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- とよみ むらかわ
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1 相変化ランダムアクセスメモリ素子 (PRAM) の結晶化過程を用いた 多値記録素子 研究者 : 群馬大学大学院工学研究科 教授保坂純男 内容 1. 研究背景とアプローチ 2. PRAM の原理と課題 3. 低消費電力化 4. 結晶化過程の多値記録 5. 実験結果とまとめ
2 背景 メモリの特性 FeRAM MRAM PRAM DRAM フラッシュ 不揮発性 書き込み時間 80ns 30ns 50ns 100ms 50ns 読み出し時間 80ns 30ns 20ns 60ns 50ns 書き換え回数 データ保持期間 ~10 年 ~10 年 ~10 年 10 年 0.1s 書き換え消費電力 ~10μW ~30μW ~30μW 30mW 300mW 読み出し信号 mV ~5xR 10x-100xR mV mV 実用化 :PRAM が有力
3 PRAM におけるメモリ構造 Memory Cell;PCM+MOS
4 PRAM の構造 結晶相 ρ: 低論理値 :0 アモルファス相 ρ: 高 論理値 :1 Ref) S. Hudgens and B. Johnson:MRS BULLETIN(2004)1
5 相変化動作 TEM images of GeSbTe アニーリング ( 結晶化 緩冷 ) (a) (b) (c) (d) (crystalline phase) 融解 急冷 (amorphous phase)
6 PRAM の書き換え ジュール熱を利用 P=I 2 R P m >P C T T m T c 結晶相 アモルファス相 急冷徐冷 アモルファス相 結晶相 R A >R C I m =(P m /R C ) 1/2 >> I C =(P c /R A ) 1/2 結晶相 アモルファス相書き換え電流を減らす必要がある Ref) S. Hudgens and B. Johnson:MRS BULLETIN(2004)1 time
7 PRAM の原理 ( 基礎特性 ) 結晶相 ρ: 低論理値 :0 アモルファス相 ρ: 高論理値 :1 Ref) S. Hudgens and B. Johnson:MRS BULLETIN(2004)1
8 SET と RESET 抵抗値 [Ω] 100k 10.6 kω 10k 860 Ω 1k 690 Ω 200 nm Sb 2 Te 3 / 30 nm TiN Heater Lc = 0.4μm, Wc = 0.5μm RESET operation: 20ns 10.7 kω 10 倍 SET operation: 1μss 0.1k パルス電圧 [V] Fig. 22 SET と RESET
9 Threshold field of filament generation ( アモルファス相 結晶相 ) Threshold voltage V th (V) Current I (ma) STN1 only structure L=700 nm 500 nm 400 nm Voltage V (V) STN1 Threshold field: 14.3 V/μm Gap length L (nm)
10 PRAM メモリ開発の課題 消費電力( 電流 ) の減少 バッテリー保持時間向上 集積化 PRAMの書き換え電流 = ~1 ma PRAMの実用化 : 再現性書き換え電流抑制技術の確立相変化メカニズムの研究 検討項目相変化素子の構造相変化材料
11 書き換え電流を減らす方法 T m P 大小 4. 融点を下げる材料探索 大 3. 結晶抵抗を上げる R c 小 P m =R c I m 2 1. 構造 : 直熱型傍熱型 2. 加熱体積 : 減少 I 3. Ge 2 Sb 2 Te 5 (ρ c 2x10-3 Ωm) より高い結晶抵抗 ( 結晶 ) 4. Ge 2 Sb 2 Te 5 (T m 620 ) より低い融点
12 Proposal of Lateral type PCM with top and bottom heater layers Top electrode c-gst Resistive heater Bottom electrode Ge 2 Sb 2 Te 5 (GST) PC Resistance Bottom heater layer Top heater 1μmlayer Fig.1 Vertical type PCM (V-PCM) TiN electrodes Fig.3 Lateral type PCM (L-PCM) Fig.2 Endurance of V-PCM Very interested in novel structure of L-PCM (It is easy to make series and parallel resistances in lateral type PCM.) 1) S Lai et al:iedm Technical Digest, (2003)
13 Lateral type PCM (L-PCM) with top and bottom heater layers GST TiN-E R e bh R e GST I 1 I 2 I 3 R th R GST R c bh R e GST R e bh Top heater layer Bottom heater layer TiN-E R th Fig.4 Lateral type PCM with a bottom heater layer R e GST I 1 I 2 R e GST For example I 3 R e bh R GST R c bh R e bh I 2 >>I 1, I 3 R e bh >> R GST : Indirect heating R e bh << R GST : Direct heating Fig. 5 Equivalent circuits
14 Reversible switching Resistance [Ω] 100k 200 nm Sb 2 Te 3 / 30nm TiN heater Lc = 0.4μm, Wc = 0.5μm 10k RESET state 1.2mW 200mW SET state 1k RESET-to-SET pulse: 3.5 V, 1 μs SET-to-RESET pulse: 14 V, 20 ns 0.1k Switching number Fig. 19 Endurance of the L-PCM. robust
15 L-PCM with a top heater layer Top heater layer Ge 2 Sb 2 Te 5 (GST) PC Resistance ZnS-SiO 2 To reduce large input power Control small phase change area for small input power! current R th TiN electrode TiN electrode R e GST R e GST Phase change R c GST (b) Equivalent circuits Phase change Fig. 20 Lateral type PCM (L-PCM) with an upper heater layer (a) and the equivalent circuits (b).
![21 Simulation of electric field in L-PCM with a top heater layer. C-GST (0.5 Ωcm) ρ heater =0.01 [Ωcm] (ρ heater /ρ c-gst = 0.02) Direct heating Threshold field: 3.](/docs-images/94/118454746/images/16-2.jpg "8x10 5 [V/cm] Joule heating simulation of phase change to amorphous (RESET) Top heater (SET) field[v/cm ] 7.6 10 5 7 10 5 6 10 5 5 10 5 4 10 5 3.8 10 5 Temp.")
16 Calculation of electric field for amorphous to crystal TiSiN ρ heater =0.01[Ωcm] (ρ heater /ρ a-gst : 10 5 ) SiO 2 SiN GST TiSiN TiSiN ρ heater =1[Ωcm] (ρ heater /ρ a-gst :10 3 ) TiSiN ρ heater =100[Ωcm] (ρ heater /ρ a-gst :10) 4.9[V] 5.6[V] 16.4[V] Fig. 21 Simulation of electric field in L-PCM with a top heater layer. C-GST (0.5 Ωcm) ρ heater =0.01 [Ωcm] (ρ heater /ρ c-gst = 0.02) Direct heating Threshold field: 3.8x10 5 [V/cm] Joule heating simulation of phase change to amorphous (RESET) Top heater (SET) field[v/cm ] Temp. [K] ρ heater =1 [Ωcm] 900 (ρ heater /ρ c-gst =2) Indirect heating A-GST (10 3 Ωcm) Fig. 24 Simulation model of phase change to amorphous. 5.5[V] 7[V],20[ns] 28[V],20[ns] Fig.25 Temperature of the device at Joule heating
17 Endurance of L-PCM with a top heater layer Resistance [MΩ] Set for crystallization (5v, 1μs) P: 17μW Device: L c : 0.4 μm, W c : 0.7 μm Reset for amorphous (8 v, 20 ns) P: 200μW Number of switching Fig. 27 Phase change of L-PCM with a top heater layer (TiSiN) with a resistivity of 0.01Ωcm (40 nm thickness) on GST (80 nm thickness).
18 Multi-levels crystalline area control type ML-PCM with a top heater layer (A C) SiO 2 Top heater PCM-STN Electrode Insulator r 1 r 2 r 3 r h Basic operation Substrate Device structure (1) r a r 1 (filament path due to electric field) (2) r a r 2 (Joule heating) (3) r a r 3 (Joule heating) r h r 1 r 2 r 2 r 1 r 3 r 3 Equivalent circuits Current increase You Yin et al. APL (2008)..
19 Multi-levels levels in crystallization due to current sweep Experiments (1) (SET mode from amorphous to crystal phase) Resistance (kω) Current I (ma) e a Voltage V (V) a ma b ma c ma d ma e ma 5 0 W c =1μm; L c =1μm Read at 20 μa Programming current (ma)
20 Experiments (2) (SET from amorphous to crystal phase) Resistance (kω) Current I(mA) Read at 0.02 ma a' ma b' ma c' ma d' ma e' ma Programming current (ma) e' a' Voltage V (V)
21 まとめ 多値記録方式提案 :1 多チャンネル方式 2 多層方式 3 結晶領域制御方式 (1) 多チャンネル方式シミュレーションにより多値記録可能であることを確認 ( アモルファス化過程において ) (2) 多層方式上部ヒータ付きラテラル型 PCMを用い 多層方式多値記録素子を提案 ( 結果 )2 層積層素子で3レベルの多値記録を確認 (3) 結晶領域制御方式上部ヒータ付きラテラル型 PCMを用いた多値記録素子を提案 1 結晶化過程 2 定電流方式 ( 結果 ) 6 値多値記録を確認
22 発明の名称 : メモリ装置 電子機器 相変化メモリ素子への記録方法 出願番号 : 特願 2008 ー 発明者 : 尹友 (Yin You) 保坂純男 曾根逸人 r 1 r h 絶縁層ヒーター層相変化層 r h r 2 r r 1 1 電極 r n -1 r n -2 r 2 絶縁層基板 r n -2 r n -1 等価回路による動作原理 r 1 r 1c ( 電界集中による結晶化から ) r 2 r 2c ( 加熱による結晶領域の拡大 1 ) r n-2 r n-2c ( 加熱による結晶領域の拡大 n-2 ) r n-1 r n-1c ( 加熱による結晶領域の拡大 n-1 )
23 実用化に向けた課題 垂直相変化記録素子への適用 多値記録バラツキ抑制技術 16 値多値記録技術 * メモリ素子 スイッチ素子への応用に向け 企業との共同研究 企業への期待 * 本技術導入先を見つけたい
24 本技術に関する知的財産権 発明の名称 : メモリ装置 電子機器 相変化メモリ素子への記録方法 出願番号 : 特願 出願人 : 群馬大学 発明者 : 尹友 (Yin You) 保坂純男 曾根逸人 お問い合わせ先 < 特許の取り扱い等 > 群馬大学研究 知的財産戦略本部群馬大学 TLO TLO 長大澤隆男 TEL FAX rip-admin@eng.gunma-u.ac.jp
詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗
平成 30 年 1 月 12 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 次世代相変化メモリーの新材料を開発 超低消費電力でのデータ書き込みが可能に 発表のポイント 従来材料とは逆の電気特性を持つ次世代不揮発性メモリ用の新材料開発に成功 今回開発した新材料を用いることで データ書換え時の消費電力を大幅に低減できることを確認 概要 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生
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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic
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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit
Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B
www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11
LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)
,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする
R1RW0408D シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor
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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~
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µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
Table 1. Assumed performance of a water electrol ysis plant. Fig. 1. Structure of a proposed power generation system utilizing waste heat from factori
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MCU MOS-FET [2] [3] CPU [4] MCU CPU 2.2 [5] OS 3. 1 CPU CPU CPU CPU CPU 1 Fig. 1 system structure 2 Fig. 2 Entire sequence 2
![MCU MOS-FET [2] [3] CPU [4] MCU CPU 2.2 [5] OS 3. 1 CPU CPU CPU CPU CPU 1 Fig. 1 system structure 2 Fig. 2 Entire sequence 2](/thumbs/85/92900615.jpg "MCU MOS-FET [2] [3] CPU [4] MCU CPU 2.2 [5] OS 3. 1 CPU CPU CPU CPU CPU 1 Fig. 1 system structure 2 Fig. 2 Entire sequence 2")
1 1 2 1 1 0 CPU RAM (NVRAM) 1. 1 [1] NVRAM NVRAM OS 1 Future University Hakodate 2 Kumamoto University 2. 2.1 [2] Geyser [3] OS PCCS Power Consumption Controlling Scheduler [4] MCU 1 MCU MOS-FET [2] [3]
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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
Fig. 1. Relation between magnetron anode current and anode-cathod voltage. Fig. 2. Inverter circuit for driving a magnetron. 448 T. IEE Japan, Vol. 11
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alternating current component and two transient components. Both transient components are direct currents at starting of the motor and are sinusoidal
Inrush Current of Induction Motor on Applying Electric Power by Takao Itoi Abstract The transient currents flow into the windings of the induction motors when electric sources are suddenly applied to the
R1RW0416DI シリーズ
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0.1 I I : 0.2 I
1, 14 12 4 1 : 1 436 (445-6585), E-mail : sxiida@sci.toyama-u.ac.jp 0.1 I I 1. 2. 3. + 10 11 4. 12 1: 0.2 I + 0.3 2 1 109 1 14 3,4 0.6 ( 10 10, 2 11 10, 12/6( ) 3 12 4, 4 14 4 ) 0.6.1 I 1. 2. 3. 0.4 (1)
XFEL/SPring-8
DEVELOPMENT STATUS OF RF SYSTEM OF INJECTOR SECTION FOR XFEL/SPRING-8 Takao Asaka 1,A), Takahiro Inagaki B), Hiroyasu Ego A), Toshiaki Kobayashi A), Kazuaki Togawa B), Shinsuke Suzuki A), Yuji Otake B),
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Lecture 7 Electrodynamical Carrier Doping: History p.7 Electrdodynamical Carrier Doping? pulse p.8 IV Hysteresis & NV Memory Crossing I-V curve I Low R Nonvolatile Switching +V pulse 0 -V pulse time -V
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Fig, 1. Waveform of the short-circuit current peculiar to a metal. Fig. 2. Waveform of arc short-circuit current. 398 T. IEE Japan, Vol. 113-B, No. 4,
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スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子
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Wide Temperature Version 4M High Speed SRAM (256-kword 16-bit) データシート RJJ03C0097-0201 Rev.2.01 概要 R1RP0416DI シリーズは 256k ワード 16 ビット構成の 4M ビット高速スタティック RAM です CMOS(6 トランジスタメモリセル ) プロセス技術を採用し, 高密度, 高性能, 低消費電力を実現しました
等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o
小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,
16-Bit, Serial Input Multiplying Digital-to-Analog Converter (Rev. B
DAC8811 www.tij.co.jp ± ± µ ± µ ± V REF CS Power-On Reset DAC8811 D/A Converter 16 DAC Register 16 R FB I OUT CLK SDI Shift Register GND DAC8811C ±1 ±1 MSOP-8 (DGK) 4to 85 D11 DAC8811ICDGKT DAC8811C ±1
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F
低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F
MOSFET HiSIM HiSIM2 1
MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
IBIS Quality Framework IBIS モデル品質向上のための枠組み
Quality Framework モデル品質向上のための枠組み EDA 標準 WG 1 目次 - 目次 - 1. 活動の背景 2. Quality Framework 3. ウェブサイトのご紹介 4. Frameworkの活用方法 2 目次 - 目次 - 1. 活動の背景 2. Quality Framework 3. ウェブサイトのご紹介 4. Frameworkの活用方法 3 1. 活動の背景
T c T>Tc T Spacecraft Propulsion Using Solar Energy Spacecraft with Magnetic Field Light from the Sun Solar Wind Thrust Mirror Solar Sail Thrust production by li
2004.3.28 物理学会シンポジウム 磁気プラズマセイル の可能性と 深宇宙探査への挑戦 宇宙航空研究開発機構 船木一幸 Spacecraft Propulsion Using Solar Energy Spacecraft with Magnetic Field Light from the Sun Solar Wind Thrust Mirror Solar Sail Thrust production
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
elm73xxxxxxa_jp.indd
概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき
Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm
集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学
untitled
NJM88/A ma.µf SOT-89- TO--(NJM88ADL) ESON6-H(NJM88AKH) NJM88U NJM88ADL NJM88AKH (...97mm) 7dB typ. (f=khz, Vo=V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.7V) Io(max.)=mA Vo±.%.8V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-(NJM88U) / TO--(NJM88ADL)
AN41250A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード HQFP048-P-0707A 発行年月 : 2007 年 6 月 1 目 概要. 3 特長. 3 用途. 3 外形. 3 構造.... 3 ブロック図.... 4 端子説明... 5 絶対最大定格..... 7 動作電圧範囲. 7 次 2 光 Disk 用 7-ch Motor r 用 IC 概要 は Spindle Motor 駆動部に低雑音の Direct
PowerPoint Presentation
/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control
Specification for Manual Pulse Generator, GFK-2262
Specification change in Manual Pulse Generator () A) Abstract This document explains about the specification change in Manual Pulse Generator (). The production of the former specifications written in
pc817xj0000f_j
PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87 Date Jun.. 5 SHRP Corporation PC87XJF node Cathode Emitter Collector PC87XJF PC87XIJF node mark. ±..6 ±. Rank mark Factory identification mark Date code PC87.58 ±.5
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht
第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6
PLZ-5W_ KPRI21.pdf
The Flagship New DC Electronic Load PLZ-5W D C E L E C T R O N I C L O A D the Flagship PLZ-5W series CC Mode / High range / 0-80A Switching Ch4 load current 20A/div Horizontal 10us/div SET[A] (100 %)
SICE東北支部研究集会資料(2009年)
計測自動制御学会東北支部第 5 回研究集会 (9.7.5) 資料番号 5- FPGA を用いたステッピングモータの制御に関する検討 Control of a Stepping Motor using FPGA 萩原正基 *, 秋山宜万 *, 松尾健史 *, 三浦武 *, 谷口敏幸 * Masaki Hagiwara*, oshikazu Akiyama*, Kenshi Matsuo*, Takeshi
75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4)
3 * 35 (3), 7 Analysis of Local Magnetic Properties and Acoustic Noise in Three-Phase Stacked Transformer Core Model Masayoshi Ishida Kenichi Sadahiro Seiji Okabe 3.7 T 5 Hz..4 3 Synopsis: Methods of local
スライド 1
RX62N 周辺機能紹介データフラッシュ データ格納用フラッシュメモリ ルネサスエレクトロニクス株式会社ルネサス半導体トレーニングセンター 2013/08/02 Rev. 1.00 00000-A コンテンツ データフラッシュの概要 プログラムサンプル 消去方法 書き込み方法 読み出し方法 FCUのリセット プログラムサンプルのカスタマイズ 2 データフラッシュの概要 3 データフラッシュとは フラッシュメモリ
S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している
USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
OPA134/2134/4134('98.03)
OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In
音響部品アクセサリ本文(AC06)PDF (Page 16)
Guide for Electret Condenser Microphones A microphone as an audio-electric converting device, whose audio pickup section has a structure of a condenser consisting of a diaphragm and a back plate opposite
報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の
報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので
LM317A
3 3 LM317A 3 LM317 1.2 37V 1.5A 3 IC 2 / IC AC IC 6 3 LM317 3-Terminal Adjustable Regulator LM117 19860710 33200 24060 11800 ds009063 Increase the print percent on all Typical Curves modified formatting
R1LV1616H-I シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
pc910l0nsz_j
PC90L0NSZ0F PC90L0NSZ0F µ µ µ PC90L PC90L Date Sep.. 00 SHARP Corporation 7 NC Anode Cathode NC 7 GND V O (Open collector) V E (Enable) V CC H H L L H H H L H L L H L: (0) H: () PC90L0NSZ0F PC90L0YSZ0F
h-hwang11phdthesis-RealizingName.pptx
黄 大 大 大 用目 手 一 大 高 士 文 目 士 文 比 士 文 士 文 士 文 黄 山 一 田 比 用 子 黄 山 一 田 力 子 士 文 12.1.19 本章の背景および目的 提案手法の概要 高速なパケット転送 分類のために使用されている TCAM の問題点 高い消費電力 チップのコスト アクセス制御リスト (access control list; ACL) フィールドの中 ポート番号の範囲表現問題
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
TH-42PAS10 TH-37PAS10 TQBA0286
TH-42PAS10 TH-37PAS10 TQBA0286 2 4 8 10 11 17 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 38 42 44 46 50 51 52 53 54 3 4 5 6 7 8 3 4 1 2 9 5 6 1 4 2 3 5 6 10 11 1 2 3 4 12 13 14 TH-42PAS10 TH-42PAS10
CM1-GTX
CM1-GTX000-2002 R R i R ii 1-1 1-2 1-3 Process Variables Process Variables Pressure Output Analog Output Sensor Temp. Lower Range Value (0%) Upper Range Value (100%) Pressure Pressure Chart Pressure
R1RP0416D シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
HITACHI HF-2000
HITACHI HF-2000 v. 4. 1 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. TV 15. 16. 17. 15 5-1 - 1. 1.1 COLUMN ON 1.2 OBJ. TEMP. MONITOR 20 1.3 POWER HV IP-1 ON ON LOCK (
Microsoft Word - 10gun_04hen_05.doc
10 群 ( 集積回路 ) 4 編 ( メモリ LSI) 5 章新規メモリ ( 執筆者 : 仁田山晃寛 )[2010 年 1 月受領 ] 概要 将来の進展が期待されるシリコンベースの新規の半導体メモリの最近の技術動向を概観し, 今後の技術展望を論じる. 本章の構成 本編では, 新規メモリの代表例として,PRAM(5-1 節 ),ReRAM(5-2 節 ) について述べる. 電子情報通信学会 知識ベース
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
TC7WT126FU
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力
LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ
Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223
<8B5A8F70985F95B632936EE7B22E696E6464>
47 Electrical Discharge Truing for Electroplated Diamond Tools Koji Watanabe Hisashi Minami Hatsumi Hiramatsu Kiyonori Masui (211 7 8 ) Electroplated diamond tools are widely used for grinding because
(Microsoft Word - \224M\203R\203\223\203\214\203|\201[\203g\212\256\220\254.doc)
第 5 回八光熱の実験コンテスト 太陽光で水を冷やそう! チーム名 : エネルギーと動力研究室代表者名 : 吉田千廣所属先 : 滋賀県立大学工学部機械システム工学科エネルギーと動力研究室 目次 1 まえがき 1.1 背景 1 1.2 実験目的 2 2 実験装置および実験方法 2.1 ペルチェ素子の冷却性能確認試験 3 2.2 ゼーベック素子の性能確認試験 4 2.3 ゼーベック ペルチェ両素子を用いた冷水製造実験
080906_…o…−…^…b…vVSCW
Thyristor Type Single-Phase Power Regulator 2030 A 6A 150200A TOKYO RIKOSHA CO., LTD Latest VARITAP VSCW Series Achieved 1/2 the width (our company comparison). Free Power source of 100 to 240V specification.cover-type
General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to-
General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 358 LMV358/324 LM358/324
スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
スピン MOS トランジスタの基本技術を開発 高速 低消費電力 不揮発の次世代半導体 本資料は 本年米国ボルチモアで開催の IEDM(International Electron Devices Meeting 2009) における当社講演 Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly Spin-Polarized Ferromagnet/MgO
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項
![THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項](/thumbs/102/156201471.jpg "THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項")
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
R1LV0416Dシリーズ データシート
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C
NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V
フリップフロップ
第 3 章フリップ フロップ 大阪大学大学院情報科学研究科 今井正治 imai@ist.osaka-u.ac.jp http://www-ise1.ist.osaka-u.ac.jp/~imai/ 2005/10/17 2006, Masaharu Imai 1 講義内容 フリップ フロップの基本原理 RS フリップ フロップ D ラッチ D フリップ フロップ JK フリップ フロップ T フリップ
untitled
NJU7704/05 C-MOS ( ) ±1.00.9µA DSP SOT-23-5 SC88A 2 DSP NJU7704/05F NJU7704/05F3 ±1.0 0.9µA typ ( ) 1.5 6.0(0.1 step) ( C ) ( ) Active "L" : NJU770****A Active "H" : NJU770****B Nch : NJU7704 C-MOS : C-MOS
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
Table 1. Reluctance equalization design. Fig. 2. Voltage vector of LSynRM. Fig. 4. Analytical model. Table 2. Specifications of analytical models. Fig
Mover Design and Performance Analysis of Linear Synchronous Reluctance Motor with Multi-flux Barrier Masayuki Sanada, Member, Mitsutoshi Asano, Student Member, Shigeo Morimoto, Member, Yoji Takeda, Member
NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること
チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
スライド 1
プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器
36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1
36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic
Microsoft PowerPoint - （ドラフト）グリーンITとIoT推進のための研究開発について 2016JUL_a
グリーン IT と IoT 推進のための研究開発について 2016 年 7 月 4 日 国立研究開発法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 IoT 推進部主任研究員明日徹 IoT -Internet of Things IoT とは 世の中に存在するおびただしい数の モノ がコンピュータによってスマート化し インターネット接続機能を備えることで 自動認識や自動制御 遠隔計測などを行うこと IDC による定義は
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
Microsoft Word - 新規Microsoft Office Word 文書.docx
( ) ENTRAN ENTRAN / DRAM 2 3 () 4 (off chip) MOS Tr 5 6 / SSD / Ⅲ. 研究開発成果 3.3 研究開発項目毎の成果 2 不揮発アーキテクチャの研究開発 不揮発アーキテクチャの研究開発 実施者 : 中央大学, エルピーダメモリ (20 年度のみ ) 目的 研究開発項目 で得られたメモリを用い 現行のアーキテクチャの消費電力に対し実質上 /
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
LM A High Efficiency Synchronous Switching Regulator (jp)
LM2651 LM2651 1.5A High Efficiency Synchronous Switching Regulator Literature Number: JAJS632 LM2651 1.5A 1.5A High Efficiency Switching Regulator 2651 LM Dongyan Zhou 19980610 LM2651 100:1 (1.5A 15mA)