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F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右

1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し

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Transcription:

207 年 2 月 8 日 ( 月 ) 限 8:45~0:5 I05 第 回半導体工学天野浩項目 8 章半導体の光学的性質 /24

光る半導体 ( 直接遷移型 ) と光らない半導体 ( 間接遷移型 ) * 原理的に良く光る半導体 :GaAs GaN IP ZSe など * 原理的に殆ど光らない半導体 ( 不純物を入れると少し光る ):Si Ge GaP SiCなど結晶構造とバンド構造 E E 伝導帯 バンドギャップ k バンドギャップ k 価電子帯 k 0 a 0 a で Ec が極小となることもある 2/24

LD とは? 単色性 三原色 LED のスペクトル 青色 LED の光 LD のスペクトル http://smartdata.usbid.com/datasheets/usbid/2000/2000-q3/364cag.pdf 蛍光体の光 白色 LED のスペクトル http://www.toyoda-gosei.co.jp/led/products/pdf/roudwhite/el49_xwxxx_jea.pdf 3/24

LD とは? Lumileds HP より LED の光束 電流特性 Sharp HPより LDの光出力 電流特性 閾値電流 4/24

LD とは? 指向性 LED チップ指向性 SILVACO HP より Niichia HP より http://www.afoworld.com/lasers.html 5/24

LD とは? http://picasso.elec.eg.osaka-cu.ac.jp/miyazakilab_speckle.html スペックルパターン http://www2.hamajima.co.jp/ikiikiwakuwaku/record/ r_203_05_8/ewpage2.htm 干渉パターン 位相性 6/24

LD とは? TE: 電界成分が入射面に対して横向き TM: 磁界成分が入射面に対して横向き http://iopsciece.iop.org/367-2630//2/2503/fulltext/ 直線偏光 偏光性 7/24

液晶ディスプレイの欠点とレーザダイオードディスプレイの可能性 LED OLED 総合透過率 5% 程度 偏光板単体透過率 45% http://homepage2.ifty.com/lumiaries/guidace/buturi_025.htm 現状の液晶ディスプレイ 8/24

液晶ディスプレイの欠点とレーザダイオードディスプレイの可能性 色フィルタなし 偏光板無し 高効率 但し LD は LED より効率悪い 新技術 :4K TV *All LD *All LED *lue Gree LED Red LD *OLED http://www.phileweb.com/ews/d-av/image.php?id=4858&row= 9/24

誘導放出の考え方 誘導遷移 : 電磁波 ( 光 ) により遷移を誘導させる 自発遷移 : 光の助けなしで遷移する (= 自然放出 ) エネルギー 誘導遷移 2 自発遷移遷移確率遷移確率遷移確率 A 2 2 2 光誘導放出誘導吸収 吸収 R ) 2 2 ( 2 E 2 E 自然放出 角振動数 2 の状態密度 放出 R 二準位ならば 2 A2 2 2 2 ( 2) ( 2) ( ) 2 0/24

エネルギー 光 誘導放出 誘導遷移 2 自発遷移 2 A 2 2 誘導吸収 誘導放出 E 2 E 自然放出 熱平衡ならば R R 2 2 電子分布は正確にはFDであるが Mで近似できるとすると 二準位のエネルギー差 E 2 -E は 2 E E k T e E E 2 2 2 従って ( ) 2 2 k T 2 2 e A 2 /24

レーザ発振の原理 E 2 >E それぞれの準位の電子密度 N 2,N N N 2 e E2 E k T N N 2 kt 通常はN >N e 2 E 2 E ポンピングと呼ぶ E h 誘導遷移 k m 誘導吸収 h m k もし 何らかの方法で N <N 2 とすると E 2 >E なので T<0 負温度と呼ぶ N e 誘導放出 N 2 e E2 k T E k T E 2 E 分布が反転しているので反転分布と呼ぶ 2/24

遷移確率 もし 負温度の状態 (N 2 >N ) で h の電磁波が入ってきたら? 毎秒 W 2 N 2 個の光子を放出毎秒 W 2 N 個の光子を吸収 W 2 =W 2 反転分布状態では誘導放出される光子の方が 誘導吸収される光子の数より多い! E h k m 誘導吸収 誘導遷移 h N m k e 誘導放出 N 2 e E2 k T E k T E 2 E 光の増幅作用 Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio LASER レーザ発振は N 2 >N が必須 二準位では実現できない! 3/24

ポンピング機構 LASER の概念 4/24

半導体レーザダイオード E 活性層 活性層 k 型層から活性層の伝導帯へ電子を沢山注入し p 型層から活性層の価電子帯へ正孔を沢山注入すると 反転分布してレーザ発振する 5/24

( ) 2 2 k T 2 2 e A 2 A 2 2 誘導放出 Plack の黒体輻射の式と比較 2 3 ( ) 3 2 c h 2 3 3 2 2 c h exp( ) k T レーザの必要条件 反転分布 N 2 >N 二準位だけでは生じない E 2 No radiative E 3 Max Plack Pump Lasig 四準位の例 E No radiative E 4 6/24

Electros i C.. 電子の擬フェルミ準位 N EC E k T 正孔の擬フェルミ準位 p N V C e e p EF E k T 半導体内で反転分布を実現するには? V F E F p E F Phoo cascade Ec Recombiatio Ev Phoo cascade Hole i V.. 伝導帯から価電子帯への遷移確率をW CV とすると 単位体積 単位時間当たりの誘導放出数は N W N f N f st CV C C V 価電子帯から伝導帯への遷移確率をW VC とすると 単位体積 単位時間当たりの誘導吸収数は N W N ( f ) N f ab VC C C V V V 7/24

右の式で W CV =W VC 誘導放出の条件は N st N ab f C 半導体内反転分布 N W N f N st CV N W N ( f ) ab VC fv ( fc fv ) Q8-5:f を M で近似し 誘導放出の必要条件である erard-duraffourg の条件を導出せよ C C C C V fv N f f f C V V V M 近似 EC E Exp[ k T EV E Exp[ k T f fp ] ] E F E p F E C E V 擬フェルミ準位のエネルギー差 > バンドギャップ 8/24

閾値電流密度 簡単化のために電子電流密度のみ考える 活性層での生成割合をG 再結合割合をUとする J q ( G U ) d, dt 利得 gは 活性層内の再結合 生成と以下の関係がある g a ( U G ) dx aは比例定数 定常状態では J q J ( G q J U q U G ( U G ) dx ) 0 電流密度の損失分 J T を考慮すると g=a (J-J T ) J T =Trasparecy curret desity 透明になる電流密度 g a q 9/24

閾値電流密度 パワー反射率 R パワー反射率 R 2 L 行き帰りで光強度 exp(g 2L) 増加損失はミラー損失だけとすると exp( g 2L) g l( 2L R R R R 2 ) 2 前頁 g=a (J-J T ) 20/24

Separate Cofiemet Heterostructure(SCH) Laser Diode(LD) 光閉じ込め http://www.ssis.or.jp/museum200/exhibi329.htm キャリア閉じ込め 2/24

内部損失 : 散乱損失 G 光閉じ込め係数 th i g sc モード利得 G と閾値 th i fc 2L l( R R 2 共振器長 ( ) ) pg 活性層内クラッド層での損失自由キャリアの吸収損失 Fabry-Perot FP 反射率 閾値電流密度 J th は? J th d i ) 2L l( RR 2 J 0d J 電流密度と g の例 : 内部量子効率 J 0 : 透明になるために必要な電流密度 d: 活性層厚 J :Auger 再結合や界面再結合などの無効電流密度 22/24

GaAs GaIPおよびGaNの各バンドの有効質量と透明になる電子 - 正孔対濃度 GaAs Ga 0.5 I 0.5 P GaN 伝導帯電子の有効質量 m e /m 0 0.067 0.05 0.2 価電子帯軽い正孔の有効質量 m lh /m 0 0.082 0.4 0.33 価電子帯重い正孔の有効質量 m hh /m 0 0.45 0.48.66 価電子帯正孔状態密度有効質量 m h /m 0 0.47 0.53.76 透明になる電子 - 正孔対濃度 N 0 /cm 3.3*0 8 2.3*0 8 8.4*0 8 閾値電流密度 J th d * q N 0 s s : 自然放出光の再結合速度 GaAs:2~3sec GaN:2~4sec GaAs : 0.6~0.4 KA/cm 2 GaN : ~2.4 KA/cm 2 23/24

HW: LD の単色性 可干渉性について その機構を纏める 2LD の偏光特性 指向性が何故生じるか 調べる 24/24