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新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

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相変化ランダムアクセスメモリ素子 (PRAM) の結晶化過程を用いた 多値記録素子 研究者 : 群馬大学大学院工学研究科 教授保坂純男 内容 1. 研究背景とアプローチ 2. PRAM の原理と課題 3. 低消費電力化 4. 結晶化過程の多値記録 5. 実験結果とまとめ 背景 メモリの特性 FeRAM MRAM PRAM DRAM フラッシュ 不揮発性 書き込み時間 80ns 30ns 50ns 100ms

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1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

2 4 8 13 18 24 29 34 39 44 46 48 1 2 3 4 5 6 7 18 11 11 15 10 16 10 8 9 10 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 11 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 12 13 18 12 11 16 25 18 00 CPU Central Processing Unit 14 MUST-CAN-WILL

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研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

メタマテリアルの熱伝導率予測

ナノテクで熱を有効利用 熱電変換の高効率化 九州工業大学工学研究院機械知能工学研究系宮崎康次 2012 年 10 月 19 日新技術説明会 研究背景 ( 熱電発電 ) 熱から直接発電太陽電池 : 光から直接発電燃料電池 : 燃料から直接発電 Ioffe ( ロシア, 1941) 坂田亮編, 熱電変換工学リアライズ社 (2001) 研究背景 ( 熱電発電の効率 ) η max = T hot T T

日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品

Infrastructure Technology / Products HIGHLIGHTS 2008 HDD 2.5 HDD3.5 HDD 1 Deskstar 7K1000 HDD Hard Disk Drive 2006 5 PC 2.5 HDD HDD 3.5 HDD1 1 2007 3Deskstar 7K1000 3.5 HDD 1149 Deskstar 7K500 2 GMR Giant

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同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 超高輝度 ハイパワー白色光源に適した YAG 単結晶蛍光体を開発 - レーザーヘッドライトなど LED 光源では困難な超高輝度製品への応用に期待 - 配布日時 : 平成 27 年 4 月 13 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構株式会社タムラ製作所株式会社光波 概要 1.

詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗

平成 30 年 1 月 12 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 次世代相変化メモリーの新材料を開発 超低消費電力でのデータ書き込みが可能に 発表のポイント 従来材料とは逆の電気特性を持つ次世代不揮発性メモリ用の新材料開発に成功 今回開発した新材料を用いることで データ書換え時の消費電力を大幅に低減できることを確認 概要 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生

機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現

機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現 ~ 環境発電への貢献に期待 ~ 1. 発表者 : 山脇柾 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻修士課程 2 年生 ) 大西正人 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 鞠生宏 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 塩見淳一郎 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻教授 物質 材料研究機構情報統合型物質

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LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 [email protected] http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

新技術説明会　様式例

高い p 形電気伝導性を有する 透明電極材料 龍谷大学理工学部物質化学科助教山添誠司教授和田隆博 1 P 形透明導電性酸化物 (TCO) 薄膜開発の背景 高効率薄膜フルスペクトル太陽電池 地球温暖化対策として温室効果ガスの大幅削減に寄与するために 太陽光発電の性能を飛躍的に向上させることを目的とする 2050 年までに 変換効率が40% 超 かつ 発電コストが汎用電力料金並み の太陽電池を実用化することを目指した研究開発の中で

新技術説明会　様式例

1 2014/11/27 A-STEP 発新技術説明会 紙抄きでつくる フレキシブルペーパー電子デバイス 大阪大学産業科学研究所 セルロースナノファイバー材料分野 特任助教古賀大尚 2 フレキシブルエレクトロニクス Flexible electronics 次世代電子デバイスのキーワードは フレキシブル 基板はガラスから プラスチック へ 3 ナノセルロースでつくる透明な紙 Transparent

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF

ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト

第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発

第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006

首都圏北部 4 大学発新技術説明会 平成 26 年 6 月 19 日 オレフィン類の高活性かつ立体選択的重合技術 埼玉大学大学院理工学研究科 助教中田憲男

首都圏北部 4 大学発新技術説明会 平成 26 年 6 月 19 日 オレフィン類の高活性かつ立体選択的重合技術 埼玉大学大学院理工学研究科 助教中田憲男 ポリオレフィンの用途 ポリプロピレン 絶縁性を利用して テレビなどの電化製品 通信機器などの絶縁体として使用耐薬品性を活かして薬品の容器 包装にも使用 ポリスチレン コップ 各種容器 歯ブラシなどの日用品 プラ スチックモデルなどのおもちゃや包装に使用

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

Microsoft Word - 01.doc

科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

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光両性物質発生剤 Photo Ampholyte Compounds Generator 千葉大学大学院融合科学研究科 情報科学専攻画像マテリアルコース 准教授髙原茂 Photo-X-generator 光 -X- 発生剤 hν PXG hν P + X X = 反応活性種 Photo-X-generator 光 -X- 発生剤 hν PXG hν P + X 反応中間体生成物 ( 反応触媒 ) R

熱電変換の紹介とその応用について.ppt

熱電変換の紹介と その応用について 埼玉大学 大学院理工学研究科 長谷川 靖洋 [email protected] http://www.env.gse.saitama-u.ac.jp/hasegawa/ Tel&Fax:048-858-3757 熱電変換研究の歴史 7/24 1821年 ゼーベックによるゼーベック効果の発見 1834年 ペルチェによるペルチェ効果の発見

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

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2017 OLED Manufacturing Equipment Annual Report SAMPLE 2017.06 1 目次 1. エグゼクティブサマリ 4 2. 基板及びTFT 工程分析 6 2.1 フレキシブルOLED 用基板 2.1 LTPS TFT 2.2 Oxide TFT 3. OLED 画素工程分析 20 3.1 RGB OLED 3.2 WRGB OLED 3.3 ソリューションプロセスOLED

テーマ名：

テーマ名 組織名 技術分野 2.45GHz マイクロ波発振器及び大気圧プラズマニードル株式会社プラズマアプリケーションズものづくり概要 株式会社プラズマアプリケーションズ ( 静岡大学発の研究開発型ベンチャー ) の 2.45GHz マイクロ波発振器は 高効率 小型 長寿命で 小容積プラズマ発生など様々な用途に利用可能です また この発振器により生成可能な当研究室開発の大気圧プラズマニードルは 以下の特徴があります

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

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小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは

がら この巨大な熱電効果の起源は分かっておらず 熱電性能のさらなる向上に向けた設計指針 は得られていませんでした 今回 本研究グループは FeSb2 の超高純度単結晶を育成し その 結晶サイズを大きくすることで 実際に熱電効果が巨大化すること またその起源が結晶格子の振動 ( フォノン 注 2) と

鉄化合物における巨大な熱電効果の起源解明 - 低温で高い性能を示す熱電変換素子の新たな設計指針 - 1. 発表者 : 高橋英史 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科日本学術振興会特別研究員 PD) 岡崎竜二 ( 東京理科大学物理工学部物理学科講師 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科助教 ) 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授

スライド 1

新技術で分離した ヒト骨質由来微小幹細胞の医療応用 薗田精昭 関西医科大学大学院医学研究科先端医療学専攻修復医療応用系幹細胞生物学 2001 背景 (1): 微小幹細胞とは Journal of Cellular Biochemistry 80;455-460(2001) 微小幹細胞に関する最初の報告生体の組織内に非常に小さな spore-like stem cell が存在することが初めて報告された

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

Microsoft PowerPoint - １．プロセス制御の概要.pptx

プロセス制御工学 1. プロセス制御の概要 京都大学 加納学 Division of Process Control & Process Systems Engineering Department of Chemical Engineering, Kyoto University [email protected] http://www-pse.cheme.kyoto-u.ac.jp/~kano/

Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_

2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関

Presentation Title Arial 28pt Bold Agilent Blue

Agilent EEsof 3D EM Application series 磁気共鳴による無線電力伝送システムの解析 アジレント テクノロジー第 3 営業統括部 EDA アプリケーション エンジニアリングアプリケーション エンジニア 佐々木広明 Page 1 アプリケーション概要 実情と現状の問題点 非接触による電力の供給システムは 以前から研究 実用化されていますが そのほとんどが電磁誘導の原理を利用したシステムで

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電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

資料1-2 コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズインフォマティクスの融合によるラボ改革

コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズ インフォマティックスの融合によるラボ改革 国立研究開発法人物質 材料研究機構エネルギー 環境材料研究拠点 後藤真宏 高速な材料開発の必要性 高性能なエネルギー変換材料の創製が急務 自然エネルギー生成 エネルギー有効利用 Web. JAXA 地球環境の悪化が進行 省エネルギー 摩擦力低減など 非常に過酷な制約がある 短期間で! ユビキタス 無害な元素 原子から材料まで

Microsoft Word - JHS2022のLED製品分類のポジションペーパー(第3版) Yanagi.doc

2022 年版関税分類品目表 (HS2022) に於ける LED 照明製品の分類に対する一般社団法人日本照明工業会 (JLMA) のポジション ペーパー第 3 版 平成 28 年 7 15 まえがき 2012 年版関税分類品目表 (HS2012) に於ける LED 照明製品の分類 HS2012 において 従来 (LED ではない ) 照明製品に対する照明製品の HS コード分類は以下の項のように定義されている

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人 研究背景 目的 液相レーザーアブレーション 液相に設置したターゲットに高強度レーザーパルスを照射するとターゲット表面がプラズマ化する ターゲットを構成する原子 分子が爆発的に放出され, ターゲット由来のナノ粒子ナノ粒子が生成される レーザー照射

新技術説明会　様式例

1 集積化光合波器及び 超小型レーザ画像投影装置 福井大学大学院工学研究科 電気 電子工学専攻 教授勝山俊夫 研究の背景と目的 レーザ走査型ディスプレー 産業技術総合研究所ニュースリリースより 2 3 研究の背景と目的 レーザ TV ヘッドマウントディスプレイ 超小型プロジェクターを代表とするレーザディスプレイの実用化 レーザ TV ヘッドマウントディスプレイ超小型プロジェクター ( 三菱電機 Web

学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or

Gifu University Faculty of Engineering

Gifu University Faculty of Engineering Gifu University Faculty of Engineering the structure of the faculty of engineering DATA Gifu University Faculty of Engineering the aim of the university education

SIｻｲｴﾝｽ株式会社 stable isotope metal

12 マグネシウム Magnesium 24 Mg 酸化物 78.99 99.7 12 マグネシウム Magnesium 25 Mg 酸化物 10.0 97.0 12 マグネシウム Magnesium 26 Mg 酸化物 11.01 97.0 12 マグネシウム Potassium 39 K 塩化物 93.11 99.97 12 マグネシウム Potassium 40 K 塩化物 0.011 2.10

富士通セミコンダクタープレスリリース 2013/04/22

[ プレスリリース ] 2013 年 4 月 22 日富士通セミコンダクター株式会社 低炭素社会に貢献するエナジーハーベスティング電源 IC 2 製品を新発売 ~ 電子機器やワイヤレスセンサーノードなどの電池レス化を実現 ~ 富士通セミコンダクター株式会社 ( 注 1) は エナジーハーベスティング電源 IC として 降圧型 DC/DC コンバーター ( 注 2) MB39C811 と 昇圧型 DC/DC

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

Microsoft PowerPoint - 電装研_２波長赤外線センサを用いた２波長融合処理について

2 波長赤外線センサを用いた 2 波長融合処理について 防衛装備庁電子装備研究所センサ研究部光波センサ研究室技官小山正敏 発表内容 1. 2 波長赤外線センサ (2 波長 QDIP*) の概要 2. 2 波長化のメリット 2.1 2 波長帯域の取得による運用場面の拡大 2.2 2 波長融合処理による目標抽出 識別能力の向上 2.2.1 特徴量分類処理 2.2.2 太陽光クラッタ低減処理 2.2.3

マスコミへの訃報送信における注意事項

銀ナノシートを有する層状化合物において超高電子移動度を実現 - 室温以下で動作する新しい熱電変換素子の開発に道 - 1. 発表者 : 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授 ) 塩見雄毅 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 3 年 ) 李鍾碩 ( 研究当時 : 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻特任講師 ) M. S. Bahramy( 理化学研究所創発物性科学研究センター研究員

報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の

報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

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熱 学 Ⅲ 講義資料 化学反応のエクセルギー解析 京都 芸繊維 学 学院 芸科学研究科機械システム 学部 耕介准教授 2014/5/13 2014/5/9 1/23 なぜ, 化学反応を伴うエクセルギーを学ぶのか?? 従来までに学んだ熱 学 エンジンやガスタービンの反応器は, 外部加熱過程 ( 外部から熱を加える過程 ) に置き換えていた. 実際には化学反応を伴うため, 現実的. 化学反応 を伴う熱

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2014 年 9 月 17 日 ( 水 ) 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 TiC 電極,TiSi 2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価 Schottky diode characteristics of TiC and TiSi 2 electrodes on SiC substrates 東工大フロンティア研 1, 東工大総理工 2, 鈴木智之 1, 岡本真里

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

第 3 章 テクノロジーの進歩 耐熱 がホットな背景技術シーズの動向 SiC や GaN といった高温動作半導体の実用化 高温動作デバイス向け実装技術の進化応用ニーズの動向 自動車 / 電力関連装置 / サーバー / 地中掘削機などで高温環境での使用要求の向上 高温動作によるエネルギー効率の改善を目

パワーデバイス 217 (a) パワーデバイス業界における 215 216 年の主な M&A 年買収の概要 215 Infineon 社が IR 社の買収を完了 CNR 社とCSR 社の合併で Zhuzhou CRRC Times Electric 社が誕生 Microchip 社が Micrel 社を8 億 89 万米ドルで買収すると発表 MediaTek 社が電源 ICなどを手掛ける RichTek

研究の背景 世界のエネルギー消費量は年々増加傾向にあり, 地球規模のエネルギー不足が懸念さ れています このため, 発電により生み出したエネルギー ( 電力 ) の利用の更なる高効 率化が求められており, その鍵は電力制御を担っているパワーデバイス ( 6) が握っ ています 現在主流である Si(

News Release 平成 30 年 4 月 27 日 各報道機関文教担当記者 殿 水蒸気とニッケルを用いた非プラズマプロセスによるダイヤモンドの高速 異方性エッチング技術を開発 金沢大学理工研究域電子情報通信学系の德田規夫准教授, 大学院自然科学研究科電子情報科学専攻博士後期課程の長井雅嗣氏らの研究グループ ( 薄膜電子工学研究室 ) は, 国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイスチームの牧野俊晴研究チーム長,

Microsoft PowerPoint - 応物シンポジウム201003ナノワイヤ21.ppt

シリコンナノワイヤ pfet における正孔移動度 平本俊郎陳杰智, 更屋拓哉東京大学生産技術研究所 [email protected] 1. ナノワイヤトランジスタの位置付け 2. ナノワイヤ FET の移動度測定 3. ナノワイヤ nfet と pfet の移動度 4. まとめ 本研究の一部は,NEDO のプロジェクト ナノエレクトロニクス半導体材利用 新構造なの電子デバイス技術開発

20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au

Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.

新技術説明会　様式例

1 最もポピュラーなセラミックス原料 α- 酸化アルミニウムの ありそうでなかったナノ粒子 岐阜大学大学院自然科学技術研究科物質 ものづくり工学専攻助教吉田道之 遷移アルミナ a-al 2 O 3 O 2- Al 3+ O 2- Al 3+ 欠陥スピネル構造 O 2- : 面心立方格子 Al 3+ : 6 配位および4 配位 ナノ粒子 高比表面積 コランダム構造 O 2- : 六方最密充填 Al 3+

PowerPoint プレゼンテーション

1-1 情報デバイス工学特論 第 1 回 CMOS 集積回路概観 1-2 目的 現在の LSI の主流デバイスであるシリコン CMOS 集積回路を理解する 素子の製法 ( プロセス ) から動作原理 ( デバイス ) 素子の使い方 ( 回路 ) まで総合的に理解する 半導体集積回路 LSI : Large Scale Integrated Circuit 1-3 チップ ウエハ 現在は直径 12 インチ

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熱電変換材料の実験値データベース構築と実験値マテリアルズ インフォマティクス 拓史 1,3, 桂ゆかり 1,3, 熊 将也 2, 今井庸 3, 郡司咲 3, 村薫 1 本 属学会 2017 秋 1 東京 学 学院新領域創成科学研究科物質系専攻 2 理化学研究所 新知能統合研究センター 3 物質 材料研究機構物質 材料統合研究拠点 [1] P. Gorai et al., Comp. Mat. Sci.