前回の復習 (1) 原子を操る, 量子を操る 原子を見る, 操る 走査プローブ顕微鏡 (STM, AFM) ナノサイエンス 巨視的量子現象 量子統計 ボース粒子とフェルミ粒子 4 He と 3 He 液体ヘリウム ( 4 He) の超流動 原子気体のボース アインシュタイン凝縮

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1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合

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登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目

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1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し

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今までの研究成果概要 西田信彦実験手法として 極低温技術 超高真空技術 極低温走査トンネル分光法 ミュオンスピン回転法を用いて また 世界最高精度で測定できる装置を設計製作して 新しい実験研究を行うように心掛けてきた 現在 自作の STM/STS は 空間分解能 安定度で世界最先端が実現してされてい

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2. コンデンサー 極板面積 S m 2, 極板間隔 d m で, 極板間の誘電率が ε F/m の平行板コンデンサー 容量 C F は C = ( )(23) 容量 C のコンデンサーの極板間に電圧をかけたとき 蓄えられる電荷 Q C Q = ( )(24) 蓄えられる静電エネルギー U J U

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

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氏 名 田 尻 恭 之 学 位 の 種 類 博 学 位 記 番 号 工博甲第240号 学位与の日付 平成18年3月23日 学位与の要件 学位規則第4条第1項該当 学 位 論 文 題 目 La1-x Sr x MnO 3 ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ 士 工学 効果の研究 論 文 審 査

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2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO

Transcription:

2005 年 12 月 12 日学術俯瞰講義 物質の科学 第 6 回第 7 回 第 8 回 第 9 回 : このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります 物性物理学とは何をする学問か量子力学と人工構造物質 - ハイテクと先端物理原子を操る, 量子を操る -ナノサイエンスと量子情報 多様な物質, 多様な物性 東京大学物性研究所家泰弘

前回の復習 (1) 原子を操る, 量子を操る 原子を見る, 操る 走査プローブ顕微鏡 (STM, AFM) ナノサイエンス 巨視的量子現象 量子統計 ボース粒子とフェルミ粒子 4 He と 3 He 液体ヘリウム ( 4 He) の超流動 原子気体のボース アインシュタイン凝縮

量子情報処理 前回の復習 (2) 量子力学における測定 シュテルン ゲルラッハの実験 観測による干渉性の喪失 ( デコヒーレンス ) EPR 実験, ベルの不等式 暗号のしくみ 鍵と暗号 公開鍵暗号素因数分解 量子コンピューター 量子ビット 量子ゲート 量子暗号 ( 秘密鍵配信 )

今日のお話 固体の中の電子状態 ( バンド構造 ) 金属, 絶縁体, 半導体 磁性 超伝導

固体の中の電子状態 ( バンド構造 )

固体の中の電子状態 周期的に並んだ原子がつくるポテンシャルの中の電子の運動を量子力学で扱う 2 つの考え方 原子をならべて行く 強束縛電子模型 (tight-binding model) 自由空間から出発して, 周期ポテンシャルを導入する 準自由電子模型 (nearly free electron model)

原子をならべる -e 水素分子 : H 2 +e +e -e 水素原子を周期的に並べる 隣接原子の電子雲の重なり合いによって電子の跳び移りが起こり, 電子は結晶全体を動き回る

跳び移りによるエネルギー幅の広がり エネルギー エネルギー 原子の電子エネルギー準位が, 電子の跳び移りによって, それぞれ広がってバンドを形成する

周期構造による波の散乱 池に立てられた杭の列に打ち寄せる波 波長が散乱体の配列周期の整数倍である波は強く反射 ( ブラッグ反射 ) され, 入射波と反射波の干渉によって定在波ができる 特定の波長では進行波ができない e i ( kx ω t ) i( kx ω t ) iω t + e = 2e cos( kx)

ブラッグ反射による バンドとギャップの形成 エネルギー エネルギー バンド ギャップ 0 k 波数 ( 運動量 ) π/a 0 π/a k 電子がとり得るエネルギー範囲 ( バンド ) と, とり得ないエネルギー範囲 ( ギャップ ) ができる 周期に相当する波数 バンド 周期ポテンシャルの役割 電子のエネルギーと運動量の関係 ( 分散関係 ) を変える ( ブロッホ電子 )

電子バンド構造 自由電子 準自由電子モデル 遍歴電子 結晶中の電子 ( ブロッホ電子 ) 孤立原子 強束縛モデル 局在電子

金属, 絶縁体, 半導体

金属と絶縁体 途中まで詰まったバンド 電流が流れる 完全に詰まったバンド 電場をかける 電流が流れない エネルギー 金属 絶縁体 ( バンド絶縁体 )

ブロッホ電子の運動 運動量空間 ε 1 dε ( k) v k = h dk m dk dt = e E 速度 0 速度 0 速度負 0 電場 E k 速度正実空間では 絶縁体 金属 金属 電場がかかっても電子の詰まり方は変わらない 散乱が全くなければ電子は往復するだけ? 実際の物質では散乱のためにフェルミ面が少しずれた状態が定常となる

半導体の電子と正孔 ( ホール ) 伝導帯 hν 価電子帯 電子 正孔ホール 熱励起 光吸収 電場 E 半導体では熱励起または光吸収によって生成される少数のキャリアー ( 伝導帯の電子, 価電子帯の正孔 ) が電気伝導を担う

電気抵抗の温度変化 電気抵抗 半導体 半導体 ( 絶縁体 ) では, 温度が高いほど熱励起によって ( キャリアー ) 電子や正孔が数多く生成されるため, 電気抵抗が低くなる. 金属 温度 金属では, 電子の数は温度によって変化しない. 高温では格子振動が電子に対する散乱するとして働く. 低温極限での電子散乱は不純物や欠陥などによって決まる.

ドーピング 伝導帯 ドナー ( 電子供与体 ) ~1eV ~10000K + ~0.1eV 価電子帯 Si P 水素原子に似ている ドナー ( 電子供与体 ) 不純物を添加して, 伝導帯に電子が供給されるようにしたものを n- 型半導体, アクセプター ( 電子受容体 ) 不純物を添加して, 価電子帯に正孔ができるようにしたものを p- 型半導体という アクセプター ( 電子受容体 )

p-n 接合 発光ダイオード 発光ダイオード p 型 n 型 放出される光の色は半導体のバンドギャップで決まる 1eV ~ 3eV 赤外 ~ 青色

( 単純な ) 金属絶縁体転移 エネルギー 高圧力 金属 ( 半金属 ) 絶縁体 ( バンド絶縁体 ) 高い圧力をかけて格子を押し縮めることによってバンド幅が広がり, 価電子帯と伝導帯に重なりが生じる ( エネルギーギャップが閉じる )

モット絶縁体 同じ軌道に電子が 2 個入った状態は電子間クーロン斥力 U の分だけエネルギーが高くなる ベッドの数と子供の数がちょうど同じ場合 身動きがとれない 2 段ベッドで遊ぶ子供たち 後から来た子供は 2 段ベッドの上に入らなければならない ベッドの数より子供の数が少ない場合 ベッドの数より子供の数が多い場合 動くには隣のベッドの上段によじ登らなくてはならない モット絶縁体

強相関電子系 モット絶縁体のように, 電子間の強いクーロン相互作用が電子のふるまいを支配している系を 強相関電子系強相関電子系 という. 高温超伝導や超巨大磁気抵抗効果超巨大磁気抵抗効果など, 数々のめざましい現象が強相関電子系を舞台として起こる. 強相関電子系のふるまいは本質的に難しい多体問題であり, その物理的本質の解明に現在多くの研究者が努力を傾倒している.

磁性

強磁性 ある物質が磁石 ( 強磁性体 ) であるためには (1) 原子 ( あるいは分子 ) が磁気モーメント ( ミクロの磁石 ) をもつ (2) それらの磁気モーメントが同じ向きにそろう (3) マクロな試料が全体として磁化をもつ 磁区 磁壁

電子エネルギー準位の詰まり方 7s 6s 5s 6p 5p 多電子原子 5d 4d 4f 4s 4p 3d 3s 2s 3p 2p H Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr MnFeCo Ni Cu ZnGaGe Ge As Se Br Kr Rb 遷移金属 He Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pr Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Ac Ru Ha Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu 1s Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No Lw

原子 ( イオン, 分子 ) の磁気モーメント 原子の d 軌道 スピン, スピンに対してそれぞれ 5 つの席がある ここに電子をどう詰めるか? その原子が置かれた環境 ( 結晶場 ) によって,5 つのエネルギー準位が分裂する 電子間のクーロン反発をできるだけ避けるには, スピンの向きを同じにそろえるほうが得 ( フント則 ) Fe 2+ (d 電子が 6 個 ) の例 分裂が小さい場合 分裂が大きい場合

原子の磁気モーメントをそろえる 原子の磁気モーメントをそろえる力はなにか? N 古典電磁気学の磁気双極子相互作用? S S N N S 2 つのスピンが平行 ( スピン 3 重項 ) N S 相互作用として弱すぎる ( エネルギー <1K) ( + )/ 2 クーロン相互作用エネルギーに差 ( 交換相互作用 ) 2 つのスピンが反平行 ( スピン 1 重項 ) ( - )/ 2 量子力学的な効果交換相互作用 ( スピンに向きによるクーロン相互作用の違い ) 強磁性的 J >0 反強磁性的 J <0 エネルギー =-J s 1 s 2

常磁性 ( マクロな磁化なし ) 磁性体のいろいろ 強磁性 ( マクロな磁化あり ) 秩序状態 高温では 反強磁性 ( マクロな磁化なし ) フェリ磁性 ( マクロな磁化あり ) 無秩序状態

磁気秩序 ( 協力現象と相転移 ) 磁場をかける 磁場 高温の無秩序状態 低温 交換相互作用によってスピンをそろえる力は磁場に換算すると数 100 テスラといった大きな値 相転移 隣のスピンと平行になろうとする 強磁性秩序状態

磁区と磁壁 強磁性体の磁化過程 磁気履歴曲線 磁化 磁場 0 磁場 磁区 磁壁 磁区

スピントロニクスエレクトロニクス : 電子の電荷の自由度を利用スピントロニクス : 電子の電荷およびスピンの自由度を利用 スピンバルブ素子 スピン トランジスタ 磁化が同じ向きならば電流が流れやすい ( スピン偏極 ) 電流による磁壁の駆動 磁化が逆向きならば電流が流れにくい

超伝導

元素の超伝導 H 元素の超伝導 He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pr Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Ac Ru Ha Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es F m Md No Lr Al 通常の結晶形で超伝導になる物質 Si Cu 高圧下やアモルファス状態など特殊な条件下でのみ超伝導になる物質 超伝導相が見つかっていない物質

超伝導転移温度の変遷 MgB 2

超伝導の基本的性質 電気抵抗 完全導体 ( ゼロ抵抗 ) 永久電流 超伝導転移温度 温度 Φ= nφ 0 磁束の量子化 h φ0 = 2 e = 2.07 10 15 Wb 超流動における循環 ( 渦 ) の量子化と同じ エネルギー 磁束

超伝導体 完全導体 導体に磁場をかけると遮蔽電流が流れる ( レンツの法則 ) が, 抵抗のためにすぐに減衰する. 完全導体なら遮蔽電流が減衰せずに流れ続ける. H H c 0 しかしその場合は, 状態が磁場のかけ方に依ってしまう. 4 超伝導相 ( マイスナー状態 ) 2 常伝導相 T c 3 1 T マイスナー効果 ( 完全反磁性 ) 超伝導体では磁場が完全に排除される. 超伝導遮蔽電流は熱平衡状態で流れている電流である

第 Ⅰ 種超伝導体と第 Ⅱ 種超伝導体 第 Ⅰ 種超伝導体 第 Ⅱ 種超伝導体 -M 臨界磁場 -M 下部臨界磁場 上部臨界磁場 0 H c H 0 Hc1 H c Hc2 H B B 混合状態 常伝導状態 マイスナー状態 0 マイスナー状態 H c H 0 Hc1 Hc2 H 常伝導状態実用材料として使われる超伝導物質は第 Ⅱ 種超伝導体

量子磁束 ( 渦糸 ) 量子磁束 ( 渦糸 ) 第 Ⅱ 種超伝導体の混合状態 φ 0 h = 2 e = 2.07 10 15 Wb 渦糸間には斥力が働く 三角格子 磁束格子 ( アブリコソフ格子 )

磁束格子の観察 ビッター法 (Essmann & Traueble,1968) ローレンツ顕微鏡 ( 外村彰, 1992) 走査トンネル顕微鏡 (Hess, 1989)

渦糸に対するローレンツ力とピン留め 渦糸の運動速度 v ローレンツ力 F = J B 渦糸のピン留め 磁場 電場 E = v B 渦糸 電流 渦糸がピン留めされて動かなければエネルギー散逸は生じない 渦糸が動くと電場が発生する. 電流の方向に電場が生ずるということは, ゼロでない電気抵抗 ( エネルギー散逸 ) が発生するということ. ローレンツ力 vs ピン留め渦糸が動き出す電流密度 臨界電流密度

硬い 超伝導体 渦糸に対するピン留めの強い超伝導体 磁気履歴曲線 磁化 臨界電流まで遮蔽電流が流れる 磁束密度の勾配が決まる 砂山の形成 ( 自己組織化臨界状態 ) 磁場

ジョセフソン接合 Ψ 0 e iθ 1 Ψ 0 e iθ 2 Ψ 0 e iθ 1 Ψ 0 e iθ 2 トンネル接合 弱結合 ジョセフソン電流接合間の位相差による J = J c sin( θ θ ) 2 1 超伝導量子干渉計 (SQUID) 回路に流れる超伝導電流が磁束量子を単位として周期的に変化 I = cos max 2I c 2 φ π φ0

超伝導の機構 クーパー対の形成 引力の起源は? 電子格子相互作用 + + + + フェルミ面上の 2 個の電子に引力が働くと束縛状態 ( クーパー対 ) が形成される. + + + + + + + + + + + T + 超伝導転移温度 c 電子格子相互作用を介した電子間引力が電子間のクーロン斥力に打ち勝って正味の引力が働けばよい 1 = 1.14 Θ D exp N(0) V

バーディーン クーパー シュリーファー (BCS) 機構 電子間クーロン斥力に打ち勝つ電子間引力 クーパー対の大きさ クーパー対の形成 コヒーレンス長 クーパー対のボース アインシュタイン凝縮 超伝導状態 クーパー対は互いに重なり合っている 通常の分子の場合, 分子の大きさは粒子間距離よりも小さい

異方的超伝導 クーパー対の対称性 s 波 (l = 0) ( スピン 1 重項 ) d 波 (l = 2) ( スピン 1 重項 ) p 波 (l = 1) ( スピン 3 重項 ) 多くの物質の超伝導 銅酸化物高温超伝導物質など ルテニウム酸化物 UPt 3 3 He の超流動

エキゾチック超伝導 銅酸化物超伝導体 (YBa 2 Cu 3 O 7,Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 ) Sr 2 RuO 4 重い電子系 (UPt 3, CeCu 2 Si 2 ) 有機超伝導体 MgB 2 ((TMTSF) 2 PF 6, (BEDT-TTF) 2 Cu(NCS) 4 ) アルカリドープ フラーレン K 3 C 60 硼素ドープ ダイヤモンド

室温超伝導は可能か? 超伝導転移温度 T c 1 = 1.14 Θ D exp N(0) V 格子振動の特徴的エネルギースケール 電子格子相互作用の強さ ~30K 程度が限界? MgB 2 T c T * exp 1 λ 電子間引力を媒介する素励起の特徴的エネルギースケール 相互作用の強さ 室温超伝導 : 不可能であるという理由はない

まとめ 固体の中の電子状態 ( バンド構造 ) バンドとギャップ 金属, 絶縁体, 半導体 伝導を担うもの 金属絶縁体転移, モット絶縁体, 強相関電子系 磁性 原子の磁気モーメント 交換相互作用 磁区構造 スピントロニクス 超伝導 超伝導の基本的性質 BCS 機構 エキゾチック超伝導物質

学術俯瞰講義 物質の科学 第 6 回第 7 回第 8 回第 9 回 物性物理学とは何をする学問か量子力学と人工構造物質 - ハイテクと先端物理原子を操る, 量子を操る -ナノサイエンスと量子情報多様な物質, 多様な物性 東京大学物性研究所家泰弘

物性物理学 ( 物質科学 ) 多様な物質の多様な性質 ( 物性 ) を物理学の基本原理 ( 量子力学 ) に基づいて理解する 実験と理論のキャッチボール 量子力学の基礎に迫るような実験も行われるようになった 現代文明を支える電子機器, 光通信などを初めとするさまざまな物質 ( 材料 ) の基礎 小宮山先生の講義