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Ni PLD GdBa 2 Cu 3 O 7 x 2 6

銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果

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C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

(1) (2) (3) (4) 2

1章

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NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1

hv (%) (nm) 2

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

RAA-05(201604)MRA対応製品ver6

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4 1 Ampère 4 2 Ampere 31

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合


E-2 A, B, C A, A, B, A, C m-cresol (NEAT) Rh S m-cresol m-cresol m-cresol x x x ,Rh N N N N H H n Polyaniline emeraldine base E-3 II

コロイド化学と界面化学

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Donald Carl J. Choi, β ( )


フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

日本電子News vol.44, 2012


RN201602_cs5_0122.indd

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42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ

23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO


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H1-H4

1 2 2 (Dielecrics) Maxwell ( ) D H

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K 吸収端 XAFS 用標準試料 Ti Ti-foil 金属箔 縦 1.3 cm 横 1.3 cm 厚さ 3 µm TiO2 anatase ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 TiO2 rutile ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 2017.

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Keysight Technologies B1500Aを使用した太陽電池セルのIV/CV特性評価

6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2

Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity

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0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2


(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a

OPA134/2134/4134('98.03)

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Gauss Gauss ɛ 0 E ds = Q (1) xy σ (x, y, z) (2) a ρ(x, y, z) = x 2 + y 2 (r, θ, φ) (1) xy A Gauss ɛ 0 E ds = ɛ 0 EA Q = ρa ɛ 0 EA = ρea E = (ρ/ɛ 0 )e

C: PC H19 A5 2.BUN Ohm s law

CRA3689A

熊本県数学問題正解

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電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -

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PET PET

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NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter L

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R R 16 ( 3 )

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高校生の就職への数学II

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

HA178L00 シリーズ

( ) 09:00 17:40 08: :00 09: :05 10:15 1 ( ) -01 ( 5 ) (10:15 10:25 ) 10:25 11:50 2 ( ) -02 ( 6 ) (11:50 13:00 ) 13:00 1

観測波形 赤いエリアに波形が入り込まなければ規格を満足しています.5mではより厳しいTP2の規格でも満足しています.5mケーブル使用時 TP2規格 TP3規格 -.1-5mケーブル使用時 2

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NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄

共通部機器仕様構造 : 壁取付シャーシに避雷器 モデム 入出力ユニットをマウント接続方式 回線 :M4 ねじ端子接続 入出力 電源 :M3.5 ねじ端子接続 接地 :M4 ねじ端子接続シャーシ材質 : 鋼板に黒色クロメート処理ハウジング材質 : 難燃性黒色樹脂アイソレーション : 回線 - 入出力

LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

Transcription:

T c T>Tc T<Tc 1

T c T c T c Nb 0.01% Al 1µm YBa Cu 3 O 7 1nm (SQUID) SFQ)

'(% T@WG 196 B.D.Josephson 4;J5KL MNO;PQ )RS 4;J5KLMNO; PQ)THUV 1963 J.M.Rowell & P.W.Anderson XY " $%& 6)T)Z[+=\]^ _` ^ab 6)789:;<=>? @ABCDEFG " $%& A B.D. Josepshon $ % & ' ( & $ % & '(&)*+,-./ 01345 A H@IG SIS (Superconductor/Insulator/Superconductor),-./0 SNS (Superconductor/Normal-Metal/Superconductor)./01314 Al Al )*+' )*+',-)*,-)* Nb "$%&'( )*+,-.' "$%&'()*+ J R Al Al O 3 Nb & & "$% 3

-./07 (K) 130 10 1 0 90 80 70 60 50 40 30 0 0 160K 1993.7 Hg-Ba-Ca-Cu-O 1993.5 1988.3 Tl-Ba-Ca-Cu-O 1988. Bi-Sr-Ca-Cu-O 1988. 1987.6 1987.3 Y-Ba-Cu-O "% & 1987. La-Sr-Cu-O 1987.1 1986.1 La-Ba-Cu-O 1986.1 1986.4 Nb 3 Ge V 3 Si Nb-Al-Ge NbN NbC Nb 3 Ge Pb Nb Hg "$ 19 1930 1950 1970 1990 8 '()*+,-./01,3456 A/D RSFQ) Bi3 (1kmx4mmx0.5mm) 61 00A(77K) 40A(0K) Bi1 (mm 130 000A (4K) Conductus 4

高温超伝導体と金属超伝導体のdc SQUID 高温超伝導SQUIDの感度 Magnetic Fields - Orders of Magnitude -15 1 ft = -19 T = Gauss static magnetic field of the earth Magnetic field [ ft/hz1/ ] Noise in 8 6 in a ital t lab meg neti c nois e geo 4 Hear t Br ain LTS SQUI D 1 0.1 Power line noise 50/60 Hz in open environm ent a hosp quie Heart HTS SQUID shielded room of PTB Berlin 1 Frequency (Hz) 0 00 (A. I. Braginski) 金属超伝導 dc SQUID Nb/Al ジョセフソン接合 高温超伝導 dc SQUID YBCO biepitaxial 粒界ジョセフソン接合 高温超伝導回路の微細化がまだ不十分 単一磁束量子素子 RSFQ 単一磁束量子素子 K. Likharev K. Likharev SiとSFQのCPUクロックの比較トレンド K. Likharev 5

J c Low T c Native Oxide High T c Native Oxide 3 " 01' 9% 678 0134./% 3.5 tilt YBCO Grain boundary $%&'()*&'()*+),-)%&./ "$%&'()*+,-$.$%&/0&+,1&,-$345 "$%&'()'*+'$,-./01,-( 34567 89: "$%&'$()($*+ "$%&'(%)*+,'-".$/01 HTS $%& -. /01$345 '() 1345 9:) 67) *+) 678 HTS,$%& /01$8345 step junction 31 tilt YBCO Grain boundary "$%&'()'*+,%$-./0 "$%&'$()*+, (h) Edge or Ramp edge " Rev. Mod. Phys. 74,485 LTS/ SIS) SNS) 6

)-0/ Ambegaokar-Baratoff = " T 0 " er N R N R N R N J c " "( R N J c 0.5 " " $ " % " & " ' J )*+,-.../ c SRL 0.5 R N J c R N I c R N e Bi-Sr-Ca-Cu-O V - V+ I+ I - Au SiO Au SiO Au 5nm 0 Bi-Sr-Ca-Cu-O 0μm 7

微小メサ構造パタン1/3 μm x μm Mesa Pattern 微小メサ構造パタン/3 5μm x 5μm Mesa Pattern 01101-3 x400 μm x μm Mesa Pattern 01101-9 x400 5μm x 5μm Mesa Pattern 0111-5C x400 BiSrCaCuO8+δ固有ジョセフソン接合のトンネル特性 01108-6 x400 高温超伝導体のシャピロ ステップ BiSr CaCuO8+δ 微小メサ素子の電流電圧特性 0. ma/div 0mV/div 15 K 5mA/div 500mV/div 結果は R N 積はたかだか mv 粒界ジョセフソン接合と同じ 固有ジョセフソン接合を用いたトンネル分光 超伝導ギャップと Wang et al. PRL 001 15 K 1.6GHzで動作 短パルス固有トンネル分光 RN 常伝導トンネル抵抗を測定する Pattern B 1. Tm Ic = " ern T0 " 短パルストンネル測定回路 Current (ma) 1 0.8 0.6 0.4 0. 0 トンネル分光 固有ジョセフソン接合の電流電圧特性 t1 0 1 t t3 3 4 Time (µs) 問題点と対策 1 発熱の抑制 a 微小 極薄メサ構造 b 短パルス法 300 ns 2 メサ試料降伏電圧の改善 a 複合パルス波形の使用 8

Bi Sr CaCu O 8+δ 300ns Ambegaokar-Baratoff R N mv / e " 60mV AB Δ/e 0mV R N R N Bi Sr Ca Cu 3 O +δ (Bi3 ) T c =96K T c =7K Bi Sr Ca Cu 3 O +δ (Bi3 ) K 11K 0.mA/div 0mV/div 0.5mA/div 0mV/div Δ/e =8mV Δ/e =79mV Δ/e =65mV Δ Δ Δ T c (K) J c ( 3 A/cm ) S G (mev) 10 1 0 90 90 80 70 60 8 6 4 0 (a) T c, J c, Δ /e Bi Sr Ca Cu 3 O +δ 0 4 6 8 1 14 (b) 0 4 6 8 1 14 (c) T c Inner CuO outer CuO 15 Δ/e 0.65 1/ R N Δ 50 0 4 6 8 1 14 (S cm -1 c ) 4.7 9

Ambegaokar-Baratoff Ambegaokar-Baratoff = " T 0 " er N Δ 0.65 4.7 1/ R N 3.1 15 S I S ( f S = Δ SG f S Δ SG f S 1-f S f S σ c 4.7 0.65 14.4 5 R N Fraunhofer self-shunted-junction Ioffe c large junction STS

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