新技術説明会　様式例

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

Microsoft PowerPoint 唐修正提出ーJST新技術説明会.pptx

JST-ALCA 連携新技術説明会,JST 東京本部別館, 平成 27 年 2 24 グラフェンを利用した 大容量 高速充放電キャパシター 物質 材料研究機構先端材料プロセスユニット一次元ナノ材料グループグループリーダー唐捷 グラフェンを用いたキャパシターの特徴 * グラフェンの大きな比表面積及び高導電性を利用したグラフェンキャパシターはエネルギー密度及び出力密度を飛躍的に増大できる * キャパシターの自動車への応用の特徴

新技術説明会　様式例

1 218 年 6 月 26 日 IoT/ トリリオンセンサを指向した 小型ホルムアルデヒド検出器 物質 材料研究機構 国際ナノアーキテク トニクス研究拠点 ナノマテリアル分野 フロンティア分子 G 主任研究員 石原伸輔 2 Outline (1) 電気抵抗が変わるホルムアルデヒド検出材料 (2) デバイス化の例 (3) まとめと企業連携への期待 3 従来技術とその問題点 ホルムアルデヒドは 接着剤や防腐剤として建材などに使用され

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1 透明 鏡 黒ならびに発光状態を有する スイッチャブルスマートウィンドウ Switchable smart window with a light-emitting state and mirror transparent black 東京工芸大学工学部メディア画像学科教授内田孝幸 2 研究の背景 地球温暖化やエネルギー供給の問題から エネルギーを特に多く消費する 冷暖房負荷の軽減に関する技術開発の期待が高まっている.

2 (1) (2) SCI 2 SCI 2 24 2 12 2

2004 (1) (2) (2) (3) (1) 1 (2) (3) 2 (1) (2) SCI 2 SCI 2 24 2 12 2 100% / 16 2002 2003 http://lin.lin.go.jp/alic/month/dome/1997/nov/chousa.htm (05 612 1315 1618 1922 2329 3039 4049 5059 60 ) =10 b g 1

Microsoft PowerPoint - ２．斧先生.ppt

スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

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...1...3 -... 3 -... 3...5 -... 5 -... 5 -... 6 -... 7 -... 7 -... 7 -... 10 -... 17 -... 17 -... 18 -... 20 -... 21 1 TEL 2 3 4 ) ) 5 6 7 8 9 10 11 () (4) () (4) () () 730-0042730-8586 730-0042 730-0042730-8586

1 Q A 82% 89% 88% 82% 88% 82%

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1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します 情報機構 sample

sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します http://www.johokiko.co.jp/ebook/bc140202.php 情報機構 sample はじめに リチウムイオン電池は エネルギー密度や出力密度が大きいことなどから ノートパソコンや携帯電話などの電源として あるいは HV や EV などの自動車用動力源として用いられるようになってきている

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g g/cm3 g / cm3 g g g g/cm3 cm2 kv

芝浦工大新技術説明会プレゼン資料（1石崎)

1 複合材料からなるカーボン系触媒 芝浦工業大学 教授 工学部材料工学科 石崎貴裕 2 電池技術 : エネルギー密度の推移 Smaller Dream battery Pb acid Wh/L + Cost + Recycling - Energy density NiCd + Temperature + Lifetime - Weight - Environment NiMH Li-ion + Energy

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

7 1213

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

OpenCampus_tokuoka2016

Open Campus 2016/08/06 Yuta Tokuoka ラボ内の研究について A.Funahashi 解析 実験 S.Nishimoto 画像解析 Y.Nakai N. F. Hiroi イメージング Y.Tokuoka M.Ooka T.Nakamura K.Ii 高速化 T.Hiraiwa A.Takahashi T.Iwasaki M.Ito P.Dora Y.Yoshimi

新技術説明会　様式例

1 ロボットへの FPGA 導入を 容易化する コンポーネント技術 宇都宮大学大学院工学研究科情報システム科学専攻助教大川猛 2 従来技術とその問題点 FPGA(Field Programmable Gate Array) は 任意のディジタル論理回路をプログラム可能な LSI ソフトウェアでは時間がかかる画像認識処理等を ハードウェア化して 高速化 低消費電力化可能 問題点 FPGA 上の回路設計が難しい

用描画装置 透明導電用 ITO インク 株式会社 アルバック ULVAC, Inc. Ink-jet Equipment ITO シクロドデセン溶媒 インクジェットタイプ ITO NANOMETAL INK () Ink-jet Type 高精度インクジェット装置 ID-22D S-2 ITO によ

用描画装置 透明導電用 ITO インク 株式会社 アルバック ULVAC, Inc. Ink-jet Equipment ITO シクロドデセン溶媒 インクジェットタイプ ITO NANOMETAL INK () Ink-jet Type 高精度インクジェット装置 ID-22D S-2 ITO により23 焼成での ITO 成を実現しました ITO NANOMETAL INK enables to

キチン誘導体を用いた 　　　　　　　　　　生体接着剤の開発

キャンパスイノベーションセンター東京新技術説明会 キチン誘導体を用いた生体接着剤 シーリング材の開発 森本稔 伊福伸介 斎本博之 ( 鳥取大生命機能セ 鳥取大院工 ) 大崎智弘 南三郎 ( 鳥取大農 獣医 ) 生体接着剤 シーリング材 生体接着剤 縫合 抜糸の必要あり 技術的に難易度が高い 抜糸の必要なし 技術的に容易 化学合成品では 分解成分に細胞毒性や組織刺激性 血液由来の製品では ウイルス感染の危険性

首都圏北部 4 大学発新技術説明会 平成 26 年 6 月 19 日 オレフィン類の高活性かつ立体選択的重合技術 埼玉大学大学院理工学研究科 助教中田憲男

首都圏北部 4 大学発新技術説明会 平成 26 年 6 月 19 日 オレフィン類の高活性かつ立体選択的重合技術 埼玉大学大学院理工学研究科 助教中田憲男 ポリオレフィンの用途 ポリプロピレン 絶縁性を利用して テレビなどの電化製品 通信機器などの絶縁体として使用耐薬品性を活かして薬品の容器 包装にも使用 ポリスチレン コップ 各種容器 歯ブラシなどの日用品 プラ スチックモデルなどのおもちゃや包装に使用

新技術説明会　様式例

高い p 形電気伝導性を有する 透明電極材料 龍谷大学理工学部物質化学科助教山添誠司教授和田隆博 1 P 形透明導電性酸化物 (TCO) 薄膜開発の背景 高効率薄膜フルスペクトル太陽電池 地球温暖化対策として温室効果ガスの大幅削減に寄与するために 太陽光発電の性能を飛躍的に向上させることを目的とする 2050 年までに 変換効率が40% 超 かつ 発電コストが汎用電力料金並み の太陽電池を実用化することを目指した研究開発の中で

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1 低侵襲性を重視し 細く長く大出力密度で伸縮する圧力駆動 マイクロマシン 立命館大学理工学部機械工学科 教授小西聡 2 低侵襲性を重視し 細く長く大出力密度で伸縮する圧力駆動 マイクロマシン 伸縮動作用マイクロマシン技術の紹介 低侵襲性が重要な内視鏡等のワイヤー駆動系への応用を想定 薄膜構造を多関節化して柔軟で細長い構造を実現 二種類の圧力駆動技術を提案 : 小型ピストン / 伸縮バルーン 高出力密度の実現

UL(Underwriters Laboratories lnc.) は 1894 年に米国の火災保険業者によって 設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界

UL(Underwriters Laboratories lnc.) は 1894 年に米国の火災保険業者によって 設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界に特に関係の深いものとして 以下の規格があります UL 規格規規格サブジェクト : プラスチック材料の燃焼試験

PowerPoint 프레젠테이션

2019 年 OLED 部品素材レポート 1 目次 1. 重要な要約 4 2. フォルダブルOLED 用部品素材の開発状 6 2.1 フォルダブルスマートフォン動向 2.2 フォルダブルOLEDの動向 2.3 フォルダブルOLED 構造解析 2.4 部品素材の開発状況 3. レイヤ別の部品素材の開発状 25 3.1 基板 3.2 TFT 3.3 電極 3.4 封止 3.5 タッチセンサー 3.6 偏光板

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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

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さんさんコンソ 低消費電力型ガス成分分析センサ ガスセンサの用途 ( 従来からのニーズと新たなニーズ ) 危険予知 防止 ( 従来からのニーズ ) () 爆発性ガス 揮発性有機化合物 (VOC) の検出 新たなニーズーー > 安全 安心 健康 安全 安心 () 呼気アルコールの検出 ーー 車載化 運転の自動化 エタノールの検出 岡山理科大学工学部電気電子システム学科教授秋山宜生 環境モニターーー 大気汚染ガスの飛来と

1 50Hz 60Hz 250V 16A 2 1 2 70 120 155 3 25 35 4 2 IEC60320 IEC 60050(151) 1978 IEV 151 IEC 60083 1975 1979 IEC 60112 1979 IEC 60227 450/750V IEC 60245 450/750V IEC 60536 1976 IEC 60695-2-1 1991 2 1 IEC

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

新技術説明会　様式例

1 膜分離を利用した 次世代 CO 2 分離回収技術による カーボンフリー水素の製造 九州大学カーホ ンニュートラル エネルキ ー国際研究所 准教授谷口育雄 2 化石資源依存からカーボンニュートラルへ 大気中の CO 2 濃度の増加に伴う地球温暖化および気候変動が深刻な問題となっている 化石資源エネルギー 水素エネルギー 我が国の電力事情 9 割が化石資源由来 http://www.fepc.or.jp/

橡00扉.PDF

SQ2.1 SQ2.2 ( ) 19971998 1981-97

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

帳票設計ツールの使用手引き_V1.PDF

UL 規格規UL(Underwriters Laboratories.lnc) は 米国の火災保険業者によって 1894 年に設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っていま

UL 規格規UL(Underwriters Laboratories.lnc) は 米国の火災保険業者によって 1894 年に設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界に特に関係の深いものとして 次の規格があります 規格サブジェクト : プラスチック材料の燃焼試験

研究成果報告書(基金分)

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ

PVEゲルの作製方法 PVAの既存のゲル化法 １ 繰り返し凍結解凍法 1975 hydroxyl groups N. A. Peppas, Makromole. Chemie., 176, 3443-3440 (1975). M. Nambu, Japanese Patent Kokai, No. 57/130543 (1982). Acetoxy groups ２ 凍結法 in Water/DMSO

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E-mail: khatano@fms.saitama-u.ac.jp Tel & Fax: 048-858-3535 Toxin Virus Bacterium Glycolipid Glycoprotein Vero toxin (Stx1 and Stx2) Side view Bottom view H H H H N H Grobotriaosyl Ceramide (Gb 3 : Galα1-4Galβ1-4Glcβ-Cer)

新技術説明会　様式例

1 高品質グラフェンの 低コスト 量産化プロセス 東北大学多元物質科学研究所 サステナブル理工学研究センター教授本間格 2 次元 単原子層電極 グラフェン の発見と電池技術への応用 The Nobel Prize in Physics 2010 A. K. Geim K. S. Novoselov (Univ. Manchester, UK) 革新的物性 2 次元単原子層シート 大きな電子移動度 (2x10

セゾン保険_PDF用.indd

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative

スライド 1

新技術で分離した ヒト骨質由来微小幹細胞の医療応用 薗田精昭 関西医科大学大学院医学研究科先端医療学専攻修復医療応用系幹細胞生物学 2001 背景 (1): 微小幹細胞とは Journal of Cellular Biochemistry 80;455-460(2001) 微小幹細胞に関する最初の報告生体の組織内に非常に小さな spore-like stem cell が存在することが初めて報告された

‘¬”R.qx

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1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

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(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

研究成果報告書

EL EL 17% 1.5 (F. Li, et al. Org. Elect., Vol. 8, 635, 2007 ) (S.Hore, et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, pp. Vol. 90, 1176, 2006) (C. Haase et al., Proc. of SPIE, Vol. 6645, 66450W, 2007) (T. Fukuda

サーマル型 ( ロッカースイッチ ) 3130 特長 1~3 極対応のロッカースイッチ兼用サーキットプロテクタです 内部はトリップフリー構造になっており またスナップインになっているため 簡単に取付可能です オプションとしてランプ点灯も可能です CBE standard EN (IEC

特長 ~3 極対応のロッカースイッチ兼用サーキットプロテクタです 内部はトリップフリー構造になっており またスナップインになっているため 簡単に取付可能です オプションとしてランプ点灯も可能です CBE standard EN 609 (IEC 609) 取得製品です 用途 モータ トランス ソレノイド 事務機 電気器具 小型船舶 建設機械 医療機器 (EN6060) 値 / 内部抵抗値 ( 極当り

スライド 1

Katsura Laboratory Integrated Design Engineering Keio University ( 位置 力再現方法および位置 力再現装置 ) Department of Electrical Engineering Nagaoka University of Technology 長岡技術科学大学助教横倉勇希 新技術説明会 触覚 力覚情報の伝送 聴覚情報の伝送 視覚情報の伝送

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スタイラック (_GF) 物性値一覧 GF 一般 難燃 試験項目 規格番号 JIS_No. 測定条件等単位 R240A VGB20 メルトマスフローレート (MFR) ISO1133 K N g/10min 6 17 メルトボリュームフローレート (MVR) ISO1133 K

スタイラック (_ 汎用 ) 物性値一覧 汎用 標準 良流動 試験項目 規格番号 JIS_No. 測定条件等単位 321 220 121 120 026 190 191 190F 191F メルトマスフローレート (MFR) ISO1133 K 7210 220 98N g/10min 9 12 14 16 19 23 26 47 38 メルトボリュームフローレート (MVR) ISO1133 K

特-7.indd

Mechanical Properties and Weldability of Turbine Impeller Materials for High Temperature Exhaust Gas Turbocharger 1 000 1 050 246 IN100 The increase in environmental awareness in recent years has led to

* 2

* 2 3 H2400 2 2 3 4 5 5 (at +25 ) H2400-00-0 H2400-0-0 H2400-20-0 420 3(X) (Y) 2-50 26 5 50 80 200 8.0 0.2 80 62 30 5 60 70.6 5 2. 4 0.3 3.2 8.0.3 2 6 3.5 5 +5 +50-20 +50 630 nm mm µa µa 300 µa/lm 400

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

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詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗

平成 30 年 1 月 12 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 次世代相変化メモリーの新材料を開発 超低消費電力でのデータ書き込みが可能に 発表のポイント 従来材料とは逆の電気特性を持つ次世代不揮発性メモリ用の新材料開発に成功 今回開発した新材料を用いることで データ書換え時の消費電力を大幅に低減できることを確認 概要 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生

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from One 1 2 24 2 3 4 30 4 5 47 13 6 7 34 2 13 8 34.................................. 9 15-1-5 15-1-4 10 11 12 12 13 14 15 A ( 1) A A 2 B B 16 2 2 17 3 C C 18 3 19 ( ) 15 2 5 ( 56 2 16 20 2 5 ) (1) (2)

PowerPoint プレゼンテーション

光両性物質発生剤 Photo Ampholyte Compounds Generator 千葉大学大学院融合科学研究科 情報科学専攻画像マテリアルコース 准教授髙原茂 Photo-X-generator 光 -X- 発生剤 hν PXG hν P + X X = 反応活性種 Photo-X-generator 光 -X- 発生剤 hν PXG hν P + X 反応中間体生成物 ( 反応触媒 ) R

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相変化ランダムアクセスメモリ素子 (PRAM) の結晶化過程を用いた 多値記録素子 研究者 : 群馬大学大学院工学研究科 教授保坂純男 内容 1. 研究背景とアプローチ 2. PRAM の原理と課題 3. 低消費電力化 4. 結晶化過程の多値記録 5. 実験結果とまとめ 背景 メモリの特性 FeRAM MRAM PRAM DRAM フラッシュ 不揮発性 書き込み時間 80ns 30ns 50ns 100ms

JA2008

A1 1 10 vs 3 2 1 3 2 0 3 2 10 2 0 0 2 1 0 3 A2 3 11 vs 0 4 4 0 0 0 0 0 3 6 0 1 4 x 11 A3 5 4 vs 5 6 5 1 0 0 3 0 4 6 0 0 1 0 4 5 A4 7 11 vs 2 8 8 2 0 0 0 0 2 7 2 7 0 2 x 11 A5 9 5 vs 3 10 9 4 0 1 0 0 5

東海道新幹線でDS

2 7 ( ) µ

タンタルコンデンサ

タンタルコンデンサパッシブデバイス タンタルコンデンサ CONTENTS タンタルコンデンサ : TCS P. 20 M 1608 PS 2012 P 2012 : TCT, TC P. 21 U 1005 P. 21 ML 1608 P. 21 M 1608 P. 21 PL 2012 P. 22 P 2012 P. 22 AS 3216 P. 22 AL 3216 P. 22 : TC P. 23

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

Microsoft PowerPoint - プレゼン資料6月29日pm⑥（宇都宮大学_古澤先生）

1 低温でアンモニアから高純度の 水素を製造する方法を紹介します 宇都宮大学大学院工学研究科 准教授 古澤毅 教授 伊藤直次 日本のエネルギー事情 (2014 年度 ) エネルギー全体 :94% 輸入, 自給率 6% ( 先進国で最低 ) 原油 :99.7% 輸入 天然ガス :97.8% 輸入 石炭 :99.3% 輸入 オーストラリア ロシア 19516 万 kl 12.9 兆円 インドネシア 8907

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70.0 60.0 50.0 40.0 30.0 20.0 10.0 0.0 18.5 18 60.4 6.3 45.5 18.9 41.8 5.0 29.3 17.1 1.2 3.7 0.0 0.0 1.5 19 20 21 22 2.50 2.00 1.50 1.00 0.50 0.00 19 2.38 1.48 1.02 2.05 0.11 0.00 0.00 20 21 1.22 0.44

様式 19 別紙 1 課題番号 GS017 先端研究助成基金助成金 ( 最先端 次世代研究開発支援プログラム ) 実施状況報告書 ( 平成 24 年度 ) 本様式の内容は一般に公表されます 研究課題名研究機関 部局 職名氏名 プリント技術によるバイオナノファイバーを用いた低環境負荷 低温エレクトロニ

課題番号 GS017 先端研究助成基金助成金 ( 最先端 次世代研究開発支援プログラム ) 実施状況報告書 ( 平成 24 年度 ) 本様式の内容は一般に公表されます 研究課題名研究機関 部局 職名氏名 プリント技術によるバイオナノファイバーを用いた低環境負荷 低温エレクトロニクス製造技術の開発大阪大学 産業科学研究所 准教授能木雅也 1. 当該年度の研究目的本研究課題では セルロースナノファイバーを用いた透明な紙の製造技術と

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

JIS Z803: (substitution method) 3 LCR LCR GPIB

LCR NMIJ 003 Agilent 8A 500 ppm JIS Z803:000 50 (substitution method) 3 LCR LCR GPIB Taylor 5 LCR LCR meter (Agilent 8A: Basic accuracy 500 ppm) V D z o I V DUT Z 3 V 3 I A Z V = I V = 0 3 6 V, A LCR meter

NITOFLON® No. 903UL

NITOFLON No. 903UL 概要 NITOFLON NO.903UL は 片面を接着性表面処理したポリテトラフルオロエチレン (PTFE) 樹脂フィルムを支持体とし 処理面にシリコーン系粘着剤を塗布したものです 構成 NO.903UL シリコーン系粘着剤 ポリテトラフルオロエチレン (PTFE) 図 1 構成図 特長 ポリテトラフルオロエチレン樹脂フィルムを支持体にしているため 電気特性

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PCSDNTZ PCSDNTZ PCSDNTZ UL77file No. E680 SD CSAfile No. CA9SD VDE DIN EN6077- -file No. 000889SD UL9V - 0 ( ) PCSFYVZ ( ) Sheet No.: D-A0760FJP Date Mar.. 00 SHARP Corporation Anode 6 Cathode NC Anode/Cathode

520 Nippon Shokuhin Kagaku Kogaku Kaishi Vol. /0, No. +*, /,* /,2 (,**3) 20 * * Comparison of Breaking Properties of Products Baked with Rice Powders,

520 Nippon Shokuhin Kagaku Kogaku Kaishi Vol. /0, No. +*, /,* /,2 (,**3) 20 * * Comparison of Breaking Properties of Products Baked with Rice Powders, Wheat Powders and their Starches Atsuko Higo : and

Vol. 19, No. 3 (2012) 207 Fig. 2 Procedures for minute wiring onto polyimide substrate. Fig. 3 Ink - jet printing apparatus as part of laser sintering

206 : 316-8511 4-12 - 1 Laser Sintering Characteristics of Silver Nanoparticle Paste for Electronics Packaging YAMASAKI Kazuhiko, MAEKAWA Katsuhiro (Received January 10, 2012) Ibaraki University, Faculty

円筒面で利用可能なＡＲマーカ

円筒面で利用可能な AR マーカ AR Marker for Cylindrical Surface 2014 年 11 月 14 日 ( 金 ) 眞鍋佳嗣千葉大学大学院融合科学研究科 マーカベース AR 二次元マーカはカメラ姿勢の推定, 拡張現実等広い研究分野で利用されている 現実の風景 表示される画像 デジタル情報を付加 カメラで撮影し, ディスプレイに表示 使用方法の単純性, 認識の安定性からマーカベース

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

1 15 7 4 7 7 2 3 4 5 35.0% 9.8% 1 44.8% 33.8% 21.4% 55.2% 40 53.3% 20 74.0% 38.4% 17.2% 55.6% 31.6% 12.8% 44.4% 61.2% 31.8% 2.8% 0.4% 63.2% 34.0% 2.8% 57.8% 27.6% 85.4% 14.0% 0.6% 14.6% 40.6% 13.4% 11.0%

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COPAL ELECTRONICS 32 (DP) DP INC 2 3 3 RH RL RWB 32 C S U/D INC U/D CS 2 2 DP7114 32 SOIC CMOS 2.5 V - 6.0 V / 10 kω 50 kω 100 kω TSSOP MSOP /BFR INC / U/D RH RoHS GND RWB RL CS VCC 2017 6 15 1 : R = 2

Technical Data Sheet SnapSil* TN3005 シリコーン接着 シール材 SnapSil* TN3005 は 低分子シロキサンが低減された 非腐食速乾性の1 成分室温硬化型の液状シリコーン接着 シール材です 空気中の湿気 ( 水分 ) と反応し ゴム状弾性体に硬化します 表

Technical Data Sheet シリコーン接着 シール材 は 低分子シロキサンが低減された 非腐食速乾性の1 成分室温硬化型の液状シリコーン接着 シール材です 空気中の湿気 ( 水分 ) と反応し ゴム状弾性体に硬化します 表面硬化性が速く 金属 プラスチックなどとの接着性に優れます イオン性不純物を低減した高純度品で 金属 ( 銅系金属を含む ) に対する腐食性がありません 耐熱 耐寒性

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Copyright 2013 Oki Engineering Co., Ltd. All rights reserved 2013 OEG セミナー 硫黄系アウトガスによる電子機器の障害事例 身近に潜む腐蝕原因ガス 2013 年 7 月 9 日 環境事業部 鈴木康之 Copyright 2013 Oki Engineering Co., Ltd. All rights reserved 2 目次 1.

新技術説明会　様式例

1 新型 D-π-A 型蛍光性色素を用いた 色素増感太陽電池 広島大学大学院工学研究院物質化学工学部門応用化学専攻准教授大山陽介 2 研究背景 光増感有機色素を吸着させた酸化チタン (Ti 2 ) ナノ粒子電極を用いる色素増感太陽電池 (DSSC) は 太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する安価でクリーンな次世代太陽光発電システムとして注目されており 実用化を目指した熾烈な研究開発が国際的に行われている

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37 1 高性能分子デババイスを志向した配向性単分子膜の新規製造方法 広島大学大学院工学研学研究院物質化学工学部門学部門准教授今栄一郎郎 教授播磨裕 2 有機電子デバイスの発展 プラスチックフィルム上での有機 TFT 駆動 EL ディスプレイを実現 (2007 年 5 月 ) http://www.sony.co.jp/sonyinfo/news/press /200705/07-053/index.html

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

PowerPoint プレゼンテーション

中間水含有ポリマーを用いた細胞機能操作技術 山形大学大学院理工学研究科プロジェクト教員 ( 准教授 ) 干場隆志 山形大学大学院理工学研究科教授田中賢 バイオ産業の例 医療産業 ( 医療器具の開発 ) 例 1) ステント : 血管等の閉塞に対する治療 例 2) 人工臓器 : 人工血管等 医療産業 ( 再生医療産業 ) 体外循環型人工臓器 ( 人工心肺 人工肝臓等 ) 製薬産業 ( 新薬の開発 製造

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第 1 回 SPring-8 カ ラス セラミックス研究会 (2010/8/27) ソーダライムガラス中の鉄イオンの 構造解析 XAFS 解析からの試み 日本板硝子株式会社技術研究所 a 兼 BP 研究開発部 b 長嶋廉仁 a, b 白木康一 a 2 目次 1. 実用ガラスにとっての鉄イオンの構造の重要性 2. ガラス中での鉄イオンの構造光吸収およびその他の方法による解析 3. XAFS 測定からの解析の試み

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員 ( 現在 東京理科大学 ) 寺部一弥グループリーダー 青野正和拠点長らの研究チームは

a L = Ψ éiγ c pa qaa mc ù êë ( - )- úû Ψ 1 Ψ 4 γ a a 0, 1,, 3 {γ a, γ b } η ab æi O ö æo ö β, σ = ço I α = è - ø çèσ O ø γ 0 x iβ γ i x iβα i

解説 4 matsuo.mamoru jaea.go.jp 4 eizi imr.tohoku.ac.jp 4 maekawa.sadamichi jaea.go.jp i ii iii i Gd Tb Dy g khz Pt ii iii Keywords vierbein 3 dreibein 4 vielbein torsion JST-ERATO 1 017 1. 1..1 a L = Ψ

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板 2 2 3 単板マイクロチップコンデンサ CLB シリーズ 特長. なめらかで緻密なセラミクスと金電極を用いたシンプルな単板構造であるため 信頼性 周波数特性に優れています 2. 超小型の0.25mm 角からシリーズ化しており 回路の小型化 高密度実装に適しています 3. 金電極を用いているので AuSnによるダイボンディング Au 線によるワイヤーボンディングができます

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

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1 2 3 4 5 130mm 32mm UV-irradiation UV-cationic cure UV-cationic cure UV-cationic cure Thermal cationic Reaction heat cure Thermal cationic Cation Reaction heat cure Cation (a) UV-curing of

Micro Fans & Blowers Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 千葉県市原市辰巳台西

www.pelonistechnologies.com Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 290-0004 千葉県市原市辰巳台西 4-13-1-9-1 104-0041 東京都中央区新富 1-5-5-406 Tel:0436-98-2341 Fax:0436-98-2336 Tel:03-3206-6832 Fax:03-3206-6829

BH BH BH BH Typeset by FoilTEX 2

GR BH BH 2015.10.10 BH at 2015.09.07 NICT 2015.05.26 Typeset by FoilTEX 1 BH BH BH BH Typeset by FoilTEX 2 1. BH 1.1 1 Typeset by FoilTEX 3 1.2 2 A B A B t = 0 A: m a [kg] B: m b [kg] t = t f star free