平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

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きょうすけこやぎ
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1 関係各位広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所所長運営委員長吉川公麿副所長プロジェクト責任者横山新微細加工支援室主任福山正隆文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業微細加工プラットフォーム実施機関シリコンナノ加工 MEMS 及びデバイス技術に関する支援による平成 24 年度公募についてごあいさつ広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所のスーパークリーンルームに設置された, 電子線描画装置を始めとするデバイス試作ラインを用いて, 共同研究, 機器利用, 技術代行, 技術相談技術補助を実施します.2 インチシリコンウェハを用いて,30nm の超微細加工が可能です. シリコン以外の材料に対しても可能な限り対応します.N&MEMS 技術, バイオ関連デバイスに関しても, 本学先端物質科学研究科などと連携して異分野融合を推進し高度で多様な支援を提供します. また, 学内社会連携推進機構および社会人教育プログラムを通じて産学連携を推進し利用者の拡大に努めています. これまでの支援成果例として, プリンタ用レーザヘッドの低コスト製造法 ( エピフィルムボンディング法 ) の実用化 (2007 年内閣総理大臣表彰ものづくり大賞優秀賞受賞 ) やシランプラズマ中のダスト微粒子抑制法 (2006 年日本エアロゾル学会論文賞受賞 ) などがあり日本のナノテクノロジーの発展に少なからず貢献できたものと自負しております今後とも是非本支援プロジェクトをご利用いただき日本のナノテクノロジー発展に貢献できれば幸いと存じます下記の通り公募いたしますので貴機関の関連研究者に周知くださるようお願いしますなおホームページ ( には本要項記載の内容及び申請書式が掲載されておりますのでダウンロードしてご利用ください概要文部科学省のナノテクノロジープラットフォームプロジェクトの一環として広島大学 ( ナノデバイスバイオ融合科学研究所先端物質科学研究科 ) では超微細構造形成のための支援を行います広島大学では研究所の保有する電子ビーム露光装置を用いたゲート長数十 nm の超微細トランジスタの設計製作技術を支援に活用すると共にナノ構造形成プロセスおよびそれを利用した超微細デバイスに関する技術相談 ( 随時受付 ) にも応じます支援内容は (1) ナノ構造加工 MEMS 構造加工およびプロセス設計 (2) 薄膜形成不純物導入 (3) ナノ構造パターン設計および (4) シリコンナノドット関連の支援を行います広島大学では (A) 共同研究 (B) 機器利用 (C) 技術代行 (D) 技術相談 (E) 技術補助の支援を行います利用できる装置につきましては添付の装置リストまたは上記ホームページをご覧ください

2 記 1. 公募事項 ( 平成 25 年 4 月 - 平成 26 年 3 月分 ) (A) 共同研究 : 利用者と支援者が共同で実施する成果公開型研究 ( 民間企業等との成果非公開型共同研究へ移行した場合自主事業とする ) (B) 機器利用 : 利用者が自立して自ら機器を操作する技術支援 (C) 技術代行 : 支援者が利用者に代行して設備を操作する技術支援 (D) 技術相談 : 利用者からの相談に専門家として応える技術コンサルタントとしての支援 (E) 技術補助 : 支援者が補助し操作方法を指導しながら利用者が機器を操作する技術支援希望される方は添付広島大学微細加工 PF 利用登録申請書を用いてお申し込み下さい 2. 申込資格 : 産学官のナノテクノロジー関連研究者 ( 国立大学法人公私立大学及び国立法人公立研究等の研究機関の研究者民間企業の研究者大学院博士課程在学中の学生も含む ) 3. 申込方法 : 申込書は 1 部同封してありますがインターネット上でダウンロードすることも可能です (PDF 版 Word 版 ) ( 4. 申込期間 : 随時受け付けます 5. 採択 : 採否は微細加工支援委員会において決定します 6. 採否決定の通知 : 申込後 1 ヶ月以内に連絡いたします 7. 所要経費 : 消耗品費については被支援者が負担することを原則とします広島大学の装置運転費は別表 1のとおりです技術相談の利用料金は 1 時間当たり 3,000 円です 8. 申込書送付先 : 住所東広島市鏡山広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所郵送, FAX, 添付ナノテクノロジープラットフォーム微細加工支援室主任福山正隆 ( 客員教授 ) File(pdf 版 ) いずれで FAX (082) も結構です E-mai1 nanotech@hiroshima-u.ac.jp 9. 支援に関する相談窓口 : ナノテクノロジープラットフォーム支援に関わる事務的技術的相談は下記連絡先にて受け付けますマシンタイム調整等が必要ですので正式申し込み前にご相談ください TEL (082) ( 福山正隆 ) FAX (082) E-mai1 nanotech@hiroshima-u.ac.jp 10. 被支援者の義務 : 文部科学省の規定により翌年度 5 月までにA4 1 枚の実績報告書の提出が義務付けられておりますまた知的財産権において今後のトラブルを未然に防ぐために被支援者と広島大学との間において覚書を取り交わします ( 注 ) 支援タイトルにつきましてはナノテクノロジープラットフォームのホームページ ( に公開されますのでご了承願います

3 広島大学微細加工 PF 利用登録申請書 ( 新規 / 更新 / 変更 ) Application form for Hiroshima Univ. nanofab PF s facility (New/Renew/Change) 年月日 (Date: / / ) 広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所所長吉川公麿殿本年度広島大学微細加工 PF の施設サービスを利用いたしたく下記のように申し込みます (I submit this application form to Hiroshima Univ. nanofab PF for the use of facility services.) 利用者 (User) 所属 (Affiliation): 氏名 (Name): 職名 (Title): 電話 (Phone): 所属機関区分 : [ 研究開発者 ] 企業中小企業 * 大学公的研究機関その他 [ ポスドク ] 企業中小企業 * 大学公的研究機関その他 [ 学生 ] 大学院大学高専その他年齢層 : 20 代以下 30 代 40 代 50 代以上責任者民間の研究者及び学生の方は, 所属の責任者又は指導教員の承認を受けて頂き, 責任者情報をご記入下さい (Supervisor) ( In case of a private enterprise researcher or a student, please get approval. ) 所属機関 (Affiliation): 氏名 (Name): 職名 (Title): 電話 (Phone): 同意する場合はにチェックする (Please check in in case you agree). 利用者が非居住者である場合はデータの海外持ち出しに関して我々の安全保障輸出管理の規程に基づいた必要手続き ( 該非判定 ) を行います If the user is a non-resident alien, to take out all data to overseas, I swear to complete the necessary procedure based on our own regulations for security export control. 事務局から責任者に確認の連絡をする場合があります (We may contact a supervisor for the confirmation.) 研究テーマ名 (Research theme) 研究概要 (Summary of Research): 希望する支援プログラム (Support program ) : 共同研究機器利用技術代行技術相談技術補助 ( Joint research Use of equipment Sample preparation Technical consultation Technical support) 機器利用の場合利用しようとする装置名 ( Name of equipment): 被支援期間 (Period to be supported): 平成年月日 ~ 平成年月日 ( 見込み ) 広島大学内で照会可能な教員職員がいる場合その氏名と職名 (Contact personal and his title at Hiroshima Univ. ): 備考欄 (Notes): 注 : 利用登録は毎年度更新する必要があります Note: You would need to renew and submit this approval request form every fiscal year.

4 本支援事業に関する装置の概要 ( 広島大学 ) 表 1-1 全体に関するご相談は本プロジェクト主任の福山正隆教授 (TEL , nanotech@hiroshima-u.ac.jp) まで注 : 全ての装置は 2 インチシリコンウェハ対応, クリーンルーム利用料は別途 900 円 / 時間です支援内容装置等名機能及び性能支援負担金 ( 円 / 時間 ) 電子ビーム露光装置 ( 日立 HL700) 可変成形型, 加速 50kV 最小線幅 50nm 21,000 電子ビーム露光装置 ( 日本電子 JBX-5D) ポイントビーム型最小スポットサイズ 30nm 6,500 i 線ステッパ ( ニコン i8a) 最小線幅 350nm 2,800 エッチャー (ECR ゲート用神戸製鋼 ) Cl 2, O 2, N 2, HBr 使用可能 30nm 加工実績有り 1,500 エッチャー (RIE コンタクト用神戸製鋼 ) CF 4, H 2 使用可能ナノ構造加工エッチャー (RIE Al 用神戸製鋼 ) Cl 2, BCl 3, N 2 使用可能 2μm 加工実績有りエッチャー (ICP Al 用 YOUTEC) Cl 2, BCl 3, N 2 使用可能 13,000 エッチャー (CDE SiN 用神戸製鋼 ) CF 4, O 2, N 2 使用可能 300 エッチャー (Ashing 用神戸製鋼 ) O 2, N 2 使用可能 300 エッチャー (ICP コンタクト用神戸製鋼 ) Cl 2, O 2, N 2, HBr 使用可能 30nm 加工実 8,700 績有りエッチャー (poly-si ゲート用 YOUTEC) Cl 2, O 2, N 2, HBr 使用可能 1,100 エッチャー ( 汎用 : エイコー ) CF 4, O 2, N 2 使用可能 4,200 深堀エッチャー ( 住友精密工業株式会社 ) 表面活性化接合装置 ( エイコー ) マスクレス露光装置 ( ナノシステムソリューションズ ) ボッシュプロセスを用いた深堀エッチング装置 Si ウエハの接合 (2 インチと 35mm 2 ) 650 中 100kgf まで加圧可能 DMD に表示された露光パターンの縮小投影技術で最小画素 1μm を実現 12,000 11,000 酸化炉 3 台 ( 東京エレクトロン ) 最高使用温度ウェル拡散炉 ( 東京エレクトロン ) 最高使用温度 , インプラ後アニール炉 ( 東京エレクトロン ) 最高使用温度リン拡散炉 ( 神港精機 ) 最高使用温度汎用熱処理装置 ( 光洋サーモシステム ) 各種材料窒素アニール用 (~1000 ) 1,200 Post Metallization Anneal 炉 ( 神港精機 ) 最高使用温度 Rapid Thermal Anneal 装置 ( サムコ ) 昇温速度最大 200 /s 600 薄膜形成不純物導入イオン注入装置 ( アルバック ) 5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, In, Sb, N, He 等注入可能 8,900 Al スパッタ装置 ( エイコー ) 超高真空仕様,Al 以外に Ti, TiN のスパッタが可能 3, Cu スパッタ装置 ( エイコー ) スパッタレート 500 nm/8 min 1,200 汎用スパッタ装置 ( エイコー ) 各種材料スパッタ用 (3 インチターケット交換により広範な材料に対応 ) スパッタガス (Ar O 2 N 2 ) 4,200 LPCVD 装置 (poly-si 用 )( 東京エレクトロン ) モノシランの熱分解 650 1,500 LPCVD 装置 (SiN 用 )( 東京エレクトロン ) ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度 750 1,500 LPCVD 装置 (SiO 2 用 )( 東京エレクトロン ) モノシランと一酸化窒素混合モード TEOS+ オゾンの 2つのモード可能 1,500 最高温度 850 常圧 SiO 2 CVD 装置 ( 天谷製作所 ) 基板温度 P および B ドープ可能 9,200 ケミカルフィルタ設置のスーパークリーンルームはクラス 10,0.1μm( 総面積約 870m 2 )

5 本支援事業に活用する装置の概要 ( 広島大学 ) 続き表 1-2 注 : 全ての装置は 2 インチシリコンウェハ対応支援内容装置等名機能及び性能支援負担金 ( 円 / 時間 ) ナノ構造パターン設計設計 T-CAD 用ワークステーション Cadence, Synopsys 社などの主要 CAD ベンダーの CAD ツールやプロセスデバイスシミュレーションソフトを搭載した高性能ワークステーション多数透過電子顕微鏡 (TEM)( 日立 ) 加速電圧 200kV, 格子分解能 0.102nm 電界放出型 7,100 走査電子顕微鏡 (SEM) ( 日立 ) 冷陰極電界放出型電子銃最高分解能 1.5nm クリーンルーム内に設置 600 二次イオン質量分析機 (SIMS) ( アルバックファイ ) Cs,O ガン装備四重極型質量分析機一次イオン最小加速エネルギー 1kV 3,900 原子間力顕微鏡 (AFM) ( セイコーインスツルメンツ SPI3800) 分解能 :Z:0.01nm, X Y:0.1nm, 視野最小 5nm 角最大 20mm 角クリーンルーム内に設置干渉式膜厚計 ( 日本ナノメトリクス ) 可視光及び紫外光光源多層膜対応解析ソフト搭載クリーンルーム内に設置分析評価測定 ( 試作の過程および最終的に完成した段階で使用 ) エリプソメータ ( タイラン ) 分光エリプソメータ (J.A. Woollam, Japan) 測定可能最小膜厚 10nm クリーンルーム内に設置測定可能最小膜厚 10nm, 分光波長範囲 nm クリーンルーム内に設置デバイス測定装置 (HP 台トランジスタ特性測定電源 3 ユニット最プローバ 3 台含む ) 小測定電流 0.1pA 低温測定装置 (Desert HYTT-01) 液体 He 使用最大試料系 2 インチ測定用プローブ 4 本ロジックアナライザ他 Agilent 社などの世界の主要 LSI 測定装置メーカの高性能ロジックアナライザ 2 台他表面段差計 ( デクタック ) 垂直範囲 :10nm~130 m 垂直解像度 : 最高 0.1nm 加速イオン :H +, D + ラザフォード後方散乱 (RBS) 2, 3 He +, 4 He +, 14 N + 他加速電圧 : 最大 2.45 MV 測定装置 ( 日新ハイボルテージ ) ビーム電流 :3μA-50μA 5,000 X 線光電子分光装置 (XPS) (SCIENTA ESCA-300) 薄膜の組成化学結合状態の解析 ( ダブルモノクロメーター有り ) 1, シリコンナノドット関連光電子収率分光装置 (Kratos AXIS(XPS)+ 自作励起光源系 ) 原子間力顕微鏡 (AFM) (SII SPI-3700) 絶縁膜の欠陥準位密度の定量 2,100 表面形状像表面電位像表面電流像プラズマ CVD(PECVD) ( アユミ工業 ) アモルファス Si/Ge 薄膜の堆積 3,700

6 支援担当職員広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所教授横山新 ( 責任者 ) 福山正隆( 主任 ) 吉川公麿准教授中島安理小出哲士黒木伸一郎助教田部井哲夫雨宮嘉照研究員松垣仁佐藤旦技術職員西山文隆事務補佐員藤岡真由美先端物質科学研究科教授東清一郎助教村上秀樹花房宏明

平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書

平成14年度産業科学ナノテクノロジーセンタープロセスファウンドリー施設設備利用申込書関係各位広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所所長運営委員長吉川公麿副所長プロジェクト責任者横山新微細加工支援室主任田部井哲夫文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業微細加工プラットフォーム実施機関シリコンナノ加工 MEMS 及びデバイス技術に関する支援による平成 27 年度公募についてごあいさつ広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所のスーパークリーンルームに設置された,