ナノ世代物理設計 WG ナノ世代テクノロジに向けた新しい タイミングコーナーの考え方 ~ 微細化における設計対策 ~ 赤嶺武一郎 ( 富士通セミコンダクター ) Fabless 時代の DFM を問う ~ 設計と製造をいかに補完し合うか ~ 黒川敦 ( 弘前大学 ) システムデザインフォーラム 20

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ITRS2005 DFM STRJ : () 1 ITRS STRJ ITRS2005DFM STRJ DFM ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors STRJ: Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan 2 ITRS STRJ 1990 1998 2000 2005

インダクタンス起因ノイズのトレンドークロストークと di/dt ノイズ JEITA EDA 技術専門委員会 DMD 研究会ノイズフリーデザインタスクグループ 山縣暢英 ( ソニー ) 貝原光男 ( リコー ) 蜂屋孝太郎 (NEC) 小野信任 ( セイコーインスツルメンツ )

インダクタンス起因ノイズのトレンドークロストークと di/dt ノイズ JEITA EDA 技術専門委員会 DMD 研究会ノイズフリーデザインタスクグループ 山縣暢英 ( ソニー ) 貝原光男 ( リコー ) 蜂屋孝太郎 (NEC) 小野信任 ( セイコーインスツルメンツ ) 目次 活動目的と課題 ノイズの種類と影響 クロストークノイズのトレンド ダイナミック電源ノイズのトレンド まとめ 今後の課題

(Microsoft PowerPoint - \217W\220\317\211\361\230H\215H\212w_ ppt)

集積回路工学 東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 集積回路工学 1 レイアウトの作業 トランジスタの形状と位置を決定 トランジスタ間を結ぶ配線の経路を決定 製造工程の製造精度に対し 十分な余裕を持った設計ー > デザインルール チップ面積の最小化 遅延の最小化 消費電力の最小化 仕様設計 Schematic の作成 / 修正 Simulation DRC/LVS OK? OK? LPE/Simulation

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

先端テクノロジにおけるDFM取り組み事例 ～ファブレスとEDAベンダ及び外部ファブとの関係～

先端テクノロジにおける DFM 取り組み事例 ~ ファブレスと EDA ベンダ及び外部ファブとの関係 ~ 2014 年 7 月 18 日富士通セミコンダクター ( 株 ) 共通テクノロジ開発センター第三設計技術部花蜜宏晃 Copyright 2014 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 目次 富士通セミコンダクターのご紹介 DFMの位置付け 事例 1: ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化

IBIS Quality Framework IBIS モデル品質向上のための枠組み

Quality Framework モデル品質向上のための枠組み EDA 標準 WG 1 目次 - 目次 - 1. 活動の背景 2. Quality Framework 3. ウェブサイトのご紹介 4. Frameworkの活用方法 2 目次 - 目次 - 1. 活動の背景 2. Quality Framework 3. ウェブサイトのご紹介 4. Frameworkの活用方法 3 1. 活動の背景

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt

9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

スライド 1

STRJ WS: March 9, 2006, 0.35µm 0.8µm 0.3µm STRJ WS: March 9, 2006, 2 0.35µm Lot-to-Lot, Wafer-to-Wafer, Die-to-Die(D2D) D2D 0.8µm (WID: Within Die) D2D vs. WID 0.3µm D2Dvs. WID STRJ WS: March 9, 2006,

PowerPoint プレゼンテーション

システム デザイン フォーラム 2012 LPB 相互設計セミナー 競争力を創出する LPB 標準フォーマットの流通と活用 ~EDA ツールのデモとユーザによる活用方法の議論 ~ 日時 :2012 年 11 月 15 日 ( 木 ) 15:45~17:00 場所 : パシフィコ横浜アネックスホール F201 L P B Copyright JEITA EDA-TC LPB-WG All Rights

Slide 1

CMOS イメージセンサ向けプローブカードに求められる 信号の高速化と低電源ノイズ要求に対する最近の取り組みについて Minoru Mikami, Electrical Design Engineer Formfactor Inc. SPG Group Agenda 1. Overview 2. CIS(CMOS Image Sensor) Probe Card History 3. MIPI D-PHY

ＶＬＳＩ工学

2008//5/ () 2008//5/ () 2 () http://ssc.pe.titech.ac.jp 2008//5/ () 3!! A (WCDMA/GSM) DD DoCoMo 905iP905i 2008//5/ () 4 minisd P900i SemiConsult SDRAM, MPEG4 UIMIrDA LCD/ AF ADC/DAC IC CCD C-CPUA-CPU DSPSRAM

Microsoft PowerPoint - EDSF2008セミナー_V1_1.ppt

アナログ / ミックスド シグナル /RF デザイン フロー - PDK ベースのシングル ベンダ ソリューション - 株式会社シルバコ ジャパン Analog/Mixed-Signal/RF デザインフロー 製品間のインテグレーションだけでなく フローを構成する各々の製品の機能の充実 完成度が重要 デザインフロー全体をサポートするPDKが必須 ライセンス資産を有効に運用できる 柔軟なライセンス システムの導入も有効

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

基本的なノイズ発生メカニズムとその対策 電源 GND バウンス CMOS デジタル回路におけるスイッチング動作に伴い 駆動 MOS トランジスタのソース / ドレインに過渡的な充放電電流 及び貫通電流が生じます これが電源 GND に流れ込む際 配線の抵抗成分 及びインダクタンス成分によって電源電圧

デジアナ混載 IC ミックスド シグナル IC 設計の留意点 2005 年 5 月初版 2010 年 10 月改訂作成 : アナロジスト社森本浩之 まえがきデジタル アナログ混載 IC の回路本来の実力を引き出すためにはアナログ回路とデジタ ル回路の不要な干渉を抑える必要があり ノウハウを要します ですが十分な理解と注意の元で設 計を行えばさほど混載を恐れる必要もありません 用語 IP: Intellectual

3次元LSI集積化技術

3 LSI 3D LSI Integration Technology あらまし LSI 33DI LSI Si TSV Wafer on Wafer WOW 3 45 nm CMOS LSI FeRAM 10 m 200 3 LSI Abstract The conventional enhancement of LSIs based on Moore s Law is approaching its

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/ Lithography Conventional DRC+Lithographic DRC (Metrology: SEM OPE ) CD-SEM IP CD-SEM Hot Spot 1 DRC: Design Rule Check CD-SEM: Critical Dimension-Scanning Electron Microscope Hot spot: Systematic defect:

スライド 1

Shibaura Institute of Technology EDS Fair 2011 国際学会の技術トレンドを読み解く ~ 過去 現在 未来 ~ 低消費電力設計 芝浦工業大学工学部情報工学科 宇佐美公良 低消費電力技術の論文発表件数の推移 論文発表件数 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 2007 2008 2009 2010 2011 年 ASP-DAC DAC ICCAD

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チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

スライド 1

パワーインダクタ および高誘電率系チップ積層セラミックコンデンサの動的モデルについて 1 v1.01 2015/6 24 August 2015 パワーインダクタの動的モデルについて 2 24 August 2015 24 August 2015 動的モデルの必要性 Q. なぜ動的モデルが必要なのか? A. 静的モデルでは リアルタイムに変化するインダクタンスを反映したシミュレーション結果が得られないから

JEITA 電子情報技術産業協会規格 Standard of Japan Electronics and Information Technology Industries Association ED-5001A 3. 3 V 電源電圧仕様 3.3V±0.3V (normal range) and

JEITA 電子情報技術産業協会規格 Standard of Japan Electronics and Information Technology Industries Association 3. 3 V 電源電圧仕様 3.3V±0.3V (normal range) and 2.7V to 3.6V(wide range) Power supply voltage and interface

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt

第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

IBIS

IBISBuilder IBISIndicator R1.2 リリースノート Dec. 2009 IBISBuilder IBISIndicator 1 IBISBuilder IBISIndicator は サイバネットシステム株式会社の登録商標です その他 本書に記載の会社名 商品名は当該各社に帰属する商標または登録商標です 発行者 : サイバネットシステム株式会社 東京本社 : 101-0022

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

AMR日本語版書式

ISSN 1347-4448 ISSN 1348-5504 5 2 (2006 2 ) 2005 11 16 1 UMC LSI SoC Solution Foundry 90nm 65nm 100nm UMC TSMC UMC SoC SoC 90nm 200mm 300mm 300mm UMC UMC UMC UMC SoC 1 2005 11 16 GBRC GBRC 2006 Global

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9 ビット RDAC の自動合成 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻松澤 岡田研究室 盛健次 菅原光俊 宮原正也 松澤昭 2013/8/28 Lab. Tokyo Institute & of Okada Technology Lab. 1 目次 2 1. 開発目的 2. 従来の自動合成 3. 我々の自動合成 3.1 アナログ回路自動生成プログラムのフロー 3.2 開発方法 3.3 開発言語の紹介

報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の

報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので

富士通セミコンダクター株式会社発表資料

安心 安全を実現する安全を実現する FM3 マイコン 2012 年 6 月富士通セミコンダクター株式会社マイコンソリューション事業本部五十嵐稔行 Copyright 2010 FUJITSU LIMITED 目次 FM3 ロードマップ 安心 安全への取り組み安全への取り組み 1 Copyright 2010 FUJITSU LIMITED CPUロードマップとITRON系RTOS製品 T-Kernel/μT-Kernel

SICE東北支部研究集会資料(2014年)

計測自動制御学会東北支部第 291 回研究集会 (2014 年 10 月 23 日 ) 資料番号 291-12 断熱回路技術を用いた 低消費デジタル PWM 制御回路の設計 Design of low-power digital PWM circuit with adiabatic dynamic CMOS logic 鈴木暖 ( 山形大学 ), 阿部啄也 ( 山形大学 ), 澤田直樹 ( 山形大学

EC-1 アプリケーションノート 高温動作に関する注意事項

要旨 アプリケーションノート EC-1 R01AN3398JJ0100 Rev.1.00 要旨 EC-1 の動作温度範囲は Tj = -40 ~ 125 としており これらは記載の動作温度範囲内での動作を保証す るものです 但し 半導体デバイスの品質 信頼性は 使用環境に大きく左右されます すなわち 同じ品質の製品でも使用環境が厳しくなると信頼性が低下し 使用環境が緩くなると信頼性が向上します たとえ最大定格内であっても

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

第3節

Prolith 3.1 Post Exposure Bake PEB PC 1970 F.H.Dill [1-2] PC Aerial Image Image in Resist Latent Image before PEB Resist Profile Develop Time Contours Latent Image after PEB 1 NA PEB [3-4] NA Cr 2 3 (b)

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

2014 年電子情報通信学会総合大会ネットワークシステム B DNS ラウンドロビンと OpenFlow スイッチを用いた省電力法 Electric Power Reduc8on by DNS round- robin with OpenFlow switches 池田賢斗, 後藤滋樹

ネットワークシステム B- 6-164 DNS ラウンドロビンと OpenFlow スイッチを用いた省電力法 Electric Power Reduc8on by DNS round- robin with OpenFlow switches 池田賢斗, 後藤滋樹 早稲田大学基幹理工学研究科情報理工学専攻 1 研究の背景 n インターネットトラフィックが増大 世界の IP トラフィックは 2012

Microsoft PowerPoint - Renesas_AdvancedPPmL(2010_11_11_rev).ppt [互換モード]

Agilent EEsof 3D EM Application series 高速差動伝送ライン Advaced PPmL の評価 アジレント テクノロジー第 3 営業統括部 EDA アプリケーション エンジニアリング Page 1 アプリケーション概要 高速差動伝送路の特性評価 伝送レートの高速化に伴い 分布定数の考え方による伝送線路特性の評価が重要となると共に 伝送線路の高密度伝送線路の高密度化により

機能検証トレーニング コース一覧

機能検証トレーニング コース一覧 日本シノプシス合同会社 2016.03 トレーニング コース一覧 VCS/DVE 基本コース VCS-NLP/VC LP 基本コース VC Verification IP AXI 基本コース (UVM 版 ) VC Verification IP USB 基本コース (UVM 版 ) Verdi 3 基本コース SpyGlass Lint コース SpyGlass

線形システム応答 Linear System response

画質が異なる画像例 コントラスト劣 コントラスト優 コントラスト普 鮮鋭性 普 鮮鋭性 優 鮮鋭性 劣 粒状性 普 粒状性 劣 粒状性 優 医用画像の画質 コントラスト, 鮮鋭性, 粒状性の要因が互いに密接に関わり合って形成されている. 比 鮮鋭性 コントラスト 反 反 粒状性 増感紙 - フィルム系での 3 要因の関係 ディジタル画像処理系でもおよそ成り立つ WS u MTFu 画質に影響する因子

CLEFIA_ISEC発表

128 ビットブロック暗号 CLEFIA 白井太三 渋谷香士 秋下徹 盛合志帆 岩田哲 ソニー株式会社 名古屋大学 目次 背景 アルゴリズム仕様 設計方針 安全性評価 実装性能評価 まとめ 2 背景 AES プロジェクト開始 (1997~) から 10 年 AES プロジェクト 攻撃法の進化 代数攻撃 関連鍵攻撃 新しい攻撃法への対策 暗号設計法の進化 IC カード, RFID などのアプリケーション拡大

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1-1 1.CMOS 技術の最前線 国際半導体技術ロードマップから見た CMOS 技術動向 Trends in CMOS Technology Based on ITRS 2011 Edition 石内秀美 ITRS( 国際半導体技術ロードマップ ) は, 世界 5 極 ( 欧州, 日本, 韓国, 台湾, 米国 ) の半導体工業会 (ESIA,JEI- TA,KSIA,TSIA,SIA) がスポンサーとなって,

TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 15 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の

TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 5 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の中から選択可能です TITAN プローブのもつ優れたインピーダンス整合 電気特性 チップの視認性 長寿命をすべて兼ね備えています

と 測定を繰り返した時のばらつき の和が 全体のばらつき () に対して どれくらいの割合となるかがわかり 測定システムを評価することができる MSA 第 4 版スタディガイド ジャパン プレクサス (010)p.104 では % GRR の値が10% 未満であれば 一般に受容れられる測定システムと

.5 Gage R&R による解析.5.1 Gage R&Rとは Gage R&R(Gage Repeatability and Reproducibility ) とは 測定システム分析 (MSA: Measurement System Analysis) ともいわれ 測定プロセスを管理または審査するための手法である MSAでは ばらつきの大きさを 変動 という尺度で表し 測定システムのどこに原因があるのか

Microsoft PowerPoint - EMPro_ADS_co_design_draft.ppt [互換モード]

3 次元電磁界シミュレータ (EMPro) と 回路シミュレータ (ADS) との効率的な協調解析事例のご紹介 Page 1 EMPro 2010 3 次元電磁界解析専用プラットフォーム 3 次元形状入力に特化した操作性 Windows & Linux 対応 多くの 3D CAD フォーマットの Import をサポート Fastest, t Highest Capacity 3 次元フルウェーブ電磁界シミュレーション

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o

小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,

Microsoft PowerPoint - 【最終提出版】 MATLAB_EXPO2014講演資料_ルネサス菅原.pptx

MATLAB/Simulink を使用したモータ制御アプリのモデルベース開発事例 ルネサスエレクトロニクス株式会社 第二ソリューション事業本部産業第一事業部家電ソリューション部 Rev. 1.00 2014 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved. IAAS-AA-14-0202-1 目次 1. はじめに 1.1 モデルベース開発とは?

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

個人依存開発から組織的開発への移行事例 ~ 要求モデル定義と開発プロセスの形式化 による高生産性 / 高信頼性化 ~ 三菱電機メカトロニクスソフトウエア ( 株 ) 和歌山支所岩橋正実 1

個人依存開発から組織的開発への移行事例 ~ 要求モデル定義と開発プロセスの形式化 による高生産性 / 高信頼性化 ~ 三菱電機メカトロニクスソフトウエア ( 株 ) 和歌山支所岩橋正実 [email protected] [email protected] 1 改善効果 品質 : フロントローディングが進み流出不具合 0 継続生産性 : 平均 130% 改善 工数割合分析

HA17458シリーズ　データシート

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

CAEシミュレーションツールを用いた統計の基礎教育 | (株)日科技研

CAE シミュレーションツール を用いた統計の基礎教育 ( 株 ) 日本科学技術研修所数理事業部 1 現在の統計教育の課題 2009 年から統計教育が中等 高等教育の必須科目となり, 大学でも問題解決ができるような人材 ( 学生 ) を育てたい. 大学ではコンピューター ( 統計ソフトの利用 ) を重視した教育をより積極的におこなうのと同時に, 理論面もきちんと教育すべきである. ( 報告 数理科学分野における統計科学教育

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

リスク分析・シミュレーション

はじめての Crystal Ball 操作マニュアル編 株式会社構造計画研究所 164-0012 東京都中野区中央 4-5-3 TEL:03-5342-1090 Copyright 2012 KOZO KEIKAKU ENGINEERING Inc. All Rights Reserved. はじめに 本マニュアルは 初めて Crystal Ball を操作する方向けに作成された入門マニュアルです

HL SI & HL FWS Script Control

IBIS-LPB Design Kit LPB フォーマットを活用した構想設計自動化 ( 株 ) 東芝 青木孝哲 ( 株 ) 東芝 岡野資睦 メンターグラフィックス ジャパン ( 株 ) 門田和博 Page1 概要 LPB フォーマットと LPB Design Kit を用いて PCB 構想設計を行う HyperLynx SI を用いて IBIS モデル コンデンサ SPICE モデルを Import

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

JTAG バウンダリスキャンテストの容易化設計を支援する OrCAD Capture の無償プラグイン 21 July 2017 ( 富士設備 / 浅野義雄 )

JTAG バウンダリスキャンテストの容易化設計を支援する OrCAD Capture の無償プラグイン 21 July 2017 ( 富士設備 / 浅野義雄 ) PACKAGE COMPLEXITY & TRANSISTOR COUNT 課題 : 実装検査 不良解析 デバッグ プローブ接続では BGA 実装の検査 / 解析 / デバッグができない プローブ接続が困難な高密度実装は増加の一方 このままではテスト費用のほうが高くなる!

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

Tanner EDA Application Notes (L-Edit, DRC, LVS, SPR)

Tanner EDA Web http://www.tannereda.com Tanner EDA Web http://eda.tanner.com/eda/supportmain/login L-Edit... 2... 2... 2... 3... 4 Windows... 4 L-Edit... 5 L-Edit... 9... 10 ASCII... 11... 11... 11 DRC...

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Techno Forum 2012 実運航における燃費改善のためのトリム最適化 株式会社 MTI 技術戦略グループ上級研究員堀正寿 1 目次 1. はじめに 2. 最適トリムの評価手法 2-1. オペレーションプロファイル調査 2-2. 水槽試験とトリム影響解析 2-3. 実船検証 3. トリムチャートと運用 4. まとめ 2 1-1 トリムの定義 1. はじめに 船尾喫水 (da) と船首喫水 (df)

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している

USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V

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選択的ノード破壊による ネットワーク分断に耐性のある 最適ネットワーク設計 関西学院大学理工学部情報科学科 松井知美 巳波弘佳 選択的ノード破壊によるネットワーク分断に耐性のある最適ネットワーク設計 0 / 20 現実のネットワーク 現実世界のネットワークの分析技術の進展! ネットワークのデータ収集の効率化 高速化! 膨大な量のデータを解析できる コンピュータ能力の向上! インターネット! WWWハイパーリンク構造

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AK8133 Multi Clock Generator for Audio AK8133 は 高性能オーディオ用 PLL クロックジェネレータ IC です 27MHz 水晶振動子または外部からの 27MHz 入力から複数のオーディオ用クロックを同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できますので各種オーディオシステムに適用することができます AK8133 は出力周波数近傍のスプリアスを大幅に軽減していますので水晶発振器を用いた場合と同等の

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

レベルシフト回路の作成

レベルシフト回路の解析 群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室 96305033 黒岩伸幸 指導教官小林春夫助教授 1 ー発表内容ー 1. 研究の目的 2. レベルシフト回路の原理 3. レベルシフト回路の動作条件 4. レベルシフト回路のダイナミクスの解析 5. まとめ 2 1. 研究の目的 3 研究の目的 信号レベルを変換するレベルシフト回路の設計法を確立する このために 次の事を行う

1 2 3 2 1 3 4 5 6 7 2 8 9 10 11 12 3 13 DMP は III との連携により 中国 台湾の SoC 顧客に対し共同でグラフィックスコアの販売を うほか グラフィックスコアを搭載した顧客製品を短期間で開発するためのソリューションを提供します OpenCL などの API を策定するコンソーシアム ( 標準化団体 ) であるクロノス グループからリリースされた最新の

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

インターリーブＡＤＣでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術

1 インターリーブADCでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術 浅見幸司 黒沢烈士 立岩武徳 宮島広行 小林春夫 ( 株 ) アドバンテスト 群馬大学 2 目次 1. 研究背景 目的 2. インターリーブADCの原理 3. チャネル間ミスマッチの影響 3.1. オフセットミスマッチの影響 3.2. ゲインミスマッチの影響 3.3. タイミングスキューの影響 4. 提案手法 4.1. インターリーブタイミングミスマッチ補正フィルタ

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

Microsoft Word - 【プレス】 _ミツウロコ・京セラ・NEC_IoT協業_Final-2.docx

報道関係各位 2017 年 5 8 株式会社ミツウロコクリエイティブソリューションズ 本電気株式会社京セラコミュニケーションシステム株式会社 新無線通信技術 SIGFOX による AI IoT を活 した国内初の LP ガス配送業務効率化事業の提供に向け協業開始 株式会社ミツウロコクリエイティブソリューションズ ( 注 1 以下ミツウロコクリエイティブソリューションズ ) 本電気株式会社( 注 2

平成22年度事故情報収集調査結果について（概要速報）

Product Safety Technology Center 製品事故解析に必要な アルミニウム合金の引張強さとウェブ硬さ及びバーコル硬さとの関係について 九州支所 製品安全技術課清水寛治 説明内容 目的 アルミニウム合金の概要 硬さの測定方法 引張強さとビッカース硬さの関係 ビッカース硬さとウェブ硬さ バーコル硬さの関係 引張強さとウェブ硬さ バーコル硬さの関係 効果と活用事例 2 1. 目的

ソフト活用事例③自動Rawデータ管理システム

ソフト活用事例 3 自動 Raw データ管理システム ACD/Labs NMR 無料講習会 & セミナー 2014 於 )2014.7.29 東京 /2014.7.31 大阪 富士通株式会社テクニカルコンピューティング ソリューション事業本部 HPC アプリケーション統括部 ACD/Spectrus をご選択頂いた理由 (NMR 領域 ) パワフルな解 析機能 ベンダーニュートラルな解析環境 直感的なインターフェース

スライド 1

プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器

Microsoft PowerPoint - 隅谷様（パナソニック）.ppt [互換モード]

SOC の低消費電力設計技術の 課題と解決策 - 設計生産性向上との両立に向けて- 2010 年 1 月 29 日 JEITA 半導体技術ロードマップ専門委員会 (STRJ) 設計ワーキンググループ (WG1) 委員 パナソニック ( 株 ) セミコンダクター社 隅谷三喜夫 発表内容 ITRS と STRJ STRJ WG1 のミッション メンバー 活動史 SOC の低消費電力設計技術の課題と解決策

SQiP シンポジウム 2016 アジャイルプロジェクトにおけるペアワーク適用の改善事例 日本電気株式会社小角能史 2016 年 9 月 16 日 アジェンダ 自己紹介ペアワークとはプロジェクトへのペアワークの適用方法 スクラム適用ルール作成 最適化の流れ KPTを用いたふりかえり 適用ルールの改善事例 適用プロジェクトの概要ペアワーク適用ルール ( 初期 ) 改善例 1 - ペアのローテーション改善例

<4D F736F F F696E74202D E93788B5A8F7088CF88F589EF95F18D902D B5A8F7090EA96E588CF88F589EF BC967B

委員長樋渡有 ( 株式会社東芝 ) 1 委員会の目的 組織概要 EDA( Electronic Design Automation ) に関連する技術およびその標準化の動向を調査し その発展 推進を図り もって国内外の関係業界の発展に寄与することを目的とする ミッション 日本エレクトロニクス業界全体の EDA 技術レベルの向上 米国 EDA ベンダ主導の国際 EDA 標準化に対し 日本業界の意向 意見

NJM2591 音声通信用ミキサ付き 100MHz 入力 450kHzFM IF 検波 IC 概要 外形 NJM259 1は 1.8 V~9.0 Vで動作する低消費電流タイプの音声通信機器用 FM IF 検波 IC で IF 周波数を 450kHz ( 標準 ) としています 発振器 ミキサ IF

音声通信用ミキサ付き MHz 入力 45kHzFM IF 検波 IC 概要 外形 NJM59 は.8 V~9. Vで動作する低消費電流タイプの音声通信機器用 FM IF 検波 IC で IF 周波数を 45kHz ( 標準 ) としています 発振器 ミキサ IF リミッタアンプ クワドラチャ検波 フィルタアンプに加えノイズ検波回路とノイズコンパレータを内蔵しています V 特徴 低電圧動作.8V~9.V