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- ひでか わしあし
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1 エレクトロニクス実装学会年度 STRJワークショップ第 1 回システムインテグレーション実装技術研究会公開研究会 日本の実装技術 世界の実装技術 2011 年 3 月 4 日 ( 社 ) 電子情報技術産業協会半導体技術ロードマップ委員会 STRJ WG7 中島宏文 ( ルネサスエレクトロニクス )
2 2 1. 概要 2010 年度 STRJ WG7 メンバー リーダ : 中島宏文 ( ルネサスエレ ) サブリーダ : 今村和之 ( 富士通セミコンダクタ ) 国際対応 : 宇都宮久修 (ICT) 中島兼務委員 : 吉田浩芳 ( パナソニック ) 杉崎吉昭 ( 東芝 ) 遠藤光芳( 東芝 ) 佐々木直人 ( ソニー ) 奥村弘守( ローム ) 木村通孝 ( ルネサスエレ ) 特別委員 : 藤木達広 ( ナミックス )
3 3 JEITA ロードマップ活動 半導体技術ロードマップ Semiconductor Technology Roadmap committee (STRJ) 実装技術ロードマップ Japan Jisso Technology Roadmap committee (JJTR) Litho PIDS FEP ERD TEST STRJ WG7 Design Interconnect Package Electronics Products JJTR WG3 Assembly Equipments ERM MET FI ES&H M&S Passive Components PWB
4 2010 年度実装 WG 活動成果 1) JJTR 2011 ロードマップ作成 (2011 年 2 月末出稿完 ) 2009 年度版の内容のアップデート フリップチップBGAのロードマップの充実 SiPロードマップの見直し MEMS roadmapの充実 TSVの量産化シナリオ 2) 東京大学で開催したIEEE CPMT Symposium Japanの前日セミナーとして 2010 年 8 月 23 日にITRS Workshopを実施 全 26 名が参加 3) JJTRの電子機器セットWG 及び基板 WGとのクロスカット討議を実施 また STRJ WG3が主催した大場教授のTSV 講演に参加 4) ITRS 2011 ロードマップを作成開始 (2011 年 8 月 1 日完了予定 ) SiPロードマップ改版 車載半導体パッケージロードマップ Project leader Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4,
5 2010 年度実装 WG 活動実績 Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4, Year 日本実装技術ロードマップ (JJTR) 半導体技術ロードマップ (STRJ) WG 会議 Feb Publication of Jisso Roadmap: June, (Every other year) Publishing ITRS 2010 as a minor revision in Jan.,2011. Jan Assigning each responsibility Ready to publish ITRS 2009 Planning activities in the next year Planning activities in the next year Mar Discussion on topics STRJ Workshop, STRJ annual report Apr Reviewing roadmap tables ITRS spring meeting May, 2010 Reviewing roadmap tables ITRS A&P TWG ECTC meeting June, 2010 Reviewing WG1 survey Reviewing contents July, 2010 Reviewing roadmap tables ITRS San Francisco meeting Aug ITRS A&P TWG Tokyo meeting Sep Cross cut among WGs - Oct. Dec. Drafting and discussion - Dec Drafting and discussion ITRS Japan meeting at Semicon Jan Reviewing all Publishing ITRS 2010 Feb Planning activities in the next year Planning activities in the next year Mar Final Editing, JJTR 2011 ITRS preparation for car electronics
6 6 2. 日本の実装技術ー日本実装技術ロードマップの要点ー 日本実装技術ロードマップは 5 月に発行いたしますので 詳細はそちらをお読みください
7 7 ビジネス的総括 : アジアの中の日本 1. シリコン ファウンダリやサブコンへの生産委託が加速している 2. 日本半導体産業は生産サイドから購入サイド ( ファブライト ファブレス ) への転換期にある 3. 個々の企業から個別に台湾 韓国 OEM に品質要求していたのでは 発注数量が少なく要求力が弱い 4. 日本の標準規格をもって 日本全体の購買力を背景に 台湾 韓国 OEM への要求力を強化したい 5. 日本の標準規格とは IEC JIS JEITA JPCA か? IEC は半導体分野では不十分 JIS には半導体の規格登録なし 6. 消去法でいくと 日本半導体の標準は JEITA 規格しかない これを日本全体の要求として位置づけることによって 国内企業が有利になるような戦略をとりたい
8 サプライチェーンの変化を先んじた戦略とは? Semiconductor Semiconductor materials materials & Assembly Assembly Molding Molding Compound Compound IC IC Tray Tray Chip Chip tray tray Reel, Reel, Embossed Embossed tape tape 半導体製品 製品仕様部品 IC IC Socket Socket JEDECに相当する要求力が得られる購買力を得つつある LEADFRAME LEADFRAME & PWB PWB いかに商売に有用な日本標準を作成するか? いかに日本標準を海外サブコンへのネゴツールにするか? PACKAGE PACKAGE OUTLINE OUTLINE Package Package & Assembly Assembly Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4,
9 9 技術的総括 : 技術課題への挑戦 (1) 大項目小項目課題 2014 年 2020 年 1 材料開発ハ ワーテ ハ イスの鉛フリータ イアタッチ材 60 W/mK 100W/mK 放熱封入樹脂 4 W/mK 5-6 W/mK 特性アンタ ーフィル材 ( 現行 0.4W/mK) の高熱伝導率化 2 W/mK 4 W/mK 4 電気特性 2 小型化 低コスト高放熱基板材料 熱伝導ク リースの高熱伝導率化 8-10 W/mK >12 W/mK 構造積層チッフ 間絶縁層の熱伝導率向上 高速電気 協調設計インフラとツール 信号 RC 遅延対策インターホ ーサ (ε=2.5-3 低表面粗さ配線) チッフ からの直接配線技術 - オフ トエレクトロニクス対応技術 ハ ックフ レーン 基板内 電源供給 多層積層チッフ への安定電位電源供給 EMI ハ ッケーシ のシールト 構造 WL-CSP チッフ 寸法の制約 ( コスト 実装信頼性 ) の緩和 7 mm sq 10 mm sq Fan-out WL-CSPの大版基板対応設備とコスト低減 - 現在の技術 開発の延長線上で解決策が見出せると想定できるもの 現在の技術 開発の延長線上では解決策が見つからないもの : 小量産レベル以上 -: 該当せず
10 10 技術的総括 : 技術課題への挑戦 (2) 大項目小項目課題 2014 年 2020 年 3 接続 チッフ 間接続 ハ ワーテ ハ イスの接続方法 CoC/Direct 接続の狭ヒ ッチ化 40 um 10 um ワイヤレス接続 (L or C coupling) - 高温耐熱接続 (SiC 対応 ) チッフ / インターホ ーサ ワイヤホ ンテ ィンク の狭ヒ ッチ化 ( 単列ハ ット ヒ ッチ ) 30 um 25 um 間接続 ワイヤーホ ント の基板側リート ヒ ッチ縮小 60 um 50 um エリアアレイ型フリッフ チッフ のヒ ッチ縮小 120 um 90 um インターホ ーサ / 基板 WL-CSPの狭ピッチ実装 200 um 150 um 間実装 外形の大きなFBGAの熱時平坦性 (70um) 70 um 50 um インターホ ーサ の低熱膨張化 (CTE=8-10 ppm/deg) と 28 GPa 34 GPa 弾性率向上 狭ヒ ッチFC 用インターホ ーサ のラント 部コフ ラナリティ 20 um 10 um フ リンテト エレクトロニクス コンタクト抵抗 信頼性 CMOSの印刷形成 現在の技術 開発の延長線上で解決策が見出せると想定できるもの 現在の技術 開発の延長線上では解決策が見つからないもの : 小量産レベル以上 -: 該当せず
11 11 技術的総括 : 技術課題への挑戦 (3) 大項目小項目 課題 2014 年 2020 年 SiP 薄ウェーハ 18um 厚ウェーハのハント リンク ハント リンク 薄チップ積層 多層化と不良率累積の回避 19 層 33 層 MEMSと半導 低コストで小型 薄型の中空封止技術 体の融合 光配線の 温度 アライメント 長期信頼性 コスト - 搭載 耐厳 高温耐性 低コスト耐熱性インターホ ーサ ( 最高周囲温度 ) 環境 銅ハ ット + 銅ワイヤ接合 - 耐湿性 大型ハ ッケーシ の耐湿性改善 ( ト ライハ ックフリー ) 応力耐性 チッフ / ハ ッケーシ 間応力設計 Low k 層剥離対策 現在の技術 開発の延長線上で解決策が見出せると想定できるもの 現在の技術 開発の延長線上では解決策が見つからないもの : 小量産レベル以上 -: 該当せず
12 1 放熱の課題チップの熱密度増加 単一チッフ 当たりの消費電力は 260W で最大消費電力が一定でも 三次元集積化によって熱密度は上昇する ITRS 2009 technology node (Power) 45 nm 32 nm 22 nm 18 nm 12 nm (260W) (260W) (260W) (260W) (260W) 3D TSVbased Technology node??? Source: ITRS 2009 for the roadmap of conventional technology node Work in Professor Progress Ohba, - Do The not University publish of Tokyo, for new 3D STRJ TSV-based WG7 (A&P) technology Mar 4, node
13 3 次元実装の課題 現時点の高性能用途の大部分のニーズは 2 次元実装によって解決されている 3 次元実装は更にその上の性能を満たす解決手段を提供する そのために熱密度の倍々増に対する放熱構造の開発が最大課題である Data rate (Gbps) 約 200 3D solution (TSV-active) NOW Future Power consumption in CMOS: P=NaCV 2 f + NtLV P: Power consumption Na: Number of active transistor Nt: Number of total transistor C: Capacitance of each transistor V: Source voltage f: Clock frequency L: Leak current of each transistor 2D solution (Side-by-side Flip chips) Power (W) 260W Heat dissipation capability = Constraint of TSV application Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4,
14 放熱 : 車載パワーデバイスのロードマップ プラグインハイブリッド 電気自動車用にハイパワー素子が使用され ハ ッケーシ の放熱性が求められる タ イアタッチ材の熱伝導率の向上とともに ハ ワーサイクル信頼性が重要 項目単位 EV, HV inverter ハ ワー密度 W/cm IGBT SiC ジャンクション温度 鉛フリータ イアタッチ材熱伝導率 (W/mK) Power module Die size Volt Ampere mm sq. 600V 10A 2²mm² 600V 100A 8² mm² kV 200A 12²mm². 1.2kV 500A 10²mm² [SiC] 1.2kV 500A 放熱構造 One side cooling Both sides cooling Water immersed cooling EV: Electric vehicle, HV: Hybrid vehicle Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4,
15 15 ピン数 小型化 ファンアウト WL-CSP Full Array 端子の限界 25 WL-CSP 0.4m m 0.5m m WL-CSP WL-CSP (Wafer-level Chip Size Package) は究極の小型化パッケージ シリコンと実装基板との熱膨張差のために実装信頼性の制約があり 現状のチップ寸法は 7mm 程度 将来はチップ寸法を 10mm まで広げられる技術施策を見出す 2010 年の信頼性限界 ( チップ 7mm ) QFN チップ面積 FBGA 実装信頼性改善 2020 年の信頼性限界 ( チップ 10 mm ) ウェハ一括処理による Bump コストメリット (mm 2 )
16 MEMS (WLP) と CMOS の融合 Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4, 補強用 PI 塗布 PI Die Attach Film MEMS チップ MEMS Wafer ドライバ IC チップ 裏面研削表面保護テープ Au wire SiP 基板 ダイシング Dicing ドライバー IC チップ搭載 / ワイヤーボンディング Driver IC Au Wire Driver IC ダイアタッチフィルム SiP 基板 1mm MEMS チップ搭載 / ワイヤーボンディング MEMS Au Wire 10 um 樹脂封止 / ボール搭載 / 個片化 4.5x4.5x0.8mm ( 出典 : 東芝 )
17 3 接続 SiP SiP の特徴はパッケージ内のチップ間接続 接続方法はワイヤボンディング CoC 接続 パッケージ間接続 (PoP) チップとのダイレクト配線 インダクタ / キャパシタカップリング TSV など多様 TSV ( 出典 : ルネサス ) Cascade bonding ( 出典 :K&S) CoC (Face to face) ( 出典 : 富士通マイクロ ) Inductance Coupling ( 出典 : 慶応大黒田教授 ) ダイレクト配線 ( 出典 :NEC) Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4, 2011 PoP ( 出典 : ルネサス ) 17
18 単列配置 (In-line) 2 列千鳥 (Staggered) Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4, ワイヤボンディングの狭ピッチ化 銅線単列ボンディングは金線に比較して遅れているが いずれキャッチアップする 銅ワイヤとアルミハ ット の金属層間化合物形成が遅いこともメリット 金線単列 銅線単列 金線千鳥 銅線千鳥 Au wire, 175 C, 500H 銅ワイヤホ ンテ ィンク 時のアルミスフ ラッシュ ( 出典 : ルネサス ) 銅とアルミの金属層間化合物成長 ( 出典 : ルネサス ) Cu wire, 175 C, 1000H
19 4 高速データ転送 携帯電子機器のロジック - メモリ間のワイドバス接続は現在 CoC 構造が主流 2014 年から TSV によって更なる高容量の高速データ転送が始まるか? 大項目 接続方法 2010 年 2012 年 2014 年 2016 年 2018 年 2020 年 パッケージ高さ (5チップ積層時 ) 全 PoP2 段高さ 最大ピン数 ( ロジック ) 全 最小 DAF 厚 (um) ワイヤ 最小基板厚 (um) 全 チップ上の樹脂厚 (um) ワイヤ TSV チップ間接続数 CoC ワイヤ PoP TSV チップ間データ転送レート CoC (Gbps) ワイヤ PoP CoC 最小チップ厚 (um) ワイヤ PoP (wire) PoP (FC) 最大積層数 CoC ワイヤ PoP Work in Progress - Do not publish STRJ WG7 (A&P) Mar 4,
20 20 光インタコネクションの領域 距離 速度 VS 消費電力 コスト up のジレンマ 10 最大伝送距離 (PCB) (m) 光インタコネクションの領域 クロストークキャンセルフ リエンファシスイコライサ 最先端低 ε ホ ート V(Tx) 50mV(Rx) で計算 1 10 データレート (Gbps/ch) 40 FR4 ボード 出典 : 蔵田 NEC
21 21 チップ内オプティカル伝送 機能ブロック ( コア ) 波長多重信号 : データ + クロック 波長多重信号入力 チップ内光配線構成イメージ Optical layer 3-D Integrated LSI 光導波路 マイクロノード <1 mm 2 受光器 変調器 / スイッチ 合分波器 / フィルタ 隣接チップ Optical Interconnect Chip Si Optical Signal SiON waveguid e Bonded Surface Si nano-photodiode LSI Chip Si クロック分配用チップ内光配線 大橋 最上 MIRAI における LSI 光配線研究 学振 結晶加工と評価技術 第 145 委員会 シリコン CMOS フォトニクス 成果発表会 月 23 日資料を編集
22 22 3. 世界の実装技術 ITRS Assembly and Packaging TWG ITRS 2010 では 将来の困難な課題 を改版 3D インテグレーション 新材料 微細化に伴う組立技術 ITRS 2011 A&P では下記用途のパッケージ技術を網羅的に検討 日本は車載電子機器ロードマップ担当 医療電子機器 3D インテグレーション インターポーザ 車載電子機器 オプトエレクトロニクス 印刷電子技術 薄ウェーハのハンドリング方法 部品内蔵基板 MEMS インテグレーション SiP 白書の改版 2011 年 8 月 1 日納期
23 23 ITRS 2011 A&P の活動 WG7 の今年の活動に期待してください!! 医療機器 自動車 オプトエレクトロニクス MEMS 銅配線 薄ウェーハハンドリング Low k 3D チップ / パッケージ インターポーザ 部品内臓
24 24 用語集 3D: Three dimensional packaging A&P: Assembly and Package PBGA : Plastic Ball Grid Array Package CoC : Chip on Chip CSP : Chip Size Package/Chip Scale Package DAF: Die attach film EV: Electric vehicle FBGA: Fine-pitch ball grid array FC : Flip Chip IEC: International Electrotechnical Commission ITRS : International Technology Roadmap for Semiconductors HV: Hybrid vehicle JJTR: Japan Jisso Technology Roadmap KGD : Known Good Die PI:Polyimide PoP: Package on a package QFN: Quad flat non-leaded MEMS: Micro Electro Mechanical Systems STRJ : Semiconductor Technology Roadmap Japan SiP : System in a Package SSD : Solid State Drive TSV : Through Silicon Via WB : Wire Bonding WG: Working group WL-CSP: Wafer level chip size package WLP: Wafer level packaging
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小型 低コストパッケージとして実用化が始まる FO-WLP 2016 年 3 月 4 日 WG7 リーダ : 杉崎吉昭 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2016, WG7Assembly&Packaging 1 WG7 の活動概要 ファンアウト型パッケージ (FO-WLP) の動向 FO-WLP の概要と課題 各社製造プロセスの動向
JJTRC 2005
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LED 熱設計について 1. 熱設計の目的 LED を用いた製品設計を行なう上で 熱の発生に注意が必要です LED の使用できる温度はジャンクション温度 (Tj) により決められます この Tj が最大値を超えると著しい光束低下 場合によっては故障モード ( 例えば ワイヤー断線による LED の不灯 等 ) となるため 最大値を超えないように使用する必要があります また Tj をできる限り低く抑えることにより製品の寿命を伸ばすことができます
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極地研 no174.indd
C O N T E N T S 02 10 13 no.174 June.2005 TOPICS06 1 45 46 3 12 4546 47 14 10 15 15 16 NEWS no.174 june.2005 0 100 200 300 400 500 600 700 100 100 Diameter,nm 10 10 45 20042 Feb Mar Apr May Jun Jul Aug
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お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
EC-1 アプリケーションノート 高温動作に関する注意事項
要旨 アプリケーションノート EC-1 R01AN3398JJ0100 Rev.1.00 要旨 EC-1 の動作温度範囲は Tj = -40 ~ 125 としており これらは記載の動作温度範囲内での動作を保証す るものです 但し 半導体デバイスの品質 信頼性は 使用環境に大きく左右されます すなわち 同じ品質の製品でも使用環境が厳しくなると信頼性が低下し 使用環境が緩くなると信頼性が向上します たとえ最大定格内であっても
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一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約
ジャンクション温度 (Tj) の検証方法 (ψjt は既知 ) 次の方法でジャンクション温度 (Tj) をおおよそ見積もることができます 1 始めに IC の消費電力 (P) を求めます 2 次に実際のセット時の環境条件でケース表面温度 Tc 1 を放射温度計や熱電対で測定します 3 求めた Tc
本書では お客様におけます熱設計時のご参考のために 弊社での熱抵抗に関する各パラメータの定義 測定方法などについて解説いたします 背景 一般的に素子のジャンクション温度 (Tj) が 10 上がる毎にデバイスの寿命は約半分になり 故障率は約 2 倍になるといわれています Si 半導体の場合では Tj が約 175 を超えると破壊される可能性があります これより Tj を極力さげて使う必要があり 許容温度
INTERNATIONAL
INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2009 EDITION ASSEMBLY AND PACKAGING TABLE OF CONTENTS 概要... 1 困難な技術課題... 2 シングルチップ パッケージ... 2 パッケージ基板とボードの接続... 13 パッケージ基板... 13 ウェーハレベル パッケージング...
LM2940
1A 3 1A 3 0.5V 1V 1A 3V 1A 5V 30mA (V IN V OUT 3V) 2 (60V) * C Converted to nat2000 DTD updated with tape and reel with the new package name. SN Mil-Aero: Order Info table - moved J-15 part from WG row
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
LM2940/LM2940C 1A 低ドロップアウト3 端子レギュレータ
LM2940,LM2940C LM2940/LM2940C 1A Low Dropout Regulator Literature Number: JAJSBB5 LM2940/LM2940C 1A 3 LM2940/LM2940C 0.5V 1V 1A 3V 1A 5V 30mA (V IN V OUT 3V) LM2940 * 1A Low Dropout Regulator LM2940C 1A
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Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
解説 スマートフォンの高性能化を 実現する先端半導体パッケージ 西尾俊彦 Toshihiko Nishio ( 株 )SBR テクノロジー 1 はじめに 源や信号の損失を最小にしなければならない. 本稿では, 最も性能要求が高い AP, グローバル対応 IoT(Internet of Things)
スマートフォンの高性能化を 実現する先端半導体パッケージ 西尾俊彦 Toshihiko Nishio ( 株 )SBR テクノロジー 1 はじめに 源や信号の損失を最小にしなければならない. 本稿では, 最も性能要求が高い AP, グローバル対応 IoT(Internet of Things) は 2016~2020 年にかけて約 3 倍以上に拡大 (1) し,IoT から派生する大量の未分析のデータ
日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品
Infrastructure Technology / Products HIGHLIGHTS 2008 HDD 2.5 HDD3.5 HDD 1 Deskstar 7K1000 HDD Hard Disk Drive 2006 5 PC 2.5 HDD HDD 3.5 HDD1 1 2007 3Deskstar 7K1000 3.5 HDD 1149 Deskstar 7K500 2 GMR Giant
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
Ethernet Roadmap
400G 時代を見据えたモジュール / ケージ / コネクタシステム QSFP-DD Kazuhiro Kureishi Cisco Systems G.K. July 27, 2017 ETHERNET ROADMAP 10Mbps からスタートして 2010 年までに 6 つの Ethernet Speed が登場 10M, 100M, 1G, 10G, 40G, 100Gbps 2016 年
ＶＬＳＩ工学
2008//5/ () 2008//5/ () 2 () http://ssc.pe.titech.ac.jp 2008//5/ () 3!! A (WCDMA/GSM) DD DoCoMo 905iP905i 2008//5/ () 4 minisd P900i SemiConsult SDRAM, MPEG4 UIMIrDA LCD/ AF ADC/DAC IC CCD C-CPUA-CPU DSPSRAM
_2009MAR.ren
ISSN 0389-5254 2009 No.2 MAR JAPAN AIRCRAFT PILOT ASSOCIATION C O N T E N T S No.313 2009 No.2 MAR é 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR 2009 MAR
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プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを
LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ
Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers Literature Number: JAJS854 100MHz 3000V/ s 50mA 2.3mA/ 15V ADSL 5V VIP III (Vertically Integrated PNP) LM6171 Dual High Speed, Low
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン
蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
EcoSystem 5 Series LED Driver Overview (369754)
ED 調光ドライバ 5 シリーズ ED 調光ドライバ ( 日本仕様 ) 5% 調光 5 シリーズ ED 調光ドライバ ( 日本仕様 )( AC100/200V PSE) 369754b 1 05.13.14 5 シリーズ ED 調光ドライバはスムーズな連続調光 ( 出力電流 5% まで *) が可能で さまざまなスペースや用途に高性能の ED 調光を提供します 特長 フリッカーのない連続調光 (5%~100%)
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
DS90LV011A 3V LVDS 1 回路入り高速差動出力ドライバ
3V LVDS Single High Speed Differential Driver Literature Number: JAJS962 Single High Speed Differential Driver 19961015 23685 ds200149 Input Voltage changed to 3.6V from 5V Updated DC and AC typs basic
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]](/thumbs/102/156233607.jpg "Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]")
半導体メモリが新応用を開拓した例 集積デバイス工学半導体メモリ 2010 年 5 月 14 日東京大学大学院工学系研究科電気系工学竹内健 E-mail : [email protected] http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp p y jp アップル社の ipod nano 2005 年 9 月発売 フラッシュメモリの記憶容量によって価格の異なるラインアップ
図 1 シリコンチップ, 半導体パッケージおよびプリント配線板の階層構造図 Figure 1 Hierarchical structure of silicon chips, semiconductor package substrates and printed wiring boards 銅張積
総説 6 半導体実装基板材料の歩みと今後の技術動向 Technology Trends and Future History of Semiconductor Packaging Substrate Material 中村吉宏 Yoshihiro Nakamura 機能材料事業本部配線板材料事業部 加藤木茂樹 Shigeki Katogi 新事業本部筑波総合研究所情報通信材料開発センタ 50 PCLSI
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Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2011, WG3 FEP 1 STRJ WG3(FEP) 活動報告 - 今後の FEP 技術 - 2011 年 3 月 4 日 北島洋 ( ルネサスエレクトロニクス ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2011, WG3 FEP
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資 RJC-15J3 アプリケーションノート ( 第 3 版 ) チップアンテナ - 弊社標準基板におけるアンテナ特性 - 三菱マテリアル株式会社電子材料事業カンパニー電子デバイス事業部 Copyright 217 Mitsubishi Materials Corporation Version 3. 1 アプリケーションノート ( 第 3 版 ) もくじ ページ 1.AM11DP-ST1 3 1)315MHz
LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC
Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516
CELSIUSカタログ（2012年7月版）
CELSIUS PC "MADE IN JAPAN" 2012.7 W520 ハイエンドの過酷な要求に応えるパワフルなデュアルと高信頼を搭載 ＲＡＩＤ構成 選択可能 富士通がお勧めする Windows 7. ミニタワーエントリーモデル より速く より強力に 最新の技術をフル投入 スピードとパワー 安定性を提供 ＲＡＩＤ構成 選択可能 Windows 7 Professional 32bit版 正規版
単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板
単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板 2 2 3 単板マイクロチップコンデンサ CLB シリーズ 特長. なめらかで緻密なセラミクスと金電極を用いたシンプルな単板構造であるため 信頼性 周波数特性に優れています 2. 超小型の0.25mm 角からシリーズ化しており 回路の小型化 高密度実装に適しています 3. 金電極を用いているので AuSnによるダイボンディング Au 線によるワイヤーボンディングができます
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2015 年度 STRJ ワークショップ IoT 時代のスマートテスト WG2( テスト WG) 安藏顕一 ( 東芝 ) 目次 1. テスト WG 活動 2. WG2 体制 3. WG2 活動実績 4. 2015 度活動 5. ATE-SWG 活動 6. DFT-SWG 活動 7. WG2 活動まとめ 8. 未来への展望 Work in Progress - Do not publish STRJ
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/
DS90CP04 1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch (jp)
1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch Literature Number: JAJS984 1.5Gbps 4 4 LVDS 4 4 (LVDS) ( ) 4 4:1 4 1 MODE 4 42.5Gb/s LVDS 20010301 33020 23900 11800 ds200287 2007 12 Removed preliminary. Removed old
Microsoft PowerPoint - n161_163.ppt
特長 ケースサイズ 製品の特長 12.5 x 19.0 mm (W x H) アノードコモンとカソードコモン対応 ケース色はブラックとグレー対応 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長 Green Orange Red : 565nm : 605nm : 660nm 桁数文字形状文字高素子材質 1 桁ヤバネタイプ 15.24 mm Green Orange Red : GaP : GaAsP
Microsoft PowerPoint - EMPro_ADS_co_design_draft.ppt [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - EMPro_ADS_co_design_draft.ppt [互換モード]](/thumbs/84/90916619.jpg "Microsoft PowerPoint - EMPro_ADS_co_design_draft.ppt [互換モード]")
3 次元電磁界シミュレータ (EMPro) と 回路シミュレータ (ADS) との効率的な協調解析事例のご紹介 Page 1 EMPro 2010 3 次元電磁界解析専用プラットフォーム 3 次元形状入力に特化した操作性 Windows & Linux 対応 多くの 3D CAD フォーマットの Import をサポート Fastest, t Highest Capacity 3 次元フルウェーブ電磁界シミュレーション
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
TMS320C6455 におけるDDR2 PCBレイアウトの実装
JAJA082A 2008 年 08 月 TMS320C6454/5 DDR2 PCB レイアウトの実装 アプリケーション技術部 アブストラクトこの文書には TMS320C6454/5に搭載されているDDR2 インターフェイス用の実装方法の説明が含まれています DDR2 インターフェイスに対してタイミングを規定するアプローチは 以前のデバイスとは異なります 以前のアプローチでは データシートでの規定およびシミュレーション
スライド 1
半導体ロードマップの 過去 現在 未来 JEITA 半導体技術ロードマップ委員会 (STRJ) 委員長 石内秀美 ( ( 株 ) 東芝 ) 本講演は ITRS でまとめた技術ロードマップについて説明したもので ITRS 参加企業 団体 JEITA 会員企業の個別の製品や技術開発の方向について説明したものではありません Work in Progress - Do not publish 1 Work
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること
チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します