［１］デバイス特性ばらつきの評価
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- ありかつ かやぬま
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1 [2] ばらつきの物理原因解明 2-1. 各種物理解析手法 一貫解析手法の開発 トランジスタ特性にばらつきが生じる原因はトランジスタを構成するゲート ゲート酸化膜 ソース ドレイン チャネルの構造や組成 ( 元素の分布 ) 応力などの物理パラメータが個々のトランジスタごとに変動しているためと考えられる 具体的には III-2-I- -(1) 図 に示すように ゲートについては LER(Line Edge Roughness) LWR(Line Edge Width) ゲート幅 不純物濃度 不純物分布が ゲート酸化膜については膜厚 (T OX ) が ソース ドレイン領域に関してはシリサイド電極の形状や不純物分布による接合深さ (X j ) が さらに チャネル領域についてはゲート酸化膜との界面ラフネス 離散不純物の分布 歪や応力などの物理パラメータが揺らぐことによってトランジスタ特性がばらつく したがって これらトランジスタの特性ばらつきの要因で 支配的な要因か明らかにできれば その物理パラメータを高精度に制御して製造 またはその物理パラメータに影響されにくいトランジスタ構造を採用することで対策をとることができる そのために ばらつきの物理原因を解明することが重要である 微細化されたトランジスタの寸法ばらつきは たかだか数ナノメーターオーダーであるため その構造観察には原子レベルの分解能が必要となる これが可能であり 汎用性が高い透過型電子顕微鏡 (TEM: Transmission Electron Microscope) は III-2-I-3-(1) 図 の各種の物理パラメータの評価に多く使われている そのほかにポテンシャルについては走査型キャパシタンス顕微鏡 (SCM: Scanning Capacitance Microscope) や電子線ホログラフィーが 形状のアトミックラフネスについては原子間力顕微鏡 (AFM: Atomic Force Microscope) 歪や応力については収束電子線回折(CBED: Convergent Beam Electron Diffraction) やナノビーム回折 (NBD: Nano Beam Diffraction) 離散不純物分布についてはアトムプローブ(APT: Atom Probe Tomography) などが評価に用いられている ただし トランジスタ形状による制約やナノメーター以下の分解能が要求されるため 必ずしも簡単な評価ではない さらにこの物理原因解明の難易度を上げている原因が 評価方法のほとんどが破壊分析法であることである 例えば TEM についていえば膜厚数 10~300nm 程度の薄片試料にすることで電子線が透過し 観察が可能になる この薄片試料の膜厚は評価の目的によって異なり 厚さ 2nm 程度のゲート酸化膜の厚さを評価するならば数 10nm の薄片にして格子像を観察する必要があるし 応力を評価するならば 応力解放が少ない 300nm 程度の厚さにする必要がある また LER や LWR を評価するならば ゲートを基板表面に平行な断面試料を作成し 観察しなければならないが ゲート酸化膜厚を評価するならば 基板表面に垂直な断面試料が必要である したがって評価する対象により その評価手法を決定し その評価に最適な形状に試料を加工 ( すなわち破壊 ) することになる さらに SCM や AFM は本質的には非破壊評価法であるが 評価対象を表面に露出させる必要があるため やはりトランジスタ構造を破壊する必要ある このように物理パラメータを評価するためには その評価方法に応じて最適な形状に試料を加工する必要があるため 一つのトランジスタについて複数の物理パラメータを取得することが事実上不可能になる場合が多い 従って 一つのトランジスタについて複数の物理パラメータを得るためにはそれぞれのパラメータをどの手法で評価するのか そのための試料形状はどのようなものか を理解し 最適な評価順序を決めることが必要になる 今回トランジスタ特性のばらつき原因の解明のためにこの 最適な評価順序 を検討し これを一貫解析手法と名付けた この内容を III-2-I-3-(1) 図 に示す この方法では まずトランジスタの電気特性より 評価したいトランジスタを決定したのち 配線層を除去する さらに基板も研磨することで平面サンプルを III-2-I- -(1)-P1
2 作成し 平面 TEM 観察を行う これによりゲートの形状がサブ nm の分解能で評価できるため ゲート幅やゲート長の平均的な長さや揺らぎ および コンタクト位置を評価することができる 次にこの試料を断面方向に薄片化する 断面 TEM 観察より トランジスタ全体の形状および 金属シリサイド ( 本開発の 65nm プロセスを用いたデバイスではニッケルシリサイドを用いた ) の形状が把握できる さらに NBD によりチャネル領域における応力を評価する 単結晶シリコンは薄片化することで応力解放されるが ここでの膜厚を 200~300nm にすることで 極端な応力解放は抑制することができる さらに薄片化し 膜厚を 100nm 以下にすると格子像が観察可能となる 原子オーダーの分解能があるため 2nm 程度のゲート酸化膜の平均的な膜厚や 膜厚ゆらぎ ゲート酸化膜 / シリコン基板の界面アトミックラフネスなども評価できる 以上の本手法で得られる物理パラメータをⅢ-2-Ⅰ-3-(1) 表 に示す III-2-I- -(1) 図 一貫解析手法によって得られる物理パラメータ 手 法 得られる物理パラメータ 構造情報 平面 TEM ゲート長 (L g ) ゲート幅(W g ) コンタクト位置 断面 TEM トランジスタ全体の形状 金属シリサイド形状 ナノビーム回折 チャネル領域の応力 断面 TEM ( 格子像 ) ゲート酸化膜厚 (T ox ) 界面のアトミックラフネス 実際にこの手法を NMOS と PMOS それぞれについて V th が +5 σ 平均値 -5σの 3 つのトランジスタに適用し 合計 6 つのトランジスタについて物理パラメータの比較を行った 解析を行った試料のドレイン電流のゲート電圧依存性 (I ds -V g 波形 ) を III-2-I-3-(1) 図 に示した このように ±5σのトランジスタを選ぶと NMOS では V th が 0.38V PMOS では 0.26V と大きく異なっており これだけの V th 差ができるにはそれなりの構造差があると予想した 一貫解析の結果をⅢ-2-Ⅰ-3-(1) 表 に示した 上から順番に 平面 TEM の結果 断面 TEM 像 断面 TEM サンプルによる応力評価の結果 およびゲート酸化膜厚である このように大きな構造上の違いが予想されたにもかかわらず NMOS PMOS ともにゲート長 ゲート幅 チャネル部の応力 ゲート酸化膜厚さにおいて有意な差は認められず むしろこの結果より 上記の物理パラメータについては V th の差異を説明できるほどの違いはないということが結論付けられた また 一貫解析の別のアプリケーションとして 平面 TEM 観察後にゲート幅方向に平行に切り出した試料を用いたTEM 観察結果をⅢ-2-Ⅰ-3-(1) 表 に示す この試料は表 の解析に用いたトランジスタとは別のトランジスタ (NMOS PMOS 各 2 個ずつ V th が ±5σのもの ) を用いている この結果から ポリシリコンゲート内でのポリシリコン粒の大きさや形状が確認できる しかし 大きさや形状ともに特異なものは観察されず ±5 σもの大きな V th 差を説明できる違いは認められなかった 以上の一貫解析結果より ±5 σの V th の違いの原因は本一貫解析手法の評価対象外であった不純物の分布による可能性が示唆された これについては 3DAP による評価技術を開発し 種々のサンプルに適用した この内容については 2-2 章および 6-2 章で詳細に報告する III-2-I- -(1)-P2
3 LER LWR ゲート形状断面 TEM 測長 SEM MPPC ゲート幅ばらつき断面 TEM 測長 SEM ゲート酸化膜厚断面 TEM ゲート長ばらつき断面 TEM 測長 SEM 不純物分布 局所空乏化 SCM シリサイド形状断面 TEM 表面凹凸 AFM 断面 TEM 歪み / 応力 CBED NBD 共焦点ラマン 離散不純物分布アトムプローブ Δ 接合深さ等の不純物分布電子線ホログラフィー III-2-I-3-(1) 図 トランジスタ特性に影響を与える物理パラメータとその評価方法 電気特性より評価トランジスタを選定 ゲート コンタクト 配線層除去基板研磨 50 nm 平面 TEM 断面サンプル加工 ( 厚膜仕様 ) ゲートポリシリコン コンタクト 断面 TEM 観察 ナノビーム回折 ゲート酸化膜 ゲート シリコン基板 50 nm 断面サンプル追加加工 ( 薄膜仕様 ) シリコン基板 5 nm 5 nm 格子像観察 III-2-I-3-(1) 図 物理パラメータの一貫解析手法 III-2-I- -(1)-P3
4 III-2-I- -(1) 図 一貫解析を実施したトランジスタの I d -V g 特性 ((i)v th -low, (ii)v th -medium, (iii)v th -high) III-2-I-3-(1) 表 一貫解析の結果 III-2-I-3-(1) 表 断面 TEM 観察結果 ( ゲート幅方向に平行な試料を用いた ) III-2-I- -(1)-P4
5 次元 STEM 技術 前章で述べたように トランジスタの特性ばらつきの原因となりうるトランジスタの各寸法や組成 構成元素の分布 また 応力などの物理パラメータを 1 つのトランジスタに対して全て評価することは不可能である しかし 特性ばらつきの原因が明らかにするためにこれらのなかのどこを評価すればいいのかを観察する前に絞り込むことはできない そのため 1 つでも多くの物理パラメータを評価するための手段として一貫解析手法を開発したが 本章ではこの課題に対して別のアプローチを行った内容について述べる 一貫解析手法を用いることにより 1 つのトランジスタの構造について複数の物理パラメータを得ることができたが 本質的に不可能なことも残っている 例えばゲート酸化膜の厚さの面内ばらつきを 2 次元的に評価することはできないし 平面 TEM 観察によりLERはある程度評価できるがゲート高さ方向でのラフネスの変動は評価できない 何故ならば TEM 観察用の薄片化した試料内部の情報は 透過電子像では平均化されてしまい観察できないこと また 一度薄片化すると元に戻すことができないためである そこで 本章では試料を薄片化することなく 角度を変えて多くの透過電子像を観察し その結果から三次元的に構造を CT (Computed Tomography) 処理により再構築する 3 次元走査型透過電子顕微鏡法 (STEM: Scanning Transmission Electron Microscope) について検討した結果について報告する この方法を用いると試料内部の三次元構造を高分解能で把握できるため 特性の異なるトランジスタの構造の比較評価に適用し 特性差の原因について考察を行った はじめに 3 次元 STEM 法について説明する この方法では集束イオンビーム (FIB: Focused Ion Beam) により試料を 150 nm 2 程度の角柱状のピラーに加工する この加工には走査型電子顕微鏡 (SEM: Scanning Electron Microscope) で構造を確認しながら微細加工が可能な 日立ハイテクノロジーズ社製 FB2100 を用いた 観察するトランジスタをこのピラー状の試料の中心にくるように粗加工し ニードルステージの先端に取り付ける (III-2-1-I-3-(1) 図 ) さらにこのピラーを FIB 加工し 150 nm 2 程度にする FIB 加工終了後 ニードルステージを三次元観察用ホルダーに取り付け STEM 観察を行う 2 という細かいステップで回転させる毎に STEM 観察を行い Z コントラスト像を取得する (III-2-1-I-3-(1) 図 ) Z コントラスト像 (= 高角散乱環状暗視野像 ) は高角側に散乱された弾性散乱電子を環状検出器で検出することで 回折コントラストなど結晶性によるコントラストを抑え 原子番号や密度に依存したコントラスト像を得ることができる そのため 今回のような構造観察には最適な像である この STEM 観察には日立ハイテクノロジーズ社製の HD2700 を用いた 詳細な観察条件については III-2-1-I-3-(1) 表 にまとめた マイクロピラー ニードルステージ先端 III-2-1-I- -(1) 図 マイクロピラーサンプルとニードルステージ III-2-I- -(1)-P5
6 ニードルステージ先端 ニードルステージ 360 rotation ±20 rotation gear III-2-1-I-3-(1) 図 次元観察用試料ホルダー III-2-1-I-3-(1) 表 次元 STEM の観察条件 画像サイズ 1280 x 960 ピクセル 画素サイズ 0.33nm/ ピクセル 観察角度範囲 0 から180 角度ステップ 2 観察画像枚数 91 枚 得られた複数枚の STEM 像は あらかじめ試料に付着させておいた金の微粒子 ( 数 nmφ) を目印にすることで画像の回転中心および回転軸を決定したのち CT 処理により三次元構造の再構築を行う これによって得られた三次元構造は 0.6nm の解像度を持っており 任意の方向からの任意の厚さの投影像やスライス像を取得することができる これにより 各種物理パラメータを得るのに最適な画像を抽出し 複雑なトランジスタ構造を比較することが可能となった 本手法は従来から日立製作所および日立ハイテクノロジーズにおいて検討されてきた技術であるが 絶縁膜中の金属など Z コントラストがつきやすいものを対象としてきた 今回は初めて複雑なトランジスタ構造中のシリコンと二酸化シリコンのような組成比率が小さい系に対して適用したところ 当初十分な分解能が得られなかったが 金微粒子による軸補正などの改良を加えることで高分解能観察に成功した 今回評価を行ったのは I on 電流の異なる 2 つのトランジスタである すでに述べたように トランジスタ特性のなかでも V th ばらつきについては 基板中の不純物の離散的な分布が原因であると推定されているが I on ばらつきの原因については検討がなされていなかった 通常の 65nm ルールで作成された W g /L g =120nm/60nm の 100 万個のトランジスタからなる DMA-TEG から I on が ±3.3σと大きく異なるものの V th が等しい NMOS を 2 個を選択し 三次元 STEM 法を実施した この 2 つのトランジスタの I d -V g 特性を III-2-1-I- 3-(1) 図 に示す III-2-I- -(1)-P6
7 III-2-1-I-3-(1) 図 次元 STEM 解析を行ったトランジスタの I d -V g 特性 以下 3 次元 STEM 法による評価結果を示す III-2-1-I-3-(1) 図 に再構築像を X Y Z 軸方向に投影した像を示す トランジスタの模式図も合せて記す これは通常の透過像と同様で 試料の厚さ分 (150~ 200nm) の Z コントラスト像を足し合わせたものである この中の X 軸方向の投影像と それを構成するスライス像の一部を III-2-1-I-3-(1) 図 に示した この 1 枚 1 枚は厚さ 2nm 分の投影像に対応しているが このように X 軸方向に順次見ていくことで トランジスタの 3 次元的な構造を明らかにすることができる この例では ゲート幅方向にがどのように形成されているか また ゲート酸化膜が平坦になっているか などが確認できる このような解析は他の軸方向についても可能であり 任意の角度からの観察が可能である さらに回転させることも可能であり立体的な構造を直感的にとらえやすくなっている 次に I on 電流ばらつきの原因を検討するためにこの 2 つのトランジスタの構造を比較した結果を示す III-2-1-I-3-(1) 図 に示したのは I on 大小二つのトランジスタの各投影像である この 2 つのトランジスタに多少の違いは認められるものの 投影像であるため 150nm 程度の厚さに含まれるすべての情報が重ね合わされており 詳細な比較はできない そこで 個々の物理パラメータに着目した比較を行った はじめにゲート酸化膜厚の 2 次元分布を比較する (III-2-1-I-3-(1) 図 ) 膜厚分布は 2nm から 3nm の表示が最も多く 仕様通りの膜厚になっていることがわかる しかし その分布は I on 大小の 2 試料間で大きな差異は認められず ほぼ同様の分布になっている 次に LER と LWR の比較を行った トランジスタの I d -V g 特性にもっとも影響を及ぼすゲートとゲート酸化膜の界面近傍のゲート酸化膜上 4nm の位置でのポリシリコンゲートの形状から算出した その結果を III-2-1-I-3-(1) 図 に示した この結果からは I on 小のトランジスタでゲート長が1~2nm 程度長くなっていることが示された しかしこの程度の違いでは I on の ±3.3σの違いを説明することはできない そこで次に着目したのが ソース ドレイン電極のニッケルシリサイド形状である III-2-1-I-3-(1) 図 で認められるように ニッケルシリサイドの形状は場所により湾曲している これはニッケルシリサイドがニッケルとシリコンの熱的な反応で生成されるため 微細な形状はコントロールできていないためである 詳細な形状を比較するために ゲート酸化膜から基板方向へ厚さ 2nm ごとにスライスした像からシリコンとニッケルシリサイドの境界を求めたものを III-2-1-I-3-(1) 図 に示した 深さ位置についてはカラーで表示し ゲート端からニッケルシリサイド端までの距離を ソース ドレイン側についてそれぞれ求めた この結果では表面に近いほど ニッケルシリサイド端とゲート端との距離が小さく 基板方向に深くなるほど大きくなることがわかる また ゲート幅方向に対して大きく変動していることもわかる さらに MOS トランジスタの I d -V g 特性に最も関与する電流経路と考えられるゲート酸化膜直下付近では場所によりニッケウルシリサイド端とゲート端との III-2-I- -(1)-P7
8 距離が極端に狭くなっているところがある I on 大の左側 I on 小の左右では最も近づいている所で 50nm 程度であるのに対し I on 大の右側のみ約 40nm になっており この位置で特異的にニッケルシリサイド端とゲート端とが小さくなっていることが明らかである このようにニッケルシリサイド端とゲート端との間隔が小さくなると 実効的なチャネル長が短くなり チャネル抵抗が小さくなる その結果 電流が大きくなることが定性的に説明できる この結果からこの 2 つのトランジスタにおいて V th は同一であるが I on の異なる原因の一つとして ニッケルシリサイド形状が示された 以上 三次元 STEM 法を V th が同じで I on の異なる MOS トランジスタの物理原因解析に適用し 以下の結果を得た 1 トランジスタ構造の 3 次元的観察を実施し 3 次元的な物理パラメータの抽出に成功 2 ゲート酸化膜厚の 2 次元分布 LER LWR 金属シリサイドの形状を 3 次元的に抽出 3 電流差のある MOS トランジスタにおいて 金属シリサイドとゲート端距離に有意差を検出 以上より 3 次元 STEM 法はトランジスタの立体構造解析に適用可能であり デバイス開発や不良解析に有効なツールであることが確認できた 特に今回の特性ばらつきの原因解析や不良解析のように観察すべき局所構造 ( 異物や異常な形状や構造 ) が何であるかを観察前に絞り込めないような場合に有効な手段であることが分かった y 50nm x ゲート z y x ゲート Active z x 50nm z y 50nm III-2-1-I-3-(1) 図 次元 STEM による観察像 III-2-I- -(1)-P8
9 ( ゲート ) ポリ Si( ゲート ) と層間膜が重なっている z y x ( ソース / ドレイン ) STI Si 基板 (a) 投影像 ( ゲート ) サイドウォール ポリ Si ( ゲート ) 層間膜 ( ソース ) (b) スライス像 III-2-1-I-3-(1) 図 次元 STEM による投影像とスライス像 (CT 像 ) ( ドレイン ) Ion 大 z y x Ion 小 z ゲート ゲート Active y 50nm 50nm z 50nm x x ゲート長方向 y ゲート幅方向 ゲート長方向 III-2-1-I-3-(1) 図 I on の異なる MOS トランジスタの 3 次元 STEM による投影像 III-2-I- -(1)-P9
10 ソースドレインソースドレイン nm nm (a) Ion 大 (b) Ion 小 III-2-1-I-3-(1) 図 ゲート酸化膜厚さの 2 次元分布の比較 nm ソース ドレイン nm Ion 小 Ion 大 ゲート中心 ゲートエッジ位置 (nm) ゲート長 (nm) 11 III-2-1-I-3-(1) 図 LER の LWR の比較 ( ゲート酸化膜の上 4nm 位置でのゲート形状から算出 ) III-2-I- -(1)-P10
11 z(nm) -0 z(nm) -0 Left Right -50 z (nm) Left Right -50 z (nm) L R L R (nm) y (nm) (nm) y (nm) y (nm) y (nm) ゲート端から左 までの距離 40 nm (a) Ion 大 ゲート端から右 までの距離 III-2-1-I-3-(1) 図 ゲート端から左 までの距離 40 nm (b) Ion 小 ゲート端とニッケルシリサイド端間距離の比較 ゲート端から右 までの距離 III-2-I- -(1)-P11
12 2-2. アトムプローブによる MOS デバイス中の 3 次元不純物分布の解析 MOS トランジスタの微細化とともに顕在化してきた MOS トランジスタの素子特性ばらつきの原因は MOS 構造中のゲート電極やチャネルにおける不純物分布の不均一性にある可能性が種々の解析によって示唆されている これを実験的に検証するためには ポリシリコンゲート電極中の不純物やソース ドレイン チャネル領域における不純物分布など 局所的な不純物分布を評価することが必要である しかし 従来法による評価では微細なトランジスタ構造中の不純物分布を高精度に評価することが困難であった 例えば SIMS は検出感度が高く 低濃度の不純物を検出することができるが 一次イオンビームで決まる測定領域が 100nmφを切るレベルであり 現在主流のトランジスタのゲートサイズよりも大きい そのためゲート内やチャネル領域の不純物分布を評価することは到底できない また TEM をベースにした元素分析手法は空間分解能は高いものの 元素の検出感度が不純物レベルには対応できない このような理由により ゲートやソース ドレイン チャネル中の不純物分布については実験的による直接的な評価はなされていなかった 今回 新たな解析手法として 3 次元アトムプローブ (3DAP:Three-Dimensional Atom Probe tomography) を用いた MOS トランジスタ中の不純物分布観察に取り組んだ 3DAP とは針状の試料と検出器との間に高電圧を印加し 試料先端から蒸発するイオン化原子の飛行時間を測定することでイオン種を特定し さらに 2 次元的な検出器を用いることで 最終的に 3 次元的な元素マッピングを得ることができる分析手法である 従来は金属を代表とする導電性の高い材料の分析に用途が限られていたが 近年 電界蒸発をパルスレーザーで補助することで半導体や絶縁体材料の分析に可能性が広がり 多様な材料の測定に適用されるようになってきた 得られる元素マッピングの空間分解能は原子サイズオーダーであり 検出効率は 37 から 50% と高いため MOS トランジスタ中の不純物を評価できるポテンシャルを十分に持っていると考えられる 本開発で最終的に実現したい評価は 100 万個の DMA-TEG の中から ±5σに対応する 極端に特性がばらついたトランジスタを 3DAP 評価し 特性がばらつくのはどの元素のどのような分布によるのか 電気特性と元素分布とを一対一で対応付けることである しかしながら これには多くの課題が存在する まず 電気的特性を測定した特定の実デバイスを測定するためには 多くのトランジスタの中から特定のトランジスタを針状試料に加工する高精度なサンプリング技術が必要である また ゲート周囲にある絶縁膜の影響による試料破壊を防ぐためには トランジスタ構造を損なうことなく絶縁材料のみを除去する処理が必要である それ以前に 半導体中の不純物が本当に検出できるか どのくらいの定量性 誤差で評価できるのか など基礎的な検討を積み上げることが必要である 本開発ではエネルギー補償効果があるリフレクトロンの導入による高質量分解能化 集束イオンビームによる針加工技術の確立 さらにスペクトルの低ノイズ化のための試料形状最適化などを実施することによって 実トランジスタ中の不純物分布測定 ( 検出下限 : atoms/cm 3 ) を実現させた この章では 初めに 3DAP 評価を試みた 面内で一様な MOS 構造試料を用いた不純物分布の評価結果 ( ) ポリシリコンゲートをライン状に加工した模擬トランジスタ構造における不純物分布の評価 (2-2-4) そして 電気的特性を測定した実デバイス試料における不純物分布の評価結果(2-2-5) について順に述べる これらを実現するために開発した 3DAP による半導体材料評価技術についての詳細は 6-2 章で述べる MOS デバイスのポリシリコンゲート中の不純物分布評価 まず初めに パターニングされていない面内で一様な MOS 構造試料中の不純物分布評価を試みた 用 いた試料の構造はポリシリコン (140nm)/ ゲート酸化膜 (2nm)/ シリコン基板に保護膜としてアモルファスシリコ III-2-I- -(1)-P12
13 ンを成膜したものである この試料の断面 TEM 観察像を III-2-I-3-(1) 図 に示す この試料の 3DAP 評価にあったってはリフレクトロン導入による高質量分解能化 針加工形状の最適化 さらに 3DAP 条件 ( 温度 印加電圧 パルスレーザー照射条件など ) の最適化の結果 高い成功率で 3DAP 測定が可能となった 図 III-2-I-3-(1) 図 に 3DAP 測定結果である 3 次元アトムマップの例を NMOS と PMOS についてそれぞれ示す 図中の点それぞれが原子 1 個に相当し 各元素を色分けして示した ポリシリコンゲート直上の自然酸化膜からポリシリコンゲート ゲート酸化膜の多層構造が明瞭に観察できた NMOS ではポリシリコン内でリン原子とヒ素原子が偏析している様子が観察されているに対し PMOS ではホウ素原子の偏析は確認されない この現象を理解するために ポリシリコンを平面 TEM 観察した結果を III-2-I-3-(1) 図 に示す このように TEM 像ではポリシリコンの多結晶構造が明瞭に観察されるが 平均的な結晶粒径が PMOS よりも NMOS で大きいことが明らかである III-2-I-3-(1) 図 の TEM 像より粒径解析をした結果を III-2-I-3 -(1) 図 に示す この結果から PMOS のポリシリコンの平均粒径は約 NMOS のそれの半分程度であることが示された この結果から NMOS でのリン原子とヒ素原子の偏析は粒界偏析であると推定され NMOS よりも粒径が小さい PMOS のポリシリコン中でボロンの偏析が確認されなかったことは ボロンは粒界偏析しないと結論付けることができる 本測定より ポリシリコン中でリンとヒ素は粒界偏析するが ボロンは粒界偏析しないという事実が明らかになった III-2-I-3-(1) 図 平面方向に一様なゲート電極 / ゲート酸化膜 / シリコン基板構造を有する試料 ( 断面 TEM 像 ) III-2-I- -(1)-P13
14 III-2-I-3-(1) 図 ポリシリコンゲートの 3 次元アトムマップ (a)nmos (b)pmos (a) n-mos (b) p-mos 500 nm 500 nm III-2-I-3-(1) 図 ポリシリコンゲート領域の平面 TEM 観察結果 (a)nmos (b)pmos 30 (a) n-mos 30 (b) p-mos Area ratio[%] Area ratio[%] Grain size [nm] Grain size [nm] III-2-I-3-(1) 図 TEM 観察結果によるポリシリコンの粒径分布 (a)nmos (b)pmos III-2-I- -(1)-P14
15 さらに ポリシリコゲートンとゲート酸化膜の界面付近での不純物分布を詳細に把握するため ゲート酸化膜付近に着目した拡大アトムマップを III-2-I-3-(1) 図 に示す 合せてゲート酸化膜に対して垂直方向の 1 次元濃度分布を示す NMOS ではポリシリコンゲートとゲート酸化膜との界面にリンとヒ素が偏析しているが PMOS ではホウ素は界面に偏析していないことが分かった また NMOS ゲートではリンとヒ素がゲート酸化膜中にはほとんど分布していないのに対し PMOS ではホウ素原子がゲート酸化膜内に拡散していることが明らかになった Z [nm] Z [nm] Y [nm] (a) n-mos NMOS X [nm] (b) PMOS p-mos P As O B O (c) [ ] Concentration [cm -3 ] Gate oxide B P As X [nm] Y [nm] Z [nm] III-2-I-3-(1) 図 ゲート酸化膜付近の 3 次元アトムマップ (a)nmos (b)pmos (c) ゲート酸化膜に垂直な方向での 1 次 元不純物濃度分布 MOS デバイスのゲート酸化膜 / 基板界面付近での不純物分布評価 ここでは と同じ試料におけるゲート酸化膜 / 基板界面付近でのチャネル不純物分布を解析する III-2-I-3-(1) 図 に PMOS における酸素とヒ素の 3 次元アトムマップを示す PMOS のチャネル領域でのヒ素の分布が 3 次元的に評価できていることが分かる III-2-I-3-(1) 図 にゲート酸化膜付近に注目したアトムマップを示す 酸素の分布から求めたゲート酸化膜の上下の界面をワイヤーフレームで表示した ヒ素原子の分布とワイヤーフレームとの位置関係から ヒ素がゲート酸化膜と基板の界面 約 1 原子層相当の領域にのみ偏析していることが明らかになった この結果を定量的に検証するために ヒ素の濃度を直径 40 nm 深さ 1 nm の円柱領域ごとにヒ素とシリコンの原子数比から算出し それをゲート酸化膜から基板方向に求めていったものをプロファイルにした この 3DAP によるヒ素濃度の深さプロファイルを III-2-I-3-(1) 図 に示す 定量方法が確立されている SIMS による同じ試料の深さプロファイルも合せて示す 3DAP と SIMS で得られた結果はほぼ一致しており 3DAP の結果は定量的にも正しいことが確認された ただし ゲート酸化膜と基板界面のみ SIMS と 3DAP の結果に違いが見えた 3DAP による結果のみ高濃度になっており これは III-2-I- 3-(1) 図 で確認されるヒ素の偏析によるものと理解される SIMS は高い検出感度を持つものの 深さ方向の分解能は原子レベルには届かないため この偏析を検出できなかったものと推定される このように 3DAP を用いることで 原子層レベルの深さ分解能で不純物分布を評価できることが明らかになった III-2-I- -(1)-P15
![界面をワイヤーフレームで表示 Z (Depth) [nm] ゲート ゲート酸化膜 Si 基板 O](/docs-images/87/95628587/images/16-1.jpg "As II-2-I-3-(1) 図 2-2-2-2 PMOS ゲート酸化膜近傍の不純物分布の拡大図")
16 Y Z (Depth) X O As III-2-I-3-(1) 図 PMOS デバイス構造の 3 次元アトムプローブ結果 ( 酸素 ヒ素のみ表示 ) 界面をワイヤーフレームで表示 Z (Depth) [nm] ゲート ゲート酸化膜 Si 基板 O As II-2-I-3-(1) 図 PMOS ゲート酸化膜近傍の不純物分布の拡大図 III-2-I- -(1)-P16
17 III-2-I-3-(1) 図 PMOS チャネル領域における 3DAP と SIMS によるヒ素の 1 次元深さ濃度分布 MOS デバイスのチャネル中の不純物分布評価 この章では と同じ試料を用いて NMOS と PMOS のチャネル領域における不純物原子の面内分布を詳細に解析する 解析領域はゲート酸化膜から深さ 30 nm とし III-2-I-3-(1) 図 に示すようにアトムマップを面内方向に多数の角柱 (k k 30 nm 3 k=1~4 nm) に切り分け 角柱に含まれる不純物原子数を求めた NMOS は 28 測定 PMOS は 38 測定の実施し その全ての結果についてこの不純物原子数の算出を実施し 頻度分布の統計精度の向上を計った NMOS のチャネル不純物についての結果を III-2-I-3 -(1) 図 に PMOS のチャネル不純物についての結果を III-2-I-3-(1) 図 に示す は 3DAP で得られた角柱内の原子数を示し 赤の実線は不純物原子が平面方向にランダムに分布していると仮定したときに得られる計算結果を示している これら 実測結果と ランダム分布を仮定したときの計算結果 さらに 換算 χ 2 及び有意水準 5% における限界値を III-2-I-3-(1) 表 に示す この検定の結果 NMOS チャネルではホウ素原子の分布は計算結果と良く一致し 完全にランダムな分布 すなわちポワソン分布をしていることが確認された PMOS チャネルのヒ素原子の分布については計算結果からわずかに外れており ヒ素原子の分布がランダムからわずかに外れていることを示唆している III-2-I- -(1)-P17
![III-2-I-3-(1) 図 2-2-3-1 不純物分布の解析領域の区切り方 ( 深さ方向はゲート酸化膜から 30nm 平面方向は 1 辺が k [nm]; k=1 2 3 4) (a) Number of BOX 60000 40000 62000 13500 1400 20000 0 1 2 (a-ii) Experiment (a-iii) Calculation 0 5 10 15](/docs-images/87/95628587/images/18-0.jpg "Number of boron atoms (b) Number of BOX Number of BOX (b-i) 10000 (c) (b-ii) 5000 2000 1000 800 600 400 200 (a-i) (a-ii) (a-iii) 63000 14500 1800 62500 14000 1600 (b-i) (b-ii) (b-iii) 9800 8000 3500")
18 III-2-I-3-(1) 図 不純物分布の解析領域の区切り方 ( 深さ方向はゲート酸化膜から 30nm 平面方向は 1 辺が k [nm]; k= ) (a) Number of BOX (a-ii) Experiment (a-iii) Calculation Number of boron atoms (b) Number of BOX Number of BOX (b-i) (c) (b-ii) (a-i) (a-ii) (a-iii) (b-i) (b-ii) (b-iii) (b-iii) Number of boron atoms Number of boron atoms (d) 1000 Number of BOX (a-i) NMOS Number of boron atoms 2 (a) (a-i) (a-ii) (a-iii) (a-i) (a-ii) 0 2 Experiment (a-iii) Calculation Number of arsenic atoms 15 (b) (b-i) (b-i) (b-ii) (b-iii) (b-ii) (b-iii) Number of arsenic atoms 15 (c) 1500 Number of BOX Number of BOX Number of BOX Number of BOX (d) PMOS Number of arsenic atoms Number of arsenic atoms III-2-I-3-(1) 図 NMOS ならびに PMOS デバイスのゲート酸化膜直下 k k 30 nm 3 中の不純物原子数の頻度分布と ランダム分布を仮定したときの計算値 (a) k=1 (b) k=2 (c) k=3 (d) k=4 III-2-I- -(1)-P18
19 III-2-I-3-(1) 表 頻度分布と計算値の χ 2 検定結果 DAP による実デバイス評価 - ゲートパターン形成試料を用いた事前検討 これまで述べたとおり 平面内で一様な MOS 構造の 3DAP 測定結果を解析した結果 半導体デバイス中の不純物分布評価方法として 3DAP は空間分解能も定量精度も十分なポテンシャルを持つことが確認できた そこで次のステップとして より実デバイスの構造に近いポリシリコンゲートをライン状に加工した模擬トランジスタ構造の 3DAP 観察を行った この試料の構造を III-2-I-3-(1) 図 に示す この構造は NMOS と PMOS ともにゲートを加工した後 ソース / ドレインエクステンション注入 ハロー注入を行ったのちに保護膜としてアモルファスシリコンを成膜したものである III-2-I-3-(1) 図 に 3DAP 観察結果を示した 元素毎にプロットしたものを III-2-I-3-(1) 図 に示す これらのアトムマップから明らかなように ライン状に加工された模擬 MOS 構造においても 不純物分布を 3 次元的に得ることができた その結果 ゲートとチャネル領域だけでなく ソース ドレイン領域も評価できることが示された NMOS のポリシリコンゲート内においては での結果と同様 リンが粒界偏析していることが明らかである III-2-I-3-(1) 図 の NMOS ゲート部の断層内におけるリン原子の分布より リン原子が粒界に沿って分布し ポリシリコンゲート / ゲート酸化膜界面で高濃度に分布している様子が明瞭に示された チャネル領域については III-2-I-3-(1) 図 に NMOS のエクステンション付近の拡大アトムマップと水平方向の 1 次元濃度プロファイルを示した これらの結果から エクステンション端の一部でホウ素濃度が局所的に高くなっていることが明らかとなった このように 3DAP を用いることで複雑な元素分布構造をもつ MOS トランジスタにおける不純物の分布を数 nm という局所的なレベルで評価できることが示された III-2-I- -(1)-P19
20 III-2-I-3-(1) 図 次元方向に一様なゲートパターンを有する試料 (a) 模式図 (b) 断面 TEM 像 III-2-I-3-(1) 図 ライン状のポリシリコンゲートを有する模擬 MOS 構造のアトムマップ (a)nmos (b)pmos III-2-I-3-(1) 図 ライン状のポリシリコンゲートを有する模擬 MOS 構造の元素ごとのアトムマップ (a)nmos (b)pmos III-2-I- -(1)-P20
21 III-2-I-3-(1) 図 NMOS ゲートの断層内におけるリンの分布 ( 各々の断層の厚さは 5nm) III-2-I- -(1)-P21
22 III-2-I-3-(1) 図 NMOS エクステンション付近の不純物濃度分布 (a) アトムマップ (b) ヒ素 ボロンの 1 次元濃度分布 で明らかになったように ゲート等の微細加工を行っていない面内で一様な MOS 構造試料を用いた評価では チャネル中の不純物は NMOS,PMOS ともにほぼランダムに分布している しかし トランジスタの V th ばらつきは PMOS についてはチャネル中のヒ素原子がランダムに分布することで説明できるのに対し NMOS については ボロン原子のランダム分布だけでは説明することができない そこで チャネル注入後にはランダムであったボロンの分布が デバイスが形成される微細加工の過程で変わった可能性が推測される 具体的には 種々のイオン注入やアニールによってボロン原子が再分布し その結果 場所によってランダムからはずれた偏りなどが生じた可能性がある このような局所的なボロンの再分布はソース / ドレインのエクステンション形成などのプロセスで起きている可能性が高いため これらのプロセスがチャネル不純物分布に及ぼす影響を調べることにした おおよその構造は III-2-I-3-(1) 図 と同じであるが NMOS と PMOS それぞれゲートパターンを形成後 エクステンション形成の有るものと無いものの 2 種類の試料を用意し 3DAP 評価を行った III-2-I-3-(1) 図 に NMOS のエクステンション (a) 有 (b) 無のアトムマップを示す この図において エクステンション形成の影響が大きいと考えられるゲート端からゲート内側 20nm の領域を 20nm 20nm 30nm( 深さ ) に区切り 不純物原子数のばらつきを分析した III-2-I-3-(1) 図 に不純物濃度分布と標準偏差 (σ) を求めた結果を示す この結果から PMOS ではエクステンション形成によるチャネル不純物濃度ばらつきの変調はほとんど見られないのに対し NMOS ではエクステンションを形成することで不純物濃度ばらつきが増大することが分かった この結果は しきい値のばらつきが PMOS よりも NMOS の方が大きい要因を明らかにする上で非常に重要な知見である III-2-I- -(1)-P22
23 III-2-I-3-(1) 図 NMOS におけるアトムマップ (a) エクステンション有 (b) 無 III-2-I-3-(1) 図 シリコン基板中の不純物濃度ばらつき比較 ( 解析領域 : ゲート端付近 20nm 20nm 30nm( 深さ )) III-2-I- -(1)-P23
24 2-2-5.V th ばらつきの大きい実デバイス中の不純物分布評価 以上の検討の結果 MOS トランジスタのゲート ゲート絶縁膜付近 チャネル領域 そしてエクステンション付近にたるまで 3DAP により不純物分布の評価できることが確認された また この検討のなかで リンやヒ素が粒界偏析するのに対し ボロンは偏析しないこと 酸化膜中にボロンは拡散するのに対し ヒ素はしないこと さらに微細加工する前には基板中で不純物は NMOS においても PMOS においてもおおよそポワソン分布をしていることなど MOSトランジスタの設計やプロセス開発において重要な知見を次々とえることができた この章では 最終的な目標である 電気特性が極端にはずれたMOSトランジスタの不純物分布を調べ その原因が何であるかを 3DAP で直接に測定し ばらつきの原因を明らかにすることを試みた結果について述べる 3DAP で評価するトランジスタは 100 万個のトランジスタからなる DMA-TEG の中から V th が中央値から ±3σ 離れたトランジスタを選んだ その一つを断面 TEM 観察した結果を III-2-I-3-(1) 図 に示す このように 実デバイスはゲートの周囲にサイドウォールが形成され それが絶縁膜に埋め込まれている ゲートの両サイドにはタングステンプラグがあり 上方には 10 数層の配線層が形成されている これを 3DAP で評価するためには 配線層を除去し サイドウォール等の絶縁物を全て除く必要がある その上で ゲート部分だけを針状に加工し 初めて 3DAP 測定が可能となる そのための検討については で詳細に説明する III-2-I-3-(1) 図 評価に用いたトランジスタの構造 今回は 配線層を除去したのちに III-2-I-3-(1) 図 の黄破線で示すような形状に針状試料を加工したものを用いて 電気特性を測定した実デバイスの 3DAP 評価を実施した III-2-I-3-(1) 図 に示すように 針状試料の先端をゲート直上にし 針状試料内に絶縁膜を含まないようにしている この形状を上手く加工することで 実デバイス中の不純物分布を計測することに成功した III-2-I-3-(1) 図 に NMOS のしきい値が中央値から ±3σ 離れたトランジスタの 3 次元アトムマップを示す このような 3DAP 測定を数多く試み 複数の測定結果を得た それらのチャネル領域のホウ素濃度を詳しく分析した結果 V th とチャネル中のボロン濃度に相関があることを確認した III-2-I- -(1)-P24
25 III-2-I-3-(1) 図 DAP 用針状試料加工位置 III-2-I-3-(1) 図 V th が大きく異なる NMOS トランジスタの 3 次元アトムマップ ボロン分布に対する炭素共注入の影響 3DAP を用いることで シリコン中に共注入した異種不純物原子間の相互作用を調べることができる 今回は炭素とボロンの組み合わせについて評価した シリコン中に共注入した炭素原子がボロン拡散を抑制することが一般的に知られているが ボロン原子の微視的な挙動に対する炭素注入の効果を理解するためには 3 次元実空間評価は大きな手掛かりになると考えられる シリコンデバイスの微細化には 高精度な不純物添加技術が必要不可欠である 例として 短チャネル効果抑制には極浅接合の実現が必須であり 素子特性ばらつきの低減にはチャネル不純物の再分布抑制が重要となる 近年では 熱処理における不純物拡散抑制技術として共注入法が注目されており 例えば シリ III-2-I- -(1)-P25
26 コン中に注入されたボロンの拡散は 同時に炭素を注入することで抑制可能である また 本開発で明らかにしてきたようにも 炭素の共注入では 特性ばらつきの抑制にも効果がある これはボロン拡散の起源であるシリコン格子間原子を共注入した炭素が捕獲するためと解釈されている 従来は SIMS や TEM によって このメカニズムが調べられてきたが これらの手法では原子レベルのボロンや炭素の挙動を直接評価することは困難であった 本開発では 炭素共注入試料におけるボロンと炭素の相関を調べるために 3DAP 技術を適用した まず初めにシリコン中にボロンと炭素を共注入した試料の熱処理前後の不純物分布を 3DAP で評価した その結果を III-2-I-3-(1) 図 (a) (b) に示す ボロンの注入条件は 8keV cm -2 炭素注入条件は 15keV cm -2 である 不純物の活性化のための熱処理は 実際のプロセスで用いられる条件と同等の条件で行った 熱処理前において ボロンと炭素は面内に一様に分布しているのに対して 熱処理すると炭素の凝集体が形成し 炭素の凝集近傍にボロン原子が集まることが明らかになった III-2-I-3-(1) 図 ボロン 炭素の共注入試料の熱処理前後におけるアトムマップと断面投影図 (a) 熱処理前 (b) 熱処理後 ( 解析領域 : 30 nmφ 140 nm 断面投影図は深さ nm のもの ) ボロンと炭素間の相関を定量的に調べるため 炭素原子からの空間的な距離分布をボロンと炭素について解析した III-2-I-3-(1) 図 に共注入した試料における炭素原子中心の動径分布を示す 黒の破線は熱処理前 赤の実線は熱処理後である (a) の炭素分布を見ると 熱処理によって炭素凝集が起きていることが明らかである さらに (b) のホウ素分布を見ると やはり熱処理によって炭素凝集体付近にボロン原子も集 III-2-I- -(1)-P26
27 まることが明らかとなった このように 炭素凝集メカニズムとそれに関わるホウ素原子の挙動を 3 次元的にナノ オーダーの空間分解能で追跡することで ボロン拡散の抑制メカニズム解明の手掛かりが得られる このような解析が出来る手法は現在 3DAP しかなく この評価は大変意義深いと言える III-2-I-3-(1) 図 ホウ素と炭素を共注入したシリコン試料における炭素を中心とした動径分布 (a) 炭素分布 (b) ボロン分布 以上より 本開発では 集束イオンビームによる針加工技術の確立や さらにスペクトルの低ノイズ化のための試料形状最適化などを実施することによって これまでは極めて測定困難であった実トランジスタ中の不純物分布測定 ( 検出下限 : atoms/cm 3 ) を実現した III-2-I- -(1)-P27
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SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS Technical magazine of Electron Microscope and Analytical Instruments. 2016 技術解説 Vol. No.2 SEPTEMBER 59 先進材料研究とリアルタイム 3D アナリティカル FIB-SEM 複合装置 NX9000 Advanced material research
電子回路I_4.ppt
電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ
<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >
7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に
PEA_24回実装学会a.ppt
85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: yuimichi@5lab.co.jp 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由
技術資料 JARI Research Journal OpenFOAM を用いた沿道大気質モデルの開発 Development of a Roadside Air Quality Model with OpenFOAM 木村真 *1 Shin KIMURA 伊藤晃佳 *2 Akiy
技術資料 176 OpenFOAM を用いた沿道大気質モデルの開発 Development of a Roadside Air Quality Model with OpenFOAM 木村真 *1 Shin KIMURA 伊藤晃佳 *2 Akiyoshi ITO 1. はじめに自動車排出ガスの環境影響は, 道路沿道で大きく, 建物など構造物が複雑な気流を形成するため, 沿道大気中の自動車排出ガス濃度分布も複雑になる.
報道関係者各位 平成 24 年 4 月 13 日 筑波大学 ナノ材料で Cs( セシウム ) イオンを結晶中に捕獲 研究成果のポイント : 放射性セシウム除染の切り札になりうる成果セシウムイオンを効率的にナノ空間 ナノの檻にぴったり収容して捕獲 除去 国立大学法人筑波大学 学長山田信博 ( 以下 筑
報道関係者各位 平成 24 年 4 月 13 日 筑波大学 ナノ材料で Cs( セシウム ) イオンを結晶中に捕獲 研究成果のポイント : 放射性セシウム除染の切り札になりうる成果セシウムイオンを効率的にナノ空間 ナノの檻にぴったり収容して捕獲 除去 国立大学法人筑波大学 学長山田信博 ( 以下 筑波大学 という ) 数理物質系 系長三明康郎 守友浩教授は プルシャンブルー類似体を用いて 水溶液中に溶けている
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X 線 CT による電源コード短絡痕に生じる 気泡の三次元解析 製品安全センター燃焼技術センター 今田修二 1. 調査の目的 2. 実施内容の概要 3. 短絡痕作製実験及び気泡データの取得 (1) 実験一 二次痕の作製 (2) 実験一 二次痕の作製 (3) 前処理 (4) CT データの取得 (5) 気泡の検出方法 4. データの解析結果 (1) 解析対象サンプル及び計測結果の概要 (2) 最大気泡の体積率による解析
図 5 一次微分 図 6 コントラスト変化に伴う微分プロファイルの変化 価し, 合否判定を行う. 3. エッジ検出の原理ここでは, 一般的なエッジ検出の処理内容と, それぞれの処理におけるパラメータについて述べる. 3.1 濃度投影検出線と直交する方向に各画素をスキャンし, その濃度平均値を検出線上
The Principles of Edge Detection, and Its Application to Image Measurement/ Junichi SUGANO ヴィスコ テクノロジーズ株式会社開発本部研究部菅野純一 1. はじめに画像処理におけるエッジとは, 対象物と背景の境界点を指しており, この境界点が連なることで対象物の輪郭を形成する. 対象物の輪郭を拡大してみると, レンズボケにより明から暗または暗から明へ濃度値が連続的に変化していることがわかる.
diode_revise
2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな
Microsoft Word - NJJ-105の平均波処理について_改_OK.doc
ハンディサーチ NJJ-105 の平均波処理について 2010 年 4 月 株式会社計測技術サービス 1. はじめに平均波処理の処理アルゴリズムの内容と有効性の度合いを現場測定例から示す まず ほぼ同じ鉄筋かぶりの密接鉄筋 壁厚測定時の平均波処理画像について また ダブル筋 千鳥筋の現場測定例へ平均波処理とその他画像処理を施し 処理画像の差について比較検証し 考察を加えた ( 平均波処理画像はその他の各処理画像同様
Kumamoto University Center for Multimedia and Information Technologies Lab. 熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI 宮崎県美郷
熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI プロジェクト @ 宮崎県美郷町 熊本大学副島慶人川村諒 1 実験の目的 従来 信号の受信電波強度 (RSSI:RecevedSgnal StrengthIndcator) により 対象の位置を推定する手法として 無線 LAN の AP(AccessPont) から受信する信号の減衰量をもとに位置を推定する手法が多く検討されている
RSS Higher Certificate in Statistics, Specimen A Module 3: Basic Statistical Methods Solutions Question 1 (i) 帰無仮説 : 200C と 250C において鉄鋼の破壊応力の母平均には違いはな
RSS Higher Certiicate in Statistics, Specimen A Module 3: Basic Statistical Methods Solutions Question (i) 帰無仮説 : 00C と 50C において鉄鋼の破壊応力の母平均には違いはない. 対立仮説 : 破壊応力の母平均には違いがあり, 50C の方ときの方が大きい. n 8, n 7, x 59.6,
厚生労働省委託事業 「 平成25年度 適切な石綿含有建材の分析の実施支援事業 」アスベスト分析マニュアル1.00版
クリソタイル標準試料 UICC A 1 走査型電子顕微鏡形態 測定条件等 :S-3400N( 日立ハイテクノロジーズ )/BRUKER-AXS Xflash 4010) 倍率 2000 倍 加速電圧 5kv 162 クリソタイル標準試料 UICC A 2 走査型電子顕微鏡元素組成 cps/ev 25 20 15 C O Fe Mg Si Fe 10 5 0 2 4 6 8 10 12 14 kev
Microsoft Word - 卒論レジュメ_最終_.doc
指紋認証のマニューシャ抽出について 澤見研究室 I02I036 兼信雄一 I02I093 柳楽和信 I02I142 吉田寛孝 1. はじめに近年, キャッシュカードや暗証番号が盗用され, 現金が引き出されるような事件が相次いでいる. これらの対向策として人間の体の一部を認証の鍵として利用する生体認証に注目が集まっている. そこで我々は, 生体認証で最も歴史がある指紋認証技術に着目した. 指紋認証方式は,2
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チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
直観的な使い易いユーザーインターフェースで多次元の視覚化と定量解析 日本語 英語画面表示対応 背景輝度の均一化 豊富な画質調整 画像処理 画像解析機能を搭載 マクロ自動記録 特定用途向けアプリでの利用で 複数データでのバッチ処理が可能 コントラスト強調 平坦化フィルタ ハイパスフィルタ ノイズ除去 境界線の強調 ローパスフィルタ 局部イコライズフィルタ エッジや模様の強調 ディスタンスマップ バリアンスフィルタ
講義「○○○○」
講義 信頼度の推定と立証 内容. 点推定と区間推定. 指数分布の点推定 区間推定 3. 指数分布 正規分布の信頼度推定 担当 : 倉敷哲生 ( ビジネスエンジニアリング専攻 ) 統計的推測 標本から得られる情報を基に 母集団に関する結論の導出が目的 測定値 x x x 3 : x 母集団 (populaio) 母集団の特性値 統計的推測 標本 (sample) 標本の特性値 分布のパラメータ ( 母数
Title
SIMS のアーティファクトについて ナノサイエンス株式会社 永山進 1 artifact( アーティファクト ) とは? 辞書を調べると Artifact ( 考古学 ), 人工品 人工遺物 ( 先史時代の単純な器物 宝石 武器など ) 出土品 Artifact ( 技術的なエラー ), 技術的な側面から入り込むデーターにおける望ましくない変化 ( 測定や解析の段階で発生したデータのエラーや解析のゆがみ
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Non-linea factue mechanics き裂先端付近の塑性変形 塑性域 R 破壊進行領域応カ特異場 Ω R R Hutchinson, Rice and Rosengen 全ひずみ塑性理論に基づいた解析 現段階のひずみは 除荷がないとすると現段階の応力で一義的に決まる 単純引張り時の応カーひずみ関係 ( 構成方程式 ): ( ) ( ) n () y y y ここで α,n 定数, /
X 線 CT による竹組織の観察 R060508Tani.pdf 1. 実験の目的と装置 竹組織は, 種々のサイズの組織が分布しており, 配向もあるので, 高分解能 CT の研究には好都合 な試料である. 種々のサイズの組織の分布があることは,X 線小角散乱の実験からも示唆されてい る. 竹の主たる
X 線 CT による竹組織の観察 R060508Tani.pdf 1. 実験の目的と装置 竹組織は, 種々のサイズの組織が分布しており, 配向もあるので, 高分解能 CT の研究には好都合 な試料である. 種々のサイズの組織の分布があることは,X 線小角散乱の実験からも示唆されてい る. 竹の主たる構成元素は C( 特に竹炭は C のみ ) で, 生体観察のファントムにもなる. 竹を構成する C に対する吸収コントラストを得るには,
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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター
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技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering
02.参考資料標準試料データ
参考資料 標準試料データ目次 クリソタイル標準試料 JAWE111 108 アモサイト標準試料 JAWE211 113 クロシドライト標準試料 JAWE311 118 クリソタイル標準試料 JAWE121 123 アモサイト標準試料 JAWE221 131 クロシドライト標準試料 JAWE321 139 アンソフィライト標準試料 JAWE411 147 トレモライト標準試料 JAWE511 155
走査トンネル顕微鏡を用いた2次元キャリア分布計測技術とデバイス開発への適用
Two-Dimensional Carrier rofiling by Scanning Tunneling Microscopy and Its Application to Advanced Device Development あらまし ゲート長 50 nm 以下の微細トランジスタを高性能化するためにはソース / ドレイン電極などのシリコン中不純物分布を最適化する必要があるので,2 次元不純物分布を高空間分解能で評価する技術が切望されていた
する距離を一定に保ち温度を変化させた場合のセンサーのカウント ( センサーが計測した距離 ) の変化を調べた ( 図 4) 実験で得られたセンサーの温度変化とカウント変化の一例をグラフ 1 に載せる グラフにおいて赤いデータ点がセンサーのカウント値である 計測距離一定で実験を行ったので理想的にはカウ
岡山 3.8m 新望遠鏡制御系のための多点温度計開発 京都大学理学研究科宇宙物理学教室 M1 出口和弘 1. 岡山 3.8m 新望遠鏡に使われる分割鏡のメリットと技術的ハードル我々は現在 京都大学を中心として国立天文台 岡山天体物理観測所に新技術を用いた口径 3.8m の可視 近赤外望遠鏡の建設を計画している ( 図 1) 新技術の一つとして望遠鏡の主鏡に一枚鏡ではなく 扇型のセグメントを組み合わせて一枚の円形の鏡にする分割鏡を採用している
塗料の研究第147号本体.indd
Observation of Particle Materials in Wet and Dry Paints with Transmission Electron Microscope and Scanning Electron Microscope Yukiko Chitose Masami Hayashi Matoba Yabe 透過型電子顕微鏡 走査型電子顕微鏡による塗料 塗膜中の粒子成分の観察
EBNと疫学
推定と検定 57 ( 復習 ) 記述統計と推測統計 統計解析は大きく 2 つに分けられる 記述統計 推測統計 記述統計 観察集団の特性を示すもの 代表値 ( 平均値や中央値 ) や ばらつきの指標 ( 標準偏差など ) 図表を効果的に使う 推測統計 観察集団のデータから母集団の特性を 推定 する 平均 / 分散 / 係数値などの推定 ( 点推定 ) 点推定値のばらつきを調べる ( 区間推定 ) 検定統計量を用いた検定
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)
新技術説明会 様式例
1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf
【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端＜第4回＞
企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発
世界初! 次世代電池内部のリチウムイオンの動きを充放電中に可視化 ~ 次世代電池の実用化に向けて大きく前進 ~ 名古屋大学 パナソニック株式会社 ( 以下 パナソニック ) および一般財団法人ファインセラミックスセンター ( 以下 ファインセラミックスセンター ) は共同で 走査型透過電子顕微鏡 (
世界初! 次世代電池内部のリチウムイオンの動きを充放電中に可視化 ~ 次世代電池の実用化に向けて大きく前進 ~ 名古屋大学 パナソニック株式会社 ( 以下 パナソニック ) および一般財団法人ファインセラミックスセンター ( 以下 ファインセラミックスセンター ) は共同で 走査型透過電子顕微鏡 (STEM:Scanning Transmission Electron Microscope) 注 1)
RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって
入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
Xamﾃｽﾄ作成用ﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ
電場と電位 00 年度本試験物理 IB 第 5 問 A A 図 のように,x 軸上の原点に電気量 Q の正の点電荷を, また, x d Q の位置に電気量の正の点電荷を固定した 問 図 の x 軸を含む平面内の等電位線はどのようになるか 最も適当なものを, 次の~のうちから一つ選べ ただし, 図中の左の黒丸 Q は電気量 Q の点電荷の位置を示し, 右の黒丸は電気量の点電荷の 位置を示す 電場と電位
Nov 11
http://www.joho-kochi.or.jp 11 2015 Nov 01 12 13 14 16 17 2015 Nov 11 1 2 3 4 5 P R O F I L E 6 7 P R O F I L E 8 9 P R O F I L E 10 11 P R O F I L E 12 技術相談 センター保有機器の使用の紹介 当センターで開放している各種分析機器や計測機器 加工機器を企業の技術者ご自身でご利用できます
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第 7 回 t 分布と t 検定 実験計画学 A.t 分布 ( 小標本に関する平均の推定と検定 ) 前々回と前回の授業では, 標本が十分に大きいあるいは母分散が既知であることを条件に正規分布を用いて推定 検定した. しかし, 母集団が正規分布し, 標本が小さい場合には, 標本分散から母分散を推定するときの不確実さを加味したt 分布を用いて推定 検定しなければならない. t 分布は標本分散の自由度 f(
Microsoft PowerPoint - hiei_MasterThesis
LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった
Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx
4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (
Microsoft PowerPoint - 2.devi2008.ppt
第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル
結晶粒と強度の関係
SPring-8 金属材料評価研究会 218 年 1 月 22 日 @AP 品川 転載不可 アルミニウムにおける 置換型固溶元素が引張変形中の 転位密度変化に及ぼす影響 兵庫県立大学材料 放射光工学専攻〇足立大樹 背景 放射光を用いた In-situ XRD 測定により 変形中の転位密度変化を高時間分解能で測定可能となっており 結晶粒径による転位増殖挙動の変化について明らかにしてきた * * H.
横浜市環境科学研究所
周期時系列の統計解析 単回帰分析 io 8 年 3 日 周期時系列に季節調整を行わないで単回帰分析を適用すると, 回帰係数には周期成分の影響が加わる. ここでは, 周期時系列をコサイン関数モデルで近似し単回帰分析によりモデルの回帰係数を求め, 周期成分の影響を検討した. また, その結果を気温時系列に当てはめ, 課題等について考察した. 気温時系列とコサイン関数モデル第 報の結果を利用するので, その一部を再掲する.
Slide 1
INTEL プロセッサの 技術ロードマップ 2014 年 7 月 目次 Pentium から Ivy Bridge までの Intel の製品ライン 100 nm ノード超 (Gate-First) サブ 100 nm ノード : 90 nm および 65 nm (Gate-First) 45 nm 32nm および 22nm (Gate-Last 高誘電 メタルゲート ) 技術ノード 関連パラメータコンタクテッドゲートピッチ
カイ二乗フィット検定、パラメータの誤差
統計的データ解析 008 008.. 林田清 ( 大阪大学大学院理学研究科 ) 問題 C (, ) ( x xˆ) ( y yˆ) σ x πσ σ y y Pabx (, ;,,, ) ˆ y σx σ y = dx exp exp πσx ただし xy ˆ ˆ はyˆ = axˆ+ bであらわされる直線モデル上の点 ( ˆ) ( ˆ ) ( ) x x y ax b y ax b Pabx (,
sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します 情報機構 sample
sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します http://www.johokiko.co.jp/ebook/bc140202.php 情報機構 sample はじめに リチウムイオン電池は エネルギー密度や出力密度が大きいことなどから ノートパソコンや携帯電話などの電源として あるいは HV や EV などの自動車用動力源として用いられるようになってきている
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
線形システム応答 Linear System response
画質が異なる画像例 コントラスト劣 コントラスト優 コントラスト普 鮮鋭性 普 鮮鋭性 優 鮮鋭性 劣 粒状性 普 粒状性 劣 粒状性 優 医用画像の画質 コントラスト, 鮮鋭性, 粒状性の要因が互いに密接に関わり合って形成されている. 比 鮮鋭性 コントラスト 反 反 粒状性 増感紙 - フィルム系での 3 要因の関係 ディジタル画像処理系でもおよそ成り立つ WS u MTFu 画質に影響する因子
研究成果報告書(基金分)
様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ
JUSE-StatWorks/V5 活用ガイドブック
4.6 薄膜金属材料の表面加工 ( 直積法 ) 直積法では, 内側に直交配列表または要因配置計画の M 個の実験, 外側に直交配列表または要因配置計画の N 個の実験をわりつけ, その組み合わせの M N のデータを解析します. 直積法を用いることにより, 内側計画の各列と全ての外側因子との交互作用を求めることができます. よって, 環境条件や使用条件のように制御が難しい ( 水準を指定できない )
レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_５
CMO レイアウト設計法 -5 ( ノイズと特性バラツキをおさえる CMO レイアウト設計法 ) (C)2007 umiaki Takei 1.IC のノイズ対策 CMO 回路では微細加工技術の進歩によりデジタル回路とアナログ回路の両方を混載して 1 チップ化した LI が増えてきた 昨今では 携帯電話用の高周波 1 チップ CMOLI が頻繁に話題になる しかし 混載した場合 デジタル回路のノイズがアナログ回路へ混入し
Microsoft PowerPoint - zairiki_3
材料力学講義 (3) 応力と変形 Ⅲ ( 曲げモーメント, 垂直応力度, 曲率 ) 今回は, 曲げモーメントに関する, 断面力 - 応力度 - 変形 - 変位の関係について学びます 1 曲げモーメント 曲げモーメント M 静定力学で求めた曲げモーメントも, 仮想的に断面を切ることによって現れる内力です 軸方向力は断面に働く力 曲げモーメント M は断面力 曲げモーメントも, 一つのモーメントとして表しますが,
Microsoft Word - 第51号（本文） 最終版(H ).doc
フォーラム収差補正器を搭載した走査透過電子顕微鏡 (HD-2700) による原子分解能二次電子像観察 稲田博実, 田村圭司, 佐藤高広, 鈴木裕也, 今野充, 中村邦康 ( 株 ) 日立ハイテクノロジーズ科学 医用システム事業統括本部連絡先 inada-hiromi@naka.hitachi-hitec.com Abstract: 近年の収差補正技術の発展に伴う電子顕微鏡の高分解能化は 半導体や機能性材料開発の分野においてサブナノメートル領域の像観察
Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm
集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学
京都大学博士 ( 工学 ) 氏名宮口克一 論文題目 塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用した断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( 論文内容の要旨 ) 本論文は, 塩害を受けたコンクリート構造物の対策として一般的な対策のひとつである, 断面修復工法を検討の対象とし, その耐久性をより
塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用し Titleた断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 宮口, 克一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2015-01-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k18 Right Type Thesis
ダンゴムシの 交替性転向反応に 関する研究 3A15 今野直輝
ダンゴムシの 交替性転向反応に 関する研究 3A15 今野直輝 1. 研究の動機 ダンゴムシには 右に曲がった後は左に 左に曲がった後は右に曲がる という交替性転向反応という習性がある 数多くの生物において この習性は見受けられるのだが なかでもダンゴムシやその仲間のワラジムシは その行動が特に顕著であるとして有名である そのため図 1のような道をダンゴムシに歩かせると 前の突き当りでどちらの方向に曲がったかを見ることによって
Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx
アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C
Microsoft Word - 予稿集表紙.doc
ミクロ組織に基づくフェライト セメンタイト鋼の脆性破壊発生予測 柴沼一樹東京大学大学院工学系研究科 ミクロ組織に基づくフェライト セメンタイト鋼の脆性破壊発生予測 柴沼一樹 東京大学 大学院工学系研究科システム創成学専攻 113-8656 東京都文京区本郷 7-3-1 shibanuma@struct.t.-u-tokyo.ac.jp 近年, 構造物に使用される鋼材の高張力化や使用環境の過酷化が進み,
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
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α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある
解析センターを知っていただく キャンペーン
005..5 SAS 問題設定 目的 PKパラメータ (AUC,Cmax,Tmaxなど) の推定 PKパラメータの群間比較 PKパラメータのバラツキの評価! データの特徴 非反復測定値 個体につき 個の測定値しか得られない plasma concentration 非反復測定値のイメージ図 測定時点間で個体の対応がない 着目する状況 plasma concentration 経時反復測定値のイメージ図
Excelによる統計分析検定_知識編_小塚明_1_4章.indd
第2章 1 変量データのまとめ方 本章では, 記述統計の手法について説明します 具体的には, 得られたデータから表やグラフを作成し, 意昧のある統計量を算出する方法など,1 変量データのまとめ方について学びます 本章から理解を深めるための数式が出てきますが, 必ずしも, これらの式を覚える必要はありません それぞれのデータの性質や統計量の意義を理解することが重要です 円グラフと棒グラフ 1 変量質的データをまとめる方法としてよく使われるグラフは,
強度のメカニズム コンクリートは 骨材同士をセメントペーストで結合したものです したがって コンクリート強度は セメントペーストの接着力に支配されます セメントペーストの接着力は 水セメント比 (W/C 質量比 ) によって決められます 水セメント比が小さいほど 高濃度のセメントペーストとなり 接着
コンクリートの強度 コンクリートの最も重要な特性は強度です ここでは まず コンクリート強度の基本的特性について解説し 次に 呼び強度および配合強度がどのように設定されるか について説明します 強度のメカニズム 強度の影響要因 強度性状 構造物の強度と供試体強度 配合 ( 調合 ) 強度と呼び強度の算定 材料強度のばらつき 配合強度の設定 呼び強度の割増し 構造体強度補正値 舞鶴市および周辺部における構造体強度補正値
2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å
MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]
テレコンバージョンレンズの原理 ( リアコンバーター ) レンズの焦点距離を伸ばす方法として テレコンバージョンレンズ ( テレコンバーター ; 略して テレコン ) を入れる方法があります これには二つのタイプがあって 一つはレンズとカメラ本体の間に入れるタイプ ( リアコンバーター ) もう一つ
テレコンバージョンレンズの原理 ( リアコンバーター ) レンズの焦点距離を伸ばす方法として テレコンバージョンレンズ ( テレコンバーター ; 略して テレコン ) を入れる方法があります これには二つのタイプがあって 一つはレンズとカメラ本体の間に入れるタイプ ( リアコンバーター ) もう一つはレンズの前に取り付けるタイプ ( フロントコンバーター ) です 以前 フロントコンバーターについて書いたことがありました
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第 5 章表面ひび割れ幅法 5-1 解析対象 ( 表面ひび割れ幅法 ) 表面ひび割れ幅法は 図 5-1 に示すように コンクリート表面より生じるひび割れを対象とした解析方法である. すなわち コンクリートの弾性係数が断面で一様に変化し 特に方向性を持たない表面にひび割れを解析の対象とする. スラブ状構造物の場合には地盤を拘束体とみなし また壁状構造物の場合にはフーチングを拘束体として それぞれ外部拘束係数を定める.
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード
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. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
日心TWS
2017.09.22 (15:40~17:10) 日本心理学会第 81 回大会 TWS ベイジアンデータ解析入門 回帰分析を例に ベイジアンデータ解析 を体験してみる 広島大学大学院教育学研究科平川真 ベイジアン分析のステップ (p.24) 1) データの特定 2) モデルの定義 ( 解釈可能な ) モデルの作成 3) パラメタの事前分布の設定 4) ベイズ推論を用いて パラメタの値に確信度を再配分ベイズ推定
粒子画像流速測定法を用いた室内流速測定法に関する研究
可視化手法を用いた室内気流分布の測定法に関する研究 -PIV を用いた通風時及び空調吹出気流の測定 - T08K729D 大久保肇 指導教員 赤林伸一教授 流れの可視化は古来より流れの特性を直感的に把握する手法として様々な測定法が試みられている 近年の画像処理技術の発展及び PC の性能向上により粒子画像流速測定法 (PIV ) が実用化されている Particle Image Velocimetry
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 論文題目 Superposition of macroscopically distinct states in quantum many-body systems ( 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ね合わせ ) 氏名森前智行 本論文では 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ねあわせを研究する 状態の重ね合わせ というのは古典論には無い量子論独特の概念であり 数学的には
液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人
液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人 研究背景 目的 液相レーザーアブレーション 液相に設置したターゲットに高強度レーザーパルスを照射するとターゲット表面がプラズマ化する ターゲットを構成する原子 分子が爆発的に放出され, ターゲット由来のナノ粒子ナノ粒子が生成される レーザー照射
構造力学Ⅰ第１２回
第 回材の座屈 (0 章 ) p.5~ ( 復習 ) モールの定理 ( 手順 ) 座屈とは 荷重により梁に生じた曲げモーメントをで除して仮想荷重と考える 座屈荷重 偏心荷重 ( 曲げと軸力 ) 断面の核 この仮想荷重に対するある点でのせん断力 たわみ角に相当する曲げモーメント たわみに相当する ( 例 ) 単純梁の支点のたわみ角 : は 図 を仮想荷重と考えたときの 点の支点反力 B は 図 を仮想荷重と考えたときのB
Microsoft PowerPoint - 三次元座標測定 ppt
冗長座標測定機 ()( 三次元座標計測 ( 第 9 回 ) 5 年度大学院講義 6 年 月 7 日 冗長性を持つ 次元座標測定機 次元 辺測量 : 冗長性を出すために つのレーザトラッカを配置し, キャッツアイまでの距離から座標を測定する つのカメラ ( 次元的なカメラ ) とレーザスキャナ : つの角度測定システムによる座標測定 つの回転関節による 次元 自由度多関節機構 高増潔東京大学工学系研究科精密機械工学専攻