平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

関係各位 広島大学ナノデバイス バイオ融合科学研究所 所長 運営委員長 吉川公麿 副所長 プロジェクト責任者横山新 微細加工支援室主任 田部井哲夫 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細加工プラットフォーム実施機関 シリコンナノ加工 MEMS 及びデバイス技術に関する支援 による平成 27 年度公募について ごあいさつ広島大学ナノデバイス バイオ融合科学研究所のスーパークリーンルームに設置された,

平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

関係各位 広島大学ナノデバイス バイオ融合科学研究所 所長 運営委員長 吉川公麿 副所長 プロジェクト責任者横山新 微細加工支援室主任 福山正隆 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細加工プラットフォーム実施機関 シリコンナノ加工 MEMS 及びデバイス技術に関する支援 による平成 24 年度公募について ごあいさつ広島大学ナノデバイス バイオ融合科学研究所のスーパークリーンルームに設置された,

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt

チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

C ナノ材料分析 評価装置 C1 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 4,830 円 加工 評価室 1 C2 分析走査電子顕微鏡 6,720 円 加工 評価室 1 C3 高速液中原子間力顕微鏡 ( 株 ) 生体分子計測研究所 2,570 円 加工 評価室 2 C4 走査型プローブ顕微鏡システム 2,

表 1-1. 装置等の利用負担金表 ( 学術研究機関の利用 学術研究機関との共同研究による企業のナノテクノロジープラットフォーム事業に基づく利用 中小企業 ( 5) のナノテクノロジープラットフォーム事業に基づく利用 ) 新利用料金 消費税込み :2017 年 4 月 1 日から適用 装置等 利用料金 設置場所 装置群 No. 機器名 メーカ名 ( 一時間当り ) A1 高速高精度電子ビーム描画装置

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

厚生労働省委託事業 「 平成25年度 適切な石綿含有建材の分析の実施支援事業 」アスベスト分析マニュアル1.00版

クリソタイル標準試料 UICC A 1 走査型電子顕微鏡形態 測定条件等 :S-3400N( 日立ハイテクノロジーズ )/BRUKER-AXS Xflash 4010) 倍率 2000 倍 加速電圧 5kv 162 クリソタイル標準試料 UICC A 2 走査型電子顕微鏡元素組成 cps/ev 25 20 15 C O Fe Mg Si Fe 10 5 0 2 4 6 8 10 12 14 kev

02.参考資料標準試料データ

参考資料 標準試料データ目次 クリソタイル標準試料 JAWE111 108 アモサイト標準試料 JAWE211 113 クロシドライト標準試料 JAWE311 118 クリソタイル標準試料 JAWE121 123 アモサイト標準試料 JAWE221 131 クロシドライト標準試料 JAWE321 139 アンソフィライト標準試料 JAWE411 147 トレモライト標準試料 JAWE511 155

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

Nov 11

http://www.joho-kochi.or.jp 11 2015 Nov 01 12 13 14 16 17 2015 Nov 11 1 2 3 4 5 P R O F I L E 6 7 P R O F I L E 8 9 P R O F I L E 10 11 P R O F I L E 12 技術相談 センター保有機器の使用の紹介 当センターで開放している各種分析機器や計測機器 加工機器を企業の技術者ご自身でご利用できます

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

タイトル→○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○

走査プローブ顕微鏡 所属ナノスケール物性研究部門 発表者浜田雅之 mahamada@issp.u-tokyo.ac.jp 私は ナノスケール物性研究部門 長谷川研究室で業務を行っている 主な業務としては 原子間力顕微鏡 (A FM) や走査トンネル顕微鏡 (STM) の維持管理 新しい手法の開発である 以下にそれらについて報告する 1. はじめに 走査トンネル顕微鏡 (STM) 原子間力顕微鏡 (AFM)

（微細加工）使用料算出表_ のコピー.xlsx

1 マスクアライナ キャノン社製 PLA-501(S) 4,600 5,700 1,000 2 電子線描画装置日本電子社製 JBX6000SG 3 CAD セイコーインスツルメンツ社製 SX-0 4 反応性イオンエッチング装置 サムコ社製 RIE-1C 5 イオン注入装置 日新電機社製 NH-20SR-WMH 4,500 6,000 1, 2, 6 X 線光電子分光装置 VG 社製 ESCALAB210

<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>

技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >

7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に

るという強みを活かし プラットフォーム内での連携を強化することで 機関の特徴である集積化された新デバイスに関する支援事例が増えてくることを期待する (5) 人材教育 ( 図 4) (6) 活動内容 1 ナノてくてくの紹介 ( 広報活動 ): 研究所の広報誌で企業とナノテクノロジー活動学生の活動を紹介

ナノテクノロジー支援活動レジメ 2017.8.24 福山正隆 1 緒言 広島大学のナノデバイスバイオ融合科学研究所において 2006 年は経済産業省の中核人材育成事業のNMOSトランジスタの試作に従事した この成果を認められて 2007 年から 2025 年の 8 年間に文部科学省のナノテクノロジー支援を担当した この支援の目的は各機関が保有する設備を有効に活用するとともに公的機関が自主的に資金を確保しながら若手の研究者を育成することにある

F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右

3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

14 2 1 1 2 2 1 2 2 2 2 3 2 3 6 2 4 7 2 5 8 3 3 1 10 3 2 12 4 4 1 14 4 17 4 19 4 3 1 22 4 3 2 28 4 3 3 31 5 34 6 36 37 38 1. Ti:Sapphire 2. (1) (2) 2. 2. (3)(4) (5) 2 2 1 (6) 2. 3. 4 3.. 5 4 3. 6 2 5. 1

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人 研究背景 目的 液相レーザーアブレーション 液相に設置したターゲットに高強度レーザーパルスを照射するとターゲット表面がプラズマ化する ターゲットを構成する原子 分子が爆発的に放出され, ターゲット由来のナノ粒子ナノ粒子が生成される レーザー照射

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

報道発表資料 2008 年 11 月 10 日 独立行政法人理化学研究所 メタン酸化反応で生成する分子の散乱状態を可視化 複数の反応経路を観測 - メタンと酸素原子の反応は 挿入 引き抜き のどっち? に結論 - ポイント 成層圏における酸素原子とメタンの化学反応を実験室で再現 メタン酸化反応で生成

報道発表資料 2008 年 11 月 10 日 独立行政法人理化学研究所 メタン酸化反応で生成する分子の散乱状態を可視化 複数の反応経路を観測 - メタンと酸素原子の反応は 挿入 引き抜き のどっち? に結論 - ポイント 成層圏における酸素原子とメタンの化学反応を実験室で再現 メタン酸化反応で生成する分子の軌跡をイオン化などで選別 挿入 引き抜き の 2 つの反応の存在をスクリーン投影で確認 独立行政法人理化学研究所

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

EDS分析ってなんですか？どのようにすればうまく分析できますか？（EDS分析の基礎）

EDS 分析ってなんですか? どのようにすればうまく分析できますか?(EDS 分析の基礎 ) ブルカー エイエックスエス ( 株 ) 山崎巌 Innovation with Integrity 目次 1 SEM EDS とは 1-1 走査電子顕微鏡と X 線分析 1-2 微少領域の観察 分析 1-3 SEM で何がわかる 1-4 試料から出てくる情報 2 EDS でどうして元素がわかるの 2-1 X

5 シリコンの熱酸化

5. シリコンの熱酸化 5.1 熱酸化の目的 Siウェーハは大気中で自然酸化して表面に非常に薄いがSiO 2 の膜で被覆されている Siとその上に生じたSiO 2 膜の密着性は強力である 酸化を高温で行なうと厚い緻密で安定な膜が生じる Siの融点は 1412 であるが SiO 2 の融点は 1732 であり被膜は非常に高い耐熱性をもつ 全ての金属や半導体が密着性の高い緻密な酸化膜により容易に被覆される特性を持つ訳ではなく

Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】

報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜

hetero

ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 シリーズ 波長板 シリーズ 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター

偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 波長板 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター 光について ルケオの光学フィルター でんじは 光とは 電磁波の一種です 波のような性質があります 電磁波とは 電界と磁界が互いに影響し合いながら空間を伝わっていく波のことを言います 電磁波は 波長により次のように分類されます 人の目で認識できる光を可視光線と言います 創業時から 50 年以上かけて培ってきた光学フィルム製造技術や接着技術があります

Microsoft Word - koubo-H26.doc

平成 26 年度学際共同利用プログラム 計算基礎科学プロジェクト 公募要項 - 計算基礎科学連携拠点 ( 筑波大学 高エネルギー加速器研究機構 国立天文台 ) では スーパーコンピュータの学際共同利用プログラム 計算基礎科学プロジェクト を平成 22 年度から実施しております 平成 23 年度からは HPCI 戦略プログラム 分野 5 物質と宇宙の起源と構造 の協力機関である京都大学基礎物理学研究所

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical P

円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T211-1 211.2.7 ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical Process (SPCP) と命名し 小型 ~ 中型のオゾナイザーとして製造 販売を行っている SPCP オゾナイザーは図

テーマ名：

テーマ名 組織名 技術分野 2.45GHz マイクロ波発振器及び大気圧プラズマニードル株式会社プラズマアプリケーションズものづくり概要 株式会社プラズマアプリケーションズ ( 静岡大学発の研究開発型ベンチャー ) の 2.45GHz マイクロ波発振器は 高効率 小型 長寿命で 小容積プラズマ発生など様々な用途に利用可能です また この発振器により生成可能な当研究室開発の大気圧プラズマニードルは 以下の特徴があります

平成 31 年度京都大学エネルギー理工学研究所 ゼロエミッションエネルギー研究拠点 共同利用 共同研究の公募について 目的本研究拠点は 地球環境問題を抜本的に解決する ゼロエミッションエネルギー 1 に関するエネルギー研究の推進のために 京都大学エネルギー理工学研究所が有する 先端的 分野横断的な知

平成 31 年度京都大学エネルギー理工学研究所 ゼロエミッションエネルギー研究拠点 共同利用 共同研究の公募について 目的本研究拠点は 地球環境問題を抜本的に解決する ゼロエミッションエネルギー 1 に関するエネルギー研究の推進のために 京都大学エネルギー理工学研究所が有する 先端的 分野横断的な知識 情報ならびに研究施設 設備を 全国の関連する研究者に供することを目的としています この主旨に沿って

ロナ放電を発生させました これによって 環状シロキサンが分解してプラスに帯電した SiO 2 ナノ微粒子となり 対向する電極側に堆積して SiO 2 フィルムが形成されるという コロナ放電堆積法 を開発しました 多くの化学気相堆積法 (CVD) によるフィルム作製法には 真空 ガス装置が必要とされて

平成 28 年 6 月 14 日 国立大学法人北見工業大学 国立大学法人北海道大学 ガラス表面へのナノ構造形成に成功 ~SiO 2 ナノ粒子を目的とする場所に選択的に積み上げる手法を構築 ~ 研究成果の概要国立大学法人北見工業大学 ( 学長髙橋信夫 ) の酒井大輔助教と国立大学法人北海道大学 ( 総長山口佳三 ) 電子科学研究所の西井準治教授らは AGC 旭硝子との共同研究によって 二酸化ケイ素 (SiO

PowerPoint プレゼンテーション

1-1 情報デバイス工学特論 第 1 回 CMOS 集積回路概観 1-2 目的 現在の LSI の主流デバイスであるシリコン CMOS 集積回路を理解する 素子の製法 ( プロセス ) から動作原理 ( デバイス ) 素子の使い方 ( 回路 ) まで総合的に理解する 半導体集積回路 LSI : Large Scale Integrated Circuit 1-3 チップ ウエハ 現在は直径 12 インチ

Presentation Title Arial 28pt Bold Agilent Blue

Agilent EEsof 3D EM Application series 磁気共鳴による無線電力伝送システムの解析 アジレント テクノロジー第 3 営業統括部 EDA アプリケーション エンジニアリングアプリケーション エンジニア 佐々木広明 Page 1 アプリケーション概要 実情と現状の問題点 非接触による電力の供給システムは 以前から研究 実用化されていますが そのほとんどが電磁誘導の原理を利用したシステムで

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

Microsoft PowerPoint - 21.齋修正.pptx

薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

研究成果報告書(基金分)

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ

Xi/FOMA接続サービスお申し込み書

BUSINESS ぷらら高速モバイル接続サービス Xi / FOMA 接続サービス 申込書 170-6024 東京都豊島区東池袋 3-1-1 サンシャイン 60 24 階法人会員サービス担当 TEL:009192-123 ( 通話料無料 ) 03-5954-7257( 携帯電話 PHS 公衆電話 海外等通話料金お客様負担 ) FAX:03-5954-5357 E-mail( 法人向けサービス ):houjin@plala.co.jp

重点的に推進すべき取組について（素案）

光 量子ビーム研究開発の融合 連携によるイノベーションの創出 資料 4-3 光 量子ビーム技術は ナノテクノロジー ライフサイエンス IT 環境等の広範な科学技術や産業応用に必要不可欠な基盤技術 我が国の光 量子研究開発における融合 連携を促進させ 産学官の多様な研究者が参画できる研究環境を形成し イノベーションの創出 ものづくり力の革新を実現させる これにより 他国の追随を許さない世界トップレベルの研究開発を先導する

Microsoft Word - planck定数.doc

. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

( 2 )

()(1) 64 (7) (8) (9) (9) (12) ASAS (13) 2 (ZEHL ) (39) (41) (53) (83) (92) ( 2 ) ( 3 ) ( 3 ) ( 4 ) 64 I 2 CNER1 P/Y S 2302 2301 E V A B D O 2309 E 2303 2304 2305 2306 V 2307 2308 2310 R F 2206 2207 2208

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平成 26 年 2 月 26 日 東京工業大学広報センター長 大谷 清 半導体中を秒速 8 万 m で動きまわる電子を撮影 - 見える化 により多様な半導体材料の評価に威力 - 要点 半導体材料中の 20 nm スケールの領域に流れる電子を 200 フェムト秒間隔で測定 電子が半導体中を秒速約 8 万 m で動きまわる様子の動画撮影に成功 半導体の新しいナノ構造の開拓や未来の新材料開発に貢献 概要

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板 2 2 3 単板マイクロチップコンデンサ CLB シリーズ 特長. なめらかで緻密なセラミクスと金電極を用いたシンプルな単板構造であるため 信頼性 周波数特性に優れています 2. 超小型の0.25mm 角からシリーズ化しており 回路の小型化 高密度実装に適しています 3. 金電極を用いているので AuSnによるダイボンディング Au 線によるワイヤーボンディングができます

目次 1. 序論 研究背景 研究目的 2 2. 原理 ラビング法による液晶配向 イオンビーム法による液晶配向 液晶アクチュエータの駆動 4 3. 実験装置 試料を加工するためのイオンビーム照射装置 イオンビーム生

Ar イオンビーム照射法による液晶配向 知能機械システム工学コース修士 2 年量子ビーム研究室学籍番号 1145041 寺内晃 0 目次 1. 序論 2 1.1 研究背景 2 1.2 研究目的 2 2. 原理 2 2.1 ラビング法による液晶配向 2 2.2 イオンビーム法による液晶配向 3 2.3 液晶アクチュエータの駆動 4 3. 実験装置 4 3.1 試料を加工するためのイオンビーム照射装置

産総研 MEMS スキルアップコース 中長期 集中型 先端集積化 MEMS の研究開発を推進している産総研 N-MEMS ファウンドリ ( ウェハ径 200/300mm) において 三次元加工技術 フォトリソグラフィー技術 極小微細加工技術等 MEMS 分野における種々の要素技術を習得する 研究開発

産総研 Technology CAD (TCAD) 実習初級コース 中級コース 短期型 Technology CAD(TCAD) は 計算機上のシミュレーションにより 所望の機能を持つ半導体素子の構造とその作製条件の最適化を行うことができる技術です 通常 半月から数ヶ月程度かかる半導体プロセスを実行することなく 半導体素子の作製条件を計算機上で導き出すことができます 初級コースは TCAD 初心者を対象として

報道機関各位 平成 28 年 8 月 23 日 東京工業大学東京大学 電気分極の回転による圧電特性の向上を確認 圧電メカニズムを実験で解明 非鉛材料の開発に道 概要 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の北條元助教 東正樹教授 清水啓佑大学院生 東京大学大学院工学系研究科の幾原雄一教

報道機関各位 平成 28 年 8 月 23 日 東京工業大学東京大学 電気分極の回転による圧電特性の向上を確認 圧電メカニズムを実験で解明 非鉛材料の開発に道 概要 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の北條元助教 東正樹教授 清水啓佑大学院生 東京大学大学院工学系研究科の幾原雄一教授の研究グループは 圧電体 ( 用語 1) の結晶中で 電気分極 ( 用語 2) の方向が回転することにより圧電特性が向上することを

受付番号：

2015 年 7 月 27 日 報道機関各位 国立大学法人東京工業大学国立大学法人東北大学 強誘電体の極薄単結晶膜を世界で初めて作製 超高密度新規メモリーで長時間使えるスマホ実現に道 東京工業大学元素戦略研究センター ( センター長細野秀雄教授 ) の清水荘雄特任助教と同センター兼総合理工学研究科の舟窪浩教授 東北大学金属材料研究所の今野豊彦教授と木口賢紀准教授らの研究グループは 極薄膜でも特性が劣化しない強誘電体エピタキシャル膜

論文の内容の要旨 論文題目 Spectroscopic studies of Free Radicals with Internal Rotation of a Methyl Group ( メチル基の内部回転運動を持つラジカルの分光学的研究 ) 氏名 加藤かおる 序 フリーラジカルは 化学反応の過

論文の内容の要旨 論文題目 Spectroscopic studies of Free Radicals with Internal Rotation of a Methyl Group ( メチル基の内部回転運動を持つラジカルの分光学的研究 ) 氏名 加藤かおる 序 フリーラジカルは 化学反応の過程で生成され 不対電子が存在する故 直ちに他の分子やラジカルと反応し 安定な分子やイオンになる このように

研究成果報告書

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景 シリコン半導体デバイスの微細化と高速化を両立させるためには 多層配線の配線抵抗と寄生容量の増加を抑制する必要がある 多層配線は Cu 配線と SiO 2 絶縁層と それらの界面にある Ta/TaN 拡散バリア層からなっている 一方で申請者らは Ta/TaN 層をバリア層にするのではなく Cu を合金化して 加熱によって合金元素を絶縁層との界面で拡散

認定科目表に掲げる授業科目を履修したものとみなす際の手続き及び方法について

( 別紙 ) 認定科目表に掲げる授業科目を履修したものとみなす際の手続き及び方法について 学位規則第 6 条第 1 項の規定に基づく学士の学位の授与に係る特例により学位授与申請する申請者が大学及び他の短期大学又は高等専門学校等において履修した授業科目の修得単位等については, 特例適用専攻科の修了見込み者に対する学士の学位の授与に係る申請及び審査に関する細則 ( 平成 27 年細則第 3 号 ) 第

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

装置構成 4 インチ 6 インチの Si を含む種々の基板を用いることを可能に 本ハブは 4 インチ 6 インチの Si を含む種々の基板を用いることを可能にし 薄膜の形成からマイクロナノ加工を行うことができる装置群と評価装置群から構成しています ナノリソグラフィー装置群 A1 A2 高速高精度電子ビーム描画装置 超高精細高精度電子ビーム描画装置 ELS-F125HS 縮小投影型露光装置 NSR-2205i11D

産総研先端ナノ計測施設 (ANCF) の概要 産総研では 国内の産業力強化と新産業創出の先導や社会イノベーションへの貢献を目指して 先端計測分析技術の開発を実施しています 開発した先端計測装置や技術は 先端ナノ計測施設 (ANCF) にて公開しています 公開装置と測定対象例陽電子プローブマイクロアナ

先端ナノ計測施設 文部科学省 ナノテクノロジープラットフォーム 微細構造解析プラットフォーム 産総研先端ナノ計測施設 (ANCF) の概要 産総研では 国内の産業力強化と新産業創出の先導や社会イノベーションへの貢献を目指して 先端計測分析技術の開発を実施しています 開発した先端計測装置や技術は 先端ナノ計測施設 (ANCF) にて公開しています 公開装置と測定対象例陽電子プローブマイクロアナライザー

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

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光ディスク装置 光ディスク装置 1. 概要 型名 製品名 内蔵 CD-ROM N8051-FS22 内蔵 CD-ROM N8051-FS30 内蔵 CD-ROM 内蔵 DVD-ROM N8051-FS07A 内蔵 DVD-ROM 内蔵 /DVD-ROM N8051-FS23 内蔵 CD-R/RW with DVD-ROM N8051-FS31 内蔵 with DVD-ROM 内蔵 DVD Super

設備供用パンフ（表紙）

工業用顕微鏡 Industrial 光学顕微鏡 微分干渉 通常の光学顕微鏡観察 ( 株 ) ニコン製 ECLIPSE LV100D 落射明視野 落射暗視野 落射微分干渉光源水銀ランプファイバ光源 CCD カメラは付属していないが デジタルカメラ (C マウント ) による写真撮影は可能 レジストパターンの形状の検査 微粒子生成挙動の確認 物質工学分野研究室 ( 界面制御プロセス ) 栁瀬明久准教授内線

~.15) Nylon12 樹脂 ( 比誘電率 2.1 等組成により異なる 誘電正接.3 等 ) ポリプロピレン樹脂 ( 比誘電率 2.2~2.6 誘電正接.5~.18) ポリカーボネート樹脂 ( 比誘電率 3.1 誘電正接.1) などがある これらのうち 高周波特性に影響する誘電正接が比較的低い材

アナログ ディジタル融合制御 MIMO に適したアナログビームフォーミング給電回路の研究 研究代表者関智弘日本大学生産工学部教授 1 まえがき 移動通信の高速化に向けた検討として MassiveMIMO 技術の適用が進められている MassiveMIMO 技術を適用する場合 MIMO に関わるすべての処理をディジタル制御により行うとすると 莫大な重み付け演算処理が必要となる そこで レーダー等に用いられるマルチビーム給電回路を用い

シンクロトロン光スペクトル 偏向電磁石による光の強度 およびアンジュレータ (APPLE-II 型,300 ma) 光の輝度 整備ビームライン仕様概要 1. 当初整備ビームライン一覧 ( 計算値 ) ビームライン名 測定手法 BL5S1 材料化学状態 構造分析 Ⅰ 硬 X 線 XAFS 蛍光分析 B

シンクロトロン光スペクトル 偏向電磁石による光の強度 およびアンジュレータ (APPLE-II 型,300 ma) 光の輝度 整備ビームライン仕様概要 1. 当初整備ビームライン一覧 ( 計算値 ) ビームライン名 測定手法 BL5S1 材料化学状態 構造分析 Ⅰ 硬 X 線 XAFS 蛍光分析 BL6N1 材料化学状態 構造分析 Ⅱ 軟 X 線 XAFS 真空紫外分光 BL7U 材料化学状態 構造分析

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

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光ディスク装置 光ディスク装置 1. 概要 型名製品名内蔵 CD-ROM N8051-FS30 内蔵 CD-ROM 内蔵 DVD-ROM N8051-FS07A 内蔵 DVD-ROM 組込用 CD-R/RW with DVD-ROM N8051-FS18 組込用 H/H CD-R/RW with DVD-ROM N8051-FS26 組込用 H/H CD-R/RW with DVD-ROM 内蔵 DVD±RW

平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (

平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) の菅原克明助教 一杉太郎教授 高 橋隆教授 同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは

平成　　年度

平成 28 年度 FOCUS スパコンシミュレーション活用促進枠 公募要領 公募期間 平成 28 年 6 月 16 日 ( 木 )~ 平成 28 年 7 月 21 日 ( 木 ) 申請書提出先 問い合わせ先 公益財団法人計算科学振興財団共用促進 研究部門活用促進枠担当 650-0047 神戸市中央区港島南町 7 丁目 1 番 28 号計算科学センタービル 1 階 Tel:078-599-5936 FAX:078-303-5611

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2017/09/25 GC/MS 用ダイオキシン類自動前処理装置 ~ 新型精製カラムを用いた内標準物質回収率と精製効果排ガス試料 ~ 1. はじめに JIS K 0311: 2008 排ガス中のダイオキシン類の測定法 及び JIS K 0312: 2008 工業用水 工場排水中のダイオキシン類の測定法 の 6.1 試料の前処理の概要において JIS に挙げた精製操作以外の操作であっても 次の条件を満たすことが確認されれば用いても良いと記載され

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公立大学法人大阪府立大学 地域の大学からナノ科学 材料人材育成拠点 プログラム第 7 期テニュア トラック教員国際公募 21 世紀科学研究機構 平成 25 年 5 月公立大学法人大阪府立大学人事委員会 この度 公立大学法人大阪府立大学 21 世紀科学研究機構の特別講師 ( テニュア トラック講師 )2 名を募集することになりましたので 下記によりご応募くださいますようお願いいたします 記 大阪府立大学では

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

3 減免の期間及び割合 下表の左欄の期間に終了する事業年度又は課税期間に応じて右欄の減免割合を適用します H27.6.1~H 減免割合 5/6 納付割合 1/6 H28.6.1~H 減免割合 4/6 納付割合 2/6 H29.6.1~H 減免割合 3/6 納

平成 30 年度改正版 [ 平成 27 年 6 月 1 日 ~ 平成 32 年 5 月 31 日の間に終了する事業年度まで減免措置を延長しています ] 平成 30 年 6 月 1 日から平成 31 年 5 月 31 日までの間に終了する事業年度については 減免割合が 2/6 に変更となりましたので 30 年度改正版をご使用ください 1 減免の対象 ( 変更はありません ) 詳細は次ページをご覧ください

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

新技術説明会　様式例

静岡大学との連携による新技術説明会 2014 年 11 月 7 日 1 表面プラズモンアンテナ付き フォトダイオードによる屈折率測定 研究者 : 静岡大学電子工学研究所教授猪川洋 助教佐藤弘明 説明者 : 猪川洋 開発の経緯 SOI LSI の普及 部分空乏型 ( ハイエンド MPU ゲーム機 ) 完全空乏型 (22 nm 世代以降にも対応 ) 光検出器は LSI に新たな機能を付与課題 : 薄い

EOS: 材料データシート(アルミニウム)

EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job

PowerPoint プレゼンテーション

加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

アナログパネルメータ TRM-45,TRM-50,TRM-55,TRM-65,TRM-65C TRR-45,TRR-50,TRR-55,TRR-65,TRR-65C TRM-45 TRM-45( インデックス付 ) 形名 TRM-45 TRR-45 TRM-50 TRR-50 TRM-55 TRR-

アナログパネルメータ TRM-45,TRM-5,TRM-55,TRM-65,TRM-65C TRR-45,TRR-5,TRR-55,TRR-65,TRR-65C TRM-45 TRM-45( インデックス付 ) TRM-45 TRR-45 TRM-5 TRR-5 TRM-55 TRR-55 45 5 55 TRM-65/TRR-65 TRM-65C/TRR-65C 65 正面寸法 ( mm) 42

CPD申請案内171208

認定情報技術者 (CITP ) 2017 年度更新申請案内 主要項目 主な対象者 2014 年度 CITP 資格取得者 ( 認定番号 :14000***) 申請書配布 申請書に記す過 去 3 年間の活動 期間 :2017 年 12 月 11 日 ( 月 )~2018 年 1 月 12 日 ( 金 ) ダウンロードサイト : 認定情報技術者制度のホームページ参照 2015 年 1 月 1 日 ~2017

共通部機器仕様構造 : 壁取付シャーシに避雷器 モデム 入出力ユニットをマウント接続方式 回線 :M4 ねじ端子接続 入出力 電源 :M3.5 ねじ端子接続 接地 :M4 ねじ端子接続シャーシ材質 : 鋼板に黒色クロメート処理ハウジング材質 : 難燃性黒色樹脂アイソレーション : 回線 - 入出力

DAST シリーズ SS3 : 接点 アナログ パルス入力 +190,000 円 テレメータシステム主な機能と特長 小形テレメータシステム 回線用避雷器を標準装備 ( 財 ) 電気通信端末機器審査協会の技術的条件適合認定済み 回線 入出力 電源間は電気的に絶縁 入出力ユニット モデムユニット 避雷器は取扱いが容易なプラグイン構造 自己診断機能内蔵 接点入出力ユニットはモニタランプ付 形式 :DAST-20-12-K

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

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凝集しにくい粒径約 20 nm のコアシェル型ナノ粒子を開発 - 光学フィルムへの応用に期待 - 平成 25 年 1 月 29 日独立行政法人産業技術総合研究所北興化学工業株式会社 ポイント 酸化セリウムとポリマーからなるナノ粒子の粒径を従来の 2 分の 1 以下に このナノ粒子を高濃度に含有させて樹脂フィルムに透明性を維持したまま高屈折率を付与 ナノ粒子の量産化の研究開発を推進し サンプル提供を開始

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

平成 26 年 4 月 9 日 各学部 ( 研究科 ) 長附属病院長各センター長 殿 生命科学研究支援センター長野阪哲哉 生命科学研究支援センター動物実験施設レンタルラボの利用者募集について このことについて 三重大学生命科学研究支援センター動物実験施設レンタルラボ利用要項 三重大学生命科学研究支援

平成 26 年 4 月 9 日 各学部 ( 研究科 ) 長附属病院長各センター長 殿 生命科学研究支援センター長野阪哲哉 生命科学研究支援センター動物実験施設レンタルラボの利用者募集について このことについて 三重大学生命科学研究支援センター動物実験施設レンタルラボ利用要項 三重大学生命科学研究支援センター動物実験施設レンタルラボ利用に関する内規 に基づき 下記のとおり利用者の募集をいたします なお

Microsoft PowerPoint - 豊田2008HP閲覧用資料

核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University

Microsoft PowerPoint - 阪大XFELシンポジウム_Tono.ppt [互換モード]

X 線自由電子レーザーシンポジウム 10 月 19 日大阪大学レーザー研 X 線自由電子レーザーを用いた利用研究 登野健介 理研 /JASRI X 線自由電子レーザー計画合同推進本部 1 科学の基本中の基本 : 光 ( 電磁波 ) による観察 顕微鏡 望遠鏡 細胞の顕微鏡写真 赤外望遠鏡 ( すばる ) で観測した銀河 2 20 世紀の偉大な発明 : 2 種類の人工光源 レーザー LASER: Light

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs

世界初! 次世代電池内部のリチウムイオンの動きを充放電中に可視化 ~ 次世代電池の実用化に向けて大きく前進 ~ 名古屋大学 パナソニック株式会社 ( 以下 パナソニック ) および一般財団法人ファインセラミックスセンター ( 以下 ファインセラミックスセンター ) は共同で 走査型透過電子顕微鏡 (

世界初! 次世代電池内部のリチウムイオンの動きを充放電中に可視化 ~ 次世代電池の実用化に向けて大きく前進 ~ 名古屋大学 パナソニック株式会社 ( 以下 パナソニック ) および一般財団法人ファインセラミックスセンター ( 以下 ファインセラミックスセンター ) は共同で 走査型透過電子顕微鏡 (STEM:Scanning Transmission Electron Microscope) 注 1)

PEA_24回実装学会a.ppt

85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: yuimichi@5lab.co.jp 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由

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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

特許庁委託事業 令和元年度知財戦略デザイナー派遣事業 募集要領 ( 大学 ) 2019 年 7 月 知財戦略デザイナー派遣事業事務局 ( 株式会社 NTT データ経営研究所 ) 1 / 5

特許庁委託事業 令和元年度知財戦略デザイナー派遣事業 募集要領 ( 大学 ) 2019 年 7 月 知財戦略デザイナー派遣事業事務局 1 / 5 1. 事業の概要大学の優れた 知 である研究成果を 広く社会へ還元し 更なる研究の発展や社会実装へとつなげていくために 知的財産権が重要な役割を担います 本事業では 大学の 知 の取り扱いに精通した知財戦略デザイナーがリサーチ アドミニストレーター (URA)

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相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります