平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

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くうしょうはしかわ
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1 関係各位広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所所長運営委員長吉川公麿副所長プロジェクト責任者横山新微細加工支援室主任田部井哲夫文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業微細加工プラットフォーム実施機関シリコンナノ加工 MEMS 及びデバイス技術に関する支援による平成 27 年度公募についてごあいさつ広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所のスーパークリーンルームに設置された, 電子線描画装置を始めとするデバイス試作ラインを用いて, 共同研究, 機器利用, 技術代行, 技術相談技術補助を実施します.2 インチシリコンウェハを用いて,30nm の超微細加工が可能です. シリコン以外の材料に対しても可能な限り対応します.N&MEMS 技術, バイオ関連デバイスに関しても, 本学先端物質科学研究科などと連携して異分野融合を推進し高度で多様な支援を提供します. また, 学内社会連携推進機構および社会人教育プログラムを通じて産学連携を推進し利用者の拡大に努めています. これまでの支援成果例として, プリンタ用レーザヘッドの低コスト製造法 ( エピフィルムボンディング法 ) の実用化 (2007 年内閣総理大臣表彰ものづくり大賞優秀賞受賞 ) やシランプラズマ中のダスト微粒子抑制法 (2006 年日本エアロゾル学会論文賞受賞 ) などがあり日本のナノテクノロジーの発展に少なからず貢献できたものと自負しております今後とも是非本支援プロジェクトをご利用いただき日本のナノテクノロジー発展に貢献できれば幸いと存じます下記の通り公募いたしますので貴機関の関連研究者に周知くださるようお願いしますなおホームページ ( には本要項記載の内容及び申請書式が掲載されておりますのでダウンロードしてご利用ください概要文部科学省のナノテクノロジープラットフォームプロジェクトの一環として広島大学 ( ナノデバイスバイオ融合科学研究所先端物質科学研究科 ) では超微細構造形成のための支援を行います広島大学では研究所の保有する電子ビーム露光装置を用いたゲート長数十 nm の超微細トランジスタの設計製作技術を支援に活用すると共にナノ構造形成プロセスおよびそれを利用した超微細デバイスに関する技術相談 ( 随時受付 ) にも応じます支援内容は (1) ナノ構造加工 MEMS 構造加工およびプロセス設計 (2) 薄膜形成不純物導入 (3) ナノ構造パターン設計および (4) シリコンナノドット関連の支援を行います広島大学では (A) 共同研究 (B) 機器利用 (C) 技術代行 (D) 技術相談 (E) 技術補助の支援を行います利用できる装置につきましては添付の装置リストまたは上記ホームページをご覧ください

2 記 1. 公募事項 ( 平成 27 年 4 月 - 平成 28 年 3 月分 ) (A) 共同研究 : 利用者と支援者が共同で実施する成果公開型研究 ( 民間企業等との成果非公開型共同研究へ移行した場合自主事業とする ) (B) 機器利用 : 利用者が自立して自ら機器を操作する技術支援 (C) 技術代行 : 支援者が利用者に代行して設備を操作する技術支援 (D) 技術相談 : 利用者からの相談に専門家として応える技術コンサルタントとしての支援 (E) 技術補助 : 支援者が補助し操作方法を指導しながら利用者が機器を操作する技術支援希望される方は添付広島大学微細加工 PF 利用登録申請書を用いてお申し込み下さい 2. 申込資格 : 産学官のナノテクノロジー関連研究者 ( 国立大学法人公私立大学及び国立法人公立研究等の研究機関の研究者民間企業の研究者大学院博士課程在学中の学生も含む ) 3. 申込方法 : 申込書は 1 部同封してありますがインターネット上でダウンロードすることも可能です (PDF 版 Word 版 ) ( 4. 申込期間 : 随時受け付けます 5. 採択 : 採否は微細加工支援委員会において決定します 6. 採否決定の通知 : 申込後 1 ヶ月以内に連絡いたします 7. 所要経費 : 消耗品費については被支援者が負担することを原則とします広島大学の装置運転費は別表 1のとおりです技術相談料は 1 時間当たり 2,000 円です 8. 申込書送付先 : 住所東広島市鏡山広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所郵送, FAX, 添付ナノテクノロジープラットフォーム微細加工支援室主任田部井哲夫 ( 特任准教授 ) File(pdf 版 ) いずれで FAX (082) も結構です E-mai1 nanotech@hiroshima-u.ac.jp 9. 支援に関する相談窓口 : ナノテクノロジープラットフォーム支援に関わる事務的技術的相談は下記連絡先にて受け付けますマシンタイム調整等が必要ですので正式申し込み前にご相談ください TEL (082) ( 田部井哲夫 ) FAX (082) E-mai1 nanotech@hiroshima-u.ac.jp 10. 被支援者の義務 : 文部科学省の規定により翌年度 4 月までにA4 1 枚の実績報告書の提出が義務付けられておりますまた知的財産権において今後のトラブルを未然に防ぐために被支援者と広島大学との間において覚書を取り交わす場合があります ( 注 ) 支援タイトルにつきましてはナノテクノロジープラットフォームのホームページ ( に公開されますのでご了承願います

3 国立大学法人広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所所長吉川公麿殿広島大学微細加工プラットフォーム * 支援課題番号微細加工プラットフォーム利用申請書広島大学ナノテクノロジー微細加工プラットフォームの施設サービスを利用いたしたく, 下記のように申し込みます 1 申請日平成年月日新規継続変更所属 : 住所 ( - ) 2 利用者役職 : ふりがな氏名 : 電話 ( 所属先 ) ( ) - 3 責任者 1 年齢層所属 : 役職 : 20 代以下 30 代 40 代 50 代以上住所 ( - ) 電話 ( 所属先 ) ( ) - ふりがな氏名 : 4 利用者所属機関研究開発者 ( 企業中小企業大学公的研究機関その他 ) ポスドク ( 企業中小企業大学公的研究機関その他 ) 学生 ( 大学院大学高専その他 ) 5 研究テーマ ( 依頼名称 ) 6 研究概要 ( 利用希望装置, 及び依頼内容等 ) 共同研究機器利用技術代行技術補助技術相談試行的利用 2 7 研究支援期間平成年月日 ~ 平成年月日 ( 予定 ) 8 安全保障輸出管理についての同意利用者が非居住者である場合は, データの海外持ち出しに関して, 我々の安全保障輸出管理の規定に基づいた必要手続き ( 該非判定 ) を行います 9 備考 1 民間の研究者及び学生の方は, 所属の責任者又は指導教員の承認を受けた上でご記入下さい 2 プラットフォームを利用する課題の中で特に施設活用が大きな効果をもたらす課題を FS 事業自前で設備能力を持たない若手研究者 (40 歳未満 ) の課題で施設活用が大きな効果をもたらす課題を施設利用課題として採択する事業です

4 本支援事業に関する装置の概要 ( 広島大学 ) 表 1-1 ご相談は田部井哲夫特任准教授 (TEL , nanotech@hiroshima-u.ac.jp) まで注 : 全ての装置は 2 インチシリコンウェハ対応, クリーンルーム利用料は別途 900 円 / 時間です支援内容装置等名機能及び性能支援負担金 ( 円 / 時間 ) ナノ構造加工薄膜形成不純物導入超高精度電子ビーム描画装置 ( エリオニクス, ELS-G100) 加速 25,50,100kV, 最小線幅 6nm 20,000 電子ビーム露光装置 ( 日立,HL700) 可変成形型, 加速 50kV, 最小線幅 50nm 21,100 電子ビーム露光装置 ( 日本電子,JBX-5D) ポイントビーム型, 最小スポットサイズ 30nm 6,600 i 線ステッパ ( ニコン,NIKONi8a) 最小線幅 350nm 2,900 エッチング装置 ( 神戸製鋼,ECR Si 用 ) Cl 2,O 2,N 2,HBr 使用可能,30nm 加工実績有りエッチング装置 ( 神戸製鋼,RIE SiO 2 用 ) CF 4,H 2 使用可能エッチング装置 ( 神戸製鋼,RIE Al 用 ) Cl 2,BCl 3,N 2 使用可能,2μm 加工実績有りエッチング装置 (YOUTEC,ICP Al 用,12-228PH) Cl 2,BCl 3,N 2 使用可能 800 エッチング装置 ( 神戸製鋼,CDE SiN 用 ) CF 4,O 2,N 2 使用可能 400 エッチング装置 ( 神戸製鋼, レジスト Ashing 用 ) O 2,N 2 使用可能 400 エッチング装置 (YOUTEC,ICP poly-si ゲート用, PH) 1,600 Cl 2,O 2,N 2,HBr 使用可能 900 エッチング装置 ( エイコー, 汎用,VX-20S) CF 4,O 2,N 2 使用可能 4,300 エッチング装置 ( 住友精密工業,Si 深掘用,MUC-21) ボッシュプロセスを用いた深掘エッチング装置,C 4 F 8,SF 6,O 2,Ar 使用可能表面活性化接合装置 ( エイコー,EHB-400) マスクレス露光装置 ( ナノシステムソリューションズ,DL-1000) Si ウエハの接合 (35mm と 10mm 角 ),650 中 1000kgf まで加圧可能,H 2,Ar 使用可能 DMD に表示された露光パターンの縮小投影技術で, 最小画素 1μm を実現 12,100 11,100 酸化炉 3 台 ( 東京エレクトロン,370MI-MINI) 最高使用温度 ,000 ウェル拡散炉 ( 東京エレクトロン,370MI-MINI) 最高使用温度 ,000 インプラ後アニール炉 ( 東京エレクトロン,370MI- MINI) 5, 最高使用温度 ,000 燐拡散炉 ( 神港精機 ) 最高使用温度 900 1,000 汎用熱処理装置 ( 光洋サーモシステム,KTF453N-VP) 各種材料窒素アニール用 (400~1000 ) ポストメタライゼーションアニール (PMA) 炉 ( 神港精機 ) 最高使用温度 900 (N 2, H 2 ) 1,000 Rapid Thermal Anneal 装置 ( サムコ,HT-1000) 昇温速度最大 200 /s(n 2, O 2, Ar) 700 イオン注入装置 ( アルバック,IM-200M) スパッタ装置 ( エイコー,Al 用 ) 5keV-150keV,B,As,P,Si,F,Ar,In, Sb,N,He 等注入可能超高真空仕様,Al,Ti,TiN のスパッタが可能, DC マグネトロン (Ar, N 2 ) スパッタ装置 ( エイコー,Cu 用 ) DC マグネトロン (Ar, H 2 ) 1,300 スパッタ装置 ( エイコー, 汎用 ) 各種材料スパッタ用 (3 インチターケット交換により広範な材料に対応 ) スパッタガス (Ar O 2 N 2 ) LPCVD 装置 ( 東京エレクトロン,Poly-Si 用 ) モノシランの熱分解,650 1,600 LPCVD 装置 ( 東京エレクトロン,SiN 用 ) LPCVD 装置 ( 東京エレクトロン,SiO 2 用 ) 常圧 SiO 2 CVD 装置 ( 天谷製作所,M01) ジクロロシランとアンモニアの反応基板温度 750 モノシランと一酸化窒素混合モード,TEOS + オゾンの 2 つのモード可能, 最高温度 850 SiH 4 +O 2, 基板温度 400,P および B の, その場ドーピング可能 9,000 3, 2,100 1,600 1,600 1,300 プラズマ CVD(PECVD) 装置 ( アルバック ) SiO2, SiN 薄膜の堆積 1,300

5 本支援事業に関する装置の概要 ( 広島大学 ) 続き表 1-2 注 : 全ての装置は 2 インチシリコンウェハ対応, クリーンルーム利用料は別途 900 円 / 時間です支援内容装置等名機能及び性能支援負担金 ( 円 / 時間 ) ナノ構造パターン設計分析評価測定 ( 試作の過程および最終的に完成した段階で使用 ) 設計 T-CAD 用ワークステーション透過電子顕微鏡 :TEM( 日立,HF-2000) 走査電子顕微鏡 :SEM( 日立,S-4700) 二次イオン質量分析装置 :SIMS( アルバックファイ, SIMS6650) 原子間力顕微鏡 :AFM( セイコーインスツルメンツ, SPI3800) 干渉式膜厚計 ( 日本ナノメトリクス,AFT 0) 分光エリプソメーター (J.A. Woollam Japan, M2000-D) デバイス測定装置 (HP4156,3 台, プローバ 3 台含む ) 低温測定装置 (Desert HYTT-01) ロジックアナライザ他表面段差計 ( デクタック, Dektak3ST) ラザフォード後方散乱 (RBS) 測定装置 ( 日新ハイボルテージ,AN-2000H ) Cadence, Synopsys 社などの主要 CAD ベンダーの CAD ツールやプロセスデバイスシミュレーションソフトを搭載した高性能ワークステーション多数加速電圧 200kV, 格子分解能 0.102nm, 電界放出型冷陰極電界放出型電子銃, 最高分解能 1.5nm クリーンルーム内に設置 Cs,O ガン装備四重極型質量分析機, 一次イオン最小加速エネルギー 1keV 分解能 :Z:0.01nm,X,Y:0.1nm, 視野最小 5nm 角, 最大 20μm 角, クリーンルーム内に設置可視光及び紫外光源, 多層膜対応解析ソフト搭載, クリーンルーム内に設置測定可能最小膜厚 10nm, 分光波長範囲 nm クリーンルーム内に設置トランジスタ特性測定, 電源 3 ユニット, 最小測定電流 0.1pA 液体 He 使用, 最大試料系 2 インチ, 測定用プローブ 4 本 Agilent 社などの世界の主要 LSI 測定装置メーカの高性能ロジックアナライザ 2 台他垂直範囲 :10nm~130μm 垂直解像度 : 最高 0.1nm 加速イオン :H +,D +, 3 He +, 4 He +, 14 N + 他加速電圧 : 最大 2.40 MV ビーム電流 :3μA-50μA 薄膜構造評価 X 線回析装置 ( リガク,ATX-E) 角度分解能度 (2θ) 1, 蛍光 X 線分析装置 ( リガク,ZSX-400) 金属などの組成分析 1, X 線光電子分光装置 (XPS)( クレイトスアナリティカル,ESCA-3400) X 線源 :Mg,Ka, 電子結合エネルギー走査範囲 :1150 ~ -10 ev 7, ,000 5,100 1,

6 支援担当職員広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所教授吉川公麿 ( 運営委員長 ) 横山新 ( 責任者 ) 特任准教授田部井哲夫 ( 主任 ) 研究員佐藤旦小坂有史技術職員西山文隆事務補佐員藤岡真由美

平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書関係各位広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所所長運営委員長吉川公麿副所長プロジェクト責任者横山新微細加工支援室主任福山正隆文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業微細加工プラットフォーム実施機関シリコンナノ加工 MEMS 及びデバイス技術に関する支援による平成 24 年度公募についてごあいさつ広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所のスーパークリーンルームに設置された,