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ともみたにしき
7 years ago
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1 Work in Progress - Do not publish 新探求ロジックメモリアーキテクチャ STRJ WG12 ERD( 新探求デバイス ) 東京工業大学大学院理工学研究科内田建

2 STRJ-WG12 Emerging Research Devices (ERD) リーダー : 内田建 ( 東工大 ) サブリーダー木下敦寛 ( 東芝 ) 幹事 : 品田賢宏 ( 早稲田大学 ) 企業 : 佐藤信太郎 (AIST), 川端清司 ( ルネサス ) 小瀧浩 ( シャープ ), 林重徳 ( パナソニック ) 白根昌之 (NEC), 屋上公二郎 ( ソニー ) 特別委員 : 平本俊郎 ( 東大 ), 高木信一 ( 東大 ) 粟野祐二 ( 慶應大 ), 和田恭雄 ( 東洋大 ) 秋永広幸 ( 産総研 ), 浅井哲也 ( 北大 ) 日高睦夫 (ISTEC), 遠藤哲郎 ( 東北大 ) 長谷川剛 (NIMS), 菅原聡 ( 東工大 ) ペパーフェルディナンド (NICT) 藤原聡 (NTT), 河村誠一郎 (JST) 野田啓 ( 京大 ), 大野雄高 ( 名大 ) Work in Progress - Do not publish 2

3 用語集 ERD : 新探求デバイス CNT : Carbon Nanotube SCM : Storage Class Memory SSD : Solid-State Drive MtM : More-than-Moore BC : Beyond CMOS NEMS: Nano Electro Mechanical System PCM : Phase-Change Memory RRAM: Resistance Random Access Memory Work in Progress - Do not publish 3

4 Work in Progress - Do not publish ERD Chapter のミッション 2011 年版 ERD Chapter のミッション情報処理技術におけるCMOSの機能を拡張 / 補完する技術や取り組みの適合性成熟度を評価する年までに適応できる情報処理技術で有望なものを明らかにする More-than-Mooreアプリケーションを発展させるデバイス技術を評価する

5 ERD Chapter のスコープ ERD メモリー (Soli-State Storage を含む ), ロジック, More-than-Moore, アーキテクチャ Technology Entries は published research activity, credibility,progress によって判断される ERD の Technology Entry は以下の要件を満たす 2 つ以上のグループによって論文誌や査読付き国際会議での発表があること 1 つのグループであっても論文誌や査読付き国際会議に多数の発表がなされていること Work in Progress - Do not publish

6 2011 年版 ERD Chapters の変更 Memory セクションに以下の追加 Storage Class Memory サブセクション Memory Select Device サブセクション More-than-Moore セクションを追加 2011 版では RF Filter Application にフォーカスの予定 InGaAs(nFET) Ge(pFET) は PIDS & FEP へ Work in Progress - Do not publish

7 Work in Progress - Do not publish 木下委員 Logic Section Outline MOSFETS: Extending MOSFETs to the End of the Roadmap (Table ERD12a) Charge based Beyond CMOS: Non Conventional FETs and other Charge based information carrier devices (Table ERD12b) Alternative information processing devices (Table ERD12c) ほとんどが Spin デバイス :ERD Logic としては Si/III-V/Ge Carbon Electronics Spin という流れを考えている.

8 Work in Progress - Do not publish 木下委員 MOSFETS CNT FET Graphene Nanoribbon FET Nanowire FET Si 以外の多彩な材料に言及 III-V (GaN, AlN, InN, GaP, InP, GaAs, InAs) II-VI (CdSe, ZnSe, CdS, ZnS) Semiconducting oxides (In 2 O 3, ZnO, TiO 2 ) N-type III-V channel replacement FET 構造は HEMT, HFET InAs, InSb InSb, GaSb は pmos にも期待 n-type Ge channel replacement FET 反転層, 注入速度, コンタクト抵抗 Tunnel FET (BTBT) 超低電圧駆動 = 低消費電力化に期待

9 Work in Progress - Do not publish 木下委員 Charge based beyond CMOS SpinFET and Spin MOSFET Transistors 単なるスイッチではなく, 不揮発ラッチなどの応用に期待 I-MOS Impact ionizationを使う点でここに分類? 低電圧動作が困難なので, SSデバイスとして低消費電力化に期待 Negative gate capacitance FET SSデバイスとして低消費電力化に期待 NEMS 0リーク,0-ON 抵抗. 信頼性向上が問題. まずはハイブリッドデバイスから? Atomic Switch 3 端子化により,Logicデバイスとしても期待. G Mott FET 原理的には究極のトランジスタになりうる? S D

Work in Progress - Do not publish 木下委員 Alternative Information Processing Devices Spin Wave Device Spin 波による情報処理 Nonomagnetic Logic Magnetic islands 同士の相互作用を利用 Excitonic FET OFF 状態を Excitonic

10 Work in Progress - Do not publish 木下委員 Alternative Information Processing Devices Spin Wave Device Spin 波による情報処理 Nonomagnetic Logic Magnetic islands 同士の相互作用を利用 Excitonic FET OFF 状態を Excitonic insulating state で実現 SS デバイスとして期待 BiSFET (bilayer pseudo-spin FET) p/n 型 Graphene を絶縁膜で仕切り,e/h pair( エキシトン ) をキャリアとして用いる. ペア性の崩れが spin のように振舞う. Spin Torque Majority Logic Gate Spin Transfer Torque による spin 状態の変化をスイッチングに利用. All Spin Logic spin の上下を information carrier とした Logic

11 STRJ/2011 年度 WS_ERD(WG12) ITRS2011/ERD MEMORY TAXONOMY AND DEVICES の概要 MEMORY DEVICES ( 対象は NVM) Memory Select Device Storage Class Memory ITRS2009 から大幅に改定対象メモリ異動 : 1 種 ( スピン RAM が PIDS へ ) 統廃合 : 4 種 3 種の新分類スコープの拡大 Select device required for crossbar memory application Storage Class Memory to include solid state drive memory の記述が加わった ITRS2011 採択メモリ 6 種類 : MIM 型抵抗変化メモリ 5 種ケート容量変化メモリ 1 種選択デバイスメモリセルとともにスケーリングが必要縦型 Tr 2 端子型 ( ダイオード型抵抗スイッチ型 ) 屋上委員 Storage Class Memory Storage type: NAND 代替 (SSD 向け ) Memory type: NANDとDRAM 間のバッファー (latencyの隙間を埋める) どちらも候補は確定していない Work in Progress - Do not publish

12 2009 年版からの変化点 MEMORY DEVICES IN/OUT 屋上委員 Transition Table for Emerging Research Memory Devices Reason for IN/OUT Emerging Ferroelectric Memory IN Replaces former FeFET category and the ferroelectric polarization/electronic effects memory categories Redox memory IN Replaces former nanothermal and nanoionic memory categories Mott Memory IN Separated from the electronic effects memory FeFET Memory OUT Merged with FeFET and the ferroelectric polarization/electronic effects memory Electronic effects memory OUT Replaced by EFM and Mott Nanothermal memory OUT Merged with Ionic Memory to form Redox Memory Category Nanoionic memory OUT 統廃合扱うメモリの原理は変わらない Merged with Nanothermal Memory to form Redox Memory Category スピン RAM は PIDS へ移行 Spin Transfer Torque MRAM OUT Became a prototypical technology already included in PIDS chapter since 2009 (Tables PIDS5 and PIDS 5A) Work in Progress - Do not publish

Work in Progress - Do not publish Table ERD5 Emerging Research Memory Devices Demonstrated and Projected Parameters ITRS2011 屋上委員強誘電体を用いた 2 タイプ強誘電体 FET: FET のゲート酸化膜を強誘電体にして NVM 機能発現 (Vth 変化 )

13 Work in Progress - Do not publish Table ERD5 Emerging Research Memory Devices Demonstrated and Projected Parameters ITRS2011 屋上委員強誘電体を用いた 2 タイプ強誘電体 FET: FET のゲート酸化膜を強誘電体にして NVM 機能発現 (Vth 変化 ) 強誘電体分極 ReRAM: 強誘電体の分極に伴う抵抗変化を使った MIM 型抵抗変化メモリ MIM 型の抵抗変化メモリ ON/OFF に酸化還元反応が関わるイオン移動型金属フィラメント酸素欠損ブリッジ etc. 高分子膜中に導電性パスを形成 MIM 型抵抗変化メモリの一種分子の構造変化に伴う抵抗変化を利用 MEMS を使ったリレー型スイッチ ( 抵抗変化 ) Mott 転移 ( 金属 / 絶縁体転移 ) を利用した MIM 型抵抗変化メモリ

14 Work in Progress - Do not publish (1) Vertical transistors Memory Select Device 集積度を決めるのはメモリセルだけではないセル選択デバイス ( ダイオードや Tr) も同じ重みを持つ 4F 2 を目指す試み屋上委員高集積化最近の縦型 (3D)FET はかなり特性が良くなっている Si NW+GAA なども登場 (2) Two terminal select devices 抵抗変化型メモリアレイ用の 2 端子非線形デバイスが欲しい検討されている選択デバイスダイオード型抵抗スイッチ型 MIT switch Threshold switch MIEC switch 2 端子選択デバイスの必要特性 Parameter Value Driver ON Voltage, V r ~1 V Compatibility with logic; low power operation ON current, I r ~10 6 A Sensing of memory state (fast read) ON/OFF ratio >10 6 Sufficiently low sneak currents 85 C The top end spec for servers. Operating NAND spec (the very temperature embodiment of nonvolatile memory for the 50 C current state of the art)

15 Storage Class Memory とは何か Storage Class Memory 屋上委員 Memory and storage hierarchy 外付け k~m M~G ~G G~T bit < ns ~ns ~10ns < 100 ns ~ms *SSD: solid state drive Capacity Latency SRAM (L1, L2, L3) DRAM SSD (NAND Flash) HDD at present SRAM (L1, L2, L3) DRAM Buffer (NVM) M type SCM (Memory) Latency の隙間を埋めるメモリ / ストレージシステムの高効率化 Likely BufferメモリはSSDに組み込まれて使われる新規 NVMはハイブリッドSSDとして市場投入 Work in Progress - Do not publish SSD ( novel NVM) S type SCM (Storage) STT RAM? PCM? RRAM? HDD Post NAND flash (scaling limitation) SSD のさらなる大容量化と使い勝手の向上 (direct overwrite, random access) in future *Memory Interfaces: SSDではHDDとの整合性からSATAを使用メモリ (SSD) には不向き今後の課題

16 Work in Progress - Do not publish SCM にはどんな NVM が必要か Parameter Read/Write latency 屋上委員 Table ERD9 Target device and system specifications for SCM Benchmark [A] HDD [B] NAND flash[b] DRAM 3 5 ms ~100ms (block erase ~1 ms) Memory type SCM Target [C] Storage type SCM <100 ns <100 ns 1 10ms Endurance (cycles) unlimited unlimited >10 9 >10 6 Retention >10 years ~10 years 64 ms >5 days ~10 years ON power (W/GB) ~0.04 ~ <0.4 <0.04 Standby power ~20% ON power <10% ON power ~25% ON power <1% ON power <1% ON power Areal density ~ bit/cm 2 ~ bit/cm 2 ~ 10 9 bit/cm 2 >10 10 bit/cm 2 >10 10 bit/cm 2 Cost ($/GB) <10 <3 4 [A] The benchmark numbers are representative values, which may have significant variations in specific products [B] Enterprise class [C] Single level cell (SLC) cf.

候補となる SCM 用メモリとベンチマーク屋上委員 Table ERD10 Potential of the current prototypical and

ERD3) Parameter FeRAM STT MRAM PCRAM Emerging ferroelectric memory Nano

memory Molecular Memory Scalability?? MLC? 3D integration? Fabrication cost?

17 候補となる SCM 用メモリとベンチマーク屋上委員 Table ERD10 Potential of the current prototypical and emerging research memory candidates for SCM applications Prototypical (Table ERD3) Parameter FeRAM STT MRAM PCRAM Emerging ferroelectric memory Nano mechanical memory Emerging (Table ERD5) Redox memory Mott Memory Macro molecular memory Molecular Memory Scalability?? MLC? 3D integration? Fabrication cost?? Endurance >E15? 一つのベンチマーク例? Work in Progress - Do not publish Buffer (cache) に使うかストレージに使うかで選択基準は変わる

18 ERD のための新概念アーキテクチャ Emerging Research Architectures これまでの内容 :ERD アーキテクチャの分類 (ITRS 2007, 2009) アーキテクチャ実装演算要素メニーコア対称コア CMOS 異種融合コア非対称コア CMOL 分子 Cross-bar Checkpoint CMOS CMOS + 分子スイッチ分子スイッチ CMOS + 強誘電体特定 ERD アーキテクチャのベンチマークメモリアーキテクチャ推論アーキテクチャ (for Beyond-Neumann Computers) 情報処理のパフォーマンス限界の見積もり ITRS 2009 ERD-ERA Chapter Morphic CNN 連想メモリ CMOS + センサ FG-FET, SET 概メモリアーキテクチャ新概念計算アーキテクチャ Bio-inspired MFTD, スピン情報処理の分類 (Beyond Neumannほか ) ITRS 2007 ERD-ERA Chapter ITRS 2011 ERD-ERA Chapter 目的 1:ERDを用いてどのような演算が可能になるか? MOSFET+ 不揮発 (ReRAM, MTJ): 再構成可能論理演算, アナログ素子のばらつき補正 Molecular Devices/Elements: 分子の相互作用を利用した超並列演算 / 知的演算目的 2:ERD の利用機会がある情報処理の模索脳型計算アーキテクチャ ( 単電子, 抵抗変化メモリ, ナノディスク, CMOL, CMOS) セルラーアーキテクチャ ( セルオートマトンとその計算理論 ) 浅井委員目的 3: 情報処理の分類とERD 計算科学からのアプローチ脳型計算アーキテクチャ( 単電子, 抵抗変化メモリ, ナノディスク, CMOL, CMOS) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March2,

19 アプリケーション別新概念メモリのニーズ特徴アプリケーション用途マルチコアデータベースエクサ規模モバイル ASIC 容量規模 GB TB PB XB GB MB GB XB=10 18 バイト消費電力重要重要非常に重要最重要重要容量電力比重要非常に重要重要重要重要仕事量に比例速度システム全体のスループットを決定最重要保持特性重要最重要非常に重要最重要重要付記アクセス速度不揮発メモリ転送を含む CAM 性重要重要コンテンツ参照コスト HDD と同程度 Flash と競合コメントスレッド管理 SCM における Web スケールの演算科学技術演算新しい仕事量の導入小容量浅井委員従来型コンピュータ向けの新概念メモリアーキテクチャ従来 :SRAM: キャッシュ, CAM(LUT in FPGA), DRAM: メインメモリ, HDD&SSD: ストレージ近年 : 大きく変化 ( アプリケーションのスケーリング vs デバイススケーリングが重要 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March2, 2012 from ITRS 2011 Table ERD13 19

20 ロジック + 新概念メモリの現在の研究動向浅井委員研究動向方向性現状ナノ FPGA 参照テーブル (LUT) やス既存 FPGAの2 3 倍の電力性能 ( モデイッチボックスなどをReRAM, ル予測 ) 3 次元実装では3 5 倍程 NEMSなどで実装度ナノクロスバー再構成可能コンピューティング不揮発ナノメモリ素子を用いた超高密度プログラマグルロジックアレイ (PLA) 大規模 LUT を不揮発素子とスイッチボックスの中に埋め込むものスケーラブルな二端子不揮発素子の恩恵を強く受ける Energy Delay Product が 45% 改善 (STT MRAM モデルを用いた予測 ) from ITRS 2011 Table ERD15 Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March2,

21 脳型アーキテクチャの現在の開発動向浅井委員アプリケーション分野特定用途演算画像センサその他人工生命実装技術現在開発されているアーキテクチャ連想メモリ CAM(CMOS, SET), データマイニングと推論マシン (CMOS), 特徴抽出 (CMOS), 雑音駆動型情報処理 ( 次ページ参照 ), 運動制御 (CMOS), ほか輪郭強調 (CMOS, SET), 動き検出 (CMOS, SET), ステレオビジョン (CMOS), 視覚対象追従制御 (CMOS), 適応型ゲイン調整 (CMOS), 方位検出 (CMOS), 超高速撮像 (CMOS), ほかシリコン蝸牛 (CMOS), 音波による位置検出 (CMOS), 聴覚系におけるノイズキャンセルと選択的注意 (CMOS), 嗅覚センセ (CMOS), ほか反応拡散コンピュータ (CMOS, SET), 人工魚脳 (CMOS), 人工鮹脳 (CMOS), ほか CrossNets(Molecular), アドレスイベント駆動 (CMOS), CDMA ニューラルネット (CMOS), 人工神経細胞 (CMOS, SET), 人工シナプス (ReRAM ほか ), 三次元実装, Brain machine インターフェース, ほかシナプスデバイス ( 単電子, ナノディスク ) 神経細胞 & シナプスデバイス (ReRAM をアナログ的に利用し CMOS と組み合わせて構成 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March2, 2012, 特別講演 21

22 情報処理アーキテクチャの演算能力の新分類学 More than Neumann(MtN) LtM の大規模集積による並列演算, ERD 向き例 :CA, Neuro, データフロー, ほか浅井委員 Beyond Neumann (BN) MN, MtN よりも圧倒的に速い演算, ERD 向き例 : 量子コンピュータ, アナログ計算ほか情報処理非アルゴリズム処理アルゴリズム処理非ノイマン型ノイマン型ノイマン型非バイナリバイナリブール代数式 ( 現行 ) 決定グラフその他 More Neumann (MN) ノイマン型の延長, CMOS の独壇場 Less than Neumann(LtM) 極小規模なノイマン型, ERD 向き : 小規模メモリ例 : 現在のメニーコア, GPU, HAほか +ALUまたはアナログ要素 ( 弱演算器 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March2,

23 ITRS2011: STRJ-WG12 からの Contribution Atomic Switch (NIMS 長谷川氏 ) Graphene ( 産総研 / 富士通研佐藤氏 ) CNT( 名大大野先生 ) Spin MOSFET( 東工大菅原先生 ) ERA( 北大浅井先生 ) III-V ( 内田 ) Ge ( 内田 ) Extended CMOS Map(STRJ-WG12) ERA 新コンセプト : More-Neumann, More-than-Neumann, Less-than-Neumann, Beyond Neumann( 北大浅井先生, NICE ペッパー氏 ) Spider Chart(NIMS 長谷川氏 ) 浅井委員 23

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スライド 1 STRJ-WG12 Emerging Research Devices (ERD) ~More-than-Moore, Beyond CMOS の現状と動向 ~ リーダー : 内田建 ( 東工大 ) サブリーダー木下敦寛 ( 東芝 ) 幹事 : 品田賢宏 ( 早稲田大学 ) 企業 : 佐藤信太郎 (AIST), 川端清司 ( ルネサス ) 小瀧浩 ( シャープ ), 林重徳 ( パナソニック ) 白根昌之