hν 688 358 979 309 308.123 Hz

α α α α α α

No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに 長時間 連続運転可能な 使える 光周波 数シンセサイザとして 様々な 応用に展開していきたいと考え ている 10 (UURU +] (UURU +] したレーザーへの位相同期の技 7LPH V D 7LPH V E 図 9 Yb:KYW レーザー光周波数コムの位相同期 a オフセット 周波数 b レーザーとコムのモードとのビート周波数 周 波数カウンタのゲート時間 1 秒 Error がその逆数 1Hz より も十分小さく位相同期が達成されている

R v T V ktk T k k kt v i x k k k T k E k A k x k B k V x k A k k B k V B k E k x k x k A k x k B k V B k E k k k w k x k z k z k A z k B z k w k w k B z k z k A Q P A T PA Q P r B z k T PA z k w k k k r B z k T PB z k

8 12 3 5 4 6 7 11 1 10 2 9 1 2 3 4

0-20 -40-60 -80 Solid lines: S DD21, Broken lines: S DC21 Black lines: HUB A, Grey lines: HUB B -100 1 3 10 30 100 300 [MHz] [db] et al.

Coincidence counts [/10s] 0 /2 Phase [rad]

G e h et al. et al.

V V V V V V

10-4 (a) 10-5 Intensity [a.u.] 10-4 10-5 10-4 (b) (c) Cav. A Cav. B 10-5 0 100 200 300 400 Time [ps]

J

V DD V A R PKG V VCCS V R PKG R Mesh R Mesh VCCS RO RO Freq. Max. IRD 16mV Max error 2.0mV Min. IRD 9mV Volt. source PKG On-chip component

Fmax ΔF RO ΔF / Fmax = 10.4% VDD RO = 0.65V 7-stage RO 0 ~80 s (a) ΔF / Fmax = 0.6% RO VDD RO = 0.65V 7-stage RO 0 ~80 s (b)

Ionization Coefficient (cm -1 ) 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1 NPT3 (N a =3.7x10 16 cm -3 ) NPT4 (N a =1.3x10 17 cm -3 ) PT1 (W=4.75 m) PT2 (W=2.12 m) NPT1 (N d =4.0x10 16 cm -3 ) NPT2 (N d =2.0x10 16 cm -3 ) 10 0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Inverse of Electric Field (cm/mv) Current Density (A/cm 2 ) 60 40 20 P = 100 m S = 100 m 500 m PiN Region JBS Region Edge Termination p + -type Epitaxial Anode p + -barrier Space-Modulated JTE n - -type Voltage-Blocking Layer (6x10 14 cm -3, 95 m) n + -type 4H-SiC Substrate Cathode 0 0 1 2 3 4 Forward Voltage (V) Current Density (ma/cm 2 ) 10 8 6 4 2 N d = 6x10 14 cm -3, d = 95 μm P = S = 100 μm 11.3 kv 0 0 5000 10000 Reverse Bias Voltage (V)

Radiation intensity (a.u.) 5 4 3 2 1 (2.3 mw) (300 ) Q=101 (48 ) 0 600 800 1000 1200 1400 1600 Wavenumber (cm -1 ) Radiation intensity (a.u.) 3 2 1 0 0 V 10 V (db) 0-5 -10 100 1k 10k 100k 1M (Hz) 1000 1500 2000 Wavenumber (cm -1 )

step 0 step 50 step 100 step 200 step 900 PC y PC Relative pulse absorptivity 1.2 1.15 1.1 1.05 1 0 200 400 600 800 Steps Absorptivity 1 0.8 0.6 0.4 0.2 x J sc = 32.0 ma/cm 2 0 400 600 800 1000 Wavelength (nm)

(a) Radiation intensity(a.u.) ity(a.u.) SiC Q : 4.0 10 4 1509.0 1509.2 1509.4 Wavelength(nm) (b) Radiation intensity(a.u.) SiC SiO 2 Si 1500.84 SiC Q : 3.0 10 5 (c) 1500.88 1500.92 Wavelength(nm) CCD CCD

α α α α α α α α α α α α α α on sapphire substrates (600 nm) on sapphire substrates (1200 nm) on annealed buffer layer (600 + 600 nm) Mobility [cm 2 /Vs] 20 10 0 10 17 10 18 10 19 Carrier density [cm -3 ] α

Figure 1: High-quality knowledge acquisition overview

11 10 Nonlinear Linear 11 10 Nonlinear Linear Q [db] 9 8 Q [db] 9 8 7 7 6-8 -6-4 -2 0 2 4 P in [dbm] 6-8 -6-4 -2 0 2 4 P in [dbm/ch]

eitb foot point (r/a) 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 0.0 before island formation 0.5 1.0 I p [ka] after island formation 1.5

Intensity [arb. unit] AlN [%] -0.53-0.30-0.09-0.01 +0.07 AlN 630 640 650 660 670 680 Raman shift [cm -1 ] GaN x-ray AlN SiC μ 1 asub R( ρ) = 2 a a bulk sub asubρ 1 a ρ sub AlN SiC AlN SiC

duration browsing states gaze actions gaze targets prob