重イオンビームを用いたシングルイベント効果の評価技術

重イオンビームを用いたシングルイベント効果の評価技術

宇宙放射線が半導体に及ぼす 三つの放射線影響 小野田忍 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門 半導体耐放射線性研究グループ O N O D A. S H I N O B U @ J A E A. G O. J P TEL: 027-3 4 6-9324 1. 放射線と半導体 1. 半導体を取り巻く放射線環境 2. 半導体に対する三つの放射線影響 発表内容 2. 原子力機構 高崎量子応用研究所

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ILD ハドロンカロリメータのための シンチレータセルユニットの研究開発 第 21 回 ICEPP シンポジウム 東京 大学柴 田直哉 目次 ILC の検出器案 ILD における HCAL について HCAL に使 用する MPPC の放射線照射試験 ガンマ線照射試験 @ 高崎量量 子応 用研究所 中性 子照射試験 @ 神 戸 大学 ILD におけるハドロンカロリメータ 吸収層 : 鉄検出層 : セルユニット

イオンマイクロビームを用いた局所微量元素分析 日本原子力研究開発機構放射線高度利用施設部ビーム技術開発課佐藤隆博

イオンマイクロビームを用いた局所微量元素分析 日本原子力研究開発機構放射線高度利用施設部ビーム技術開発課佐藤隆博 従来技術 電子線マイクロアナライザ (EPMA) 走査型電子顕微鏡 - エネルギー分散型 X 線分光 (SEM-EDS) プローブが電子線 試料から発生する特性 X 線のエネルギー 元素の種類 試料から発生する特性 X 線の強度 元素の量 問題点 SEM-EDS 装置 https://www.jaea.go.jp/04/anz

平成22年度「技報」原稿の執筆について

放射線場における LED 照明器具の寿命と対策 橋本明宏 近藤茂実 下山哲矢 今井重文 平墳義正 青木延幸 工学系技術支援室環境安全技術系 はじめに 照射施設や加速器施設等では 高線量の放射線場を有する そのような高線量の放射線場では 多くの電気機器は寿命が著しく短くなるなど不具合を起こすことが知られている 工学研究科の放射線施設の1つである コバルト 60 ガンマ線照射室の高線量の放射線場に設置された

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

natMg+86Krの反応による生成核からのβ線の測定とGEANTによるシミュレーションとの比較

nat Mg+ 86 Kr の反応による生成核からの β 線の測定と GEANT によるシミュレーションとの比較 田尻邦彦倉健一朗 下田研究室 目次 実験の目的 nat Mg+ 86 Kr 生成核からの β 線の測定 @RCNP 実験方法 実験結果 GEANT によるシミュレーション 解析 結果 まとめ 今後の課題 実験の目的 偏極した中性子過剰 Na アイソトープの β-γ-γ 同時測定実験を TRIUMF

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

気体を用いた荷電粒子検出器

2009/12/7 物理学コロキウム第 2 気体を用いた荷電粒子検出器 内容 : 1. 研究の目的 2. 気体を用いた荷電粒子検出器 3. 霧箱での α 線の観察 4. 今後の予定 5. まとめ 柴田 陣内研究室 寄林侑正 2009/12/7 1 1. 研究の目的 気体の電離作用を利用した荷電粒子検出器の原理を学ぶ 実際に霧箱とスパークチェンバーを作成する 放射線を観察し 荷電粒子と気体粒子の相互作用について学ぶ

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

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1/30 高崎量子応用研究所施設供用システム操作手引書 ( ユーザ用 ) 平成 23 年 2 月 改訂版 2/30 目次 1. システム起動方法 P.3 2. ユーザ情報登録 P.5 3. マイメニュー P.9 4. ユーザ情報変更 P.10 5. パスワードリマインダ P.14 6. イオン照射研究施設供用申込 P.17 7. イオン照射研究施設供用申込一覧 P.21 8. 電子 ガンマ照射研究施設供用申込

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報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授

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電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

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U 鉱山 0.7% U 235 U 238 U 鉱石 精錬 What is DU? U 235 核兵器 原子力発電濃縮ウラン濃縮工場 2~4% 使用済み核燃料 DU 兵器 U 235 U 236 再処理 0.2~1% 劣化ウラン (DU) 回収劣化ウランという * パーセント表示はウラン235の濃度 電子 原子 10-10 m 10-15 m What is 放射能? 放射線 陽子中性子 原子核 1

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集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

P.1 1. はじめに 加速器とは 電気を持った電子や陽子 または原子から電子をはぎ取ったイオンなどを荷電粒子といい そのような荷電粒子を電磁力によって加速する装置 をいいます 加速器は 物質や生命の謎を解き明かすとともに 新材料の開発 農作物の品種改良 医療への利用など わたくしたちの身近な分野で

013 年 3 月 一般社団法人日本電機工業会 加速器特別委員会 P.1 1. はじめに 加速器とは 電気を持った電子や陽子 または原子から電子をはぎ取ったイオンなどを荷電粒子といい そのような荷電粒子を電磁力によって加速する装置 をいいます 加速器は 物質や生命の謎を解き明かすとともに 新材料の開発 農作物の品種改良 医療への利用など わたくしたちの身近な分野で社会に役立っています 以下に 加速器とはどのような原理で動作するものかを説明していきます.

耐放射線設計標準

耐放射線設計標準 平成 20 年 9 月 3 日 制定 宇宙航空研究開発機構 免責条項ここに含まれる情報は 一般的な情報提供のみを目的としています JAXA は かかる情報の正確性 有用性又は適時性を含め 明示又は黙示に何ら保証するものではありません また JAXA は かかる情報の利用に関連する損害について 何ら責任を負いません Disclaimer The information contained

FPWS2018講義千代

千代勝実(山形大学) 素粒子物理学入門@FPWS2018 3つの究極の 宗教や神話 哲学や科学が行き着く人間にとって究極の問い 宇宙 世界 はどのように始まり どのように終わるのか 全てをつかさどる究極原理は何か 今日はこれを考えます 人類はどういう存在なのか Wikipediaより 4 /72 千代勝実(山形大学) 素粒子物理学入門@FPWS2018 電子レンジ 可視光では中が透け

共同開発研究の中核として 研究開発を進めている 研究内容と成果 2 種類のシリコン結晶をひとつのウエハー内に持つという SOI 構造 ( 図 1) の特長を最大限に活かした 高い放射線検出効率を持った信号処理回路一体型の微細ピクセルセンサーを実現した ( 図 2 図 3) 開発した SOI ピクセル

報道関係者各位 平成 29 年 6 月 23 日 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構国立大学法人筑波大学 世界最高精度の放射線測定センサーを開発 本研究成果のポイント 1)SOI 技術を使って 超微細ピクセルの放射線センサーを開発 2) 世界で初めて 1μm 以下の位置測定器精度を達成 3) 素粒子 原子核実験 更には放射光実験での活躍が期待 概要 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

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CyberKnife の吸収線量測定及び 当院における QA QC への取り組み 横浜サイバーナイフセンター 1) 横浜市立大学大学院 2) 井上光広 1)2) 大川浩平 1) 仙田学 1) 帯刀光史 1) 佐藤健吾 1) 横浜市立大学附属病院小池泉 首都大学東京大学院河内徹 CyberKnife の吸収線量測定 60 Coγ 線以外の線質での水吸収線量 D = M N k w, Q Q D,w,Q

スタート! RI119

59 60 放射性物質対応教材 附属資料 2-3 放射性物質の危険性 1.ⅠAEA 国際原子力機関 が示している放射線源の潜在的危険性に応じたカテゴリ分けを参考に以下に示し ます ただし 通常 強い放射線を出す線源は 密封され 遮へい容器に入っていますが 下表において は 仮に遮へい容器から線源がむき出しとなった場合の危険性を表しています カテゴリー 線源の危険性 １ 人体に極端に危険 放射能 1000

英文タイトル

マクロドジメトリとマイクロドジメトリの融合 日本原子力研究開発機構佐藤達彦 概要 DNA 損傷率や細胞致死率の測定など, 放射線生物学で得られた知見を被ばく線量評価に反映させるためには,DNA や細胞など微視的な領域を対象としたマイクロドジメトリと, 人体など巨視的な領域を対象としたマクロドジメトリの知見を融合する必要がある そこで, 本稿ではマイクロドジメトリとマクロドジメトリ, それぞれの分野で

Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r 2 e = (e 2 mc 2 ) 2 で表される為

Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments.. Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r e = (e mc ) で表される為 質量に大きく依存する Ex) 電子の次に質量の小さいミューオンの制動放射によるエネルギー損失 m e 0.5 MeV, m

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

TC74HC14AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

等価線量

測定値 ( 空気中放射線量 ) と実効線量 放射線工学部会 線量概念検討 WG はじめに福島原子力発電所事故後 多く場所で空気中放射線量 ( 以下 空間線量という ) の測定が行われている 一方 人体の被ばくの程度の定量化には 実効線量が使われるということについても 多くのところで解説がされている しかしながら 同じシーベルトが使われている両者の関係についての解説はほとんど見られない 両者の関係を理解することは

TC4093BP/BF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND

放射線化学, 87, (2009)

放射線医学総合研究所基盤技術部須田充 放射線医学総合研究所基盤技術部 ネオス テック萩原拓也 放射線医学総合研究所基盤技術部酢屋徳啓 濱野毅高田真志 今関等 Neutron exposure Accelerator System for Biological Effect Experiments (NASBEE) is installed for research on the biological

Ł\”ƒ-2005

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

第90回日本感染症学会学術講演会抄録（I）

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核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University

研究紹介 ～粒子線シミュレーション～

粒子線治療にかかわる シミュレーション計算 高階正彰 ( 阪大医 ) がんの主な治療法 手術 日本で一番多い 化学療法 放射線治療 (X 線 ( 光子 ) がほとんど ) http://www.gsic.jp/cancer/cc_07/ysc01/index.ht ml Advantages of Radiotherapy Non-invasive ( 非侵襲 ) Functional preservation

計量標準報告Vol8No1

技術資料 診断用 X 線の線量計測標準及び高線量線量標準に関する調査研究 田中隆宏 ( 平成 22 年 5 月 26 日受理 ) A survey on dosimetry in diagnostic radiology and in radiation processing Takahiro TANAKA 1. 緒言放射線の利用は現在の我々の生活に欠かせないものとなっている. 例えば, 高分子や半導体加工,

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LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった

登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目

登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS0061 1995 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 210-0821 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目 25 番 20 号法人番号 7010005018674 研究開発課 Tel: 044-589-5494

何が起こっているかを知ろう！

ケーススタデイ - その 1 表面汚染の検査に多く用いられる大面積端窓型 GM 計数管の表示値と表面汚染密度の関係 注 : 本換算は表面の汚染に対しての計算例であり 瓦礫など汚染が表面に限定されていない場合には利用できません (2015.7.29 追記 ) 参考規格 JIS Z 4329 放射性表面汚染サーベイメータ JIS Z 4504 放射性表面汚染の測定方法 (ISO 7503-1) 考察した測定機器の仕様窓径

講義の内容 放射線の基礎放射線の単位低線量被曝のリスク放射線防護

オピニオンリーダーのための熟議型ワークショップ 2012.9.29. 放射線の基礎と防護の考え方 東京大学大学院医学系研究科鈴木崇彦 講義の内容 放射線の基礎放射線の単位低線量被曝のリスク放射線防護 放射線の特徴は? 物質を透過する 線量が大きくなると障害を引き起こす RADIOISOTOPES,44,440-445(1995) 放射線とは? エネルギーです どんな? 原子を電離 励起する または原子核を変化させる能力を持つ

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

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2011.4.27 リモートコントロール化プロジェクトチーム 汎用重機やロボットにおける耐放射線性評価と管理方法の基本的な考え方第 1 版 本書の目的 東京電力 福島第一原子力発電所事故の復旧作業のため 線量率の高いところでの作業には 作業員に代わり汎用重機やロボットが投入されつつある 当面 投入される汎用重機やロボットは特別の耐放射線性対策が採られていない汎用のものである 万が一 これら汎用の重機やロボットが放射線損傷から作業現場で故障すると

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MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5

Microsoft PowerPoint - 島田美帆.ppt

コンパクト ERL におけるバンチ圧縮の可能性に関して 分子科学研究所,UVSOR 島田美帆日本原子力研究開発機構,JAEA 羽島良一 Outline Beam dynamics studies for the 5 GeV ERL 規格化エミッタンス 0.1 mm mrad を維持する周回部の設計 Towards user experiment at the compact ERL Short bunch

スライド 1

プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器

放射線専門医認定試験（２００９・２０回）／ＨＯＨＳ‐０５（基礎二次）

プログラム

第 7 回日本血管撮影 インターベンション 専門診療放射線技師認定機構 認定技師試験問題 Ⅲ 放射線防護 図表は問題の最後に掲載しています 日本血管撮影 インターベンション専門診療放射線技師認定機構

第 7 回日本血管撮影 インターベンション 専門診療放射線技師認定機構 認定技師試験問題 Ⅲ 放射線防護 図表は問題の最後に掲載しています 2014.8.3 問題 1. 医療法施行規則に定められている X 線透視装置 ( 手術中透視を除く ) の X 線管焦点 - 被写体間距離として正しいのはどれか 1. 15 cm 以上 2. 20 cm 以上 3. 30 cm 以上 4. 40 cm 以上 5.

PowerPoint プレゼンテーション

テーマ 1: 福島復興に向けた取り組みと放射線防護場の課題 Ⅲ 土壌に分布する放射性セシウムによる 公衆の被ばく線量換算係数 日本原子力研究開発機構 放射線防護研究グループ 佐藤大樹 2014/12/19 保物セミナー 2014 1 発表の内容 研究の背景 研究の目的 計算方法 計算結果 まとめ 2014/12/19 保物セミナー 2014 2 防護量 (Sv) 等価線量 H 実効線量 E 放射線加重係数

NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter L

19 P6 γ 2 3 27 NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter LaBr 3 (Ce) PMT 662keV 2.9% CsI(Tl) 7.1%

<4D F736F F F696E74202D2095FA8ECB8CF582CC88E38A C695FA8ECB90FC8EA197C A957A8E9197BF816A>

放射光の医学利用 と 放射線治療 篠原邦夫早稲田大学理工学術院総合研究所理工学研究所 Spring-8 利用推進協議会第 6 回安全安心のための分析評価研究会 2012.4.27. 於東京理科大学 放射光の医学利用と放射線治療 1. 放射光の特徴 2. 医学利用研究の概要 3. 放射線治療に関する基礎研究の概要 4.MRT 研究の背景 5. 正常組織への影響 6. 動物実験における延命効果 7. 作用機構について

資料第2－4号：「放射線発生装置の使用に伴い生じる放射化物の安全規制に係る技術基準等に関する調査

放射線発生装置の使用に伴い生じる放射化物の安全規制に係る技術基準等に関する調査 気体状 液体状の放射化物の取扱いに関する調査 平成 22 年 8 月 11 日 高エネルギー加速器研究機構 1 気体の調査方法 1 ビームの出射口にグローブボックス (1m 0.5m 0.5m ) を設置して照射 照射終了後 空気を 1.5l 電離箱に採取 同時に 室内と迷路からも採取 直ちに振動容量電位計で測定 2 気体の調査方法

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

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AESJ-PS017 r0 ポジション ペーパー ( 見解 提言 解説 その他 ) 医療分野における加速器 ビーム利用 2011 年 2 月日本原子力学会加速器 ビーム科学部会 放射線がん治療の技術進歩について世界有数の長寿国となったわが国では がんがその死因の第一となっています 近年がん治療には手術による外科治療 抗がん剤による化学治療 放射線治療があります 正常組織への損傷が少なく 抗がん剤による副作用もない放射線治療への期待が高まっています

2010/11/15

耐放射線性アクティブ駆動 HEED 撮像板の開発 Development of an image sensor using radiation-tolerant active-matrix HEED 酒村一到, 秋山周哲, 中田智成, 渡辺温, 相澤淳, 大塚正志, Kazuto Sakemura, Shutetsu Akiyama, Tomonari Nakada, Atsushi Watanabe,

1 2 3 (p,n) (d,n) X X PIXE EMIS 1 57 Cu 59 Zn 2 PAD 15 15 N 28 Si 36 MeV (d,xn) Tc II (accid) 2 RI C 60 C 70 7 60 127 60,70 79 60,70 PE

CYRIC TOHOKU UNIVERSITY 20 1011 AVF 44m PIXE x (PET)ECAT- 1981 1986 1987 PETPT931 TOF-PETPT711 1995 3 PET(SET2400W-S) 35MeV (p,n) 1 1 2 3 (p,n) (d,n) X X PIXE EMIS 1 57 Cu 59 Zn 2 PAD 15 15 N 28 Si 36

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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

TC74HC00AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

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MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い

Acrobat Distiller, Job 2

2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX

放射線化学, 92, 39 (2011)

V. M. S. V. 1 Contents of the lecture note by Prof. V. M. Byakov and Dr. S. V. Stepanov (Institute of Theoretical and Experimental Physics, Russia) are described in a series of articles. The first article

untitled

20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

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PHITS の放射線治療計画への応用 筑波大学陽子線医学利用研究センター熊田博明 がん患者数の増加と放射線治療 日本人の死亡原因の第一位はがん これからも増える一方! 平成 20 年の死亡数は約 114 万人 うち約 34 万人が悪性新生物 ' がん ( で死亡 死因の 3 人に 1 人はがん その割合は年々増加 がんの治療法外科療法 ' 手術 ( 抗がん剤治療放射線療法 切らない 痛くない 副作用が少ない

の実現は この分野の最大の課題となってい (a) た ゲージ中の 酸素イオンを 電子で置換 筆 者 ら の 研 究 グ ル ー プ は 23 年 に 12CaO 7Al2O3 結 晶 以 下 C12A7 を用 い て 安定なエレクトライド C12A7: を実現3) Al3+ O2 Cage wall O2 In cage その電子状態や物性を解明してきた4) 図 1 のように C12A7 の結晶構造は

陰極線を発生させるためのクルックス管を黒 いカートン紙できちんと包んで行われていた 同時に発生する可視光線が漏れないようにす るためである それにもかかわらず 実験室 に置いてあった蛍光物質 シアン化白金バリウ ム が発光したのがレントゲンの注意をひい た 1895年x線発見のきっかけである 2

陰極線を発生させるためのクルックス管を黒 いカートン紙できちんと包んで行われていた 同時に発生する可視光線が漏れないようにす るためである それにもかかわらず 実験室 に置いてあった蛍光物質 シアン化白金バリウ ム が発光したのがレントゲンの注意をひい た 1895年x線発見のきっかけである 2 ? 1895 9 1896 1898 1897 3 4 5 1945 X 1954 1979 1986

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日本加速器学会第 15 回年会 1 加速器施設における耐放射線性 LED 照明の実証試験 DEMONSTRATION TEST OF RADIATION-RESISTANT LED LIGHTING AT ACCELERATOR FACILITY 2018 年 8 月 10 日 ( 金 ) 15:10~15:30 [ ハイブ長岡特別会議室 2] 〇上川将章 A), 白形政司 B), 米本和浩 A),

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流

23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4

23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)

TC74HC4017AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により

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ソフトエラー対策用 EDA ツールの開発 九州大学大学院システム情報科学研究院松永裕介 設計ツールとフローの構築 安浦チーム対象範囲 ディペンダビリティアナライザ アーキテクチャ設計 RTL 設計 論理設計 ディペンダビリティエンハンサ ディペンダビリティアナライザ ディペンダビリティエンハンサディペンダビリティアナライザ ディペンダビリティエンハンサ 評価 解析 評価指標 設計変更 評価 解析 評価指標

放射線化学, 89, 25 (2010)

[ 特集記事 ] マクロドジメトリとマイクロドジメトリの融合 日本原子力研究開発機構佐藤達彦 Integration of macro-dosimetry with microdosimetry is of great importance for the improvement of various dosimetric researches such as biological dose estimation

自己紹介 南野彰宏 大学院 : 東大宇宙線研神岡グループ 暗黒物質探索 (XMASS) ( ニュートリノ (SK K2K)) 研究員 助教 : 京大高エネ ニュートリノ (T2K SK Hyper- K AXEL) 2

神岡地下での中性子測定 南野 ( 京大 ) 第 3 回 B02 班若手ミニ研究会 2015 年 5 月 17 日 @ 神戸大 1 自己紹介 南野彰宏 大学院 : 東大宇宙線研神岡グループ 暗黒物質探索 (XMASS) ( ニュートリノ (SK K2K)) 研究員 助教 : 京大高エネ ニュートリノ (T2K SK Hyper- K AXEL) 2 はじめに 12 年前にやった実験なので ほとんど忘れてます

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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC17AP,TC74HC17AF Dual J-K Flip-Flop with Clear TC74HC17A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って クロックの立ち下がりで出力が変化します

21世紀COE講義2006_5.ppt

T c T>Tc T

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2013 61 2 247 256 c 2013 1 1 2 3 4 2013 2 19 7 10 8 19 2011 6 7 64 28 20 35 1. 2011 3 11 14 46 M9 14 m 1 3 Strickland, 2011;, 2012 Leelossy et al., 2011;, 2012 131 134 137 1m µsv/h 1m 2 1 1 734 8551 1

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集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

放射線照射により生じる水の発光が線量を反映することを確認 ~ 新しい 高精度線量イメージング機器 への応用に期待 ~ 名古屋大学大学院医学系研究科の山本誠一教授 小森雅孝准教授 矢部卓也大学院生は 名古屋陽子線治療センターの歳藤利行博士 量子科学技術研究開発機構 ( 量研 ) 高崎量子応用研究所の山

放射線照射により生じる水の発光が線量を反映することを確認 ~ 新しい 高精度線量イメージング機器 への応用に期待 ~ 名古屋大学大学院医学系研究科の山本誠一教授 小森雅孝准教授 矢部卓也大学院生は 名古屋陽子線治療センターの歳藤利行博士 量子科学技術研究開発機構 ( 量研 ) 高崎量子応用研究所の山口充孝主幹研究員 河地有木プロジェクトリーダーと共同で 粒子線照射で生じる水の発光が 照射する放射線の線量

m 3 /s

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

TC7SZU04AFS_J_

CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

素粒子物理学2 素粒子物理学序論B 2010年度講義第4回

素粒子物理学 素粒子物理学序論B 010年度講義第4回 レプトン数の保存 崩壊モード 寿命(sec) n e ν 890 崩壊比 100% Λ π.6 x 10-10 64% π + µ+ νµ.6 x 10-8 100% π + e+ νe 同上 1. x 10-4 Le +1 for νe, elμ +1 for νμ, μlτ +1 for ντ, τレプトン数はそれぞれの香りで独立に保存

TC74HC109AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC19AP,TC74HC19AF Dual J-K Flip-Flop with Preset and Clear TC74HC19A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9

Microsoft Word - 本体表紙4.doc

2007 年度 ( 平成 19 年度 ) 博士学位論文 RADFET による宇宙機環境におけるトータルドーズ計測法 A total dose measurement technique using RADFETs in spacecraft environment 2008 年 3 月 鹿児島大学 大学院理工学研究科 博士後期課程生命物質システム専攻 木本雄吾 主指導教員 亀野誠二 目次 Abstract

TC74HC112AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC112AP,TC74HC112AF Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear TC74HC112A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電流で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って

muramatsu_ver1.key

229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow

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2011/6/2 @ 講義室 福島原子力発電所事故後の放射線量調査 地表の表面汚染検査 土壌サンプル放射線計測の説明会 大阪大学核物理研究センター 坂口治隆 青井考 1. 計画概要 2. 放射線入門 3. 放射線計測 4. 計測時の注意 原原子核と宇宙のつながり大阪大学 核物理研究センター Research Center for Nuclear Physics () 加速器 (AVF リング ) 特色

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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

広く分布した放射性核種による放射線場 ―モンテカルロ計算コードegs5の活用－

福島第一原子力発電所の事故に関連した線量評価への egs5 の応用 高エネルギー加速器研究機構 平山英夫 第 21 回 egs 研究会 はじめに 東京電力福島第 1 原子力発電所の事故に関連した様々な計算を行う場合に必要な事 線量 計算の場合 評価対象となる 線量 について 線量計 により得られた測定値と比較する場合 計算で求めた 線量 と測定値が対応しているか egs5 による種々の計算方法 検出器の応答の比較の場合

福島原発とつくばの放射線量計測

福島原発とつくばの放射線量計測 産業技術総合研究所 計測標準研究部門量子放射科 齋藤則生 1. 放射線を測る 2. 放射能を測る 3. 展示の紹介 2011 年 7 月 23 日産総研つくばセンター一般公開特別講演スライド 放射線量を測る毎時マイクロシーベルト (µsv/h) 原子力発電所の事故以来 インターネット 新聞等で放射線量の測定値が掲載されています 例 : 福島市 1.21 µsv/h 産総研

Microsoft PowerPoint Aug30-Sept１基研研究会熱場の量子論.ppt

原子核における α 粒子の Bose-Einstein 凝縮 大久保茂男 S. Ohkubo ( 高知女子大 環境理学科 ) @ 1999 クラスター模型軽い領域だけでなく重い領域 40 Ca- 44 Ti 領域での成立理論 実験 1998 PTP Supplement 132 ( 山屋尭追悼記念 ) 重い核の領域へのクラスター研究 44 Ti fp 殻領域 40 Ca α の道が切り開かれた クラスター模型の歴史と展開