ナノ構造熱電材料開発 －多重薄膜によるナノ構造制御の検討－
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1 エレクトロニクス SiGe ナノ粒子 a-sige サファイア基板 Au ナノ構造熱電材料開発 - 多重薄膜によるナノ構造制御の検討 - Control of Nano Structure by Multi Films for Nano-Structured Thermoelectric Materials 足立 * 真寬 藤井俊輔 木山誠 Masahiro Adachi Syunsuke Fujii Makoto Kiyama 山本喜之竹内恒博 Yoshiyuki Yamamoto Tsunehiro Takeuchi 熱電材料を用いた発電技術は 排熱から直接電力に変換することが可能であり 持続可能なエネルギー源となり得るため 低炭素社会に向けたエネルギー材料技術として期待されている しかし 熱電変換効率に直結する熱電性能指数 ZTの目標値が自動車廃熱発電で 4 以上であるのに対し 実際の材料では50 年近く約 2 以下しか得られておらず 目標の実現は非常に困難であると見られている この大きなギャップを 材料の電子構造の変調 すなわちナノ構造の精密制御により打破すべく 研究開発を行っている 本研究では 高い性能指数を実現するため 必要条件と考えているナノ粒子の粒径および粒間隔の制御を行なうべく 分子線エピタキシー装置による薄膜積層技術により ナノ構造を制御する観点から研究した結果を報告する Thermoelectric generators, with which waste heat can be directly converted to useful electric power, have attracted considerable attention as one of the most efficient techniques leading to a low carbon, sustainable society. However, the figure of merit (ZT) of constituent thermoelectric materials, which is generally used as a measure for the efficiency of energy conversion in thermoelectric generators, has not reached a large magnitude exceeding 2 for the last half century, despite the fact that ZT 4 is strongly required for automobile exhaust heat utilization systems. This large gap between the required values and obtained values strongly let us believe that a thermoelectric generator is not usable in practical applications and we need to employ new, innovative techniques leading to a breakthrough for developing high-performance thermoelectric materials. In this study, we are going to control nano-structured particles in amorphous thermoelectric materials in order to modulate electronic structure such as density of states in the material using molecular beam epitaxy for obtaining high performance thermoelectric materials. キーワード : 熱電材料 ナノ構造熱電 量子効果 1. 緒言持続可能な社会の実現のため 化石燃料の消費やCO 2 ガスの放出の抑制が必要である 熱電材料は 排熱を活用した温度差 ( 熱エネルギー ) を電力 ( 電気エネルギー ) に変換できる材料であり エネルギーの利用効率を高める技術として注目を集めている 熱電変換効率は 材料の性能指数 ( 無次元性能指数 ) 1 であるZT の増加関数であるため 高効率化のためにZT の向上が強く求められている 現状のZT は1~2(ZT =1で変換効率約 10%) であるのに対して 自動車の排熱を電力として回収し燃費向上させるためにはZT 4が要求されている (1) ZT の制御が材料開発の課題となるが ZT は次式で表される物理量で構成される...(1) ここで S: ゼーベック係数 2 σ: 導電率 T: 絶対温度 κ: 熱伝導率 κ ele : 電子熱伝導率 κ lat : 格子熱伝導率である (2) 制御すべき物性値のうち ゼーベック係数 導電率 および電子熱伝導率は フェルミ準位の近くの状態密度といった電子構造で決まることが分かっている (3)(4) そのため フェルミ準位の近くに特徴的な電子構造を人工的に作ることが可能となれば 熱電特性を向上させる有効な手段となり得る 電子構造を制御する手法として 量子井戸 量子細線 量子ドット ( ナノ粒子 ) のようなナノ構造 3 による状態密度の変調が 提唱されている (5)~(8) しかしながら 量子効果 4 による十分なZT 向上は 未だ報告されていない (8)~(14) その理由としては ナノ構造の小さい体積比に応じて特性向上の効果が薄まっていること およびナノ構造のナノ粒子のサイズが大きいため量子効果が発現されていないことが考えられる ( 従来のナノ粒子の粒径は 5nm 以上であり (10)(15) (16) 3nm 以下がおおよその目安となる (5)~(7)(11) ) ナノ構造の体積比の向上およびサイズの減少が必要になるが 最近 MakinoやOkamotoらは アモルファス材料を熱処理すると大量のナノ粒子を析出で作製できることを報告している (15)~(17) 特にOkamotoらは Auを添加したアモルファスSiとGeの多重超格子 (a-si/ge) 薄膜を 2017 年 1 月 S E I テクニカルレビュー 第 190 号 143
2 熱処理することにより SiGeナノ粒子を有する熱電材料として 優れた熱電特性を報告している (18) しかし ナノ構造のサイズおよび体積比が十分に制御されておらず 再現性に乏しい (19) 報告されているおおよその粒径は約 5nm 以上 体積比は約 10% (15)(16) (18) であり サイズ制御および体積比の精密な制御が課題である そこで我々は 高い性能指数を実現するため 薄膜積層技術によるナノ粒子の粒径および体積比の制御に関する研究開発を行なった (20) (a) 粒間隔の制御案 3. ナノ構造熱電材料の作製とナノ構造の制御 (1) 作製方法分子線エピタキシー装置により室温にてサファイア基板上に Si~1nm Ge~1nm Au~0.1nm 相当 ( 全体のAu 組成が3at% になるよう設計し Ge 層の間で照射している ) Ge~1nmを交互に積層し 総膜厚 220nmになるように積層させた 作製した薄膜試料に対して で各 15min 間の熱処理を加えることで 図 1に示すように アモルファスSiGe 中にSiGeナノ粒子 ( 数 nm 径の単結晶 ) が分散した試料の作製を行なった (b) 粒間隔の制御例を示す断面 TEMの例図 2 粒間隔の制御案と断面 TEMの例これを定量的に評価すべく ナノ粒子の体積比とアモルファスSi 層の設計厚みの相関を解析した ( 図 3) すると アモルファスGe 層の厚み ( およびAu 組成 ) が一定の場合のみ ナノ粒子の体積比とアモルファスSi 層厚みの関係は線形であったが Ge 層厚みが異なると 線形性は維持できなかった そこで 単純なSi 厚みだけに依存するモデルは棄却し ナノ粒子の粒径や体積比に関する実験式の導出を試みた 図 1 ナノ粒子の作製イメージ図 ナノ粒子の粒径 および体積比を それぞれ X 線回折の半値幅 ( 並びに透過型電子顕微鏡 :TEM) およびラマン散乱測定により評価した ( ラマン散乱測定から見積もられる結晶化率は ナノ粒子とアモルファス母材との体積比と 同値となる ) (2) 実験結果ナノ構造を制御するために まずナノ粒子の形成メカニズムの解明が必要である 現在有力な説は 金属誘起結晶化現象により Auが一種の核となりGe:Au が周囲のSiを取り込み結晶化することで SiGeナノ粒子の形成が促進されるものである (16) この機構を基にナノ構造の制御法を検討すると 例えば ナノ粒子の体積比を制御するために 成膜時にアモルファスSi 層を薄くすることで ナノ粒子の体積比を向上させることが可能であると考えられる その観点で実際に作製すると 図 2に示すように アモルファスSi 層の膜厚に応じて ナノ粒子の間隔は変化した 図 3 体積比のSi 厚み依存性 SiGeナノ粒子は Auを核としGeが周囲のSiを結晶化して形成すると考えている この形成機構に加え 以下の 144 ナノ構造熱電材料開発 - 多重薄膜によるナノ構造制御の検討 -
3 仮定を置くことで実験式の導出を行なった 仮定 1: 熱処理による新規 SiGeナノ粒子の発生は無視可能である ( 体積比の増加は 新規ナノ粒子の発生よりも 既存ナノ粒子の肥大の方が支配的であるという意味 実験からもこの仮定はある程度妥当であることが示されている ) 仮定 2: SiGe 結晶の粒径は 限界値がある 上記の形成機構と仮定により ナノ粒子の粒径 Φに関して 次の微分方程式が導出される... (2) (a) ナノ粒子の粒径 vs Au 組成 Si/Ge 比 ここで Φ t C Au R Si/Ge a b c は それぞれ 粒径 (nm) 熱処理時間 Au 組成 Si/Ge 比 補正係数 乗数補正係数 粒径増加割合である これを解くと 粒径 Φは次式で与えられる...(3) 粒径 Φは 熱処理時間 t と共に増加しつつ 限界値があることが表されており 更に増加スピードはAu 組成 C Au に依存することが示されている 一方 体積比 ηは ナノ粒子の肥大化が支配的であると仮定したので 次式で表現される (b) ナノ粒子の体積比 vs Au 組成 Si/Ge 比 図 4 ナノ粒子の粒径と体積比の制御について... (4) 更に 熱処理時間 tは15 minで固定して実験を行っているので 粒径 Φおよび体積比 ηは 式 (3) および (4) に従い Au 組成 C Au とSi/Ge 比 R Si/Ge の2 軸で表現可能となる これらの式の有効性を検証するために 各 15min 間熱処理した試料に対して X 線回折法およびラマン散乱法で 粒径および体積比を測定しa b cを変数としてパラメターフィッティングを行った結果を図 4(a) および (b) に示す 実測値とフィッティングは おおよそ良い一致を示しており 提案した実験式が 妥当であることを示している 上記結果より フィッティングした範囲 つまり粒径 3nm 以上 体積比 20% 以上であれば 提案した実験式によりナノ構造の制御および設計が可能となることを示している 熱電材料の性能の向上に向け 本ナノ粒子の定量的な制御法を活用し 熱伝導率の抑制および電子構造の制御が期待されることから 次に ナノ粒子による熱伝導率の抑制に関する結果を記す ナノ粒子は 電子構造の変調だけでなく フォノンを散乱させる因子となるため 熱伝導率 κ を抑制することが期待可能である 図 5に 熱伝導率とナノ粒子の粒径の関係を示す 両 図 5 熱伝導率 vs 粒径者に線形の関係があることが分かる これがナノ粒子 ( 格子熱伝導率 κ lat ) の寄与であることを考察するため 熱伝導率 κを構成する電子熱伝導率 κ ele および格子熱伝導率 κ lat のうち 電子熱伝導率 κ ele の寄与を見積もっておく Wiedemann-Franz 則 5 つまりκ ele =LTσ (L はローレンツ定数 L= W/SK 2 T=300K) が 本材料系に適用可能であるとすると 本材料系のκ ele は0.02 W/mK 程度と見積もられた これは アモルファスGeやSi で報告のある最小格子熱伝導率 W/mKよりも (21) 一桁以上低い値である そのため 本材料の熱伝導率に関して 電子熱伝導率の寄与は僅かであり ほぼ格子熱伝導 2017 年 1 月 S E I テクニカルレビュー 第 190 号 145
4 率が支配的であると見なせる そのため 図 5に示す熱伝導率は ナノ粒子の粒径により格子熱伝導率が制御された結果であると理解される 最後に 本研究開発で作製した試料のゼーベック係数の導電率依存性について言及する ( 図 6) キャリヤ輸送に関する原理式によれば フェルミ準位近傍の電子構造に著しい変化がなければ ゼーベック係数が大きいほど導電率は小さくなる 図 6の丸で示した試料群では 大きなゼーベック係数と大きな導電率が両立している この実験結果から 試料ごとにフェルミ準位近傍の電子構造が異なっていることが示唆される すなわち 局所的な電子構造の変調が生じていると考えられる 大きなゼーベック係数と大きな導電率が共存することは 熱電材料としての性能向上に他ならず この向上に寄与する電子構造の変調を特定し 制御することで 熱電材料の高性能化につながる可能性が高いと考えている 2) SiGeナノ粒子の粒径 5-15nmの範囲で 格子熱伝導率は線形に制御可能であることが示された 3) 比較的大きなゼーベック係数と大きな導電率が両立しており 試料ごとにフェルミ準位近傍の局所的な電子構造の変調が生じている可能性が示唆された 今後 熱電材料の性能の向上に寄与する電子構造の変調を 高分解能光電子分光装置で特定し 材料の作製条件にフィードバックすることで熱電材料の高性能化を図る計画である 5. 謝辞この成果の一部は 国立研究開発法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 (NEDO) の委託業務の結果得られたものです 本研究開発を進めるにおいて 防衛大学校岡本准教授から多大なご助言を頂きました 感謝申し上げます 用語集ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー 1 無次元性能指数 ZT 熱を電気に変換する効率に直結する材料の性能を表す指数 単位系は無次元となる 熱電変換効率 ζは 次式で与えられる 図 6 薄膜のゼーベック係数 vs 導電率 ( 室温 ) ここで T h T l T はそれぞれ 温度差の高温側 低温側 ( T h +T l )/2 である この式より ZT が大きい程 変換効率 ζは 単調に高くなることが示される そのため熱電材料の開発では ZT を大きくすることが必要となる 今後 電子構造の変調を実測可能な超高分解能光電子分光装置 ( エネルギー分解能数 mev) を活用し 性能の向上が見られた試料に対して 試料の電子構造の詳細解析を実施する計画である 4. 結言本研究では 高い性能指数を実現するため 必要条件と考えているナノ粒子の粒径および体積比の制御を行なうべく 分子線エピタキシー装置による薄膜積層技術により SiGeアモルファス中のAuにより形成が促進されるSiGe ナノ粒子の構造を制御する観点から研究開発を行ない以下の知見を得た 1) SiGeナノ粒子は 粒径 3nm 以上 体積比 20% 以上であれば 提案した実験式によりナノ構造の制御は可能であることが示された 2 ゼーベック係数温度差 ΔT を物質に与え その温度差の両端に電圧 ΔV が発生すると その物質のゼーベック係数は-ΔV/ΔT で与えられる つまり 温度差によって発生する電圧の大きさを表す物質固有の物理量である 3 ナノ構造数 nmオーダの結晶の構造体 その結晶構造体とそれを取り囲む材料に 電子的なエネルギー差を与えておくことで その結晶構造体に電子を閉じ込める これにより 量子効果を発現させることが期待可能となる 4 量子効果電子 ( もしくは正孔 ) を物質内の局所的な空間 ( 約数 nm) に閉じ込めると 電子の波動性が顕在化し 例えば電子が存在できるエネルギーの値が劇的に変化する これによ 146 ナノ構造熱電材料開発 - 多重薄膜によるナノ構造制御の検討 -
5 り エネルギー当たりの電子が存在できる数 : 状態密度も劇的に変化する ここでは 状態密度の制御に 結晶中の量子効果の一部を応用している 5 Wiedemann-Franz 則金属材料によく適用され 導電率と熱伝導率に線形の関係があることを示した法則 本質的には 状態密度がエネルギー的に線形であれば 適用可能である 半導体材料の状態密度は 線形でなくおおよそ放物線的であるが 電子熱伝導率に寄与するフェルミ準位近傍の狭いエネルギー範囲であれば 放物線も1 次の近似では線形として与えられるので その近似の範囲であることを理解した上で議論することは可能である 執 筆 者ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー 足立 真寬 * : 伝送デバイス研究所 主席 2010 年応用物理学会論文賞 藤井 俊輔 : 伝送デバイス研究所 木山 誠 : 伝送デバイス研究所 主幹 山本喜之 : 伝送デバイス研究所部長 参考文献 (1) (2) A. F. Ioffe, Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling (Infosearch Limited, London, 1957), pp (3) T. Takeuchi, Mater. Trans. 50 (2009)2359 (4) N. F. Mott and H. Jones, The Theory of the Properties of Metals and Alloys (Clarendon Press, Oxford, 1960), pp (5) L. D. Hicks, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47 (1993)12727 (6) L. D. Hicks, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47 (1993)16631 (7) L. D. Hicks, Dr thesis (1996) (8) M. S. Dresselhaus, G. Chen, M. Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wang, Z. Ren, J. P. Fleurial, and P. Gogna, Adv. Mater. 19 (2007)1043 (9) S. Yamasaka, K. Watanabe, S. Sakane, S. Takeuchi, A. Sakai, K. Sawano, and Y. Nakamura, Scientific Reports 6 (2016)22838 (10)X. Hu, P. Jood, M. Ohta, M. Kunii, K. Nagase, H. Nishiate, M. G. Kanatzidis, A.Yamamoto, Ene. & Env. Sci.9 (2016)517 (11)N. T. Hung, E. H. Hasdeo, A. R. T. Nugraha, M. S. Dresselhaus, and R. Saito, Phys. Rev. Lett. 117 (2016) (12)G. Chen, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, J. -P. Fleurial, and T. Caillat, Int. Mat. Rev. 48 (2003)45 (13)M. S. Dresselhaus, M. Y. Lin, B. S. Cronin, O. Rabin, M. R. Black, G. Dresselhaus, T. Koga, Semicond. Semimet. 71 (2001)1 (14)C. Chang, C. Qin, A. Makino, A. Inoue, J. Alloy. Comp. 533 (2012)67 (15)H. Takiguchi, M. Aono, and Y. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) (16)H. Takiguchi, Dr. thesis (2011) (17) (18) 渡邊 岡本 宮﨑 守本 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 (2013 年 9 月 ) 19p-P4-2 (19)Y. Okamoto (Private communication) (20) 足立 藤井 木山 山本 西野 Omprakash 竹内 第 77 回応用物理学会秋季学術講演会 (2016 年 9 月 ) 14p-P22-2 (21)( 社 ) 日本セラミックス協会 日本熱電学会 環境調和型新材料シリーズ熱電変換材料 日刊工業新聞 p.29 (2005 年 ) 竹内 恒博 : 豊田工業大学 教授 * 主執筆者 2017 年 1 月 S E I テクニカルレビュー 第 190 号 147
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InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
メタマテリアルの熱伝導率予測
ナノテクで熱を有効利用 熱電変換の高効率化 九州工業大学工学研究院機械知能工学研究系宮崎康次 2012 年 10 月 19 日新技術説明会 研究背景 ( 熱電発電 ) 熱から直接発電太陽電池 : 光から直接発電燃料電池 : 燃料から直接発電 Ioffe ( ロシア, 1941) 坂田亮編, 熱電変換工学リアライズ社 (2001) 研究背景 ( 熱電発電の効率 ) η max = T hot T T
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超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
平成 28 年 12 月 1 日 報道機関各位 国立大学法人東北大学大学院工学研究科 マンガンケイ化物系熱電変換材料で従来比約 2 倍の出力因子を実現 300~700 の未利用熱エネルギー有効利用に期待 概要 東北大学大学院工学研究科の宮﨑讓 ( 応用物理学専攻教授 ) 濱田陽紀 ( 同専攻博士前期
平成 28 年 12 月 1 日 報道機関各位 国立大学法人東北大学大学院工学研究科 マンガンケイ化物系熱電変換材料で従来比約 2 倍の出力因子を実現 300~700 の未利用熱エネルギー有効利用に期待 概要 東北大学大学院工学研究科の宮﨑讓 ( 応用物理学専攻教授 ) 濱田陽紀 ( 同専攻博士前期課程学生 ) 佐藤美嘉 ( 同専攻博士前期課程学生 ) および林慶 ( 同専攻准教授 ) の研究グループは
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
がら この巨大な熱電効果の起源は分かっておらず 熱電性能のさらなる向上に向けた設計指針 は得られていませんでした 今回 本研究グループは FeSb2 の超高純度単結晶を育成し その 結晶サイズを大きくすることで 実際に熱電効果が巨大化すること またその起源が結晶格子の振動 ( フォノン 注 2) と
鉄化合物における巨大な熱電効果の起源解明 - 低温で高い性能を示す熱電変換素子の新たな設計指針 - 1. 発表者 : 高橋英史 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科日本学術振興会特別研究員 PD) 岡崎竜二 ( 東京理科大学物理工学部物理学科講師 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科助教 ) 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
( 全体 ) 年 1 月 8 日,2017/1/8 戸田昭彦 ( 参考 1G) 温度計の種類 1 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k B T を
( 全体 htt://home.hiroshima-u.ac.j/atoda/thermodnamics/ 9 年 月 8 日,7//8 戸田昭彦 ( 参考 G 温度計の種類 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k T を単位として決められている 9 年 月 日 ( 世界計量記念日 から, 熱力学温度 T/K の定義も熱エネルギー k T/J に基づく. 定積気体温度計
パソコンシミュレータの現状
第 2 章微分 偏微分, 写像 豊橋技術科学大学森謙一郎 2. 連続関数と微分 工学において物理現象を支配する方程式は微分方程式で表されていることが多く, 有限要素法も微分方程式を解く数値解析法であり, 定式化においては微分 積分が一般的に用いられており. 数学の基礎知識が必要になる. 図 2. に示すように, 微分は連続な関数 f() の傾きを求めることであり, 微小な に対して傾きを表し, を無限に
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熱電変換材料の実験値データベース構築と実験値マテリアルズ インフォマティクス 拓史 1,3, 桂ゆかり 1,3, 熊 将也 2, 今井庸 3, 郡司咲 3, 村薫 1 本 属学会 2017 秋 1 東京 学 学院新領域創成科学研究科物質系専攻 2 理化学研究所 新知能統合研究センター 3 物質 材料研究機構物質 材料統合研究拠点 [1] P. Gorai et al., Comp. Mat. Sci.
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
第117号(A4、E)4C/3 湯浅ほか
Improved Silica Dispersibility with Functionalized S-SBR for Lower Rolling Resistance Takeshi Yuasa Takuo Sone Tetsuo Tominaga Munetaka Iwano Generally, rolling resistance of tire is closely related to
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. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
Table 1. Assumed performance of a water electrol ysis plant. Fig. 1. Structure of a proposed power generation system utilizing waste heat from factori
Proposal and Characteristics Evaluation of a Power Generation System Utilizing Waste Heat from Factories for Load Leveling Pyong Sik Pak, Member, Takashi Arima, Non-member (Osaka University) In this paper,
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AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により
この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため
Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r 2 e = (e 2 mc 2 ) 2 で表される為
Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments.. Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r e = (e mc ) で表される為 質量に大きく依存する Ex) 電子の次に質量の小さいミューオンの制動放射によるエネルギー損失 m e 0.5 MeV, m
SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or
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インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,
2018/6/12 表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位 1. ショックレー状態 ( 準位 ) 2. タム状態 ( 準位 ) 3. 鏡像状態 ( 準位 ) 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテン
表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位. ショックレー状態 ( 準位. タム状態 ( 準位 3. 鏡像状態 ( 準位 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテンシャル e F z ( z z e V ( z ( Fz dz 4z e V ( z 4z ( z > ( z < のときの電子の運動を考える
「セメントを金属に変身させることに成功」
報道関係者各位 平成 27 年 8 月 22 日 国立大学法人筑波大学 排熱を電気に変換して蓄えるコイン型電池セル ~ イオン二次電池活物質の新たな応用 ~ 研究成果のポイント 1. 正極と負極に同一の層状酸化物を用いたコイン型電池セルにおいて 電気化学ゼーベック効果 1) を初めて評価しました 2. 温度差印加により生じた電圧の時間依存性を解析することにより 電極間でナトリウムイオンの移動が生じることがわかりました
機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現
機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現 ~ 環境発電への貢献に期待 ~ 1. 発表者 : 山脇柾 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻修士課程 2 年生 ) 大西正人 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 鞠生宏 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 塩見淳一郎 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻教授 物質 材料研究機構情報統合型物質
開発の社会的背景 再生可能エネルギーの大量導入時代を見据えて 光 熱 振動などを利用する発電技術の研究開発が盛んに行われている その一つである熱電発電は 熱電材料 ( 固体 ) を用いて自然熱や未利用廃熱 分散した微小熱を電力として回収する技術であり 省スペース 無振動 長寿命などの長所がある 高効
高効率な熱電変換を可能にする新しいタイプの大振幅原子振動 - 新規熱電材料の新しい設計指針を提案 - 平成 30 年 2 月 2 日国立研究開発法人産業技術総合研究所国立大学法人九州大学国立研究開発法人科学技術振興機構 ポイント 高い熱電性能が得られる新しいタイプの大振幅原子振動 ( ラットリング ) を提案 新規提案の平面ラットリングが出現する原因を解明 熱電材料探索の対象物質が飛躍的に増え より高性能な新熱電材料の発見につながると期待
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第 7 章化学反応に対する磁場効果における三重項機構 その 7.. 節の訂正 年 7 月 日. 節 章の9ページ の赤枠に記載した説明は間違いであった事に気付いた 以下に訂正する しかし.. 式は 結果的には正しいので安心して下さい 磁場 の存在下でのT 状態のハミルトニアン は ゼーマン項 と時間に依存するスピン-スピン相互作用の項 との和となる..=7.. g S = g S z = S z g
熱電変換の紹介とその応用について.ppt
熱電変換の紹介と その応用について 埼玉大学 大学院理工学研究科 長谷川 靖洋 hasegawa@mail.saitama-u.ac.jp http://www.env.gse.saitama-u.ac.jp/hasegawa/ Tel&Fax:048-858-3757 熱電変換研究の歴史 7/24 1821年 ゼーベックによるゼーベック効果の発見 1834年 ペルチェによるペルチェ効果の発見
2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å
MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]
横浜市環境科学研究所
周期時系列の統計解析 単回帰分析 io 8 年 3 日 周期時系列に季節調整を行わないで単回帰分析を適用すると, 回帰係数には周期成分の影響が加わる. ここでは, 周期時系列をコサイン関数モデルで近似し単回帰分析によりモデルの回帰係数を求め, 周期成分の影響を検討した. また, その結果を気温時系列に当てはめ, 課題等について考察した. 気温時系列とコサイン関数モデル第 報の結果を利用するので, その一部を再掲する.
世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長
物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように 2つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右の2つ
物性物理学 I( 平山 ) 補足資料 No.6 ( 量子ポイントコンタクト ) 右図のように つ物質が非常に小さな接点を介して接触している状況を考えましょう 物質中の電子の平均自由行程に比べて 接点のサイズが非常に小さな場合 この接点を量子ポイントコンタクトと呼ぶことがあります この系で左右のつの物質の間に電位差を設けて左から右に向かって電流を流すことを行った場合に接点を通って流れる電流を求めるためには
diode_revise
2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな
s ss s ss = ε = = s ss s (3) と表される s の要素における s s = κ = κ, =,, (4) jωε jω s は複素比誘電率に相当する物理量であり ここで PML 媒質定数を次のように定義する すなわち κξ をPML 媒質の等価比誘電率 ξ をPML 媒質の
FDTD 解析法 (Matlab 版 2 次元 PML) プログラム解説 v2.11 1. 概要 FDTD 解析における吸収境界である完全整合層 (Perfectl Matched Laer, PML) の定式化とプログラミングを2 次元 TE 波について解説する PMLは異方性の損失をもつ仮想的な物質であり 侵入して来る電磁波を逃さず吸収する 通常の物質と接する界面でインピーダンスが整合しており
No.2 < 研究発表 ( 口頭 ポスター 誌上別 )> 口頭発表 Hiroshi Sugimoto, Minoru Fujii "Colloidal Silicon Nanoantenna for Low-Loss Dielectric Nanophotonics Platform" Abstra
研究助成報告書 ( 中間 終了 ) No.1 整理番号 H29-J-016 報告者氏名杉本泰 研究課題名可視領域に近接場増強効果を有する低損失シリコン微小球の作製と表面増強蛍光 < 代表研究者 > 機関名 : 神戸大学 職名 : 助教 氏名 : 杉本泰 大学院工学研究科 < 共同研究者 > < 研究内容 成果等の要約 > 特定のたんぱく質やウイルスに蛍光分子を化学的に結合し 蛍光により識別 検出する蛍光検出型バイオセンサは迅速且つ高感度なセンシング技術として注目されている
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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head
C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
![C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni](/thumbs/89/99121913.jpg "C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni")
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
画像類似度測定の初歩的な手法の検証
画像類似度測定の初歩的な手法の検証 島根大学総合理工学部数理 情報システム学科 計算機科学講座田中研究室 S539 森瀧昌志 1 目次 第 1 章序論第 章画像間類似度測定の初歩的な手法について.1 A. 画素値の平均を用いる手法.. 画素値のヒストグラムを用いる手法.3 C. 相関係数を用いる手法.4 D. 解像度を合わせる手法.5 E. 振れ幅のヒストグラムを用いる手法.6 F. 周波数ごとの振れ幅を比較する手法第
構造力学Ⅰ第１２回
第 回材の座屈 (0 章 ) p.5~ ( 復習 ) モールの定理 ( 手順 ) 座屈とは 荷重により梁に生じた曲げモーメントをで除して仮想荷重と考える 座屈荷重 偏心荷重 ( 曲げと軸力 ) 断面の核 この仮想荷重に対するある点でのせん断力 たわみ角に相当する曲げモーメント たわみに相当する ( 例 ) 単純梁の支点のたわみ角 : は 図 を仮想荷重と考えたときの 点の支点反力 B は 図 を仮想荷重と考えたときのB
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年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm
高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト
高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員 ( 現在 東京理科大学 ) 寺部一弥グループリーダー 青野正和拠点長らの研究チームは
木村の理論化学小ネタ 理想気体と実在気体 A. 標準状態における気体 1mol の体積 標準状態における気体 1mol の体積は気体の種類に関係なく 22.4L のはずである しかし, 実際には, その体積が 22.4L より明らかに小さい
理想気体と実在気体 A. 標準状態における気体 1mol の体積 標準状態における気体 1mol の体積は気体の種類に関係なく.4L のはずである しかし, 実際には, その体積が.4L より明らかに小さい気体も存在する このような気体には, 気体分子に, 分子量が大きい, 極性が大きいなどの特徴がある そのため, 分子間力が大きく, 体積が.4L より小さくなる.4L とみなせる実在気体 H :.449
マスコミへの訃報送信における注意事項
銀ナノシートを有する層状化合物において超高電子移動度を実現 - 室温以下で動作する新しい熱電変換素子の開発に道 - 1. 発表者 : 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授 ) 塩見雄毅 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 3 年 ) 李鍾碩 ( 研究当時 : 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻特任講師 ) M. S. Bahramy( 理化学研究所創発物性科学研究センター研究員
研究成果報告書
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 研究種目 : 基盤研究 (C) 研究期間 : 平成 18 年度 ~ 平成 20 年度課題番号 :18550199 研究課題名 ( 和文 ) 高分子光機能ナノ空間の構築とその機能 平成 21 年 5 月 29 日現在 研究課題名 ( 英文 ) Design and Function of Nano-sized Photo Functional Free
銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果
トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved
平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) の菅原克明助教 一杉太郎教授 高 橋隆教授 同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは
A Precise Calculation Method of the Gradient Operator in Numerical Computation with the MPS Tsunakiyo IRIBE and Eizo NAKAZA A highly precise numerical
A Precise Calculation Method of the Gradient Operator in Numerical Computation with the MPS Tsunakiyo IRIBE and Eizo NAKAZA A highly precise numerical calculation method of the gradient as a differential
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式
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0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod
物性物理学I_2.pptx
The University of Tokyo, Komaba Graduate School of Arts and Sciences I 凝縮系 固体 をデザインする 銅()面上の鉄原子の 量子珊瑚礁 IBM Almaden 許可を得て掲載 www.almaden.ibm.com/vis/stm/imagesstm5.jpg&imgrefurl=http://www.almaden.ibm.com/vis/
Kumamoto University Center for Multimedia and Information Technologies Lab. 熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI 宮崎県美郷
熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI プロジェクト @ 宮崎県美郷町 熊本大学副島慶人川村諒 1 実験の目的 従来 信号の受信電波強度 (RSSI:RecevedSgnal StrengthIndcator) により 対象の位置を推定する手法として 無線 LAN の AP(AccessPont) から受信する信号の減衰量をもとに位置を推定する手法が多く検討されている
液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人
液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人 研究背景 目的 液相レーザーアブレーション 液相に設置したターゲットに高強度レーザーパルスを照射するとターゲット表面がプラズマ化する ターゲットを構成する原子 分子が爆発的に放出され, ターゲット由来のナノ粒子ナノ粒子が生成される レーザー照射
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)
メンテナンスフリーのセンサーを実現するエネルギー・ハーベスティング技術
Maintenance-Free Sensor Made with Energy Harvesting Technology 田 中 努 鈴 木 貴 志 栗 原 和 明 あらまし M2MMachine to Machine 1 CO 2 M2M 2 Abstract Energy Harvesting Technology obtains electric power from the ambient
Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage
Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を
氏 名 田 尻 恭 之 学 位 の 種 類 博 学 位 記 番 号 工博甲第２４０号 学位与の日付 平成１８年３月２３日 学位与の要件 学位規則第４条第１項該当 学 位 論 文 題 目 La1-x Sr x MnO 3 ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ 士 工学 効果の研究 論 文 審 査
九州工業大学学術機関リポジトリ Title La1-xSrxMnO3ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ効果の研究 Author(s) 田尻, 恭之 Issue Date 2006-06-30 URL http://hdl.handle.net/10228/815 Rights Kyushu Institute of Technology Academic Re 氏 名 田 尻 恭 之 学 位
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演算子の行列表現 > L いま 次元ベクトル空間の基底をケットと書くことにする この基底は完全系を成すとすると 空間内の任意のケットベクトルは > > > これより 一度基底を与えてしまえば 任意のベクトルはその基底についての成分で完全に記述することができる これらの成分を列行列の形に書くと M これをベクトル の基底 { >} による行列表現という ところで 行列 A の共役 dont 行列は A
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射
Microsoft PowerPoint EM2_3.ppt
( 第 3 回 ) 鹿間信介摂南大学工学部電気電子工学科 4.3 オームの法則 4.4 金属の電気抵抗 4.5 ジュール熱 演習 4.3 オームの法則 E 電池 電圧 V 抵抗 電流 I 可変抵抗 抵抗両端の電圧 V [V] と電流 I [A] には比例関係がある V =I (: 電気抵抗 ; 比例定数 ) 大 電流が流れにくい 抵抗の単位 : オーム [Ω] 1[Ω]=1[V/A] 1V の電圧を加えたときに
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
SP8WS
GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
線積分.indd
線積分 線積分 ( n, n, n ) (ξ n, η n, ζ n ) ( n-, n-, n- ) (ξ k, η k, ζ k ) ( k, k, k ) ( k-, k-, k- ) 物体に力 を作用させて位置ベクトル A の点 A から位置ベクトル の点 まで曲線 に沿って物体を移動させたときの仕事 W は 次式で計算された A, A, W : d 6 d+ d+ d@,,, d+ d+
固体物理2018-1NKN.key
, `, m`, m s ` ` apple m` apple ` m` m s m s ± E H m x () () () A si x A si x () () () () H m x () 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
X線分析の進歩36 別刷
X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group
第122号(A4、E)(4C)/3 宇野ほか
trans Development of high performance heat resistant transparent polyimides based on trans-,,, -cyclopentanetetracarboxylic dianhydride Takaaki Uno Takashi Okada Igor Rozhanskii Toshimitsu Kikuchi Kohei
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LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった
室工大紀要第 63 号 (213) 13~16 特 集 カゴ状物質における熱電変換材料の探索 川村幸裕 *1 *2, *1, 関根ちひろ A Search of Thermoelectric Conversion Material in Cage-Like Compounds Yukihiro KAWAMURA *1, and Chihiro SEKINE *2, 1 ( 原稿受付日平成 25 年
ポリトロープ、対流と輻射、時間尺度
宇宙物理学 ( 概論 ) 6/6/ 大阪大学大学院理学研究科林田清 ポリトロープ関係式 1+(1/) 圧力と密度の間にP=Kρ という関係が成り立っていると仮定する K とは定数でをポリトロープ指数と呼ぶ 5 = : 非相対論的ガス dlnp 3 断熱変化の場合 断熱指数 γ, と dlnρ 4 = : 相対論的ガス 3 1 = の関係にある γ 1 等温変化の場合は= に相当 一様密度の球は=に相当
H AB φ A,1s (r r A )Hφ B,1s (r r B )dr (9) S AB φ A,1s (r r A )φ B,1s (r r B )dr (10) とした (S AA = S BB = 1). なお,H ij は共鳴積分 (resonance integra),s ij は重
半経験量子計算法 : Tight-binding( 強結合近似 ) 計算の基礎 1. 基礎 Tight-binding 近似 ( 強結合近似, TB 近似あるいは TB 法などとも呼ばれる ) とは, 電子が強く拘束されており隣り合う軌道へ自由に移動できない, とする近似であり, 自由電子近似とは対極にある. 但し, 軌道間はわずかに重なり合っているので, 全く飛び移れないわけではない. Tight-binding
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パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )
予定 （川口担当分）
予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体
研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生
報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
NEDO 省エネルギー技術フォーラム 2014 太陽熱エネルギー活用型住宅の技術開発高性能断熱材の開発高耐久超断熱材に関する研究開発 ( 株 )LIXIL 研究開発期間 : 平成 24 年 4 月 ~ 平成 25 年 12 月 1. 研究開発の背景 目的 目標 2 1.1. 背景 我が国のエネルギー消費の節約は今後の最も大きな課題の一つである 住宅やビルなどの冷暖房および家電製品 輸送機器 エネルギー貯蔵などにおける大幅な省エネ
伝熱学課題
練習問題解答例 < 第 章強制対流熱伝達 >. 式 (.9) を導出せよ (.6) を変換する 最初に の微分値を整理しておく (.A) (.A) これを用いて の微分値を求める (.A) (.A) (.A) (.A6) (.A7) これらの微分値を式 (.6) に代入する (.A8) (.A9) (.A) (.A) (.A) (.9). 薄い平板が温度 で常圧の水の一様な流れの中に平行に置かれている
NLMIXED プロシジャを用いた生存時間解析 伊藤要二アストラゼネカ株式会社臨床統計 プログラミング グループグルプ Survival analysis using PROC NLMIXED Yohji Itoh Clinical Statistics & Programming Group, A
NLMIXED プロシジャを用いた生存時間解析 伊藤要二アストラゼネカ株式会社臨床統計 プログラミング グループグルプ Survival analysis using PROC NLMIXED Yohji Itoh Clinical Statistics & Programming Group, AstraZeneca KK 要旨 : NLMIXEDプロシジャの最尤推定の機能を用いて 指数分布 Weibull
Microsoft PowerPoint - 東大講義09-13.ppt [互換モード]
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物性物理学 IA 平成 21 年度前期東京大学大学院講義 東京大学物性研究所高田康民 2009 年 4 月 10 日 -7 月 17 日 (15 回 ) 金曜日 2 時限 (10:15-11:45) 15 11 理学部 1 号館 207 号室 講義は自己充足的 量子力学 ( 第 2 量子化を含む ) 統計力学 場の量子論のごく初歩を仮定 最後の約 10 分間は関連する最先端の研究テーマを雑談風に紹介する
微分方程式による現象記述と解きかた
微分方程式による現象記述と解きかた 土木工学 : 公共諸施設 構造物の有用目的にむけた合理的な実現をはかる方法 ( 技術 ) に関する学 橋梁 トンネル ダム 道路 港湾 治水利水施設 安全化 利便化 快適化 合法則的 経済的 自然および人口素材によって作られた 質量保存則 構造物の自然的な性質 作用 ( 外力による応答 ) エネルギー則 の解明 社会的諸現象のうち マスとしての移動 流通 運動量則
<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>
1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ
Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
17 年 1 月 16 日 月 1 限 8:5~1:15 IB15 第 回半導体工学 * バンド構造と遷移確率 天野浩 項目 1 章量子論入門 何故 Si は光らず GN は良く光るのか? *MOSFET ゲート SiO / チャネル Si 界面の量子輸送過程 MOSFET には どのようなゲート材料が必要なのか? http://www.iue.tuwien.c.t/ph/vsicek/noe3.html
再生医科学研究所年報 Annual Report of the Institute for Frontier Medical Sciences Kyoto University Institute for Frontier Medical Sciences 1 2 3 4 5 6 Institute for Frontier Medical Sciences 1 Annual Report 2011
ハートレー近似（Hartree aproximation)
ハートリー近似 ( 量子多体系の平均場近似 1) 0. ハミルトニアンの期待値の変分がシュレディンガー方程式と等価であること 1. 独立粒子近似という考え方. 電子系におけるハートリー近似 3.3 電子系におけるハートリー近似 Mde by R. Okmoto (Kyushu Institute of Technology) filenme=rtree080609.ppt (0) ハミルトニアンの期待値の変分と
研究成果報告書
(),, ( ),,,,,, ZrNCl,, 20 %,,,,,, (DFT),,,, (x0.5) (x )(x 0.2),,,,,,,,,, DFT, GW (G;, W; ),, G() W() GW,,,,,,.,, GW,, SrVO 3 (TMTSF) 2 PF 6 GW,,, GW, (SystemB) GW,,,, 24 10,,,.,,, GW, Si Al 1 2 DFT, GW
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 論文題目 Superposition of macroscopically distinct states in quantum many-body systems ( 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ね合わせ ) 氏名森前智行 本論文では 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ねあわせを研究する 状態の重ね合わせ というのは古典論には無い量子論独特の概念であり 数学的には
Microsoft PowerPoint - 物情数学C（2012）（フーリエ前半）_up
年度物理情報工学科 年生秋学期 物理情報数学 C フーリエ解析 (Fourier lysis) 年 月 5 日 フーリエ ( フランス ) (768~83: ナポレオンの時代 ) 歳で Ecole Polyechique ( フランス国立理工科大学 ) の教授 ナポレオンのエジプト遠征に従軍 (798) 87: 任意の関数は三角関数によって級数展開できる という フーリエ級数 の概念を提唱 ( 論文を提出
Microsoft Word - 中村工大連携教材（最終 ）.doc
音速について考えてみよう! 金沢工業大学 中村晃 ねらい 私たちの身の回りにはいろいろな種類の波が存在する. 体感できる波もあれば, できない波もある. その中で音は体感できる最も身近な波である. 遠くで雷が光ってから雷鳴が届くまで数秒間時間がかかることにより, 音の方が光より伝わるのに時間がかかることも経験していると思う. 高校の物理の授業で音の伝わる速さ ( 音速 ) は約 m/s で, 詳しく述べると
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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV
化学結合が推定できる表面分析 Ｘ線光電子分光法
1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子
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4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗
D論研究 :「表面張力対流の基礎的研究」
D 論研究 : 表面張力対流の基礎的研究 定常 Marangoni 対流 及び非定常 Marangoni 対流に関する実験及び数値解析による検討 Si 単結晶の育成装置 Cz 法による Si 単結晶育成 FZ 法による Si 単結晶育成 気液表面 るつぼ加熱 気液表面 大きな温度差を有す気液表面では表面張力対流 (Marangoni 対流 ) が顕著 プロセス終了後のウエハ Cz 法により育成した
Microsoft Word NWQDlasers_3_v3 JT_otk_修正履歴なし 荒川_修正
プレスリリース 2015 年 6 月 25 日 国立大学法人東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 世界最小量子ドットレーザの室温動作に成功 ~ 高効率ナノレーザの実用化に弾み ~ 国立大学法人東京大学 ( 総長 : 五神真 ) ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 ( 機構長 : 荒川泰彦 = 生産技術研究所教授 ) の荒川泰彦教授 舘林潤特任助教らは このほど 高効率ナノレーザ注
If(A) Vx(V) 1 最小 2 乗法で実験式のパラメータが導出できる測定で得られたデータをよく近似する式を実験式という. その利点は (M1) 多量のデータの特徴を一つの式で簡潔に表現できること. また (M2) y = f ( x ) の関係から, 任意の x のときの y が求まるので,
If(A) Vx(V) 1 最小 乗法で実験式のパラメータが導出できる測定で得られたデータをよく近似する式を実験式という. その利点は (M1) 多量のデータの特徴を一つの式で簡潔に表現できること. また (M) y = f ( x ) の関係から, 任意の x のときの y が求まるので, 未測定点の予測ができること. また (M3) 現象が比較的単純であれば, 現象を支配 する原理の式が分かることである.
線形弾性体 線形弾性体 応力テンソル とひずみテンソルソル の各成分が線形関係を有する固体. kl 応力テンソル O kl ひずみテンソル
Constitutive equation of elasti solid Hooke s law λδ μ kk Lame s onstant λ μ ( )( ) ( ) linear elasti solid kl kl Copyright is reserved. No part of this doument may be reprodued for profit. 線形弾性体 線形弾性体
物理学 II( 熱力学 ) 期末試験問題 (2) 問 (2) : 以下のカルノーサイクルの p V 線図に関して以下の問題に答えなさい. (a) "! (a) p V 線図の各過程 ( ) の名称とそのと (& きの仕事 W の面積を図示せよ. # " %&! (' $! #! " $ %'!!!
物理学 II( 熱力学 ) 期末試験問題 & 解答 (1) 問 (1): 以下の文章の空欄に相応しい用語あるいは文字式を記入しなさい. 温度とは物体の熱さ冷たさを表す概念である. 物体は外部の影響を受けなければ, 十分な時間が経過すると全体が一様な温度の定常的な熱平衡状態となる. 物体 と物体 が熱平衡にあり, 物体 と物体 が熱平衡にあるならば, 物体 と物体 も熱平衡にある. これを熱力学第 0
多次元レーザー分光で探る凝縮分子系の超高速動力学
波動方程式と量子力学 谷村吉隆 京都大学理学研究科化学専攻 http:theochem.kuchem.kyoto-u.ac.jp TA: 岩元佑樹 iwamoto.y@kuchem.kyoto-u.ac.jp ベクトルと行列の作法 A 列ベクトル c = c c 行ベクトル A = [ c c c ] 転置ベクトル T A = [ c c c ] AA 内積 c AA = [ c c c ] c =
研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を
研究部 研究課題名 Cu(In,Ga)Se 2 多結晶薄膜の局所構造と太陽電池性能の相関 研究代表者名立命館大学 理工学部 峯元高志 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに太陽電池が 21 世紀を担うクリーンエネルギーとして期待されている 現状では 結晶シリコンが太陽電池材料の主流である 一方 ガラス等の基板上に金属や半導体などの薄膜を堆積させた薄膜型太陽電池が 低コスト
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凝集しにくい粒径約 20 nm のコアシェル型ナノ粒子を開発 - 光学フィルムへの応用に期待 - 平成 25 年 1 月 29 日独立行政法人産業技術総合研究所北興化学工業株式会社 ポイント 酸化セリウムとポリマーからなるナノ粒子の粒径を従来の 2 分の 1 以下に このナノ粒子を高濃度に含有させて樹脂フィルムに透明性を維持したまま高屈折率を付与 ナノ粒子の量産化の研究開発を推進し サンプル提供を開始
Title 有機デバイスの基礎科学と高機能化 Author(s) 梶, 弘典 Citation 京都大学化学研究所スーパーコンピュータシステム研究成果報告書 (2014), 2013: Issue Date URL
Title 有機デバイスの基礎科学と高機能化 Author(s) 梶, 弘典 Citation 京都大学化学研究所スーパーコンピュータシステム研究成果報告書 (2014), 2013: 65-68 Issue Date 2014-03 URL http://hdl.handle.net/2433/186385 Right Type Article Textversion publisher Kyoto
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
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