研究成果報告書

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

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超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

光学

InGaAs Quantum Dot Superlattices for High E ciency Solar Cells Takeyoshi SUGAYA We report ultra-high stacked InGaAs/GaAs quantum dot QD superlattice solar cells fabricated using molecular beam epitaxy.

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発

第 106 回研究開発セミナー クリーンテック 水素社会への挑戦 (2016.10.11) 量子ドットデバイス と最先端太陽電池開発 電気通信大学基盤理工学専攻山口浩一 < クリーンテック > 再生可能エネルギーを利用した安定な電力供給 太陽光 水の電気分解 水素生成 貯蔵 水素と酸素の化学反応 電気, 水 ( 光エネルギー ) ( 電気エネルギー ) ( 化学エネルギー ) ( 化学エネルギー )

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

ナノテクノロジ

Nanotechnology 10 1 HEMT 201 2000 12 Abstract Since former President Clinton announced the National Nanotechnology Initiative, nanotechnology has become a well-known field. It has attracted much attention

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

研究成果報告書(基金分)

(DMS) 1 3 DMS 2 4 DMS II-VI CdTe ZnTe 2 4 DMS 2 4 DMS II-VI 2 3d 4 3d (MBE) II-VI ZnTe CdTe 3d Mn, Cr, Fe 2 4 DMS MBE X (XRD)X (XAFS) II (SQUID) (a) 4 DMS (Cd,Mn,Cr)Te 4 DMS II-VI CdTe 2 Mn, Cr (Cd,Mn,Cr)Te

untitled

/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

Laser Ablation Dynamics of Amorphous Film of a Cu-Phthalocyanine Derivative Masahiro HOSODA*,**, Hiroshi FURUTANI*,**. Hiroshi FUKUMURA*,** Hiroshi MASUHARA*, Masanobu NISHII*** Nobuyuki ICHINOSE**,***,

PowerPoint プレゼンテーション

研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

背景光触媒材料として利用される二酸化チタン (TiO2) には, ルチル型とアナターゼ型がある このうちアナターゼ型はルチル型より触媒活性が高いことが知られているが, その違いを生み出す要因は不明だった 光触媒活性は, 光吸収により形成されたキャリアが結晶表面に到達して分子と相互作用する過程と, キ

二酸化チタンの光触媒活性を決める因子を発見 - 高効率光触媒開発に新たな指針 - 要点 二酸化チタン結晶表面での光励起キャリアのダイナミクスをリアルタイムで観測することに成功し, 光触媒活性を決める因子を発見 未解明であったアナターゼ型とルチル型二酸化チタンの触媒活性の違いが, 光励起キャリアの結晶表面に固有な寿命に起因することを証明 光触媒活性を簡便に制御する方法を提案 概要 東京大学物性研究所の松田巌准教授と山本達助教,

hetero

ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

untitled

1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)

15H02248 研究成果報告書

70Gbps ICT 100Tbps LAN 100Gbps 10Gbps 40Gbps TU Berlin 25Gbps 60Gbps (IBM) (APL 2013, APEX 2014) 10 m (Optics Express 2014) 100Gbps 3 VCSEL 4 7 図 10 変調器集積面発光レーザ 8 NRZ 48Gbps 11 図 12 製作した変調器集積 VCSEL の近視野像

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

研究成果報告書

Fe 4 N (1) 3d MBE (2) AMR (3) BiFeO 3 150 C/cm 2 Fe 4 N > 400 Fe 0 0.7 M MTJ T TMR (4) MTJ Fe 4 4N Fe 4 N BiFeO 3 Fe 4 4N Fe N N Fe 4 N Mn 4 N Fe 4 N MTJ J Co x Fe 4-x N, Ni x Fe 4-x N x = 0 T TMR ~ 4,

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

資料２　次世代太陽電池における計測機器

第 9 回 先 端 計 測 分 析 技 術 機 器 開 発 小 委 員 会 2010 年 11 月 24 日 次 世 代 太 陽 電 池 における 計 測 機 器 韓 礼 元 次 世 代 太 陽 電 池 センター 1 太 陽 電 池 の 分 類 太 陽 電 池 シリコン 化 合 物 単 結 晶 結 晶 系 多 結 晶 薄 膜 系 (アモルファス マイクロクリスタル 等 ) 単 結 晶 ( GaAs

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 研究種目 : 基盤研究 (C) 研究期間 : 平成 18 年度 ~ 平成 20 年度課題番号 :18550199 研究課題名 ( 和文 ) 高分子光機能ナノ空間の構築とその機能 平成 21 年 5 月 29 日現在 研究課題名 ( 英文 ) Design and Function of Nano-sized Photo Functional Free

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

untitled

20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index

MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application

スライド 1

Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜

銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果

トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved

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4 Nano Device Technologies From New Functions of Extreme Substances to Telecommunication Technologies 4-1 Controlling Intermolecular Interactions using Nano- Structural Molecules OTOMO Akira, YOKOYAMA

研 究 紹 介 ため, 量 子 ドット 内 の 電 子 は 原 子 のような 完 全 に 離 散 化 したエネルギー 状 態 を 有 する.このような 量 子 ドットを 高 密 度 に 規 則 配 列 させると, 量 子 ドット 間 が 電 子 的 に 結 合 してバンドを 形 成 する.すなわち,

中 間 バンド 型 量 子 ドット 太 陽 電 池 理 論 集 光 効 率 63% InAs 量 子 ドットを 利 用 した 高 効 率 太 陽 電 池 現 在, 最 も 普 及 している Si 材 料 を 主 体 とした 単 接 合 型 太 陽 電 池 では, 太 陽 光 のうちバンドギャップ 以 上 のエ ネルギーを 有 する 光 子 は, 吸 収 した 後 そのエネルギーが 熱 に 変 換 される.

XFEL/SPring-8

DEVELOPMENT STATUS OF RF SYSTEM OF INJECTOR SECTION FOR XFEL/SPRING-8 Takao Asaka 1,A), Takahiro Inagaki B), Hiroyasu Ego A), Toshiaki Kobayashi A), Kazuaki Togawa B), Shinsuke Suzuki A), Yuji Otake B),

博士論文 ( 論文題目 ) 量子ドット超格子中間バンド型太陽電池の エネルギー変換特性 平成 29 年 7 月 神戸大学大学院工学研究科 ( 氏名 ) 加田智之

Kobe University Repository : Thesis 学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree 公開日 Date of Publication 資源タイプ Resource Type 報告番号 Report Number 権利 Rights JaLCDOI URL 量子ドット超格子中間バンド型太陽電池のエネルギー変換特性

Estimation of Photovoltaic Module Temperature Rise Motonobu Yukawa, Member, Masahisa Asaoka, Non-member (Mitsubishi Electric Corp.) Keigi Takahara, Me

Estimation of Photovoltaic Module Temperature Rise Motonobu Yukawa, Member, Masahisa Asaoka, Non-member (Mitsubishi Electric Corp.) Keigi Takahara, Member (Okinawa Electric Power Co.,Inc.) Toshimitsu Ohshiro,

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 25 年 6 月 7 日現在 機関番号 :32651 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2010~2012 課題番号 :22791634 研究課題名 ( 和文 ) 中耳粘膜の血流動態が中耳腔全圧に及ぼす影響に関しての研究 研究課題名 ( 英文 ) A study of the effect of blood

スライド 1

基 礎 から 徹 底 解 説 : 高 効 率 太 陽 電 池 に 向 けた 研 究 開 発 超 高 効 率 III/V 太 陽 電 池 www.solarsystems.com.au 杉 山 正 和 東 京 大 学 大 学 院 工 学 系 研 究 科 太 陽 電 池 の 効 率 記 録 2 集 光 型 太 陽 電 池 Puertollano and Seville (Spain) www.concentrix-solar.de

二二工学博士荒川泰彦氏の 量子ドットとその光素子応用に関する研究 に対する授賞審査要旨電子の量子力学的波長である一〇ナノメートル程度の厚さの半導体薄膜を用いた電子の運動制御の研究は 一九六九年の江崎玲於奈博士による超格子 量子井戸の提案から始まった この研究は 二次元電子系の物理の進展とともに 量子

二二工学博士荒川泰彦氏の 量子ドットとその光素子応用に関する研究 に対する授賞審査要旨電子の量子力学的波長である一〇ナノメートル程度の厚さの半導体薄膜を用いた電子の運動制御の研究は 一九六九年の江崎玲於奈博士による超格子 量子井戸の提案から始まった この研究は 二次元電子系の物理の進展とともに 量子井戸レーザーなど新規素子をもたらし IT社会の発展に大きく貢献した 量子ドットは 超格子 量子井戸の新たな展開として一九八二年に荒川泰彦氏らが提案した究極の半導体ナノ構造である

Table 1. Reluctance equalization design. Fig. 2. Voltage vector of LSynRM. Fig. 4. Analytical model. Table 2. Specifications of analytical models. Fig

Mover Design and Performance Analysis of Linear Synchronous Reluctance Motor with Multi-flux Barrier Masayuki Sanada, Member, Mitsutoshi Asano, Student Member, Shigeo Morimoto, Member, Yoji Takeda, Member

研究成果報告書

(),, ( ),,,,,, ZrNCl,, 20 %,,,,,, (DFT),,,, (x0.5) (x )(x 0.2),,,,,,,,,, DFT, GW (G;, W; ),, G() W() GW,,,,,,.,, GW,, SrVO 3 (TMTSF) 2 PF 6 GW,,, GW, (SystemB) GW,,,, 24 10,,,.,,, GW, Si Al 1 2 DFT, GW

( 様式 4) 二国間交流事業共同研究報告書 平成 29 年 4 月 4 日 独立行政法人日本学術振興会理事長殿 共同研究代表者所属 部局北海道大学 大学院情報科学研究科 ( ふりがな ) むらやまあきひろ職 氏名教授 村山明宏 1. 事 業 名相手国 ( スウエーデン ) との共同研究 振興会対応

( 様式 4) 二国間交流事業共同研究報告書 平成 29 4 月 4 日 独立行政法人日本学術振興会理事長殿 共同研究代表者所属 部局北海道大学 大学院情報科学研究科 ( ふりがな ) むらやまあきひろ職 氏名教授 村山明宏 1. 事 業 名相手国 ( スウエーデン ) との共同研究 振興会対応機関 ( STINT ) 2. 研究課題名室温スピントロニクスを指す半導体ナノ構造のスピン機能性探索 3.

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太陽光発電研究センター 平成 22 年 8 月 9 日第 6 回太陽光発電研究センター成果報告会 化合物薄膜チームの概要 ー CIGS 太陽電池の研究開発ー Research Activities of Thin Film Compound Semiconductor Team - R&D of CIGS Solar Cells and Modules - 発表者 : 仁木栄 Shigeru Niki

在, 累 積 導 入 量 の 9 割 以 上 を 占 める Si 太 陽 電 池 の 場 合 は 約 29 が 非 集 光 時 の 最 大 値 である. 半 導 体 のバンドギャップ より 小 さいエネルギーの 太 陽 光 は, 半 導 体 中 で 吸 収 されずに 透 過 してしまい,Si セルの

解 説 量 子 ドット 太 陽 電 池 の 現 状 と 将 来 展 望 岡 田 至 崇 1 Recent Progress and Future Prospects for Quantum Dot Solar Cell Technology Yoshitaka OKADA 1 1 Research Center for Advanced Science and Technology, The University

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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

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5-3 Photonic Antennas and its Application to Radio-over-Fiber Wireless Communication Systems LI Keren, MATSUI Toshiaki, and IZUTSU Masayuki In this paper, we presented our recent works on development of

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

研究成果報告書

EL EL 17% 1.5 (F. Li, et al. Org. Elect., Vol. 8, 635, 2007 ) (S.Hore, et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, pp. Vol. 90, 1176, 2006) (C. Haase et al., Proc. of SPIE, Vol. 6645, 66450W, 2007) (T. Fukuda

Rate of Oxidation of Liquid Iron by Pure Oxygen Shiro BAN-YA and Jae-Dong SHIM Synopsis: The rate of oxidation of liquid iron by oxygen gas has been s

Rate of Oxidation of Liquid Iron by Pure Oxygen Shiro BAN-YA and Jae-Dong SHIM Synopsis: The rate of oxidation of liquid iron by oxygen gas has been studied using a volume constant technique. The process

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単一光子光源に向けたカーボンナノチューブ光 電子デバイス研究 研究代表者 : 牧英之 ( 慶應義塾大学理工学部物理情報工学科専任講師 ) 発表者 : 森達也 室野井有 ( 物理情報工学科牧研究室修士 1 年 ) Carbon nanotube SWNT One-dimensional material diameter: ~ 1nm (SWNTs) length: several m Electronic

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一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約

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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

untitled

Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

予定　（川口担当分）

予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体

Fig.2 Optical-microscope image of the Y face-cross sec- tion of the bulk domain structure of a 0.4-mm-thick MgO-LiNbO3 crystal after chemical etching.

Blue EGreen Solid State Lasers Using MgO-LiNbO3 Periodic Domain Inverted Bulk Crystal and Their Applications Koji KAMIYAMA, Yoji OKAZAKI, and Akinori HARADA Fuji Photo Film. Co., Ltd., Miyanodai Technology

A Study on Throw Simulation for Baseball Pitching Machine with Rollers and Its Optimization Shinobu SAKAI*5, Yuichiro KITAGAWA, Ryo KANAI and Juhachi

A Study on Throw Simulation for Baseball Pitching Machine with Rollers and Its Optimization Shinobu SAKAI*5, Yuichiro KITAGAWA, Ryo KANAI and Juhachi ODA Department of Human and Mechanical Systems Engineering,

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

ポイント: 多 波 長 励 起 光 電 流 分 光 によるアップコンバージョン 光 電 流 生 成 機 構 の 解 明 半 導 体 ナノ 構 造 を 利 用 した 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 の 効 率 を 支 配 するプロセスを 究 明 キャリア 多 体 効 果 を 利 用 することによる

平 成 26 年 2 月 1 8 日 量 子 ナノ 構 造 を 利 用 した 太 陽 電 池 の 光 キャリアの 振 る 舞 いを 解 明 - 高 効 率 太 陽 電 池 の 実 現 に 前 進 - 概 要 金 光 義 彦 化 学 研 究 所 教 授 ディビット テックス (David M. Tex) CREST 研 究 員 は 異 なる 三 種 類 の 波 長 のレーザー 光 を 用 いた 分 光

Fig. la PL spectra of PSL prepared on Si specimen (p = 1 k Q m) with electrochemical etching in HF solution (26wt %) under galvanostatic conditions of

Vol.47,No.11,1996 Influence of Electrochemical Etching Current Density on Porous Si Luminescence Properties and Microstructure Kazuhiro SHIGYO *, Masahiro SEO *, Kazuhlsa AZUMI * and Hideaki TAKAHASHI

研究成果報告書

Simulation Study of Interaction between Alfvén Eigenmodes and Energetic Particles (TAE ) TAE TAE MHD ITER We studied the interaction between Alfvén eigenmodes and energetic particles in fusion plasmas

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式

日立金属技報　Vol.34

Influence of Misorientation Angle between Adjacent Grains on Magnetization Reversal in Nd-Fe-B Sintered Magnet Tomohito Maki Rintaro Ishii Mitsutoshi Natsumeda Takeshi Nishiuchi Ryo Uchikoshi Masaaki Takezawa

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs

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特集 : 振動流によるエネルギー変換 熱輸送現象と応用技術 * Oscillatory Flow in a Thermoacoustic Sound-wave Generator - Flow around the Resonance Tube Outlet - Masayasu HATAZAWA * Synopsis: This research describes the oscillatory

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di

(15) 15 ELA により形成された poly-si 結晶成長様式 - グレイン形状と水素の関係 - Crystal Growth Mode of Poly-Si Prepared by ELA -Relationship between the Grain Morphology and ydrogens- Naoya KAWAMOTO (Dept. of Electrical and Electronic

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次世代太陽電池創製に向けたマルチスケールシリコン系結晶 Multiscale silicon-based materials for advanced solar cells 宇佐美徳隆 太野垣健 * 星裕介 高橋勲 Supawan Joonwichien Noritaka Usami, Takeshi Tayagaki*, Yusuke Hoshi, Isao Takahashi, Supawan

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University Vol.11, No.1, March 2006 Numerical Analysis of Scattering Atom

九州大学学術情報リポジトリ Kyushu University Institutional Repository レーザーアブレーション原子蛍光分光法における放出原子の挙動解析 中村, 大輔九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 : 博士後期課程 肥後谷, 崇九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 : 修士課程 三洋電機株式会社 高尾, 隆之九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

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12 Exploration Method of Various Routes with Genetic Algorithm 1010369 2001 2 5 ( Genetic Algorithm: GA ) GA 2 3 Dijkstra Dijkstra i Abstract Exploration Method of Various Routes with Genetic Algorithm

藤村氏(論文1).indd

Nano-pattern profile control technology using reactive ion etching Megumi Fujimura, Yasuo Hosoda, Masahiro Katsumura, Masaki Kobayashi, Hiroaki Kitahara Kazunobu Hashimoto, Osamu Kasono, Tetsuya Iida,

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

PowerPoint プレゼンテーション

加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

スライド 1

研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

報告書

(University College Dublin) 22 2 15 22 4 10 宇都宮大学オプティクス教育研究センター はじめに アイルランドのダブリンにあるアイランド国立大学ダブリン校 (University College Dublin) において 約 2 ヶ月間の短期研究留学を行った O Sullivan 教授と Dunne 准教授の研究室に滞 在し 極端紫外光 (XUV) に関する研究に従事させて頂き

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ナノ量子フォトニクス 資料2-1 科学技術 学術審議会 研究計画 評価分科会 第10期ナノテクノロジー 材料科学技術委員会 第3回 未来の量子通信技術に向けた光デバイスの研究 理化学研究所 開拓研究本部 加藤ナノ量子フォトニクス研究室 光量子工学研究センター 量子オプトエレクトロニクス研究チーム 加藤雄一郎 Nanoscale Quantum Photonics Laboratory, RIKEN

Microsoft Word - 第９章発光デバイス＿

第 9 章発光デバイス 半導体デバイスを専門としない方たちでも EL( エレクトロルミネッセンス ) という言葉はよく耳にするのではないだろうか これは電界発光の意味で ディスプレイや LED 電球の基本的な動作原理を表す言葉でもある 半導体は我々の高度情報社会の基盤であることは言うまでもないが 情報端末と人間とのインターフェースとなるディスプレイおいても 今や半導体の技術範疇にある この章では 光を電荷注入により発することができる直接遷移半導体について学び

新技術説明会　様式例

1 新材料 BaSi 2 による 薄膜太陽電池開発の現状 筑波大学数理物質系 教授末益崇 材料による分類 太陽電池の分類 シリコン系 シリコン系新材料 結晶シリコン アモルファル III-V 族 (GaAs) 単結晶シリコン多結晶シリコン微結晶シリコン多接合へテロ接合型 (HIT) 太陽電池 化合物系 CIGS 系 (CuInSe 2 ) BaSi 2 CdTe c=1.158nm 有機系 有機半導体

2. 研 究 実 施 内 容 (1) 研 究 のねらい 太 陽 電 池 の 薄 膜 化 と 高 効 率 化 を 同 時 に 実 現 するためには 薄 膜 の 光 吸 収 効 率 を 増 加 させる 必 要 がある 本 研 究 では 吸 収 効 率 の 高 い 材 料 を 実 現 する 手 段 として

太 陽 光 を 利 用 した 独 創 的 クリーンエネルギー 生 成 技 術 の 創 出 平 成 21 年 度 採 択 研 究 代 表 者 H24 年 度 実 績 報 告 堀 越 佳 治 早 稲 田 大 学 先 進 理 工 学 部 教 授 励 起 子 吸 収 による 増 感 を 利 用 した 高 効 率 太 陽 電 池 の 研 究 1. 研 究 実 施 体 制 (1) 堀 越 グループ( 早 稲 田

Microsoft Word - note02.doc

年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

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平成 26 年 2 月 26 日 東京工業大学広報センター長 大谷 清 半導体中を秒速 8 万 m で動きまわる電子を撮影 - 見える化 により多様な半導体材料の評価に威力 - 要点 半導体材料中の 20 nm スケールの領域に流れる電子を 200 フェムト秒間隔で測定 電子が半導体中を秒速約 8 万 m で動きまわる様子の動画撮影に成功 半導体の新しいナノ構造の開拓や未来の新材料開発に貢献 概要

1.7 D D 2 100m 10 9 ev f(x) xf(x) = c(s)x (s 1) (x + 1) (s 4.5) (1) s age parameter x f(x) ev 10 9 ev 2

2005 1 3 5.0 10 15 7.5 10 15 ev 300 12 40 Mrk421 Mrk421 1 3.7 4 20 [1] Grassberger-Procaccia [2] Wolf [3] 11 11 11 11 300 289 11 11 1 1.7 D D 2 100m 10 9 ev f(x) xf(x) = c(s)x (s 1) (x + 1) (s 4.5) (1)

Microsoft Word IzumiReportVer6.doc

研究助成報告書 ( 中間 終了 ) No.1 整理番号 H27-J-171 報告者氏名大塚朋廣 研究課題名高速量子プローブによる半導体微細材料中局所電子状態の高速評価手法の開発 < 代表研究者 > 機関名 : 国立研究開発法人理化学研究所職名 : 研究員氏名 : 大塚朋廣 < 共同研究者 > 機関名 : 職名 : 氏名 : 機関名 : 職名 : 氏名 : 機関名 : 職名 : 氏名 : 機関名 :

「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」

NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型

Studies of Foot Form for Footwear Design (Part 9) : Characteristics of the Foot Form of Young and Elder Women Based on their Sizes of Ball Joint Girth

Studies of Foot Form for Footwear Design (Part 9) : Characteristics of the Foot Form of Young and Elder Women Based on their Sizes of Ball Joint Girth and Foot Breadth Akiko Yamamoto Fukuoka Women's University,

Terahertz Color Scanner Takeshi YASUI Terahertz THz spectroscopic imaging is an interesting new tool for nondestructive testing, security screening, b

Terahertz Color Scanner Takeshi YASUI Terahertz THz spectroscopic imaging is an interesting new tool for nondestructive testing, security screening, biological imaging, and other applications because of

ES_Exp_32_Photovo_Cells_LQ_日本語

太陽電池 LabQuest 32 太陽によって生産されるエネルギーは太陽エネルギーと呼ばれる. 太陽全体で起こっている核融合反応によって生産されている. このエネルギーは光の形式で地球に届く. 光電池あるいは太陽電池は, 光エネルギーを電卓や自動車, 人工衛星などで使われる電気エネルギーに変換する. 光電池は普通, シリコンなどの半導体物質から作られる. 電池に光が入ると, 電子を動かし電池に電流を発生させる.

【請求項１】

請 求 項 1 単 結 晶 半 導 体 からなる 支 持 基 板 に 多 孔 質 半 導 体 層 を 形 成 する 工 程 と 前 記 支 持 基 板 上 に 前 記 多 孔 質 半 導 体 層 を 介 して 単 結 晶 半 導 体 層 を 形 成 する 工 程 と 前 記 単 結 晶 半 導 体 層 の 表 面 に 絶 縁 層 を 形 成 し 表 示 領 域 の 絶 縁 層 を 残 して 周 辺

Acknowledgements

時間分解分光測定を利用した 光触媒の開発 メカニズムを理解し 高性能光触媒を実現! 豊田工業大学大学院工学研究科 山方啓 1 本日の発表内容 時間分解赤外分光を用いた光触媒反応の機構解明 1. 光触媒について 2. 光励起キャリアーの時間分解赤外分光観察 3. 不純物ドープによる可視光応答型光触媒 Ni をドープした SrTiO 3 4. 助触媒への電子移動と正孔移動 LaTiO 2 N 可視光応答型光触媒

untitled

2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B

Table 1. Assumed performance of a water electrol ysis plant. Fig. 1. Structure of a proposed power generation system utilizing waste heat from factori

Proposal and Characteristics Evaluation of a Power Generation System Utilizing Waste Heat from Factories for Load Leveling Pyong Sik Pak, Member, Takashi Arima, Non-member (Osaka University) In this paper,

Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学

207 年 2 月 8 日 ( 月 ) 限 8:45~0:5 I05 第 回半導体工学天野浩項目 8 章半導体の光学的性質 /24 光る半導体 ( 直接遷移型 ) と光らない半導体 ( 間接遷移型 ) * 原理的に良く光る半導体 :GaAs GaN IP ZSe など * 原理的に殆ど光らない半導体 ( 不純物を入れると少し光る ):Si Ge GaP SiCなど結晶構造とバンド構造 E E 伝導帯

1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し

2014 年 8 月 1 日 独立行政法人理化学研究所 国立大学法人東京大学 太陽電池の接合界面に相競合状態を持たせ光電変換効率を向上 - 多重キャリア生成により光電流が増幅 強相関太陽電池の実現へ前進 - 本研究成果のポイント 光照射で相転移を起こす強相関電子系酸化物と半導体を接合した太陽電池を作製 金属と絶縁体の相競合状態をヘテロ接合界面のごく近くで誘起することに成功 界面での相競合状態を磁場を使うことで観測可能に

日本感性工学会論文誌

pp.389-402 2017 doi: 10.5057/jjske.TJSKE-D-17-00019 SKEL Fundamental Analysis on Designer s Inference Process Framework and Its Visualization Proposal of Inference Mapping Method to Assist Meta-cognition

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化