NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter L
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- こうじ なぐも
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1 19 P6 γ
2 NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter LaBr 3 (Ce) PMT 662keV 2.9% CsI(Tl) 7.1% γ 5.2 PMT LaBr 3 (Ce) CsI(Tl) 662keV 3.2% 6.9% APD 4.% 6.4% MPPC GSO(Ce) 5.5
3 PIN (PIN Photo Diode PIN PD) Avalanche Photo Diode APD PMT MPPC Multi-Pixel Photon Counter γ γ PIN PIN PD γ PIN PD PMT γ PMT PMT γ (APD) γ APD APD γ
4 5.4 PMT(BA) APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter MPPC MPPC MPPC : : APD PIN PD γ CsI(Tl)+PIN PD APD γ
5 1 γ TeV.1 1MeV MeV MeV γ MeVγ γ MeVγ PIN MPPC Multi-Pixel Photon Counter γ 3
6 2 γ 2.1 γ 2.1: 1. 4
7 2. 発生した蛍光の透過度が高いこと 3. 蛍光の減衰時間が短いこと 4. 蛍光の波長が検出器の感度波長に合っていること 2.2 実験に用いるシンチレータ 今回の実験で我々が用いる無機シンチレータは NaI(Tl) 応用光研工業製 CSI(Tl) 浜松中国工場 製 GSO(Ce) 日立化成製 LaBr3 (Ce) サンゴバン製 の 4 種類である (下図 2.2) 形状は CsI(Tl) は 1 1 1mm3 の立方体 GSO(Ce) は mm3 の直方体 NaI(Tl) と LaBr3 (Ce) はともに φ = 13mm h = 13mm の円柱である これらのシンチレータの特性を以下にまとめる 後述する光電子増倍管との相性についても言及する 図 2.2: 今回の γ 線測定で使用する無機シンチレータ NaI(Tl) NaI は従来から使用されてきた最も典型的なシンチレータである 発光量が多いことが特徴である 39photons/MeV 蛍光減衰時間は 23ns と長めなので 高計数率の測定には向かない 強い潮解性を持つため 取り扱いには注意が必要で 我々はアルミニウムのケースに覆われたものを使う 図 2.2 発光波長が 415nm なので 典型的な光電子増倍管の感度波長とよく一致する 5
8 CsI(Tl) CsI(Tl) NaI(Tl) γ 1ns NaI(Tl) 565nm GSO(Ce) GSO Gd 2 SiO 5 6ns 44nm LaBr 3 (Ce) LaBr 3 (Ce) 63 photons/mev 25ns CsI(Tl) GSO(Ce) NaI(Tl) 38nm 2.1: Light output (g/cm 3 ) (nm) (ns) (/MeV) (cm) NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) keV γ 1/e 2.3 NaI(Tl) MgO CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 6
9 2.4 OKEN6262A 7
10 PIN (PIN Photo Diode PIN PD) PIN P N (B) P N P PN P N V Si 3.8eV V 3.1: PN a b 3.2: PIN PD 8
11 P N I PIN PIN PIN γ PIN CsI(Tl) PIN Si PIN (S359-1) CsI(Tl) 54nm 85% : Si PIN ( S359-1) (@54nm) (mm) (nm) (nm) (A/W) (na) (pf) V 3.3: PIN PD Avalanche Photo Diode APD 9
12 : γ S PIN PD : ( S ) (@42nm) (@42nm) (mm) (nm) (nm) (%) (na) (pf)
13 3.5: APD 3.6: APD 3.2 PMT PMT PMT PMT : PMT
14 3.8: PMT V n PMT G (3.1) G = KV an (K, a : a =.7.8) (3.1) G BA R6231 SBA R UBA R76U
15 表 3.3: 光電子増倍管 浜松ホトニクス社製 の主な特徴 型名 Lot No. R6231 AA59 R R76U-2 AA967 AA968 光電面 最大感度波長 (nm) 量子効率 (%) BA 42 SBA UBA 最大感度波長での 増倍率 暗電流 (na) 図 3.9: 3 種類の PMT 左図 BA(左側) と SBA(右側) 右図 UBA 3.3 MPPC Multi-Pixel Photon Counter MPPC Multi-Pixel Photon Counter は Si-PM Silicon Photomultiplier と呼ばれる 新しいタイ プの半導体光検出器である MPPC は APD のピクセルが２次元に並列に並んだ構造をしている 各 APD ピクセルはガイガーモード と呼ばれる動作電圧で動作する ガイガーモードとは APD の逆電圧を降伏電圧以上にして動作させるこ とである ガイガーモードではわずかな光の入射に対してもガイガー放電という放電現象が起こるように なる このときひとつの APD ピクセルから出力される電荷量 Q は APD ピクセルに入射した光子の数に よらず 次式 (3.2) で表される Q = C(VR VBR ) (3.2) ここで VR は付加された逆電圧 VBR は降伏電圧 C は APD ピクセルの容量である MPPC の増倍率は Q を素電荷で割った値となり である 各 APD ピクセルにはクエンチング抵抗という抵抗が接続され 光子の検出に対して一定のパルスを出力 する回路になる 電荷が流れ出ていく時間は抵抗の値を R とすると C R で決まる MPPC はガイガーモードで動作する APD ピクセルが２次元に並列接続されており 各ピクセルは光子 が入射した場合は光子数によらない一定の出力なので 光子の入射情報だけがわかる MPPC の出力は各 13
16 APD APD N fired (3.3) Q out = Q N fired = C (V R V BR ) N fired (3.3) APD MPPC : APD 3.11: MPPC MPPC PDE PDE (3.4) = (3.4) ( = ) = MPPC 1V MPPC S C 3.4 MPPC
17 3.4: MPPC ( S C) (@4nm) (mm) (nm) (nm) (%) (pf) : MPPC 3.13: MPPC 15
18 4 4.1 MCA CsI(Tl) 137 Cs 662 kev γ 4.1 Energy-, CsI(Tl)+PMT(BA) 35 Peak fit using keV 1 cs137_662kev keV Energy [kev] Energy-Rsidual, CsI(Tl)+PMT(BA) Residual[%] Energy[keV] 4.1: CsI(Tl)+PMT(BA) 662keV 137 Cs 662keV γ γ { a exp 1 ( ) } 2 x b + dx + e. (4.1) 2 c 16
19 b γ b ( 4.1 ) = A γ + B. (4.2) c a σ σ = 2.35c (4.3) = 2.35 c A. (4.4) γ E FWHM = 2.35 c A 1 E [%]. (4.5) keV( 133 Ba) 2 A 59.5keV 241 Am 32.2keV 137 Cs 59.5keV 59.5keV 81.keV 133 Ba 2 (4.1) γ γ N p N p η ηn p γ E N p E E ηnp ηn p 1 ηe (4.6) γ.5 (4.6) (4.6) E.5 17
20 5 γ 5..1 ORTEC 571 CsI(Tl) PIN 1333keV 6 Co MCA MCA6 495ch γ 57 Co 122keV MCA 495ch 5..2 PIN.5 ±.5 ±1 5.1 PIN PIN PD γ PIN PD γ γ PIN PD PIN PD PIN PD CsI(Tl) γ CsI(Tl) PIN PD
21 γ PIN PD S359-1 PIN PD 579/CsI 575Z ORTEC 571 MCA MCA6 PIN PD CsI(Tl) PIN PD S V 5.2: PIN PD CsI(Tl) 5.1: PIN PD ORTEC µs 6 22 Na 57 Co 6 Co 137 Cs 4 γ keV µs 2µs keV 2µs
22 Energy resolution(fwhm) [%] keV 662keV 1333keV Shaping time [µs] 5.3: CsI(Tl)+PIN 5.1: CsI(Tl)+PIN 2µs γ (kev) (% FWHM) 57 Co Na Cs Co Na Co CsI(Tl) PIN PD 2µs MCA 5..2 CsI(Tl) PIN PD 7 CsI(Tl)+PIN γ PMT APD 2µs 2
23 5.2 PMT γ PMT PMT 5.4 BA SBA UBA 3 PMT BA SBA UBA PMT PMT 1333keV 6 Co 122keV 57 Co MCA 495ch PMT ORTEC571 MCA MCA6 2µs PMT CsI(Tl) : PMT 21
24 図 5.5: CsI(Tl)+PMT の写真 左 CsI(Tl)+BA 右 CsI(Tl)+SBA 下 CsI(Tl)+UBA 表 5.2: 測定時の諸条件 高いエネルギー PMT BA SBA UBA シンチ 高圧電源の電圧 プリアンプの時定数 整形増幅器の 気温 レータ (V) (µ s) ゲイン ( ) NaI(Tl) ±1. CsI(Tl) GSO(Ce) ±1. 21.±1. LaBr3 (Ce) ±1. CsI(Tl) GSO(Ce) ±1. 2.±1. LaBr3 (Ce) ±1. CsI(Tl) GSO(Ce) ±1. 2.±1. LaBr3 (Ce) ±1. 22
25 5.3: PMT (V) (µ s) ( ) CsI(Tl) ±1. BA GSO(Ce) ±1. LaBr 3 (Ce) ±1. SBA CsI(Tl) ±1. LaBr 3 (Ce) ±1. UBA CsI(Tl) ±1. LaBr 3 (Ce) ± PMT γ PMT PMT(BA) TDS PMT CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) PMT(BA) CsI(Tl) 9V LaBr 3 (Ce) 1V oscilloscope, CsI(Tl)+PMT(BA).2 oscilloscope, LaBr3(Ce)+PMT(BA) -.2 7ns ns Voltage [V] Voltage [V] Time [s] Time [s] : PMT(BA) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) PMT PMT NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 6 Co 1333keV 57 Co 122keV 2 NaI(Tl) PMT(BA) GSO(Ce) 23
26 PMT(BA) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) PMT BA LaBr 3 (Ce) PMT SBA PMT UBA keV 122keV PMT PMT PMT(BA) PMT(SBA) PMT(UBA) PMT(UBA) PMT 1173keV : PMT(BA) % FWHM) (kev) NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 57 Co (1.24) 22.8 (1.63) 19 Cd (.24) 23. (.24) 34.5 (1.9) 18.7 (.34) 133 Ba (.6) 2.8 (.17) 34.8 (1.87) 16.7 (.6) 137 Cs (.2) 19.6 (.16) 34.8 (1.94) 16.2 (.36) 241 Am (.13) 13.1 (.23) 27.3 (.27) 1.8 (.14) 133 Ba (.12) 13.9 (.15) 19.9 (.47) 9.3 (.4) 19 Cd (.4) 13.7 (.3) 2.5 (.7) 8.8 (.28) 57 Co (.22) 11.6 (.14) 16.2 (.27) 7.3 (.6) 133 Ba (.6) 133 Ba (.3) 133 Ba (.17) 8.6 (.23) 8.9 (.2) 4.4 (.2) 22 Na (.9) 7.7 (.2) 8.5 (.5) 3.9 (.1) 137 Cs (.12) 6.9 (.3) 8. (.6) 3.2 (.1) 6 Co (.14) 5. (.5) 5.6 (.9) 2.4 (.1) 22 Na (.7) 5. (.3) 6. (.1) 2.5 (.1) 6 Co (.6) 4.9 (.3) 5.5 (.9) 2.3 (.1) 24
27 5.5: PMT(BA) % FWHM) (kev) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 57 Co (.4) 22.8 (.92) 19 Cd (.16) 37.8 (.62) 17.8 (.17) 133 Ba (.11) 34.2 (.33) 16.1 (.16) 241 Am (.15) 23.9 (.33) 11.1 (.12) 133 Ba (.13) 17.6 (.24) 9.4 (.7) 19 Cd (.15) 17.7 (.15) 9.2 (.8) 57 Co (.7) 15.4 (.18) 7.5 (.3) 5.6: PMT(SBA) % FWHM) (kev) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 57 Co (1.31) 19 Cd (.34) 37.8 (2.11) 16.8 (.19) 133 Ba (.11) 34.5 (1.85) 14.8 (.9) 137 Cs (.21) 33.5 (1.8) 14.6 (.41) 241 Am (.14) 25. (.44) 9.9 (.6) 133 Ba (.13) 17.6 (.43) 8.3 (.1) 19 Cd (.17) 57 Co (.28) 15.2 (.36) 6.6 (.4) 133 Ba (.6) 133 Ba (.3) 133 Ba (.23) 8.5 (.2) 3.9 (.1) 22 Na (.2) 8.4 (.2) 3.4 (.1) 137 Cs (.4) 7.4 (.4) 2.9 (.2) 6 Co (.5) 5.4 (.8) 2.2 (.2) 22 Na (.3) 5.8 (.8) 2.1 (.2) 6 Co (.3) 5.6 (.9) 2.1 (.1) 25
28 5.7: PMT(SBA) % FWHM) (kev) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) 57 Co (.39) 19 Cd (.12) 16.6 (.11) 133 Ba (.6) 15.1 (.14) 241 Am (.8) 9.9 (.3) 133 Ba (.11) 8.3 (.6) 19 Cd (.11) 8. (.7) 57 Co (.6) 6.7 (.2) 5.8: PMT(UBA) % FWHM) (kev) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 57 Co (1.16) 19 Cd (.17) 4. (.58) 18.6 (.29) 133 Ba (.16) 33.9 (.56) 17.5 (.9) 137 Cs (.35) 34.5 (.73) 18.6 (.32) 241 Am (.21) 27.1 (.52) 11.5 (.14) 133 Ba (.21) 21.5 (.49) 9.7 (.5) 19 Cd (.34) 9.9 (.26) 57 Co (.15) 16.3 (.29) 7.8 (.6) 133 Ba (.6) 133 Ba (.3) 133 Ba (.27) 1.9 (.3) 4.3 (.3) 22 Na (.2) 9.1 (.3) 3.7 (.2) 137 Cs (.4) 8.4 (.4) 3.1 (.2) 6 Co (.9) 6.1 (.11) 22 Na (.4) 6.2 (.4) 6 Co (.5) 5.7 (.9) 26
29 5.9: PMT(UBA) % FWHM) (kev) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) 57 Co (.62) 19 Cd (.14) 18.6 (.16) 133 Ba (.29) 16.8 (.17) 241 Am (.16) 1.8 (.12) 133 Ba (.15) 9.4 (.6) 19 Cd (.16) 8.9 (.6) 57 Co (.12) 7.3 (.3) 27
30 co57_122kev ba133_356kev keV 2 356keV cs137_662kev na22_511, 1275keV keV keV keV co6_1173, 1333keV keV 1333keV : CsI(Tl)+PMT(BA) 28
31 co57_122, 136keV ba133_276, 33, 356, 384keV keV keV keV keV 33keV 384keV cs137_662kev na22_511, 1275keV keV keV keV co6_1173, 1333keV keV 1333keV : LaBr 3 (Tl)+PMT(BA) 29
32 Energy [kev] Energy-, NaI(Tl)+PMT(BA) 4 Energy-, CsI(Tl)+PMT(BA) Peak fit using keV Peak fit using keV Energy-Rsidual, NaI(Tl)+PMT(BA) Energy [kev] Energy-Rsidual, CsI(Tl)+PMT(BA) Residual[%] 3 2 Residual[%] Energy[keV] Energy[keV] Energy-, GSO(Ce)+PMT(BA) Energy-, LaBr3(Ce)+PMT(BA) 4 Peak fit using keV Peak fit using keV Energy [kev] Energy-Rsidual, GSO(Ce)+PMT(BA) Energy [kev] Energy-Rsidual, LaBr3(Ce)+PMT(BA) Residual[%] -4-6 Residual[%] Energy[keV] Energy[keV] 5.9: PMT(BA) 3
33 am241_59.5kev keV ba133_ kev keV keV cd19_ kev co57_ kev keV keV keV keV : CsI(Tl)+PMT(BA) 31
34 am241_59.5kev keV ba133_ kev keV 81.keV cd19_ kev keV co57_122, 136keV keV keV keV : LaBr 3 +PMT(BA) 32
35 Energy-, CsI(Tl)+PMT(BA) Energy-, GSO(Ce)+PMT(BA) fit using keV Peak 2 15 Peak Energy[keV] Energy[keV] Energy-, LaBr3(Ce)+PMT(BA) 3 25 fit using keV Peak Energy[keV] 5.12: PMT(BA) 33
36 co57_122kev ba133_276, 33, 356, 384keV keV keV keV keV 276keV 384keV cs137_662kev na22_511, 1275keV keV 662keV keV keV co6_1173, 1333keV keV 1333keV : LaBr 3 (Ce)+PMT(SBA) 34
37 Energy [kev] Energy-, CsI(Tl)+PMT(SBA) Energy-, GSO(Ce)+PMT(SBA) Peak fit using keV Peak fit using keV Energy-Rsidual, CsI(Tl)+PMT(SBA) Energy [kev] Energy-Rsidual, GSO(Ce)+PMT(SBA) Residual[%] 3 2 Residual[%] Energy[keV] Energy[keV] Energy-, LaBr3(Ce)+PMT(SBA) Peak fit using keV Energy [kev] Energy-Rsidual, LaBr3(Ce)+PMT(SBA) 3 Residual[%] Energy[keV] 5.14: PMT(SBA) Energy-, CsI(Tl)+PMT(SBA) Energy-, LaBr3(Ce)+PMT(SBA) Peak Energy[keV] Peak fit using keV Energy[keV] 5.15: PMT(SBA) 35
38 co57_122kev ba133_276, 33, 356, 384keV keV keV keV keV 276keV 384keV cs137_662kev na22_511, 1275keV keV keV 1275keV co6_1173, 1333keV keV 1333keV : LaBr 3 (Ce)+PMT(UBA) 36
39 Energy [kev] Energy-, CsI(Tl)+PMT(UBA) Energy-, GSO(Ce)+PMT(UBA) 4 Peak fit using keV Peak fit using keV Energy-Rsidual, CsI(Tl)+PMT(UBA) Energy [kev] Energy-Rsidual, GSO(Ce)+PMT(UBA) Residual[%] 3 2 Residual[%] Energy[keV] Energy[keV] Energy-, LaBr3+PMT(UBA) Peak fit using keV Energy [kev] Energy-Rsidual, LaBr3+PMT(UBA) 25 2 Residual[%] Energy[keV] 5.17: PMT(UBA) Energy-, CsI(Tl)+PMT(UBA) Energy-, LaBr3(Ce)+PMT(UBA) fit using keV Peak 2 15 Peak Energy[keV] Energy[keV] 5.18: PMT(UBA) 37
40 Energy-Resolurion (high) Energy-Resolution (low) Resolution (FWHM) [%] NaI(Tl)+PMT(BA) CsI(Tl)+PMT(BA) GSO(Ce)+PMT(BA) LaBr3(Ce)+PMT(BA) Resolution (FWHM) [%] CsI(Tl)+PMT(BA) GSO(Ce)+PMT(BA) LaBr3(Ce)+PMT(BA) Energy [kev] Energy [kev] Resolution (FWHM) [%] Energy-Resolution (high) CsI(Tl)+PMT(SBA) GSO(Ce)+PMT(SBA) Energy-Resolution (low) Resolution (FWHM) [%] CsI(Tl)+PMT(SBA) LaBr3(Ce)+PMT(SBA) LaBr3(Ce)+PMT(SBA) Energy [kev] Energy [kev] Resolution (FWHM) [%] Energy-Resolution (high) CsI(Tl)+PMT(SBA) GSO(Ce)+PMT(SBA) Energy-Resolution (low) Resolution (FWHM) [%] CsI(Tl)+PMT(SBA) LaBr3(Ce)+PMT(SBA) LaBr3(Ce)+PMT(SBA) Energy [kev] Energy [kev] 5.19: PMT(BA) NaI(Tl)7.9% CsI(Tl)6.9% GSO(Ce)8.% LaBr 3 (Ce)3.2% LaBr 3 (Ce) LaBr 3 (Ce) 133 Ba 276keV 33keV 356keV 384keV 4 38
41 keV 5.1: PMT NaI(Tl) Res.[%]= 7.9 (E/662[keV]).32±.2 BA CsI(Tl) Res.[%]= 6.9 (E/662[keV]).36±.1 GSO(Ce) Res.[%]= 8. (E/662[keV]).49±.3 LaBr 3 (Ce) Res.[%]= 3.2 (E/662[keV]).41±.1 CsI(Tl) Res.[%]= 7.1 (E/662[keV]).37±.1 SBA GSO(Ce) Res.[%]= 7.4 (E/662[keV]).46±.5 LaBr 3 (Ce) Res.[%]= 2.9 (E/662[keV]).5±.1 CsI(Tl) Res.[%]= 7.8 (E/662[keV]).36±.1 UBA GSO(Ce) Res.[%]= 8.4 (E/662[keV]).46±.3 LaBr 3 (Ce) Res.[%]= 3.1 (E/662[keV]).55± : PMT CsI(Tl) Res.[%]= (75.7 ± 1.3) (E[keV]).4±.4 BA GSO(Ce) Res.[%]= (246.5 ± 8.5) (E[keV]).59±.8 LaBr 3 (Ce) Res.[%]= (92.8 ± 1.8) (E[keV]).52±.4 SBA CsI(Tl) Res.[%]= (85.2 ± 1.2) (E[keV]).42±.4 LaBr 3 (Ce) Res.[%]= (91.8 ± 1.4) (E[keV]).55±.4 UBA CsI(Tl) Res.[%]= (14.9 ± 2.) (E[keV]).44±.5 LaBr 3 (Ce) Res.[%]= (11.1 ± 2.3) (E[keV]).56±.5 NaI(Tl) CsI(Tl) -.5 LaBr 3 (Ce) PMT(BA)
42 3 PMT 3 PMT BA SBA UBA CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) 122keV 356keV 662keV 5.12 BA SBA : 3 PMT (% FWHM) (kev) BA SBA UBA (.14) 11.6 (.28) 13.6 (.15) CsI(Tl) (.23) 9.3 (.23) 9.6 (.27) (.3) 7.1 (.4) 7.8 (.4) (.6) 6.6 (.4) 7.8 (.6) LaBr 3 (Ce) (.2) 3.9 (.1) 4.3 (.3) (.1) 2.9 (.2) 3.1 (.2) 137 Cs 1 CsI(Tl)+PMT(BA) 137 Cs 1.2 LaBr 3 (Ce)+PMT(BA) Counts (normalized) CsI(Tl)+PMT(SBA) Counts (normalized) LaBr 3 (Ce)+PMT(SBA) Energy [kev] Energy [kev] 5.2: PMT(BA) PMT(SBA) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) CsI(Tl) 565nm BA SBA UBA 6% 7% 8% 662keV 6.9% 7.1% 7.8% UBA SBA,UBA BA 6/7 =.9 6/8 =.85 (4.6) %.9 = 6.2% 6.9%.85 = 5.9% SBA BA UBA BA LaBr 3 (Ce) 38nm BA SBA UBA 25% 35% 45% 662keV 3.2% 2.9% 3.1% 4
43 SBA UBA BA 25/35 =.85 25/45 = = 2.7% = 2.4% SBA UBA CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) PMT 5.3 (APD) γ APD APD γ 5.21 APD 5.22 γ APD S APD 581 (ORTEC 571) MCA MCA6 APD APD 4V 2µs 5.22: APD CsI(Tl) 5.21: APD 41
44 5.3.2 APD γ APD NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) ± 1 γ 22 Na 57 Co 6 Co 19 Cd 133 Ba 137 Cs 241 Am 7 CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) : APD γ (% FWHM) (kev) NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 19 Cd (.23) 133 Ba (.23) 37.5 (.35) 241 Am (.25) 17.5 (.39) 27.4 (.35) 133 Ba (.25) 14.9 (.21) 18.6 (.17) 19 Cd (.19) 14.3 (.17) 17.3 (.19) 57 Co (.41) 12.6 (.24) 33.4 (.63) 13.4 (.18) 133 Ba (.15) (.6) (.18) 7.9 (.45) 16.1 (.12) 5.9 (.3) 22 Na (.3) 7.4 (.2) 11.7 (.3) 4.8 (.1) 137 Cs (.9) 6.4 (.4) 1. (.4) 4. (.2) 6 Co (.13) 4.7 (.5) 6.3 (.9) 2.9 (.2) 22 Na (.8) 4.9 (.2) 6.7 (.5) 2.9 (.2) 6 Co (.7) 4.8 (.2) 6. (.7) 2.7 (.2) 2.±1 42
45 am241_59.5kev keV cd19_22.2, 88.keV keV keV ba133_31., 81.keV co57_122kev keV keV keV ba133_356kev cs137_662kev keV keV na22_511, 1275keV keV co6_1173, 1333keV keV keV 1333keV : CsI(Tl)+APD γ 43
46 am241_59.5kev cd19_88.kev keV keV ba133_31., 81.keV co57_122kev keV keV keV ba133_276, 33, 356, 384keV cs137_662kev keV 276keV 356keV 384keV keV na22_511, 1275keV 1 511keV co6_1173, 1333keV keV 1333keV keV : LaBr 3 (Ce)+APD γ 44
47 Energy-, NaI(Tl)+APD 4 Energy-, CsI(Tl)+APD 35 3 fit using keV 35 3 fit using keV Peak Peak Energy [kev] Energy [kev] Energy-Residual, NaI(Tl)+APD Energy-Residual, CsI(Tl)+APD Residual [%] Residual [%] Energy [kev] Energy [kev] Energy-, GSO(Ce)+APD fit using keV Energy-, LaBr3(Ce)+APD fit using keV Peak Peak Energy [kev] Energy [kev] Energy-Residual, GSO(Ce)+APD 2 1 Energy-Residual, LaBr3(Ce)+APD 6 4 Residual [%] -1-2 Residual [%] Energy [kev] Energy [kev] 5.25: APD γ 45
48 Energy resolution, APD Energy resolution(fwhm) [%] NaI CsI GSO LaBr Energy [kev] : APD γ NaI(Tl) CsI(Tl) 122keV γ 59.5keV 22.2keV GSO(Ce) 122keV LaBr 3 (Ce) 31.keV 1333keV 59.5keV 662keV NaI CsI GSO LaBr 3 8.6% 6.4% 1.% 4.% LaBr 3 (Ce) Ba 356keV 4 356keV 384keV 57 Co 136keV (122keV ) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) 46
49 keV ( ).55±.2 E 8.6 NaI 662keV ( ).42±.3 E 6.4 CsI 662keV (% FWHM) = ( ).69±.6 E 1. GSO 662keV ( ).7±.2 E 4. LaBr 3 662keV CsI(Tl) 22.2keV 31.keV E.5 (5.1) APD PIN PD 7 CsI(Tl)+PIN 59.5keV CsI(Tl)+APD 22.2keV PIN APD APD 5.27 CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) APD CsI(Tl) APD LaBr 3 (Ce) LaBr 3 (Ce)+APD APD Labr 3 (Ce) APD APD 1.3 (4.6) 1/ keV 3.5% NaI(Tl) LaBr 3 (Ce) 662keV 7.5% 47
50 5.27: APD 5.4 PMT(BA) APD PMT(BA) APD CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) 122keV 356keV 662keV : 3 PMT (% FWHM) (kev) PMT(BA) APD (.14) 12.6 (.24) CsI(Tl) (.3) 6.4 (.4) (.3) 4.8 (.2) (.6) 13.4 (.18) LaBr 3 (Ce) (.1) 4. (.2) (.1) 2.7 (.2) 48
51 137 Cs 137 Cs 1 CsI(Tl)+PMT(BA) 1 LaBr 3 (Ce)+PMT(BA) Counts (normalized) CsI(Tl)+APD Counts (normalized) LaBr 3 (Ce)+APD Energy [kev] Energy [kev] 5.28: PMT(BA) APD CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) CsI(Tl) 565nm PMT(BA) APD 6% 8% 662keV 6.9% 6.4% APD PMT(BA) 6/8 =.3 6.9%.3 = 2.% APD PMT(BA) LaBr 3 (Ce) 38nm BA APD 25% 65% 662keV 3.2% 4.% APD PMT(BA) 25/65 =.6 3.2%.6 = 2.% APD PMT(BA) APD APD 2.% 1.3 = 2.3% APD 5.5 MPPC Multi-Pixel Photon Counter MPPC MPPC γ MPPC GSO(Ce) 49
52 5.3: GSO(Ce)+MPPC 5.29: MPPC γ γ MPPC S C MPPC ORTEC571 MCA µs 5.31: 5
53 5.5.2 MPPC MPPC 3mm 3mm 13mm GSO(Ce) 137 Cs 662keV γ TDS GSO(Ce) PMT(BA) MPPC 7V PMT 1V 5.32: GSO(Ce) MPPC( ) 662keV 137 Cs γ MPPC MPPC 1 2 N fired = N total [1 exp( a N photon )] (5.2) N fired N total N photon 122keV 1333keV 22.± µs 73.[V] 5.33 Ch. = a (exp( b E))
54 Energy Peak Energy[keV] 5.33: 1173keV 662keV MPPC MPPC GSO(Ce) 3mm 3mm 13mm 241 Am 133 Bq 57 Co 22 Na 137 Cs 22.± µs 73.[V] keV 81.keV 4 122keV 356keV 511keV 662keV PMT MPPC 3mm 3mm 13mm GSO(Ce) PMT(BA) 5.2 1[V].5µs ±1. 3mm GSO(Ce) MPPC PMT(BA) keV 52
55 5.15: GSO(Ce) MPPC PMT(BA) % FWHM) (kev) MPPC PMT(BA) 241 Am (.47) 133 Ba (.24) 19 Cd (.32) 57 Co (.58) 17.6 (.31) 133 Ba (.55) 11.4 (.3) 22 Na (.21) 8.7 (.7) 137 Cs (.16) 8.1 (.9) 53
56 am241_59.5kev co57_122kev keV keV ba133_356kev na22_511kev keV keV cs137_662kev keV : GSO(Ce)+MPPC 54
57 Peak Energy-, GSO(Ce)+MPPC fit using keV Resolution (FWHM) [%] Energy-Resolution gso+mppc gso+pmt Energy[keV] Energy [kev] 5.35: 5.36: GSO(Ce) + MPPC : Resolution[%] = 12. (E/662[keV]) (.51±.1) (5.3) GSO(Ce) + PMT(BA) : Resolution[%] = 8.1 (E/662[keV]) (.48±.1) (5.4) PMT MPPC 662keV Cs 1 GSO(Ce)+PMT(BA) GSO(Ce)+MPPC Counts (normalized) Energy [kev] 5.37: 55
58 5.5.5 GSO(Ce) 44nm PMT(BA) 23% MPPC 4% MPPC MPPC 662keV 12.% PMT(BA) 8.1% PMT : MPPC 22 Na 22.±1. 2.5µs 511keV MPPC MCA Q = C (V V BR ) 5.38 voltage-channel 35 3 Peak Bias Voltage [V] 5.38: = (1688 ± 55) V [V] + ( ± ) (5.5) 56
59 67.5 ± 3.1[V] : MPPC 22 Na keV 22.±1. 5.5µs 73.[V] % Time Peak Time [min] 5.39: 57
60 6 γ R6231 S R NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) 4 9V 2µs 6 LaBr 3 (Ce) 137 Cs 662keV MCA ± 1 γ NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) 57 Co 122keV 133 Ba 356keV 22 Na 511keV 137 Cs 662keV LaBr 3 (Ce) 57 Co 122keV 133 Ba keV 137 Cs 662keV Ba 137 Cs keV 662keV 6.2 GSO 6.1 LaBr 3 (Ce) NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) 6.2 LaBr 3 (Ce) 133 Ba Cs 662keV GSO(Ce) 356keV 1.2% 662keV 8.5% 58
61 133 Ba keV 356keV GSO CsI NaI LaBr3 276,33,356,384keV 356keV 137 Cs GSO CsI NaI LaBr : Ba 137 Cs 133 Ba Counts (normalized) Energy NaI : 9.5% CsI : 8.2% LaBr3 : 4.4% 33keV 276keV NaI CsI LaBr3 356keV Counts (normalized) 137 Cs Energy NaI : 7.8% CsI : 6.8% LaBr3 : 3.3% NaI CsI LaBr keV Energy [kev] Energy [kev] 6.2: Ba 356keV 137 Cs 662keV keV 662keV : NaI(Tl) NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce)
62 keV 48keV γ γ CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) NaI(Tl) γ φ = 13mm h = 13mm NaI(Tl) LaBr 3 (Ce) 6.2 NaI(Tl) γ CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) CsI(Tl) 1 1 1mm 3 γ 6.2 APD APD R NaI(Tl) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) 3 APD 4V 2µs 7.2 APD CsI(Ce) 137 Cs 662keV MCA ± 1 γ NaI(Tl) CsI(Tl) 57 Co 122keV 133 Ba 356keV 22 Na 511keV 137 Cs 662keV LaBr 3 (Ce) 57 Co 122keV 133 Ba keV 137 Cs 662keV Ba 137 Cs keV 662keV APD CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) NaI(Tl) 6.2 LaBr 3 (Ce) 356keV 384keV 6
63 133 Ba keV 276,33,356,384keV NaI CsI LaBr3 356keV 137 Cs NaI CsI LaBr : +APD 133 Ba 137 Cs 133 Ba Counts (normalized) Energy NaI : 1.9% CsI : 7.7% LaBr3 : 5.9% 33keV 276keV NaI CsI LaBr3 356keV 137 Cs Counts (normalized) Energy NaI : 8.9% CsI : 6.4% LaBr3 : 4.3% NaI CsI LaBr3 662keV.2 384keV Energy [kev] Energy [kev] 6.4: +APD 133 Ba 356keV 137 Cs 662keV keV 662keV 6.2 APD 6.2 NaI(Tl) LaBr 3 (Ce) NaI(Tl) LaBr 3 (Ce) 415nm 38nm APD 25% APD 7% CsI(Tl) CsI(Tl) 565nm 1% APD 8% 61
64 6.2: APD NaI(Tl) NaI(Tl) CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) CsI(Tl) NaI(Tl) LaBr 3 (Ce) APD NaI(Tl) LaBr 3 (Ce) APD 62
65 7 7.1 PIN PD γ CsI(Tl) PIN PD CsI(Tl) PIN PD 2. PIN PD 2 APD 7.1: PIN PD 2 63
66 µs 22 Na 57 Co 6 Co 137 Cs 4 γ 5..1 γ keV 2µs 122keV keV 2 µs 662keV % 6 1µs 6% TDS keV Energy Resolution(FWHM) [%] keV 1333keV Shaping time [µs] 7.2: CsI(Tl)+PIN 7.2 CsI(Tl)+PIN PD µs γ µs 22. ± 1 64
67 6 1µs 21.5 ± µs 1µs µs : CsI(Tl)+PIN γ (% FWHM) (kev) = 2 µs = 6 µs = 1 µs 241 Am (.71) 32.1 (.37) 31.2 (.37) 133 Ba (.44) 23.1 (.29) 24. (.41) 19 Cd (.35) 22. (.31) 22.6 (.46) 57 Co (.24) 18.8 (.28) 18.6 (.33) 133 Ba (.26) 8.8 (.13) 7.6 (.26) 22 Na (.2) 7.1 (.2) 6.8 (.3) 137 Cs (.3) 6.3 (.3) 5.9 (.4) 6 Co (.5) 4.2 (.4) 4. (.4) 22 Na (.2) 4.4 (.3) 4.1 (.5) 6 Co (.3) 4.3 (.3) 4.1 (.3) 2µs 22. ±.5 6 1µs 21.5 ±.5 65
68 Energy-, Shaping time = 1 µs fit using keV Peak Residual [%] Energy [kev] Energy-Residual, Shaping time = 1 µs Energy resolution, CsI(Tl)+PIN Energy resolution(fwhm) [%] Shaping time = 2 µs Shaping time = 1 µs Energy [kev] 2 1 Energy [kev] : CsI(Tl)+PIN γ 1µs 2 1µs 66
69 am241_59.5kev keV cd19_88.kev keV co57_122kev keV ba133_81., 356keV keV keV cs137_662kev na22_511, 1275keV keV keV 1275keV co6_1173, 1333keV keV 1333keV : 1µs CsI(Tl)+PIN γ 67
70 7.2.3 CsI(Tl) 122keV µs 1µs 662keV ( ).65±.3 E 7.5 =2µs 662keV (% FWHM) = ( ).65±.4 E 5.9 =1µs 662keV E.5 (7.1) CsI(Tl)+PIN γ 1µs CsI(Tl) 1ns TDS µs 1µs 68
71 oscilloscope, CsI(Tl)+PIN µ s.2 Voltage [V] time [s] 7.5: CsI(Tl)+PIN 662keV γ 7.3 APD γ CsI(Tl)+PIN γ 5.3 APD 2µs APD PIN PD APD 1ns CsI(Tl) 25ns LaBr 3 (Ce) CsI(Tl)+APD LaBr(Ce)+APD γ CsI(Tl) LaBr 3 (Ce) APD γ 2 1µs APD 4V CsI(Tl) 2µs 4.2 1µs 3.4 LaBr 3 (Ce) 5 2. ± 1 122keV 57 Co 2µs 5.3 APD
72 CsI(Tl)+APD 1µs CsI(Tl)+PIN LaBr 3 (Ce)+APD 1µs 133 Ba 276keV 33keV 7.2: CsI(Tl)+APD γ (% FWHM) (kev) = 2 µs = 1 µs 57 Co (.25) 16.4 (.23) 133 Ba (.17) 8.2 (.15) 22 Na (.7) 137 Cs (.7) 6.3 (.6) 6 Co (.8) 4.6 (.5) 22 Na (.6) 6 Co (.6) 4.6 (.4) 2.±1 2µs 22 Na 7.3: LaBr 3 (Ce)+APD γ (% FWHM) (kev) = 2 µs = 1 µs 57 Co (1.97) 23.7 (.57) 133 Ba (.21) (.8) (.3) 8.2 (.41) 22 Na (.1) 6.8 (.2) 137 Cs (.2) 5.4 (.3) 6 Co (.2) 3.4 (.3) 22 Na (.2) 3.5 (.2) 6 Co (.1) 3.3 (.2) 2.±1 CsI(Tl)+APD 1µs 2µs 7.2 CsI(Tl) LaBr 3 (Ce)+APD LaBr 3 (Ce) 25ns 7
73 TDS LaBr 3 (Ce) oscilloscope, CsI(Tl)+APD µs oscilloscope, LaBr3(Ce)+APD 1.8 Voltage [V] Voltage [V] Time [s] Time [s] 7.6: CsI(Tl)+APD LaBr 3 (Ce)+APD 662keV γ 71
74 8 γ LaBr 3 (Ce) 5.2 APD 5.3 APD CsI(Tl) 5.4 APD 7 PIN MPPC 5.5 GSO(Ce) 12.%(@662keV) 8.1%
75 γ P6 73
76 [1] [2] [3] 1986 [4] γ 26 [5] 22 [6] γ 24 [7] MPPC 28 74
スライド 1
2008 年度 P6 発表会 新型半導体検出器 MPPCによる放射線測定 2009 年 3 月 11 日福間 今野班 目次 福間 今野 実験の目的 MPPCとシンチレータ 原理と解説 測定での困難 測定結果と考察 まとめと課題 実験の目的 MPPC(Multi Pixel Photon Counter) 最近になって開発された新しい光検出器優れたフォトンカウンティング能力低電圧で動作コンパクト LaBr3
CsI(Tl) 2005/03/
CsI(Tl) 2005/03/30 1 2 2 2 3 3 3.1............................................ 3 3.2................................... 4 3.3............................................ 5 4 6 4.1..............................................
Donald Carl J. Choi, β ( )
:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................
SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT
![SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT](/thumbs/92/110123587.jpg "SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT")
3 SPECT SJ SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT 9ch MPPC array 3 3 9 3 3 9.mm(sigma) . SPECT..................................................................3............
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
PowerPoint プレゼンテーション
P2 前期の実験発表資料 一光子干渉による干渉縞の測定 今川要, 高橋唯基, 谷真央, 辻川吉明, 冨永貴弘, 中川耕太郎, 中田拓海, 西田森彦 実験の目的 MPPC 回路 LED ドライバ 実験のセットアップ 本実験 解析 まとめ スライドの流れ 実験の目的 量子力学における 光の 粒子と波動の二重性 を検証したい 1 光子による干渉が起こることを確認する LED 光検出器 二重スリットによる光の干渉実験
untitled
MPPC 18 2 16 MPPC(Multi Pixel Photon Counter), MPPC T2K MPPC T2K (HPK) CPTA, MPPC T2K p,π T2K > 5 10 5 < 1MHz > 15% 200p.e. MIP 5p.e. p/π MPPC HPK MPPC 2 1 MPPC 5 1.1...................................
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
CdTe γ 02cb059e :
CdTe γ 02cb059e : 2006 5 2 i 1 1 1.1............................................ 1 1.2............................................. 2 1.3............................................. 2 2 3 2.1....................................
25 3 4
25 3 4 1 µ e + ν e +ν µ µ + e + +ν e + ν µ e e + TAC START STOP START veto START (2.04 ± 0.18)µs 1/2 STOP (2.09 ± 0.11)µs 1/8 G F /( c) 3 (1.21±0.09) 5 /GeV 2 (1.19±0.05) 5 /GeV 2 Weinberg θ W sin θ W
放射線検出モジュール C12137 シリーズ 高精度で小型の高感度放射線検出モジュール C12137シリーズは シンチレータとMPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を内蔵した 137 Cs ( セシウム137) などからのγ 線検出を目的とするモジュールです 入射したγ
高精度で小型の高感度 C7シリーズは シンチレータとMPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を内蔵した 7 Cs ( セシウム7) などからのγ 線検出を目的とするモジュールです 入射したγ 線をシンチレータにて可視光に変換し MPPCで極微弱な光まで検出して 低エネルギー γ 線を高精度に計測することが可能です 信号処理回路やA/D 変換回路をコンパクトな筐体に収めており
Microsoft PowerPoint nishimura.ppt
シンチレーションカメラ ( MeVγ カメラ散乱 γ 検出部 ) の製作 京都大学宇宙線研究室 M1 西村広展 1 散乱 γ 線カメラ 2 アンガーカメラ 3 ピクセルカメラ 1 散乱 γ 線カメラ 二次元位置分解能数 mm エネルギー分解能 9%(FWHM) @662keV Energy band 100keVから2MeV 吸収係数大 大面積 (30cm 30cm) 5 安価 低電力 大強度 シンチレーターの利用
W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge
![W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge](/thumbs/91/105929864.jpg "W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge")
22 2 24 W 1983 W ± Z 0 3 10 cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC 65000 18 ADC [ (µs)] = 0.0207[] 0.0151 (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ 2 2 1 20 µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (GeV) 2 G µ ( hc) 3 1 1 7 1.1.............................
Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証
Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ
VUV MPPC study
VUV MPPC の性能評価 2014/12/5 B02 班主催第 2 回若手研究者ミニ研究会 @ 名古屋大学 早大寄田研 ANKOK 実験 M2 鷲見貴生 暗黒物質 (WIMP) とその直接探索 暗黒物質存在の示唆 宇宙論的観測 ( 宇宙背景輻射 大規模構造 etc.) 天文学的観測 ( 銀河の回転曲線 重力レンズ etc.) 標準模型を超える理論 (SUSY, 超弦理論 etc.) 暗黒物質の存在はほとんど揺るぎない事実
Λ (Λ ) Λ (Ge) Hyperball γ ΛN J-PARC Λ dead time J-PARC flash ADC 1 dead time ( ) 1 µsec 3
19 Λ (Λ ) Λ (Ge) Hyperball γ ΛN J-PARC Λ dead time J-PARC flash ADC 1 dead time ( ) 1 µsec 3 1 1 1.1 γ ΛN................. 1 1.2 KEK J-PARC................................ 2 1.2.1 J-PARC....................................
目次 2 1. イントロダクション 2. 実験原理 3. データ取得 4. データ解析 5. 結果 考察 まとめ
オルソポジトロニウムの寿命測定による QED の実験的検証 課題演習 A2 2016 年後期 大田力也鯉渕駿龍澤誠之 羽田野真友喜松尾一輝三野裕哉 目次 2 1. イントロダクション 2. 実験原理 3. データ取得 4. データ解析 5. 結果 考察 まとめ 第 1 章イントロダクション 実験の目的 4 ポジトロニウム ( 後述 ) の崩壊を観測 オルソポジトロニウム ( スピン 1 状態 ) の寿命を測定
大面積Micro Pixel Chamberの開発 9
Introduction µ-pic と電場構造 ガス増幅 Simulation 信号波形の再現 まとめと今後 京都大学宇宙線研究室髙田淳史 2 次元ガスイメージング検出器プリント基板技術で製作ピクセル間隔 :4 μm 個々のピクセルでガス増幅大面積 : cm 2 and 3 3 cm 2 大きな増幅率 :max ~15 高い位置分解能 :RMS ~12 μm 均一な応答 :RMS ~5% ( cm
23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4
23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)
1 3 1.1 PET..................................... 3 1.1.1......................................... 3 1.1.2 PET................................. 4 1.2..
21 PET 06S2037G 2010 3 1 3 1.1 PET..................................... 3 1.1.1......................................... 3 1.1.2 PET................................. 4 1.2........................................
<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>
光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する
p ss_kpic1094j03.indd
DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500
Muon Muon Muon lif
2005 2005 3 23 1 2 2 2 2.1 Muon.......................................... 2 2.2 Muon........................... 2 2.3................................. 3 2.4 Muon life time.........................................
= hυ = h c λ υ λ (ev) = 1240 λ W=NE = Nhc λ W= N 2 10-16 λ / / Φe = dqe dt J/s Φ = km Φe(λ)v(λ)dλ THBV3_0101JA Qe = Φedt (W s) Q = Φdt lm s Ee = dφe ds E = dφ ds Φ Φ THBV3_0102JA Me = dφe ds M = dφ ds
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
(Microsoft Word - \210\363\215\374\227p\226{\225\266.doc)
[1] シンチレータから見た PET の世界 石橋浩之 清水成宜 日立化成工業 ( 株 ) 機能性材料研究所 1. はじめに近年の画像診断装置の進歩には目を見張るものがある その代表と言える X 線 CT(X-ray Transmission Computed Tomography) は 1973 年 Hounsfield によって開発された [1] それまでの X 線フィルムのかわりに NaI:Tl
γ γ CsI RIBF SAMURAI CsI(Tl),CsI(Na) APD γ
2013 10 11030 2014/02/24 γ γ CsI RIBF SAMURAI CsI(Tl),CsI(Na) APD γ i 1 1 1.1................................. 1 1.2.................................. 1 2 5 2.1.................................... 5 2.2....................................
muramatsu_ver1.key
229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow
03J_sources.key
Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E
2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4
_SPECT画像作成のための基礎知識_Part1_収集編_第29回核医学の基礎を学ぶ会.pptx
SPECT 画像作成のための基礎知識 Part.1 ( 収集編 ) 東芝メディカルシステムズ株式会社核医学システム営業部 ガンマカメラの分類 n 検出器の個数による分類 l l l l 1 検出器 2 検出器 3 検出器 4 検出器 n 検出器の形状による分類 l l l 丸形角形リング型 n 検出器の方式 l アンガー型検出器 u アナログ u デジタル l u フルデジタル半導体検出器 n 検出器の配置
* 2
* 2 3 H2400 2 2 3 4 5 5 (at +25 ) H2400-00-0 H2400-0-0 H2400-20-0 420 3(X) (Y) 2-50 26 5 50 80 200 8.0 0.2 80 62 30 5 60 70.6 5 2. 4 0.3 3.2 8.0.3 2 6 3.5 5 +5 +50-20 +50 630 nm mm µa µa 300 µa/lm 400
Thick-GEM 06S2026A 22 3
Thick-GEM 06S2026A 22 3 (MWPC-Multi Wire Proportional Chamber) MPGD(Micro Pattern Gas Detector) MPGD MPGD MPGD MPGD GEM(Gas Electron Multiplier) GEM GEM GEM Thick-GEM GEM Thick-GEM 10 4 Thick-GEM 1 Introduction
g g/cm3 g / cm3 g g g g/cm3 cm2 kv 光部品関連技術における基盤技術との題を与えられたが、光部品は広範囲の分野であり、その全てを網羅する時間も無いし、それだけの力量...
.. 6.610.. (Photo Multiplier Tube ) MCP PMT 100 PMT.. (Avalanche Photo Diode). APD A PD A PD APD APD. APD PMT.. APD V.. 5.. - 屈 折 率 1.5 ブルスター 角 56.31 s 偏 光 反 射 率 0.1479 45 方 向 の 反 射 率 (1 面 ) p 偏 光 0.0085
推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)
精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単
目次 第 1 章概要と目的 第 2 章測定原理 2-1 ベータ崩壊 2-2 波長変換ファイバー 2-3 プラスチックシンチレータ 2-4 MPPC 第 3 章測定内容 3-1 MPPC の基本性能 3-2 MPPC 一個での大型プラスチックシンチレータの光量測定 第 4 章結果と考察 4-1 結果
卒業論文 MPPC による大型プラスチックシンチレータの光量測定 信州大学理学部物理科学科 4 年 高エネルギー研究室 小須田創 平成 25 年 1 月 30 日 目次 第 1 章概要と目的 第 2 章測定原理 2-1 ベータ崩壊 2-2 波長変換ファイバー 2-3 プラスチックシンチレータ 2-4 MPPC 第 3 章測定内容 3-1 MPPC の基本性能 3-2 MPPC 一個での大型プラスチックシンチレータの光量測定
3-2 PET ( : CYRIC ) ( 0 ) (3-1 ) PET PET [min] 11 C 13 N 15 O 18 F 68 Ga [MeV] [mm] [MeV]
![3-2 PET ( : CYRIC ) ( 0 ) (3-1 ) PET PET [min] 11 C 13 N 15 O 18 F 68 Ga [MeV] [mm] [MeV]](/thumbs/91/106519999.jpg "3-2 PET ( : CYRIC ) ( 0 ) (3-1 ) PET PET [min] 11 C 13 N 15 O 18 F 68 Ga [MeV] [mm] [MeV]")
3 PET 3-1 PET 3-1-1 PET PET 1-1 X CT MRI(Magnetic Resonance Imaging) X CT MRI PET 3-1 PET [1] H1 D2 11 C-doxepin 11 C-raclopride PET H1 D2 3-2 PET 0 0 H1 D2 3-1 PET 3-2 PET ( : CYRIC ) ( 0 ) 3-1-2 (3-1
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2
![6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2](/thumbs/92/109118076.jpg "6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2")
1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a
名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET
1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
2
Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................
フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま
精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には / 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 電圧出力のため取り扱いが簡単 / 2レンジ切り替え機能付き小型
MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M
MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc
24 10 10 1 2 1.1............................ 2 2 3 3 8 3.1............................ 8 3.2............................ 8 3.3.............................. 11 3.4........................ 12 3.5.........................
thesis.dvi
3 17 03SA210A 2005 3 1 introduction 1 1.1 Positronium............ 1 1.2 Positronium....................... 4 1.2.1 moderation....................... 5 1.2.2..................... 6 1.2.3...................
Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt
特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては
elm73xxxxxxa_jp.indd
概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき
Microsoft Word - 11問題表紙（選択）.docx
A B A.70g/cm 3 B.74g/cm 3 B C 70at% %A C B at% 80at% %B 350 C γ δ y=00 x-y ρ l S ρ C p k C p ρ C p T ρ l t l S S ξ S t = ( k T ) ξ ( ) S = ( k T) ( ) t y ξ S ξ / t S v T T / t = v T / y 00 x v S dy dx
PET. PET, PET., PET 1, TPC 3.,. TPC,,.
PET TPC 21 2 9 PET. PET, PET., PET 1, TPC 3.,. TPC,,. 1 6 2 PET 7 2.1........................... 7 2.1.1 PET..................... 7 2.1.2.......................... 10 2.2..............................
tsuchiya_090307
2/26 雷活動からのX線やガンマ線(1) 短時間バースト 継続時間:ミリ秒かそれ以下 自然の雷放電および誘来放電からの観測 衛星による大気上層からの観測(TGFs) Dwyer et al. 2003 Smith et al. 2005 長時間バースト もんじゅ 継続時間:数秒から数分 もんじゅHPより 雷放電に必ずしも同期しない おもに雷雲中 日本海側の冬季や高山で観測 される McCarthy
Drift Chamber
Quench Gas Drift Chamber 23 25 1 2 5 2.1 Drift Chamber.............................................. 5 2.2.............................................. 6 2.2.1..............................................
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを
<4D F736F F D2091AA92E895FB964082C982C282A282C45F >
相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります
Microsoft Word - 章末問題
1906 R n m 1 = =1 1 R R= 8h ICP s p s HeNeArXe 1 ns 1 1 1 1 1 17 NaCl 1.3 nm 10nm 3s CuAuAg NaCl CaF - - HeNeAr 1.7(b) 2 2 2d = a + a = 2a d = 2a 2 1 1 N = 8 + 6 = 4 8 2 4 4 2a 3 4 π N πr 3 3 4 ρ = = =
電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電
1024 画素の高速ラインレート近赤外イメージセンサ (0.9~1.7 μm) 多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024 ch 近赤外 / 高速リニアイメージセンサです 信号処理回路にはCTIA (Capacitive Transimpedance Amplifi er) を採用し サンプルホールド回路を介する事で全画素同時蓄積を行いながら 読み出しを可能にしています
登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目
登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS0061 1995 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 210-0821 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目 25 番 20 号法人番号 7010005018674 研究開発課 Tel: 044-589-5494
T c T>Tc T 気体を用いた荷電粒子検出器
2009/12/7 物理学コロキウム第 2 気体を用いた荷電粒子検出器 内容 : 1. 研究の目的 2. 気体を用いた荷電粒子検出器 3. 霧箱での α 線の観察 4. 今後の予定 5. まとめ 柴田 陣内研究室 寄林侑正 2009/12/7 1 1. 研究の目的 気体の電離作用を利用した荷電粒子検出器の原理を学ぶ 実際に霧箱とスパークチェンバーを作成する 放射線を観察し 荷電粒子と気体粒子の相互作用について学ぶ
1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e
No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh
CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q
近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 です マルチポート読み出し ( ポート当たり 5 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 QE=70% (λ=900 nm), QE=40% (λ=000 nm) 高速ラインレート : 70 khz max. 低エタロニング OCT ( 光干渉断層計 ) 分光測光 構成
MPPC(Multi Pixel Photon Counter) GAGG γ PET(Positoron Emission Tomography) PET GAGG MPPC γ
MPPC γ 28 3 MPPC(Multi Pixel Photon Counter) GAGG γ PET(Positoron Emission Tomography) PET GAGG MPPC γ 1 γ 1 1.1 γ....................................... 1 1.2 γ.............................. 1 1.3.....................................
(1) 1.1
1 1 1.1 1.1.1 1.1 ( ) ( ) ( ) { ( ) ( ) { ( ) ( ) { ( ) ( ) { ( ) ( ) { ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 2 1 1.1.2 (1) 1.1 1.1 3 (2) 1.2 4 1 (3) 1.3 ( ) ( ) (4) 1.1 5 (5) ( ) 1.4 6 1 (6) 1.5 (7) ( ) (8) 1.1 7 1.1.3
FPWS2018講義千代
千代勝実(山形大学) 素粒子物理学入門@FPWS2018 3つの究極の 宗教や神話 哲学や科学が行き着く人間にとって究極の問い 宇宙 世界 はどのように始まり どのように終わるのか 全てをつかさどる究極原理は何か 今日はこれを考えます 人類はどういう存在なのか Wikipediaより 4 /72 千代勝実(山形大学) 素粒子物理学入門@FPWS2018 電子レンジ 可視光では中が透け
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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BELLE TOP 12 1 3 2 BELLE 4 2.1 BELLE........................... 4 2.1.1......................... 4 2.1.2 B B........................ 7 2.1.3 B CP............... 8 2.2 BELLE...................... 9 2.3
news
ETL NEWS 1999.9 ETL NEWS 1999.11 Establishment of an Evaluation Technique for Laser Pulse Timing Fluctuations Optoelectronics Division Hidemi Tsuchida e-mail:tsuchida@etl.go.jp A new technique has been
1 2
( ) ( ) ( ) 1 2 59 2 21 24 275 43 3 26 486 103 27 28 98 105 104 99 1 48 25 29 72 14 33 11-10 3 11 8 14,663 4 8 1 6.0 8 1 0.7 11-6 27 19 22 71 5 12 22 12 1,356 6 4,397 3 4 11 8 9 5 10 27 17 6 12 22 9
1 2 1 a(=,incident particle A(target nucleus) b (projectile B( product nucleus, residual nucleus, ) ; a + A B + b a A B b 1: A(a,b)B A=B,a=b 2 1. ( 10
1 2 1 a(=,incident particle A(target nucleus) b (projectile B( product nucleus, residual nucleus, ) ; a + A B + b a A B b 1: A(a,b)B A=B,a=b 2 1. ( 10 14 m) ( 10 10 m) 2., 3 1 =reaction-text20181101b.tex
第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht
第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
MEMS-FPI 分光センサ C14273 MEMS-FPI チューナブルフィルタと受光素子を一体化した近赤外用の超小型分光センサ MEMS-FPI 分光センサ C14273 は 印加電圧により透過波長を可変できる MEMS-FPI (Fabry-Perot Interferometer: ファブリ
MEMS-FPI チューナブルフィルタと受光素子を一体化した近赤外用の超小型分光センサ は 印加電圧により透過波長を可変できる MEMS-FPI (Fabry-Perot Interferometer: ファブリ ペロー干渉計 ) チューナブルフィルタと InGaAs PIN フォトダイオードを 1 パッケージに収めた超小型センサです 感度波長 範囲は 1750~2150 nm であり 物質の吸光度などの簡易計測用小型機器への組み込みに適しています
JPS2016_Aut_Takahashi_ver4
CTA 111: CTA 7 A B A C D A E F G D H I J K H H J L H I A C B I A J I H A M H D G Dang Viet Tan G Daniela Hadasch A Daniel Mazin A C CTA-Japan A, B, Max-Planck-Inst. fuer Phys. C, D, ISEE E, F, G, H, I,
29 1 8 i 1 1 2 3 2.1.................................... 3 2.2..................................... 4 2.3......................................... 7 2.4.................................... 9 2.5.........................................
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演習 :3. 気体の絶縁破壊 (16.11.17) ( レポート課題 3 の解答例 ) ( 問題 3-4) タウンゼントは平行平板電極間に直流電圧を印加し, 陰極に紫外線を照射して電流 I とギ ャップ長 d の関係を調べ, 直線領域 I と直線から外れる領域 II( 図 ) を見出し, 破壊前前駆電流を理論的 に導出した 以下の問いに答えよ (1) 領域 I における電流 I が I I expd
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Siフォトダイオード 第 2章 1 Siフォトダイオード 章 1-1 動作原理 1-2 等価回路 1-3 電流ー電圧特性 1-4 直線性 1-5 分光感度特性 1-6 ノイズ特性 1-7 感度均一性 1-8 応答速度 1-9 オペアンプとの接続 1-10 応用回路例 2 フォトダイオード S i 2 PSD 位置検出素子 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6 2-7 特長 構造 動作原理
自己紹介 南野彰宏 大学院 : 東大宇宙線研神岡グループ 暗黒物質探索 (XMASS) ( ニュートリノ (SK K2K)) 研究員 助教 : 京大高エネ ニュートリノ (T2K SK Hyper- K AXEL) 2
神岡地下での中性子測定 南野 ( 京大 ) 第 3 回 B02 班若手ミニ研究会 2015 年 5 月 17 日 @ 神戸大 1 自己紹介 南野彰宏 大学院 : 東大宇宙線研神岡グループ 暗黒物質探索 (XMASS) ( ニュートリノ (SK K2K)) 研究員 助教 : 京大高エネ ニュートリノ (T2K SK Hyper- K AXEL) 2 はじめに 12 年前にやった実験なので ほとんど忘れてます
CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-
CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路
Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt
9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム
(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a
![(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a](/thumbs/100/144882653.jpg "(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a")
1 2 2.1 (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a) L ( ) ) * 2) W Z 1/2 ( - ) d u + e + ν e 1 1 0 0
:010_ :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39
:010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39 :010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39 :010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39 :010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28
E4230JD_ qx4j
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10/0 11 12 NB304 DVR-16HD DVR-16HD DVR-16HD 2 ALL Point Point VR Video Point DVR-16HD CD CD DVD-V DVD-V VR Video Point DVR-16HD 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10/0 11 12 16HD NB304 Point
1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html
1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................
9 1. (Ti:Al 2 O 3 ) (DCM) (Cr:Al 2 O 3 ) (Cr:BeAl 2 O 4 ) Ĥ0 ψ n (r) ω n Schrödinger Ĥ 0 ψ n (r) = ω n ψ n (r), (1) ω i ψ (r, t) = [Ĥ0 + Ĥint (
9 1. (Ti:Al 2 O 3 ) (DCM) (Cr:Al 2 O 3 ) (Cr:BeAl 2 O 4 ) 2. 2.1 Ĥ ψ n (r) ω n Schrödinger Ĥ ψ n (r) = ω n ψ n (r), (1) ω i ψ (r, t) = [Ĥ + Ĥint (t)] ψ (r, t), (2) Ĥ int (t) = eˆxe cos ωt ˆdE cos ωt, (3)
核医学分科会誌
日本放射線技術学会第 72 回総会学術大会専門講座後抄録 核医学検査に用いる装置の基礎 asic Lecture of an Imaging Device in Nuclear Medicine 株式会社東芝メディカルシステムズ本村信篤 核医学検査に使用する画像撮影装置 すなわちガンマカメラ (SPECT) と PET の基礎技術について概説した CT MRI US などと異なり 自身で測定用エネルギーを発しないため
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度
JAMSTEC Rep. Res. Dev., Volume 12, March 2011, 27 _ 35 1,2* Pb 210 Pb 214 Pb MCA 210 Pb MCA MCA 210 Pb 214 Pb * 2
JAMSTEC Rep. Res. Dev., Volume 12, March 2011, 27 _ 35 1,2* 1 1 1 1 210 Pb 210 Pb 214 Pb MCA 210 Pb MCA MCA 210 Pb 214 Pb 2010 10 4 2010 12 10 1 2 * 237-0061 2-15 046-867-9794 ogurik@jamstec.go.jp 27 210
Microsoft Word - planck定数.doc
. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h
µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)
1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37
進捗報告 GATE Simulation
進捗報告 GATE Smulaton 2014 / 5 / 30 濱西亮 アウトライン Poston Reconstructon ( 光子の検出分布から相互作用 (LXe, γ) の位置の構成 エネルギー損失量から線源の位置を構成 ) 錦戸文彦さん JJAP 論文 MEG 西村康弘さん博士論文 Poston Reconstructon 導入 光子の検出量 検出位置から γ と LXe の相互作用の位置の再構成
<8AEE B43979D985F F196DA C8E323893FA>
基礎電気理論 4 回目 月 8 日 ( 月 ) 共振回路, 電力教科書 4 ページから 4 ページ 期末試験の日程, 教室 試験日 : 月 4 日 ( 月 ) 時限 教室 :B-4 試験範囲 : 教科書 4ページまでの予定 http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 特別試験 ( 予定 ) 月 5 日 ( 水 ) 学習日 月 6 日 ( 木 )
150518_shin_gakujutsu
γ ( ) 3 B2 215 5 18 @ 1 KamLAND ( ) Double Chooz ( / ) CANDLES ( ) ~ Double Chooz: (θ13 ) (νe + p e + + n) BG BG CANDLES: (5-1MeV) (n,γ) 2 (n,γ) CANDLES (n,γ) Geant4 (n,γ) 3 (n,γ) : γ n + A ZX ( A+1 ZX)*
E4385JD_ qx4j
4 5 6 7 8 9 10/0 11 12 DVHR-V160 1 2 3 DVHR-V160 2 ALL Point Point VR Video DVD-R Point DVHR-V160 VCR VCR CD CD DVD-V DVD-V DVD-R DVD-R VR Video Point 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10/0 11 12 DVHR-V160
1 2 2 (Dielecrics) Maxwell ( ) D H
2003.02.13 1 2 2 (Dielecrics) 4 2.1... 4 2.2... 5 2.3... 6 2.4... 6 3 Maxwell ( ) 9 3.1... 9 3.2 D H... 11 3.3... 13 4 14 4.1... 14 4.2... 14 4.3... 17 4.4... 19 5 22 6 THz 24 6.1... 24 6.2... 25 7 26