アプリケーションノート Rev.1.3 サンケン 電 気 株 式 会 社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. http://www.sanken-ele.co.jp Page.1
目 次 1. 概 要 -------------------------------------------------------------------------------------------3 2. 特 長 -------------------------------------------------------------------------------------------3 3. ブロック 図 と 各 端 子 機 能 -------------------------------------------------------------------4 4. 外 形 図 ----------------------------------------------------------------------------------------5 5. 電 気 的 特 性 ----------------------------------------------------------------------------------6 6. 応 用 回 路 例 ----------------------------------------------------------------------------------9 7. 動 作 説 明 ----------------------------------------------------------------------------------- 10 7.1 共 振 回 路 動 作 ------------------------------------------------------------------------ 10 7.2 起 動 動 作 ------------------------------------------------------------------------------ 11 7.3 ソフトスタート 機 能 ------------------------------------------------------------------- 12 7.4 定 電 圧 制 御 動 作 --------------------------------------------------------------------- 12 7.5 デッドタイム 自 動 検 出 機 能 --------------------------------------------------------- 13 7.6 ラッチ 回 路 ---------------------------------------------------------------------------- 16 7.7 外 部 ラッチ 機 能 ---------------------------------------------------------------------- 16 7.8 ブラウンイン/ブラウンアウト ブラウンアウト 機 能 ------------------------------------------------ 16 7.9 過 電 圧 保 護 (OVP) ----------------------------------------------------------------- 17 7.10 過 負 荷 保 護 (OLP) ----------------------------------------------------------------- 17 7.11 過 電 流 保 護 (OCP) ----------------------------------------------------------------- 18 7.12 電 流 共 振 外 れ 検 出 機 能 ------------------------------------------------------------ 19 8. 設 計 上 の 注 意 点 -------------------------------------------------------------------------- 21 ご 注 意 書 き -------------------------------------------------------------------------------------- 23 Page.2
1. 概 要 は ハイサイドパワーMOSFET ドライブ 用 のフローティング ドライブ 回 路 を 内 蔵 した 電 流 共 振 型 (SMZ* 方 式 ) 電 源 用 制 御 IC です * SMZ = Soft-switched Multi-resonant Zero Current switch すべてのスイッチング 領 域 がソフトスイッチ 動 作 様 々な 電 源 仕 様 に 対 して デッドタイム 自 動 調 整 機 能 や 共 振 外 れ 検 出 機 能 など 充 実 した 保 護 機 能 により 構 成 部 品 の 少 ないコストパフォーマンスの 高 い 小 型 高 効 率 低 ノイズ 電 源 システムを 容 易 に 構 成 することが できます 2. 特 長 特 長 と 利 点 DIP16 パッケージ ハイサイドパワーMOSFET ドライブ 用 のフローティング ドライブ 回 路 内 蔵 ソフトスタート 機 能 内 蔵 ( 電 源 起 動 時 パワーMOSFET のストレス 軽 減 および 共 振 外 れの 防 止 ) パルス バイ パルスによる 電 流 共 振 外 れ 検 出 機 能 (トランスの 利 用 効 率 の 向 上 ( 最 もエネルギが 高 くなる 共 振 周 波 数 域 の 使 用 が 可 能 ) およびパワーMOSFET のストレス 軽 減 ) デッドタイム 自 動 調 整 機 能 ( 最 適 なデッドタイムに 自 動 調 整 電 源 仕 様 毎 のデッドタイムの 調 整 が 不 要 ) 保 護 機 能 - ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 ---------------------- 低 入 力 電 圧 時 の 過 入 力 電 流 や 過 熱 の 防 止 - 外 部 ラッチ 機 能 -------------------------------------------- 外 部 信 号 を 加 えると 強 制 的 に ラッチオフ* - 過 電 流 保 護 (OCP)--------------------------------------- 過 電 流 状 態 に 応 じて 3 段 階 の 保 護 動 作 - 過 負 荷 保 護 (OVP)--------------------------------------- ラッチオフ* - 過 電 圧 保 護 (OLP) --------------------------------------- ラッチオフ* - 過 熱 保 護 (TSD) ------------------------------------------ ラッチオフ* *ラッチオフ ラッチオフは 発 振 停 止 を 継 続 して 保 護 を 行 う 動 作 Page.3
3. ブロック 図 と 各 端 子 機 能 ブロック 図 V CC 2 V CC VB VB 13 4 START/STOP Reg/Bias OVP/TSD/Latch Level Shift UVLO High Side Driver VCC VGH VS VGH 15 VS 14 Vsen1 VSEN Input Sense OLP Main Logic Reg VGL 9 Reg 11 VGL FB3 Css5 FB C SS FB Control Soft-Start/OC Standby Control Frequency Control Dead Time Freq Max RC Detector RV Detector OC Detector COM RC RV OC 10 COM RC 7 RV 8 OC 6 各 端 子 機 能 端 子 番 号 端 子 名 機 能 1 VSEN 入 力 (AC ライン) 電 圧 検 出 端 子 2 V CC 制 御 部 電 源 端 子 3 FB 定 電 圧 制 御 / 過 負 荷 検 出 端 子 4 制 御 部 グランド 5 C SS ソフトスタート 用 コンデンサ 接 続 端 子 6 OC 過 電 流 検 出 端 子 7 RC 共 振 電 流 検 出 端 子 8 RV 電 圧 共 振 検 出 端 子 9 Reg ゲートドライブ 回 路 用 電 源 入 力 10 COM パワー 部 グランド 11 VGL ローサイドゲートドライブ 12,16 (NC) 13 VB ハイサイドゲートドライブ 電 源 入 力 14 VS ハイサイドドライバフローティンググランド 15 VGH ハイサイドゲートドライブ Page.4
4. 外 形 図 DIP16 パッケージ 7.89 ±0.2 19.05 ±0.2 6.4 ±0.2 16Pin SK a b 1Pin 0.27 ±0.1 0~15 3.2MAX 4.0MAX 3.3MIN 2.54 ±0.25 ±0.15 0.6 3.2±0.2 0.635 ±0.2 1.54 ±0.1 0.52 ±0.1 1.03 ±0.1 17.78 TYP 単 位 :mm 製 品 重 量 : 約 1.0g 端 子 材 質 :Cu 端 子 の 処 理 : 半 田 メッキ a:ロット 番 号 YMR 第 1 文 字 : 西 暦 年 号 下 一 行 第 2 文 字 : 月 1~9 月 :アラビア 数 字 10 月 :O 11 月 :N 12 月 :D 第 3 文 字 : 弊 社 管 理 番 号 b: 製 造 日 (2 桁 )+ 弊 社 管 理 番 号 Page.5
5. 電 気 的 特 性 電 流 の 規 定 は IC を 基 準 として シンクが+ ソースが-とします 5.1 絶 対 最 大 定 格 特 記 なき 場 合 の 条 件 Ta=25 項 目 端 子 記 号 規 格 値 単 位 備 考 V S E N 端 子 電 圧 1 4 V SEN 0.3 ~V R E G V 制 御 部 電 源 電 圧 2 4 V CC 0.3 ~+35 V F B 端 子 電 圧 3 4 V FB 0.3 ~+10 V C S S 端 子 電 圧 5 4 V Css 0.3 ~+12 V R C 端 子 電 圧 7 4 V RC 6 ~+6 V R V 端 子 電 流 8 4 I RV 2 ~+2 ma DC 100 ~+100 ma パルス 40ns O C 端 子 電 圧 6 4 V OC 6 ~+6 V V G L 端 子 電 圧 11 4 V GL 0.3~V R E G +0.3 V R e g 端 子 流 出 電 流 9 4 I REG 20.0 ma V B V S 端 子 間 電 圧 13 14 V B V S 0.3 ~+15.0 V V S 端 子 電 圧 14 4 V S 1 ~+600 V V G H 端 子 電 圧 15 4 V GH V S 0.3~V B +0.3 V 動 作 周 囲 温 度 T OP 20 ~+85 保 存 温 度 T stg 40 ~+125 ジ ャ ン ク シ ョ ン 温 度 T j +150 この 製 品 の 13 14 15 番 端 子 のサージ 耐 量 (ヒューマンボディモデル)は 1000V 保 証 その 他 の 端 子 は 2000V 保 証 Page.6
5.2 制 御 部 電 気 的 特 性 アプリケーションノート ス タ ー ト 回 路 / 回 路 電 流 特 記 なき 場 合 の 条 件 Ta=25 V CC =15V 項 目 端 子 記 号 規 格 値 MIN TYP MAX 動 作 開 始 電 源 電 圧 2 4 V CC(ON) 10.2 11.8 13.0 V 動 作 停 止 電 源 電 圧 2 4 V CC(OFF) 8.8 9.8 10.9 V 動 作 時 回 路 電 流 2 4 ICC(ON) 20.0 ma 単 位 備 考 V CC(OFF) < V CC(ON) 非 動 作 時 回 路 電 流 2 4 ICC(OFF) 1.2 ma V CC =9V ラ ッ チ 動 作 時 回 路 電 流 2 4 I CC(L) 1.2 ma V CC =11V O L P ラ ッ チ / 外 部 ラ ッ チ F B 端 子 流 出 電 流 3 4 I FB 30.5 25.5 20.5 µa F B 端 子 し き い 値 電 圧 3 4 V FB 6.55 7.05 7.55 V C S S 端 子 し き い 値 電 圧 ( 1 ) 5 4 V Css(1) 7.0 7.8 8.6 V ラ ッ チ 解 除 V C C 電 圧 2 4 V CC(La.off) 6.7 8.2 9.5 V 発 振 器 最 低 周 波 数 最 高 周 波 数 最 大 デ ッ ト タ イ ム 最 小 デ ッ ト タ イ ム コ ン ト ロ ー ル 11 10 15 14 11 10 15 14 11 10 15 14 11 10 15 14 F (MIN) 26.2 28.3 31.2 khz F (MAX) 265 300 335 khz t d(max) 1.90 2.45 3.00 µs t d(min) 0.25 0.50 0.75 µs バースト 開 始 FB 端 子 電 流 3 4 I CONT(1) 2.9 2.5 2.1 ma 発 振 出 力 停 止 FB 端 子 電 流 3 4 I CONT(2) 3.7 3.1 2.5 ma ソ フ ト ス タ ー ト C S S 端 子 チ ャ - ジ 電 流 5 4 I Css(C) 0.21 0.18 0.15 ma Vcc (La.off) <Vcc (OFF) C S S 端 子 リ セ ッ ト 電 流 5 4 I Css(R) 1.0 1.8 2.4 ma V CC =9V 過 電 圧 保 護 / 過 熱 保 護 O V P 動 作 V C C 電 圧 2 4 V OVP 28.0 31.0 34.0 V 熱 保 護 動 作 温 度 T j (TSD) 150 電 流 共 振 検 出 / 過 電 流 保 護 電 流 共 振 外 れ 検 出 電 圧 7 4 V RC ±0.055 ±0.155 ±0.255 V RC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed) 7 4 V RC(S) ±2.15 ±2.35 ±2.55 V O C 端 子 し き い 値 電 圧 ( L o w ) 6 4 V OC(L) 1.42 1.52 1.62 V O C 端 子 し き い 値 電 圧 ( H i g h ) 6 4 V OC(H) 1.69 1.83 1.97 V OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed) 6 4 V OC(S) 2.15 2.35 2.55 V C S S 端 子 シ ン ク 電 流 5 4 I Css (L) 1.0 1.8 2.4 (H) 12.0 20.0 28.0 (S) 11.0 18.3 25.0 ma Page.7
電 圧 共 振 検 出 項 目 端 子 記 号 規 格 値 MIN TYP MAX 電 圧 共 振 検 出 端 子 電 圧 ( 1 ) 8 4 V RV(1) 3.8 4.9 5.4 V 電 圧 共 振 検 出 端 子 電 圧 ( 2 ) 8 4 V RV(2) 1.20 1.77 2.30 V ス タ ン バ イ バ ー ス ト 周 波 数 5 4 f Css 70 105 130 Hz O N / O F F C S S 端 子 しきい 値 電 圧 (2) 5 4 V Css(2) 0.50 0.59 0.68 V 入 力 電 圧 検 出 機 能 VSEN 端 子 しきい 値 電 圧 (ON) 1 4 V SEN(ON) 1.26 1.42 1.57 V VSEN 端 子 しきい 値 電 圧 (OFF) 1 4 V SEN(OFF) 1.06 1.16 1.26 V ド ラ イ バ 電 源 ド ラ イ バ 電 源 電 圧 9 4 V REG 9.9 10.5 11.1 V ハ イ サ イ ド ド ラ イ バ ハイサイドドライバ 動 作 開 始 電 圧 13 14 V BUV(ON) 6.3 7.3 8.3 V ハイサイドドライバ 動 作 停 止 電 圧 13 14 V BUV(OFF) 5.5 6.4 7.2 V ド ラ イ ブ 回 路 出 力 ソ ー ス 電 流 出 力 シ ン ク 電 流 11 10 15 14 11 10 15 14 単 位 IGL SOURCE IGH SOURCE 45 78 110 ma IGL SINK IGH SINK 150 107 65 ma 備 考 V REG =12V V B =12V V GL =10.5V V GH =10.5V V REG =12V V B =12V V GL =1.5V V GH =1.5V 5.3 熱 抵 抗 項 目 記 号 規 格 値 MIN TYP MAX MIC ジャンクション エア 間 θ j-a 120 /W 単 位 備 考 Page.8
6. 応 用 回 路 例 VAC VB VGH VS VOUT Reg VGL VSEN COM Vcc FB Css OC RC RV Cv Ci R OCP 外 部 電 源 図 6 応 用 回 路 例 Page.9
7. 動 作 説 明 電 流 値 の 極 性 は IC を 基 準 として シンクが + ソースが で 示 します 7.1 共 振 回 路 動 作 直 列 共 振 回 路 High-side SW Q(H) Ci Lr キャパシタンス 領 域 インダクタンス 領 域 Low-side SW Q(L) Cv 図 7-1 電 流 共 振 電 源 原 理 図 fo 周 波 数 図 7-2 共 振 回 路 のインピーダンス 図 7-1 に 電 流 共 振 電 源 の 原 理 図 を 示 します ここで Q(H)を High-side SW Q(L)を Low-side SW Ci を 電 流 共 振 コンデンサ C V を 電 圧 共 振 コンデンサと 呼 びます 周 波 数 を 変 化 させると 直 列 共 振 回 路 のインピーダンスは 図 7-2 のように 変 化 します インピーダンスは 共 振 周 波 数 f O を 中 心 として 高 い 周 波 数 がインダクタンス 領 域 低 い 周 波 数 がキャパシタンス 領 域 になります 本 共 振 電 源 のソフトスイッチングは インダクタンス 領 域 を 利 用 します 定 常 動 作 時 における 各 タイミングの Low-side SW の 電 流 波 形 を 図 7-3 の 太 線 部 に 示 します 1 期 間 の 動 作 Q(H)がオン 時 共 振 回 路 とトランスを 通 して 電 流 I D (H)が 流 れ 直 列 共 振 回 路 にエネルギを 蓄 えま す Q(H) Q(L) ID(H) Ci Cv Lr Lp Q(L) 電 圧 off ID(L) off 1 期 間 2 期 間 の 動 作 Q(H)がターンオフすると 直 列 共 振 回 路 に 蓄 えられ たエネルギにより I D (L)が 流 れ C V を 放 電 します C V 電 圧 が Q(L)のボディーダイオードの 順 方 向 電 圧 V F まで 下 がると I D (L)はこのボディーダイオードを 流 れ Q(L) 電 圧 はこの V F でクランプされます その 後 Q(L)が ターンオンすると Q(L)は ZVS(Zero Voltage Switching) ZCS(Zero Current Switching) 動 作 を 行 います トランス1 次 巻 線 に Ci の 電 圧 が 加 わり トランスを 介 し て 2 次 側 にエネルギが 伝 達 され それと 同 時 に Ci はエ ネルギを 放 電 していきます Ci の 電 圧 が 減 少 し 2 次 側 ダイオードがオンするだけの 電 圧 を トランスの1 次 側 巻 線 が 維 持 できなくなった 時 点 で 2 次 側 へのエネルギ 伝 達 が 終 わります 3 期 間 の 動 作 さらに I D (L) 電 流 が 流 れ Ci の 放 電 も 続 きます Q(H) Q(L) Q(H) Q(L) Ci Lr Lp Cv -ID(L) ID(L) 2 期 間 Ci Lr Lp Cv I(L) D 3 期 間 C V, (L P +L r )の 電 圧 共 振 Q(L) 電 圧 on ID(L) -ID(L) Is Is on C i, L r の 電 流 共 振 C V, (L P +L r )の 電 圧 共 振 on ID(L) on Is Is C i, (L P +L r )の 電 流 共 振 図 7-3-1 共 振 回 路 の 動 作 Page.10
4 期 間 の 動 作 Q(L)がタ ンオフすると 共 振 回 路 に 蓄 えたエネルギに より I D (H)が 流 れ Cv を 充 電 します C V 電 圧 が 入 力 電 圧 に 達 すると I D (H)がこのボディ ダイオ ドに 流 れ Q(H) 電 圧 はこの V F でクランプされます その 後 Q(H)がタ ンオンすると Q(H)は ZVS(Zero Voltage Switching) ZCS(Zero Current Switching) 動 作 を 行 います トランス1 次 側 巻 線 に Ci 電 圧 が 加 わり トランス を 介 して 2 次 側 にエネルギを 伝 達 し それと 同 時 に Ci はエ ネルギを 放 電 していきます Ci 電 圧 が 減 少 し 2 次 側 ダイ オ ドがオンするだけの 電 圧 を トランスの1 次 側 巻 線 が 維 持 できなくなった 時 点 で 2 次 側 のエネルギ 伝 達 が 終 わりま す Q(H) Q(L) -ID(H) Ci Lr Lp Cv 4 期 間 ID(H) Q(L) 電 圧 図 7-3-2 共 振 回 路 の 動 作 off ID (L) off 以 上 の 動 作 を 繰 り 返 し ZVS ZCS 動 作 により 2 次 側 へエネルギを 伝 達 します 7.2 起 動 動 作 V CC 端 子 は 制 御 部 電 源 端 子 で 外 部 電 源 から 電 圧 を 供 給 します( 図 7-4) V CC 端 子 は 図 7-4 のように V CC(ON) = 11.8V(TYP)に 達 すると 制 御 回 路 が 動 作 を 開 始 し V CC(OFF) = 9.8V (TYP)を 下 回 ると 低 入 力 時 動 作 禁 止 UVLO(Undervoltage Lockout) 回 路 により 制 御 回 路 は 動 作 を 停 止 し 再 び 起 動 前 の 状 態 に 戻 ります 起 動 時 のスイッチング 動 作 は VSEN 端 子 電 圧 が V SEN(ON) = 1.42V(TYP) 以 上 V CC 端 子 電 圧 が V CC(ON) = 11.8V(TYP) 以 上 C SS 端 子 電 圧 が V CSS(2) = 0.59V(TYP) 以 上 を 満 たすと 開 始 します C1 R4 R5 R6 R7 外 部 電 源 1 2 VSEN Vcc Cf Cvcc Css 5 4 C9 C8 C1 外 部 電 源 1 2 VSEN Vcc Cf Cvcc Css 5 4 C9 C8 Icc 20.0mA(MAX) 1.2mA(MAX) 図 7-4 V CC 周 辺 回 路 停 止 9V 9.8V(TYP) 起 動 図 7-5 回 路 電 流 Vcc 11.8V(TYP) 図 7-6 ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 を 使 用 しない 場 合 入 力 電 圧 供 給 後 本 IC を 用 いた 電 源 回 路 の ON/OFF 供 給 を 外 部 電 源 供 給 の 有 無 で 行 う 場 合 外 部 電 源 供 給 後 V CC(ON) = 11.8V(TYP)に 達 してからスイッチング 動 作 開 始 までの 時 間 は 図 7-4 の 回 路 は 次 式 (1)の 概 算 値 t ST1 になります t st 1 = C 8 VCSS ( 2 ) / ICSS ( C ) -------- (1) ここで V CSS(2) = 0.59V(TYP) I CSS(C) = 0.18mA(TYP) C8= 1µF の 場 合 は 約 3.3ms になります Page.11
図 7-6 の 回 路 は V CC(ON) = 11.8V(TYP) 後 内 部 回 路 により VSEN 端 子 電 圧 が V SEN(ON) = 1.42V(TYP)ま で 上 昇 する 時 間 次 式 (2)の 概 算 値 t ST2 が 加 算 されます ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 を 使 用 しない 場 合 は 7.8 ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 項 を 参 照 t st 2 = C 9 380 k -------- (2) C8= 1µF C9=0.01µF の 場 合 は t ST1 = 約 3.3ms t ST2 = 約 3.8ms より 約 7.1ms になります 7.3 ソフトスタート 機 能 発 振 器 の 周 波 数 は C SS 端 子 電 圧 によって 変 化 します 起 動 時 は C SS 端 子 に 接 続 した C8 を I CSS(C) = 0.18mA(TYP)で 充 電 し C SS 端 子 電 圧 が 徐 々に 増 加 するに したがって スイッチング 周 波 数 は 最 高 周 波 数 F (MAX) = 300kHz(TYP)から 低 くなります これにより 出 力 電 力 が 増 加 するソフトスタート 動 作 を 行 い 部 品 ストレス 共 振 外 れを 抑 えます V CC 端 子 電 圧 が V CC(OFF) = 9.8V(TYP) 以 下 VSEN 端 子 電 圧 が V SEN(OFF) = 1.16V(TYP) 以 下 および 外 部 ラッ チ 機 能 OVP ラッチ OLP ラッチ TSD ラッチが 動 作 した 場 合 C8 に 充 電 した 電 荷 は I CSS(R) = 1.8mA(TYP)で 放 電 します Css 端 子 電 圧 ソフトスタート 後 のOCP 動 作 期 間 ソフトスタート フィードバック 電 流 による 期 間 周 波 数 制 御 約 5.5V -0.18mA(TYP)でC8を 充 電 1 次 側 巻 線 電 流 時 間 4 OCP 制 限 0A Css 5 C8 時 間 図 7-7 C SS 動 作 図 7.4 定 電 圧 制 御 動 作 FB 端 子 に 接 続 したフォトカプラにより FB 端 子 からフィードバック 電 流 を 引 き 抜 いて 周 波 数 制 御 による 定 電 圧 制 御 を 行 います( 制 御 はインダク タンス 領 域 ) 微 小 負 荷 時 フィードバック 電 流 が I CONT(1) = 2.5mA(TYP) 以 下 になる と バースト 発 振 動 作 になり スイッチング 周 波 数 の 上 昇 による 損 失 増 加 や 2 次 側 出 力 電 圧 の 上 昇 を 抑 制 します フォトカプラの 2 次 側 発 光 部 の 設 計 は CTR などの 経 年 変 化 を 考 慮 し 制 御 に 必 要 な 発 振 出 力 停 止 FB 電 流 I CONT(2) = 3.7mA(MIN) 以 下 を 引 き 抜 けるように 設 定 します 図 7-8 中 R2 の 推 奨 定 数 は 560Ωになります 4 FB C6 R1 R2 C7 PC1 図 7-8 FB 端 子 周 辺 回 路 3 Page.12
7.5 デッドタイム 自 動 検 出 機 能 各 電 源 仕 様 に 合 せて 調 整 していたデッドタイムを 自 動 調 整 する 機 能 です Low-Side パワーMOSFET の V DS 波 形 の dv/dt を 検 出 して High-Side/Low-Side パワーMOSFET の ZVS(Zero Voltage Switching) 動 作 を 自 動 的 に 制 御 します 図 7-9 のように IC 内 部 で 検 出 回 路 を 構 成 しています 外 付 け 部 品 は 高 圧 セラミックコンデンサ Crv( 合 成 容 量 5pF 程 度 )を VS 端 子 と RV 端 子 の 間 に 接 続 するだけの 非 常 に 簡 単 な 構 成 になります Reg 15 VGH VS 14 Lp SW2 VGL COM 11 10 Cv Crv logic Rv 8 SW1 Ci 図 7-9 RV 端 子 周 辺 回 路 デッドタイム 検 出 回 路 は IC 内 部 の 基 準 電 圧 と 間 の 電 圧 を 抵 抗 分 割 した RV 端 子 へ Low-Side パワー MOSFET の V DS 波 形 の dv/dt が Crv を 通 って 流 れる 微 分 電 流 を 入 力 し Low-Side パワーMOSFET の dv/dt を 検 出 します また 検 出 に 必 要 な 期 間 のみ SW1 と SW2 をオンして 回 路 電 流 の 低 減 と 微 分 回 路 の 応 答 特 性 を 両 立 させています Low-side VDS dv ON OFF ON 微 分 電 流 i dt dt 図 7-10 微 分 電 流 微 分 電 流 i は 次 式 (3)になります i =Crv ( dv/dt ) Δ -------(3) 電 源 の 過 渡 状 態 を 含 めた dv/dt の 急 峻 波 形 と Crv より 求 めた 微 分 電 流 i が 次 式 (4)の 電 流 を 超 える 場 合 は Crv 容 量 を 小 さくします なお dt 幅 40ns 以 下 になる 場 合 は ±100mA になります 100mA 40ns Δ i -------(4) dt Page.13
図 7-11 は デッドタイム 自 動 調 整 機 能 の 動 作 波 形 を 模 式 的 に 表 した 図 です SW1 SW2 ON OFF ON OFF ON OFF 自 動 調 整 した デッドタイム 電 圧 共 振 期 間 電 圧 共 振 期 間 High-side V DS OFF ON OFF Low-side V DS ON OFF ON RV 端 子 VRV(1) VRV(2) High-side I D 図 7-11 デッドタイム 自 動 調 整 機 能 動 作 波 形 Low-side パワーMOSFET ターンオフ 時 の 電 圧 共 振 期 間 Low-side パワーMOSFET がターンオフすると 図 7-9 の SW1 をオンに 維 持 したまま SW2 をオンにし ます 共 振 電 流 は C V Ci L P を 流 れ 電 圧 共 振 コンデンサ C V の 電 圧 は 0V から 上 昇 して 入 力 電 圧 +High-side パワーMOSFET のボディーダイオードの V F 以 上 になると High-side パワー MOSFET のボディーダイオードを 流 れ Low-side パワーMOSFET の V DS をクランプします この 期 間 が 電 圧 共 振 期 間 になります Low-Side パワーMOSFET の V DS 波 形 の dv/dt が Crv を 通 って 流 れる 微 分 電 流 を RV 端 子 に 入 力 する と RV 端 子 電 圧 は IC 内 部 で 抵 抗 分 割 した 電 圧 から 上 昇 し IC 内 部 でクランプします 電 圧 共 振 が 終 了 し 微 分 電 流 がなくなると RV 端 子 電 圧 は IC 内 部 で 抵 抗 分 割 した 電 圧 に 戻 ります このとき IC は 電 圧 共 振 検 出 電 圧 (1)V RV(1) で 電 圧 共 振 期 間 の 終 了 を 検 出 し High-side パワー MOSFET をオン SW1 をオフにします この 期 間 が 自 動 調 整 したデッドタイムになります High-side パワーMOSFET ターンオフ 時 の 電 圧 共 振 期 間 High-side パワーMOSFET がターンオフすると SW2 をオンに 維 持 したまま SW1 をオンにします 共 振 電 流 は C V Ci L P を 流 れ 電 圧 共 振 コンデンサ C V の 電 圧 は 入 力 電 圧 から 下 降 して Low-side パワーMOSFET のボディーダイオードの V F 以 下 になると Low-Side パワーMOSFET のボディー ダイオードを 流 れ High-side パワーMOSFET の V DS をクランプします この 期 間 が 電 圧 共 振 期 間 になります Low-Side パワーMOSFET の V DS 波 形 の dv/dt が Crv を 通 って 流 れる 微 分 電 流 を RV 端 子 に 入 力 すると RV 端 子 電 圧 は IC 内 部 で 抵 抗 分 割 した 電 圧 から 下 降 し ほぼ IC 内 の 電 位 にクランプします 電 圧 共 振 が 終 了 し 微 分 電 流 がなくなると RV 端 子 電 圧 は IC 内 部 で 抵 抗 分 割 した 電 圧 に 戻 ります このとき IC は 電 圧 共 振 検 出 電 圧 (2)V RV(2) で 電 圧 共 振 期 間 の 終 了 を 検 出 し Low-Side パワー MOSFET をオン SW2 をオフにします この 期 間 が 自 動 調 整 したデッドタイムになります Page.14
電 圧 共 振 期 間 よりデッドタイム 期 間 が 短 い 場 合 は 図 7-12 のように 電 圧 共 振 期 間 の 途 中 でパワー MOSFET が ターンオン ターンオフするため スイッチング 損 失 が 増 大 します 電 圧 共 振 期 間 は 入 力 電 圧 出 力 電 力 などにより 変 化 するため 電 源 仕 様 に 合 せて 周 辺 回 路 の 調 整 が 必 要 でしたが デッドタイム 自 動 調 整 機 能 は RV 端 子 に V RV(1) V RV(2) シキイ 値 に 達 する 信 号 を 入 力 すると 常 に ZVS(Zero Voltage Switching) 動 作 を 行 ないます ハードスイッチングにより 損 失 増 大 ターンオン ターンオフ High-side VDS 電 圧 共 振 期 間 Low-side Gate High-side Gate ( 固 定 デッドタイム) 図 7-12 ZVS 不 具 合 波 形 図 7-13 のように ドレイン 電 流 のマイナス 振 れ 込 み 期 間 (ボディーダイオードに 流 れている 期 間 )が 1µs 以 上 あれば ZCS(Zero Current Switching) 動 作 を 行 います パワーMOSFET ID 0A 1μs 以 上 マイナス 振 れ 込 み 期 間 図 7-13 ZCS 確 認 箇 所 Page.15
7.6 ラッチ 回 路 外 部 ラッチ 機 能 過 電 圧 保 護 (OVP) 過 負 荷 保 護 (OLP) 過 熱 保 護 (TSD)の 各 動 作 時 に スイッチング 動 作 を 停 止 させ 停 止 状 態 を 保 持 します(ラッチオフ) ラッチは V CC 端 子 電 圧 を V CC(La.Off) = 8.2V(TYP) 以 下 にすると 解 除 します 7.7 外 部 外 部 ラッチ 機 能 アブノーマル 時 の 保 護 動 作 として 外 部 回 路 により C SS 端 子 電 圧 を C SS 端 子 しきい 値 電 圧 (1)V CSS(1) = 7.8V(TYP) 以 上 印 加 すると 外 部 ラッチ 機 能 が 動 作 し ラッチモードでスイッチング 動 作 を 停 止 します 過 電 流 動 作 時 はシンク 電 流 が 流 れるので これ 以 上 の 電 流 を 供 給 しないと 電 圧 上 昇 しないため 外 部 回 路 は 100µA 以 上 流 せる 設 定 に します C SS 端 子 は 絶 対 最 大 定 格 12V 以 内 にします( 図 7-14 のように 10V ツェナー 接 続 し 電 圧 クランプするなど) 2 Vcc Css 5 C8 4 (10kΩ) 外 部 電 源 Cvcc 図 7-14 外 部 ラッチ 回 路 例 7.8 ブラウンイン ンイン/ブラウンアウト 機 能 ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 は 低 入 力 電 圧 時 にスイッチング 動 作 を 停 止 し 過 入 力 電 流 や 過 熱 の 防 止 を 行 います ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 を 使 用 しない 場 合 は 図 7-15 の R4 R5 R6 R7 を 削 除 します C9 は 誤 動 作 防 止 用 に 0.01µF 程 度 になります RC1 C1 C9 R4 R5 R6 R7 1 4 VSEN 図 7-15 VSEN 端 子 周 辺 回 路 ブラウンイン/ブラウンアウト 機 能 は R4~R7 で 検 出 電 圧 を 設 定 し VSEN 端 子 電 圧 が VSEN 端 子 しきい 値 電 圧 (ON) V SEN (ON) = 1.42V(TYP) 以 上 で IC は 起 動 し VSEN 端 子 しきい 値 電 圧 (OFF) V SEN (OFF) = 1.16V(TYP) 以 下 で IC はスイッチング 動 作 を 停 止 します IC 起 動 時 の DC 入 力 電 圧 を E IN(ON) 停 止 時 の DC 入 力 電 圧 を E IN(OFF) とすると 次 式 (5)が 成 立 ちます E R4 + R5 + R6 IN(ON) V E V ) -V V SEN(ON) SEN( ON ) R7 SEN(OFF) IN( OFF ) EIN( ON ) -------- (5) SEN(ON C9 は 検 出 電 圧 のリップル 電 圧 低 減 と 遅 延 時 間 の 役 割 があり 目 安 は 0.1µF 程 度 になります 高 圧 が 印 加 する R4~R6 は 酸 化 金 属 皮 膜 抵 抗 など 耐 電 蝕 性 の 抵 抗 器 を 使 用 します R4~R7 C9 は 最 終 的 に 実 働 動 作 を 確 認 して 決 定 します Page.16
7.9 過 電 圧 保 護 (OVP) V CC 端 子 と 端 子 間 に OVP 動 作 V CC 電 圧 V OVP = 28.0V(MIN) 以 上 の 電 圧 が 印 加 すると 過 電 圧 保 護 機 能 が 動 作 し ラッチモードでスイッチング 動 作 を 停 止 します 印 加 電 圧 は 絶 対 最 大 定 格 35V 以 内 にします 7.10 過 負 荷 保 護 (OLP) 過 負 荷 保 護 状 態 ( 過 電 流 動 作 によりドレイン 電 流 を 制 限 している 状 態 )が ある 一 定 時 間 ( 遅 延 時 間 ) 続 くと スイッチング 周 波 数 が 上 昇 し 出 力 電 力 を 制 限 して パワーMOSFET および 2 次 側 整 流 ダイオードなどの 部 品 ストレスを 軽 減 します 過 負 荷 状 態 になると 出 力 電 圧 が 低 下 するため 2 次 側 のエラーアンプがカットオフして フィードバック 電 流 I FB が 流 れなくなります フィードバック 電 流 がなくなると FB 端 子 から FB 端 子 流 出 電 流 I FB = 25.5µA(TYP) が 流 れ 図 7-16 の C7 を 充 電 して FB 端 子 電 圧 が FB 端 子 しきい 値 電 圧 V FB = 7.05V(TYP)に 達 すると ラッチ モードでスイッチング 動 作 を 停 止 します この 期 間 が 遅 延 時 間 になり 概 算 値 は 次 式 (6)になります tdly ( 4.05V -R1 25.5μA ) 25.5μA C7 R1= 47kΩ C7= 4.7µF の 場 合 は 約 0.5sec になります --------(6) FB 端 子 電 圧 7.05V (TYP) FB 端 子 しきい 値 電 圧 -25.5μA(TYP)でC7を 充 電 4 FB 3 約 3V -25.5μA(TYP)でR1の 両 端 に 生 じる 電 圧 正 常 状 態 過 負 荷 状 態 ラッチオフ 時 間 C6 R1 C7 R2 PC1 IFB 遅 延 時 間 tdly 図 7-16 OLP 動 作 Page.17
7.11 過 電 流 保 護 (OCP) 過 電 流 保 護 回 路 (OCP)は パワーMOSFET のドレイン 電 流 値 をパルス バイ パルス 方 式 により 検 出 して 電 力 を 制 限 します 図 7-17 の OC 端 子 周 辺 回 路 は 分 流 コンデンサ C12 を 電 流 共 振 コンデンサ Ci に 比 べ 小 さく 設 定 できるので 検 出 電 流 が 小 さくなり 検 出 抵 抗 R OCP の 損 失 低 減 小 形 抵 抗 の 使 用 ができます 4 15 VGH VS VGL Css OC 5 6 7 COM RC 14 11 10 C12 Cv I(H) Ci R11 ROCP C8 C13 C14 図 7-17 OC 端 子 周 辺 回 路 共 振 電 源 は 入 出 力 条 件 などから 正 確 な 共 振 電 流 の 大 きさを 求 める 簡 便 な 方 法 がないため R OCP R11 C12 C13 は 実 働 状 態 で 調 整 する 必 要 があります R OCP は High-side パワーMOSFET のオン 時 の 電 流 を I (H) とすると OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Low) V OC(L) と C12 Ci との 関 係 は 次 式 (7)になります VOC ( L ) ROCP C12 ------- (7) I(H) C12 + Ci R OCP の 検 出 電 圧 は 7.12 電 流 共 振 外 れ 検 出 機 能 項 で 述 べる 電 流 共 振 外 れ 検 出 にも 使 うため 過 電 流 検 出 と 電 流 共 振 外 れ 検 出 双 方 で R OCP C12 を 調 整 します R OCP が 100Ω 前 後 になるように C12 を 調 整 します C12 の 目 安 は 通 常 Ci の 1/100 程 度 です フィルタ 部 の R11 は 470Ω 程 度 C13 は 680pF 程 度 になります 過 電 流 保 護 動 作 は 以 下 の 3 段 階 があります 1OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Low):V OC(L) 最 初 に 働 く 過 電 流 保 護 です OC 端 子 電 圧 が OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Low)V OC(L) = 1.52V(TYP)を 超 える と C SS 端 子 に 接 続 した C8 を C SS 端 子 シンク 電 流 I CSS(L) = 1.8mA(TYP)で 放 電 し スイッチング 周 波 数 が 上 昇 して 出 力 電 力 を 抑 えます C8 を 放 電 中 に OC 端 子 電 圧 が V OC(L) 以 下 になると 放 電 を 停 止 します 2OC 端 子 しきい 値 電 圧 (High):V OC(H) 2 番 目 に 働 く 過 電 流 保 護 です OC 端 子 電 圧 が V OC(H) = 1.83V(TYP)を 超 えると C8 を I CSS(H) = 20mA(TYP)で 放 電 し スイッチング 周 波 数 が 上 昇 します I CSS(H) は I CSS(L) の 約 11 倍 のため 急 速 にスイッ チング 周 波 数 が 上 昇 して 出 力 電 力 を 抑 えます C8 を 放 電 中 に OC 端 子 電 圧 が V OC(H) 以 下 になると 前 項 1の 動 作 になります 3OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed):v OC(S) 3 番 目 に 働 く 過 電 流 保 護 です OC 端 子 電 圧 が V OC(S) = 2.35V(TYP)を 超 えると パワーMOSFET のオン /オフを 反 転 および C8 を I CSS(S) = 18.3mA(TYP)で 放 電 し スイッチング 周 波 数 が 上 昇 して 出 力 電 力 を 抑 える 高 速 過 電 流 保 護 動 作 になります 出 力 短 絡 などの 急 激 な 過 電 流 時 の 保 護 として 動 作 します 出 力 電 力 を 抑 え V OC(S) 以 下 になると 前 項 1 2の 動 作 になります Page.18
7.12 電 流 アプリケーションノート 電 流 共 振 外 れ 検 出 機 能 定 電 圧 制 御 は 出 力 電 力 が 増 加 するとスイッチング 周 波 数 が 下 がる 周 波 数 制 御 のため 共 振 回 路 のインピー ダンスがキャパシタンス 領 域 に 入 ると 定 電 圧 制 御 が 行 えなくなります およびハードスイッチング 動 作 により 損 失 の 大 幅 な 増 加 や パワーMOSFET のストレスが 増 加 します このような 動 作 を 電 流 共 振 外 れと 呼 びます インピーダンス キャパシタンス インダクタンス 領 域 領 域 動 作 領 域 fo 共 振 周 波 数 ハードスイッチング fsw ソフトスイッチング VDS ID 共 振 外 れ 図 7-18 電 流 共 振 外 れ 本 IC は この 電 流 共 振 外 れを 防 止 するため 電 流 共 振 外 れ 検 出 機 能 があります この 機 能 は 電 流 共 振 外 れ 防 止 とともに 共 振 トランスを 最 も 電 力 が 取 り 出 せる 共 振 周 波 数 f O で 使 用 できるため トランスの 利 用 効 率 を 向 上 でき および 電 源 仕 様 毎 に 最 小 発 振 周 波 数 を 共 振 周 波 数 f O 以 上 に 調 整 する 必 要 がないため 設 計 自 由 度 を 向 上 できます 電 流 共 振 外 れ 検 出 機 能 の 動 作 は High-side パワーMOSFET がオンしている 期 間 に RC 端 子 電 圧 が 電 流 共 振 外 れ 検 出 電 圧 V RC = +0.155V(TYP)に 対 し プラス 側 からマイナス 側 の 電 圧 の 向 きでしきい 値 を 越 えると 電 流 共 振 外 れと 判 断 ( 図 7-19 のキャパシタンス 領 域 の RC 端 子 電 圧 波 形 を 参 照 )して High-side パワーMOSFET をオフ Low-side パワーMOSFET をオンにします Low-side パワーMOSFET がオンしている 期 間 に High-side パワーMOSFET とは 逆 に V RC = 0.155V(TYP)に 対 し マイナス 側 からプラス 側 の 電 圧 の 向 きでしきい 値 を 超 えると 電 流 共 振 外 れと 判 断 して Low-side パワーMOSFET をオフ High-side パワー MOSFET をオンにします 以 上 の 動 作 により 電 流 共 振 外 れをパルス バイ パルス で 検 出 して 動 作 周 波 数 が 電 流 共 振 外 れ 周 波 数 と 同 期 し 共 振 外 れの 発 生 を 抑 えます VDS(H) ON キャパシタンス 領 域 の RC 端 子 電 圧 OFF RC+ 共 振 外 れ 検 出 インダクタンス 領 域 の RC 端 子 電 圧 RC+ 図 7-19 High-side 側 電 流 共 振 外 れ 検 出 Page.19
電 流 共 振 外 れ 検 出 は 検 出 スピードを 上 げるため 図 7-20 のように RC 端 子 を OC 端 子 のフィルタ 部 の 前 段 に 接 続 します ノイズによる 誤 動 作 防 止 用 に C14(100pF 程 度 )を 接 続 します R OCP C12 は 7.11 過 電 流 保 護 (OCP) 項 で 述 べる 調 整 に 加 え 下 記 の 動 作 で 電 流 共 振 外 れ 検 出 電 圧 V RC = ±0.155V(TYP)に 達 するように R OCP を 調 整 します 電 流 共 振 外 れが 生 じやすい 起 動 入 力 電 源 オフ 出 力 短 絡 ダイナミック 負 荷 急 変 などの 動 作 波 形 で 確 認 します RC 端 子 は 絶 対 最 大 定 格 ±6V 以 内 に 調 整 します 15 VGH VS 14 IL VGL 11 Cv 4 10 Css OC RC 5 6 7 R11 COM R OCP C12 Ci C8 C13 C14 図 7-20 RC 端 子 周 辺 回 路 RC 端 子 は OC 端 子 の OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed)と 同 様 に RC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed) V RC(S) を 設 けています RC 端 子 電 圧 が RC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed)v RC(S) = ±2.35V(TYP)を 越 えると 過 電 流 状 態 と 判 断 して パワーMOSFET のオン/オフを 反 転 する 高 速 過 電 流 保 護 動 作 になります 高 速 過 電 流 保 護 動 作 は 7.11 過 電 流 保 護 (OCP) 3OC 端 子 しきい 値 電 圧 (Hi speed) 項 を 参 照 Page.20
8. 設 計 上 の 注 意 点 アプリケーションノート 8.1 ブートストラップ 周 辺 回 路 Reg 端 子 は High-side パワーMOSFET をドライブするためのブートストラップ 回 路 用 レギュレータ 電 圧 出 力 です D2 R9 C11 により Reg 端 子 と VS 端 子 の 間 にブートストラップ 回 路 を 構 成 します C11 がショートしたときのアブノーマル 対 策 として VB 端 子 と VS 端 子 間 電 圧 が ハイサイドドライバ 動 作 停 止 電 圧 V BUV(OFF) = 6.4V(TYP) 以 下 になると ハイサイドドライバの 動 作 を 停 止 します D2 は リカバリータイム 漏 れ 電 流 の 少 ない 超 高 速 ダイオードを 使 用 します 弊 社 ダイオードでは 超 高 速 整 流 ダイオード(UFRD) 入 力 電 圧 が AC265V 上 限 時 は Vrm=600V の AG01A を 推 奨 いたします C11 は 低 ESR 漏 れ 電 流 が 少 ないフィルムコンデンサ またはセラミックコンデンサを 使 用 します ブートストラップ 回 路 C10 D2 R9 9 13 15 Reg VB VGH VS 14 C11 D3 VGL 4 10 COM 11 Cv Ci 図 8-1 ブートストラップ 回 路 8.2 ゲート 端 子 周 辺 回 路 VGH 端 子 VGL 端 子 は 外 付 けパワーMOSFET のゲートドライ ブ 端 子 で ソース 電 流 ピークは 0.475A(TYP) シンク 電 流 ピークは 0.65A(TYP)です 図 8-2 の R12 R13 D4 は パワーMOSFET の 損 失 ゲート 波 形 ( 配 線 パターンによるリンギング 低 減 など) EMI ノイズにより 調 整 し ます R14 は パワーMOSFET ターンオフ 時 の 急 峻 な dv/dt による 誤 動 作 防 止 用 で 10k~100kΩ 程 度 をパワーMOSFET の Gate-Source 近 くに 接 続 します 図 8-2 R12 R13 D4 Drain Gate Source R14 MOSFET ゲート 周 辺 回 路 8.3 外 付 外 付 け 部 品 各 部 品 は 使 用 条 件 に 適 合 したものを 使 用 します 入 力 出 力 の 平 滑 用 電 解 コンデンサは リップル 電 流 電 圧 温 度 上 昇 に 対 し 適 宜 マージンを 設 けます また スイッチング 電 源 用 の 許 容 リップル 電 流 が 高 い 低 インピーダンスタイプの 部 品 を 使 用 します トランス 類 は 銅 損 鉄 損 による 温 度 上 昇 に 対 し 適 宜 マージンを 設 けます 電 流 検 出 用 抵 抗 R OCP は 高 周 波 スイッチング 電 流 が 流 れるので 内 部 インダクタンスの 大 きなものを 使 用 すると 誤 動 作 の 原 因 になります 内 部 インダクタンスが 小 さく かつ サージ 耐 量 の 大 きなものを 使 用 します 電 流 共 振 用 のフィルムコンデンサ Ci には 大 きな 共 振 電 流 が 流 れます 電 流 共 振 コンデンサ Ci は 損 失 が 少 ない 大 電 流 用 のポリプロピレンフィルムコンデンサなどを 使 用 します Page.21
8.4 パターン 設 計 パターン 配 線 および 実 装 条 件 によって 誤 動 作 ノイズ 損 失 などに 大 きな 影 響 が 現 れます このため 配 線 の 引 回 し 部 品 配 置 には 十 分 な 注 意 が 必 要 です 図 8-3 のように 高 周 波 電 流 がループを 作 る 部 分 は ラ インパターンを 太 く 部 品 間 の 配 線 を 短 く ループ 内 面 積 が 極 力 小 さくなるようにして ラインインピーダンスを 下 げたパターン 設 計 を 行 います また アースラインは 輻 射 ノイズに 大 きな 影 響 を 与 える Ci ため 極 力 太 く 短 く 配 線 します 図 8-3 図 8-2 図 8-2 高 周 高 波 周 周 電 波 波 流 ルーフ ループ スイッチング 電 源 は 高 周 波 高 電 圧 の 電 流 経 路 が 存 在 ( 斜 線 部 分 ) するので 安 全 規 格 面 を 考 慮 した 部 品 配 置 パターン 距 離 が 必 要 です パワーMOSFET の ON 抵 抗 R DS(ON) は 正 の 温 度 係 数 のため 熱 設 計 に 注 意 します 大 電 流 ループ C1 外 部 電 源 小 電 流 ループ CVcc 制 御 信 号 系 Cf C9 C10 9 1 2 4 D2 R9 C11 Reg VB VGH VS VSEN Vcc R1 C7 FB 3 R2 13 Css 5 15 OC 6 VGL COM Rv RC 7 C6 C8 C13 C14 小 電 流 ループ 14 11 10 8 Crv R11 C12 ROCP Cv D3 P1 Ci 主 回 路 系 パターン 信 号 系 パターン 制 御 系 部 品 は IC 近 くに 短 いパターンで 接 続 大 電 流 ループ 図 8-4 IC 周 辺 回 路 の 接 続 例 IC 周 辺 回 路 の 接 続 例 を 図 8-4 に 示 します 信 号 系 グランドパターンと 主 回 路 グランドパターンは 共 通 インピーダンスをなくすため 分 離 して COM 端 子 (10 番 ピン)に 接 続 します 特 に 端 子 (4 番 ピン)と COM 端 子 (10 番 ピン)はできるだけ 短 いパターンで 配 線 し 信 号 系 パターン に 共 振 回 路 の 主 電 流 を 流 さないようにします V CC 端 子 と C VCC が 離 れている 場 合 は ノイズによる 誤 動 作 を 防 止 するため C f (フィルムコンデンサ 0.1µF 程 度 )を IC の 近 くに 配 置 します IC の 信 号 系 部 品 は 短 いパターンで IC に 接 続 します Page.22
ご 注 意 書 き 本 資 料 に 記 載 されている 内 容 は 改 良 などにより 予 告 なく 変 更 することがあります ご 使 用 の 際 には 最 新 の 情 報 であることをご 確 認 ください 本 資 料 に 記 載 されている 動 作 例 および 回 路 例 は 使 用 上 の 参 考 として 示 したもので これらに 起 因 する 当 社 もしくは 第 三 者 の 工 業 所 有 権 知 的 所 有 権 その 他 の 権 利 の 侵 害 問 題 について 当 社 は 一 切 責 任 を 負 いません 本 資 料 に 記 載 されている 製 品 のご 使 用 にあたって これらの 製 品 に 他 の 製 品 部 材 を 組 み 合 わせる 場 合 あるいはこれらの 製 品 に 物 理 的 化 学 的 その 他 何 らかの 加 工 処 理 を 施 す 場 合 には 使 用 者 の 責 任 において そのリスクをご 検 討 の 上 行 ってください 当 社 は 品 質 信 頼 性 の 向 上 に 努 めていますが 半 導 体 製 品 では ある 確 率 での 欠 陥 故 障 の 発 生 は 避 けられません 部 品 の 故 障 により 結 果 として 人 身 事 故 火 災 事 故 社 会 的 な 損 害 などを 発 生 させな いよう 使 用 者 の 責 任 において 装 置 やシステム 上 で 十 分 な 安 全 設 計 および 確 認 を 行 ってください 本 資 料 に 記 載 されている 製 品 は 一 般 電 子 機 器 ( 家 電 製 品 事 務 機 器 通 信 端 末 機 器 計 測 機 器 など) に 使 用 されることを 意 図 しております 高 い 信 頼 性 が 要 求 される 装 置 ( 輸 送 機 器 とその 制 御 装 置 交 通 信 号 制 御 装 置 防 災 防 火 装 置 各 種 安 全 装 置 など)への 使 用 をご 検 討 および 一 般 電 子 機 器 であっても 長 寿 命 を 要 求 される 場 合 につきましては 必 ず 当 社 販 売 窓 口 へご 相 談 をお 願 いいたします 極 めて 高 い 信 頼 性 が 要 求 される 装 置 ( 航 空 宇 宙 機 器 原 子 力 制 御 生 命 維 持 のための 医 療 機 器 など) には 当 社 の 文 書 による 合 意 がない 限 り 使 用 しないでください 本 資 料 に 記 載 された 製 品 は 耐 放 射 線 設 計 をしておりません 当 社 物 流 網 外 での 輸 送 製 品 落 下 などによるトラブルについて 当 社 は 一 切 責 任 を 負 いません 本 資 料 に 記 載 された 内 容 を 文 書 による 当 社 の 承 諾 無 しに 転 記 複 製 を 禁 じます 本 資 料 に 記 載 されている 製 品 (または 技 術 )を 国 際 的 な 平 和 および 安 全 の 維 持 の 妨 げとなる 使 用 目 的 を 有 する 者 に 再 提 供 したり また そのような 目 的 に 自 ら 使 用 したり 第 三 者 に 使 用 させたりしないようにお 願 いします なお 輸 出 などされる 場 合 は 外 為 法 のさだめるところに 従 い 必 要 な 手 続 きをおとりください Page.23