol.11, No.1, March 2006 Numerical Analysis of Scattering Atom
九州大学学術情報リポジトリ Kyushu University Institutional Repository レーザーアブレーション原子蛍光分光法における放出原子の挙動解析 中村, 大輔九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 : 博士後期課程 肥後谷, 崇九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 : 修士課程 三洋電機株式会社 高尾, 隆之九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
Fig. 1. Relation between magnetron anode current and anode-cathod voltage. Fig. 2. Inverter circuit for driving a magnetron. 448 T. IEE Japan, Vol. 11
High Frequency Inverter for Microwave Oven Norikazu Tokunaga, Member, Yasuo Matsuda, Member, Kunio Isiyama, Non-member (Hitachi, Ltd.), Hisao Amano, Member (Hitachi Engineering, Co., Ltd.). Recently resonant
pp * Yw; Mq 1. 1L 20 cc [1] Sonoluminescence: Light emission from acoustic cavitation bubble. Pak-Kon Choi (Departm
![pp * Yw; Mq 1. 1L 20 cc [1] Sonoluminescence: Light emission from acoustic cavitation bubble. Pak-Kon Choi (Departm](/thumbs/94/118261255.jpg "pp * Yw; Mq 1. 1L 20 cc [1] Sonoluminescence: Light emission from acoustic cavitation bubble. Pak-Kon Choi (Departm")
73 7 2017 pp. 447 454 447 * 43.25.Yw; 78.60.Mq 1. 1L 20 cc [1] Sonoluminescence: Light emission from acoustic cavitation bubble. Pak-Kon Choi (Department of Physics, Meiji University, Kawasaki, 214 8571)
Rate of Oxidation of Liquid Iron by Pure Oxygen Shiro BAN-YA and Jae-Dong SHIM Synopsis: The rate of oxidation of liquid iron by oxygen gas has been s
Rate of Oxidation of Liquid Iron by Pure Oxygen Shiro BAN-YA and Jae-Dong SHIM Synopsis: The rate of oxidation of liquid iron by oxygen gas has been studied using a volume constant technique. The process
ha38. 3ha 35. 4ha 3. 4km 40ha B. C m 40m 2. 5m 4 5m b 14 3, 4, 5 2 a 2 a, 3 a 25m 10m 4 9 MH 52 68% 3 b 10 30cm 6,7, 8 JIS A12
1 2 1 847 1201 1417 1 E-mail: onitsuka@nkg-net.co.jp 2 E-mail: hara@nkg-net.co.jp B. C. 150 3 3 Key Words: Yoshinogari burial mound, Chinese burial mounds, construction technique, Hanchiku, Sochiku, Taichiku
資料1－3
WPT (2017) ( ) *JST Center of Innovation ( 13- ) Last 5X * 16 8, 15 7, 14 6 METLAB 16 20, 15 18 WPT * IEEE MTTS Wireless Power Transfer Conference ( 11-, ) MTTS TC-26 (Wireless Energy Transfer and Conversion
Microsoft Word - 05竹内.doc
さきがけ研究 量子ドット中のキャリアスピン操作 竹内淳 研究のねらい電子のスピンは 人為的に操作しうる新しい自由度になる可能性があります とくに量子ドット中では三次元量子閉じ込めによって コヒーレントにスピンをナノ秒間維持させられるため 情報としてのスピン を記憶させたり演算させる場に利用できる可能性があります 本研究では 量子ドット中でのスピンの振る舞いや 隣接するドットの間でのスピンの移動や 相互作用によるスピンの反転操作を調べ
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
PVEゲルの作製方法 PVAの既存のゲル化法 １ 繰り返し凍結解凍法 1975 hydroxyl groups N. A. Peppas, Makromole. Chemie., 176, 3443-3440 (1975). M. Nambu, Japanese Patent Kokai, No. 57/130543 (1982). Acetoxy groups ２ 凍結法 in Water/DMSO
Key Words: average behavior, upper and lower bounds, Mori-Tanaka theory, composites, polycrystals
Key Words: average behavior, upper and lower bounds, Mori-Tanaka theory, composites, polycrystals (Q)1=C1(E)1, (0)2=C2(E)2 (4) QQQ= fi(o)1+f2(2+(1-fi-f2)(o)m E=flIE1+12(6)2+(1-fl-f2)(E)D (5a) (5b) (E)i=1E/D+-y,
Fig. 1 Experimental apparatus.
Effects of Concentration of Surfactant Solutions on Drag-Reducing Turbulent Boundary Layer In this study, the influence of a drag-reducing surfactant on the turbulent boundary layer was extensively investigated
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
, vol.43, no.2, pp.71 77, Simultaneous Measurement of Film Thickness and Surface Profile of Film-Covered Objects by Using White-Light Interfer
, vol.43, no.2, pp.71 77, 2007. 1 Simultaneous Measurement of Film Thickness and Surface Profile of Film-Covered Objects by Using White-Light Interferometry 1 2 3 1 3 1 ( ) 1-1-45 2 ( ) 1 3 2-12-1 sugi@cs.titech.ac.jp
01_辻
20 EBSD 2008.11.28 scanning electron microscope: SEM EBSD electron back scattering diffraction [1-4] 10 EBSD anisotropy polycrystal orientation texture EBSD EBSD EBSD EBSD Table 1 EBSD Table 1-10 mmφ